Bahan Semikonduktor II

• Arus listrik dalam bahan semikonduktor

• Sambungan p-n tanpa tegangan (voltase)
• Sambungan p-n dengan bias maju dan bias
balik
• Injection transistor dalam gabungan kristal
Arus Listrik Dalam Bahan Semikonduktor

• Arus terjadi bila ada pembawa muatan

bergerak
• Muatan bergerak oleh medan listrik
• Arus drift : arus oleh medan datang dari
sumber luar
• Arus difusi : arus oleh medan akibat
perbedaan konsentrasi muatan dalam
materila
Arus Drift

Ketika semikonduktor diberi

medan listrik E, maka partikel-
partikel bermuatan dalam
semikonduktor tersebut akan
bergerak (hanyut) dengan laju
yang berbanding lurus dengan
medan listriknya
 Arus Difusi
• Perbedaan konsentrasi muatan membentuk
medan listrik internal
• Muatan bergerak dari konsentarsi tinggi ke
rendan (difusi)
Untuk pembawa muatan positif (hole), arus
negatif
Untuk pembawa muatan negatif (elektron),
arus positif
• Arus difusi akan sebanding dengan gradien
konsentrasi yang dirumuskan :
 Sambungan p-n tanpa tegangan (voltase)

Ketika semikonduktor tipe N disambungkan secara

tepat dengan semikonduktor tipe P, maka permukaan
singgungnya (kontak) disebut semikonduktor sambungan
P-N

Gambar Sambungan Semikonduktor Tipe P dan Tipe N

Model Hubungan PN Dan Distribusi Pembawa Muatan

Gambar Semikonduktor Tipe P dan Tipe N

• Bahan tipe N mempunyai konsentrasi elektron bebas yang

tinggi sedangkan bahan tipe P memiliki konsentrasi hole yang
tinggi.
• Oleh karena itu, pada sambungan terjadi kecenderungan
elektron bebas berdifusi ke sisi P dan hole ke sisi N
• Ketika elektron bebas bergerak menyeberang
sambungan dari tipe N ke tipe P, maka ion
donor positif terbuka yaitu mereka diambil
elektron bebasnya. Sehingga muatan positif
terbentuk pada sisi N dari proses
persambungan.
• Pada saat yang sama, hole bebas
menyeberangi sambungan dan membuka ion
akseptor negatif dengan pengisian di dalam
hole. Karena itu muatan negatif bersih
terbentuk pada sisi P dari persambungan.
• Ketika ion-ion donor dan akseptor dalam jumlah yang
cukup telah terbuka, maka difusi selanjutnya dicegah. Ini
disebabkan karena muatan positif pada sisi N menolak
hole yang menyeberang dari tipe P ke tipe N dan muatan
negatif pada sisi P menolah electron bebas masuk dari
tipe N ke tipe P
• Kemudian terbentuk penghalang yang melawan gerakan
pembawa muatan selanjutnya yakni hole dan elektron.
Penghalang ini disebut potensial penghalang atau
penghalang sambungan Vo. Potensial penghalang itu
berada dalam orde 0,1 volt atau 0,3 volt
 Sambungan p-n dengan bias maju dan
bias balik

• Jika PN junction diberi muatan dari sumber searah,

dimana lapisan P diberi muatan positif dan N diberi
negatif baterai, maka gerakan elektron akan menuju
kearah kiri sedangkan muatan positif (hole) kearah
kanan seperti ditunjukkan pada gambar (a)
Gambar 1.2 Bias maju dan mundur PN-Junction
 Injection transistor dalam gabungan kristal

Transisitor persambungan yang terbuat dari

susunan dari bahan kristal silikon atau
germanium, untuk jenis transistor bertipe PNP
adalah satu lapisan silikon tipe-N diapit
diantara dua lapisan Silikon tipe-P. sedangkan
untuk jenis transistor tipe NPN satu lapisan
tipe-P diapit diantara dua lapisan kristal tipe-N
Gambar kontruksi fisis tansistor
-NPN
• Gambar (a) memperlihatkan aliran arus
elektron dan gambar (b) memperlihatkan
susunan fisik dari transistor tipe-NPN lengkap
dengan pencatuan masing-masing kaki serta
memperlihatkan aliran arus didalamnya.
Sedangkan gambar (c) memperlihatkan
gambar (b) secara skematik