Drain Drain
Gate Gate
Source Source
P channel JFET:
Major structure is p-type
material (channel) between
embedded n-type material to form
2 p-n junction.
Current flow : from Source (S) to Drain
(D)
Holes injected to Source (S) through p-
type channel and flowed to Drain (D)
P-CHANNEL JFET..
WATER ANALOGY FOR THE JFET
CONTROL MECHANISM
SIMBOL DAN
STRUKTUR
SIMBO
L
Simbol JFET (junction field-effect transistor) untuk kanal-N dan kanal-P ditunjukkan
pada gambar dibawah. Dalam simbol tersebut, arah tanda panah pada gate merupakan
arah arus pada persambungan seandainya diberi bias maju. Tetapi perlu diingat bahwa
daerah kerja JFET adalah bila persambungan tersebut diberi bias mundur. Oleh karena
itulah, maka arus gate IG adalah nol (sangat kecil) dan akibatnya resistansi input dari
JFET adalah tinggi sekali (dalam orde puluhan mega ohm).
STRUKTUR JFET
Merupakan bahan semikonduktor yang cukup panjang, dikotori untuk mendapatkan
muatan listrik positif (tipe-p) atau negatif (tipe-n) yang melimpah.
Konstruksi dasar komponen JFET ( junction field - effect transistor ) kanal-N.
Terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan tipe - N yang
membentuk kanal. Bagian atas dari kanal dihubungkan ke terminal yang
disebut Drain (D) dan bagian bawah di hubungkan ke terminal yang disebut
Source (S). Pada sisi kiri dan kanan dari kanal - N dimasukkan bahan tipe P yang di
hubungkan bersama - sama ke terminal yang disebut dengan Gate (G).
Dengan adanya VDS JFET Kanal N bernilai positiF, maka elektron dari S akan mengalir menuju
D melewati kanal N, karena kanal-N tersedia banyak pembawa muatan mayoritas berupa elektron.
Dengan kata lain arus listrik pada drain (ID) mengalir dari sumber VDS dan arus pada source (IS)
menuju sumber. Aliran elektron JFET Kanal N ini melewati celah yang disebabkan oleh daerah
pengosongan sebelah kiri dan kanan.
PRINSIP KERJA
JFET KANAL-P
Seperti Transisitor BJT, jenis Transistor JFET kanal n dan kanal p mempunyai struktur
yang sama namun berbeda pada susunan semikonduktor p dan semikonduktor n nya, oleh
karena itu Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n,
hanya saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas
tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n.
Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.
Kurva Hubungan ID Dengan VDS
Pada kondisi seperti pada gambar JFET kanal N dengan VGS = 0 dan VDS >0, aliran elektron
sepenuhnya hanya tergantung pada resistansi kanal antara S dan D. Apabila tegangan VDS diperbesar
lagi hingga beberapa volt, maka persambungan G dan D semakin besar mendapat tegangan bias
mundur, sehingga daerah pengosongan JFET Kanal N semakin melebar. Apabila tegangan VDS JFET
Kanal N dinaikkan terus hingga daerah pengosongan sebelah kiri dan kanan bersentuhan maka aliran
elektron akan jenuh yang disebut dengan kondisi pinch-off.
JFET (Junction Field Effect Transistor)
PENGAPLIKASI
APLIKASI PENGGUNAAN
JFET
Beberapa rangkaian yang memanfaatkan karakteristik yang menguntungkan dari JFET, antaralain
adalah:
o Penguat Penyangga (Buffer Amplifier)
o Penguat Derau Rendah (Low-noise Amplifier)
o Resistensi yang tergantung pada Tegangan (Voltage-variable Resistance)
o Pengendali Penguat Automatis (Automatic Gain Control)
o Penguat Kaskade
o Pembatas Arus
KEUNTUNGAN
Keuntungan penggunaan JFET pada rangkaian elektronika adalah:
o Disipasi daya yang rendah
o Impedansi gerbang yang tinggi, dan
o Resistansi (tahanan) S/D yang rendah
SEKIAN DAN TERIMA KASIH