Anda di halaman 1dari 19

PERTEMUAN XIV

PENGERTIAN DAN PRINSIP KERJA JFET

MUTIARA WIDASARI SITOPU, S.T., M.T.


DASAR ELEKTRONIKA SOLID STATE
PENGERTIAN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
• MERUPAKAN KOMPONEN ELEKTRONIKA AKTIF YANG MENGGUNAKAN MEDAN
LISTRIK UNTUK MENGENDALIKAN KONDUKTIFITASNYA.
• FET DALAM BAHASA INDONESIA DISEBUT DENGAN TRANSISTOR EFEK MEDAN.
YG BERARTI PENGOPERASIAN TRANSISTOR TERGANTUNG PADA TEGANGAN
(MEDAN LISTRIK) YANG TERDAPAT PADA INPUT GERBANGNYA.
• FET MERUPAKAN KOMPONEN ELEKTRONIKA YG TERGOLONG DALAM KELUARGA
TRANSISTOR YG MEMILIKI TIGA TERMINAL KAKI YAITU GATE(G), DRAIN(D) DAN
SOURCE (S).
JENIS FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)

• JUNCTION FET (JFET)


JFET DIBAGI DUA JENIS YAITU : JFET KANAL P DAN KANAL N
• METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET (MOSFET)
MOSFET DIBAGI DUA JENIS YAITU:
A. NMOS (MOS TYPE N)
B. PMOS (MOS TYPE P)
JFET (JUNCTION FIELD EFFECT
TRANSISTOR)

• JFET (JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR) ADALAH KOMPONEN TIGA


TERMINAL DIMANA SALAH SATU TERMINAL DAPAT MENGONTROL ARUS ANTARA
DUA TERMINAL LAINNYA. JFET TERDIRI ATAS DUA JENIS, YAKNI KANAL-N DAN
KANAL-P, SEBAGAIMANA TRANSISTOR TERDAPAT JENIS NPN DAN PNP.
SYMBOLS

Drain Drain

Gate Gate

Source Source

n-channel JFET p-channel JFET


P-CHANNEL
JFET

 P channel JFET:
 Major structure is p-type
material (channel) between
embedded n-type material to form
2 p-n junction.
 Current flow : from Source (S) to Drain
(D)
 Holes injected to Source (S) through p-
type channel and flowed to Drain (D)
P-CHANNEL JFET..
WATER ANALOGY FOR THE JFET
CONTROL MECHANISM
SIMBOL DAN
STRUKTUR
SIMBO
L
Simbol JFET (junction field-effect transistor) untuk kanal-N dan kanal-P ditunjukkan
pada gambar dibawah. Dalam simbol tersebut, arah tanda panah pada gate merupakan
arah arus pada persambungan seandainya diberi bias maju. Tetapi perlu diingat bahwa
daerah kerja JFET adalah bila persambungan tersebut diberi bias mundur. Oleh karena
itulah, maka arus gate IG adalah nol (sangat kecil) dan akibatnya resistansi input dari
JFET adalah tinggi sekali (dalam orde puluhan mega ohm).

Gambar 1. Struktur JFET Gambar 2. Simbol JFET


SIMBOL DAN STRUKTUR

STRUKTUR JFET
 Merupakan bahan semikonduktor yang cukup panjang, dikotori untuk mendapatkan
muatan listrik positif (tipe-p) atau negatif (tipe-n) yang melimpah.
 Konstruksi dasar komponen JFET ( junction field - effect transistor ) kanal-N.
Terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan tipe - N yang
membentuk kanal. Bagian atas dari kanal dihubungkan ke terminal yang
disebut Drain (D) dan bagian bawah di hubungkan ke terminal yang disebut
Source (S). Pada sisi kiri dan kanan dari kanal - N dimasukkan bahan tipe P yang di
hubungkan bersama - sama ke terminal yang disebut dengan Gate (G).

a. b. Gambar . Struktur JFET (a) kanal-n (b) kanal-p


SIMBOL DAN
STRUKTUR
STRUKTUR JFET
 JFET KANAL-N
Ditinjau transistor JFET kanal-n, Drain dan Source transistor ini dibuat dengan
semikonduktor tipe n dan Gate dengan tipe p.

Gambar menunjukkan elektron yang mengalir dari source


menuju drain harus melewati lapisan deplesi. Banyaknya
elektron yang mengalir dari source menuju drain
tergantung dari ketebalan lapisan deplesi. Lapisan deplesi
bisa menyempit, melebar atau membuka tergantung dari
tegangan gate terhadap source.

Gambar Lapisan deplesi jika gate-source biberi bias negatif 


SIMBOL DAN
STRUKTUR
STRUKTUR JFET
 JFET KANAL-P
Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya saja
kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas tegangan dan
arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n. Simbol rangkaian
untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.

