MOSFET

• MOSFET = Metal Oxide Semiconductor FET

• Mempunyai karakterisitik yang mirip dengan FET
• Memiliki drain, source, gate
• Gate terbuat dari bahan metal
• Karena gate yang terisolasi sering disebut juga Insulated Gate FET
( IGFET)

• Dua jenis MOSFET

- Depletion Mode
- digunakan pada rangkaian linear
- Enhancement Mode
- digunakan pada rangkaian digital
 Depletion Mode MOSFET Construction

Drain (D) dan Source (S) dihubungkan dengan n-doped region

n-doped region dihubungkan melalui n-channel
n-channel dihubungkan dengan Gate (G) melalui insulating layer SiO2 yang tipis
n-doped material berada pada p-doped substrate yang dapat mempunyai terminal tambahan
yang dihubungkan dengan substrate (SS)
Depletion Mode MOSFET
• n channel
 Prinsip Kerja
• Elektron bebas mengalir
dari source ke drain
melalui n region.
elektron yang mengalir
harus melalui channel
yang sempit diantara
gate dan p region
Tegangan Gate Negatif
• 1. Tegangan gate negatif
- VDD mendorong elektron
mengalir dari source ke drain.
Elektron tersebut mengalir melalui
channel yang sempit disebelah
substrate p.

- Tegangan gate mengontrol

lebarnya channel. Semakin negative
tegangan gate, semakin kecil arus
drain. Ketika tegangan gate sudah
cukup negatif, arus drain akan cut
off.

- Operasi MOSFET sama dengan

JFET ketika VGS negatif
 Tegangan Gate Positif
• Karena gate terisolasi dari
channel, tegangan positif dapat
diberikan pada gate. Tegangan
gate positif menaikkan
banyaknya elektron bebas yang
mengalir melalui channel.

• Semakin positif tegangan gate,

semakin besar arus dari source
ke drain
Kurva Drain
Depletion
MOSFET

ketika VGS = 0V, ID = IDSS

Ketika VGS < 0V, ID < IDSS

n channel p channel
 Enhancement Mode MOSFET Construction

Drain (D) dan Source (S) dihubungkan dengan n-doped region

n-doped regions tidak berhubugan melalui n-channel
Gate (G) berhubungan dengan p-doped substrate melalui insulating layer SiO2 yang tipis
Enhancement Mode MOSFET
• N Channel
 Enhancement Mode MOSFET
• Ketika VGS =0, VDD akan mendorong elektron bebas dari source ke drain, tetapi
substrat p hanya mempunyai sedikit elektron bebas. Tidak ada arus mengalir anatra
source dan drain, MOSFET dalam keadaan Off

• VGS >0 elektron tertarik kearah substrat p dan berekombinasi dengan hole. Karena
potensial gate lebih positif, elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi
substrat yang berbatasan dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat
mengalir menuju gate karena terisolasi oleh bahan insulator SiO2.

• Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan elektron akan menyebabkan
terbentuknya semacam lapisan n yang negatif dan seketika itulah arus drain dan source
dapat mengalir. Lapisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah inversion layer. Di
sini karena subtratnya tipe p, maka lapisan inversion yang terbentuk adalah bermuatan
negatif atau tipe n.

• Tegangan minimum dimana lapisan inversion n mulai terbentuk disebut tegangan

threshold, VGS(th). Pada tegangan ini transistor mulai on
Kurva Drain
Enhancement
MOSFET