Gambar (a) JFET-N (b) JFET-P


JFET (Junction Field Effect Transistor)
KARAKTERIST
Karakteristek Junction Field-Effect
IK Transistor
JFET
Beberapa karakteristik JFET adalah sebagai berikut:
1) Dibuat saluran tipis dari sumber (source) S ke saluran/pembuangan (drain)D.
2) Sekeliling saluran (channel) berupa sambungan p-n dengan panjar mundur pada
daerah deplesi.
3) Lebar daerah deplesi akan bertambah jika tegangan sambungan dibuat lebih negatif.
4) Kemampuan saluran untuk menghantar (dalam hal ini saluran-n) tergantung
lebarnya.
5) Lebar saluran dapat diubah-ubah dengan mengatur lebar daerah deplesi yaitu
sepanjang sambungan panjar-mundur.
6) Lebar dari daerah deplesi atau kemampuan menghantar pada saluran dapat
dikontrol dengan memberikan tegangan eksternal pada gerbang (gate) G.
JFET (Junction Field Effect Transistor)
PRINSIP
JFET KANAL-N KERJA
Pada saat semua terminal JFET Kanal N belum diberi tegangan
bias dari luar, maka pada persambungan P dan N pada kedua gate
JFET Kanal N terdapat daerah pengosongan. Sehingga JFET
Kanal N tidak terdapat pembawa muatan bebas, sehingga tidak
ada aliran arus. Apabila antara terminal D dan S JFET Kanal N
diberi tegangan positif (VDS = positif) dan antara terminal G dan
S diberi tegangan nol (VGS = 0), maka persambungan antara G
dan D mendapat bias negatif, sehingga daerah pengosongan
Gambar Lapisan deplesi jika JFET Kanal N semakin lebar. Sedangkan persambungan antara G
gate-source biberi bias negatif  dan S daerah pengosongannya tetap seperti semula saat tidak ada
bias. Untuk membuat VGS = 0 adalah dengan cara
menghubungkan terminal G dan terminal S pada JFET Kanal N.
JFET Kanal N Dengan VGS = 0 Dan VDS >0
JFET (Junction Field Effect Transistor)
PRINSIP
JFET KANAL-N KERJA

Dengan adanya VDS JFET Kanal N bernilai positiF, maka elektron dari S akan mengalir menuju
D melewati kanal N, karena kanal-N tersedia banyak pembawa muatan mayoritas berupa elektron.
Dengan kata lain arus listrik pada drain (ID) mengalir dari sumber VDS dan arus pada source (IS)
menuju sumber. Aliran elektron JFET Kanal N ini melewati celah yang disebabkan oleh daerah
pengosongan sebelah kiri dan kanan.
PRINSIP KERJA
JFET KANAL-P
Seperti Transisitor BJT, jenis Transistor JFET kanal n dan kanal p mempunyai struktur
yang sama namun berbeda pada susunan semikonduktor p dan semikonduktor n nya, oleh
karena itu Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n,
hanya saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas
tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n.
Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.
Kurva Hubungan ID Dengan VDS

Pada kondisi seperti pada gambar JFET kanal N dengan VGS = 0 dan VDS >0, aliran elektron
sepenuhnya hanya tergantung pada resistansi kanal antara S dan D. Apabila tegangan VDS diperbesar
lagi hingga beberapa volt, maka persambungan G dan D semakin besar mendapat tegangan bias
mundur, sehingga daerah pengosongan JFET Kanal N semakin melebar. Apabila tegangan VDS JFET
Kanal N dinaikkan terus hingga daerah pengosongan sebelah kiri dan kanan bersentuhan maka aliran
elektron akan jenuh yang disebut dengan kondisi pinch-off.
JFET (Junction Field Effect Transistor)
PENGAPLIKASI
APLIKASI PENGGUNAAN
JFET
Beberapa rangkaian yang memanfaatkan karakteristik yang menguntungkan dari JFET, antaralain
adalah:
o Penguat Penyangga (Buffer Amplifier)
o Penguat Derau Rendah (Low-noise Amplifier)
o Resistensi yang tergantung pada Tegangan (Voltage-variable Resistance)
o Pengendali Penguat Automatis (Automatic Gain Control)
o Penguat Kaskade
o Pembatas Arus

KEUNTUNGAN
Keuntungan penggunaan JFET pada rangkaian elektronika adalah:
o Disipasi daya yang rendah
o Impedansi gerbang yang tinggi, dan
o Resistansi (tahanan) S/D yang rendah
SEKIAN DAN TERIMA KASIH

Anda mungkin juga menyukai