PROSIDING SEMINAR NASIONAL

PENELITIAN DAN PENGELOLAAN PERANGKAT NUKLIR

Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan
Yogyakarta, 19 September 2006

FABRIKASI FILAMEN PEMANAS DARI LAPISAN TIPIS EMAS

PADA SUBSTRAT ALUMINA (AL2O3) UNTUK PEMANAS SENSOR
GAS LAPISAN TIPIS ZnO

J. Karmadi
PTAPB – BATAN

ABSTRAK
FABRIKASI FILAMEN PEMANAS DARI LAPISAN TIPIS EMAS PADA SUBSTRAT
ALUMINA (Al2O3) UNTUK PEMANAS SENSOR GAS LAPISAN TIPIS ZnO. Telah
dilakukan fabrikasi filamen pemanas dari lapisan tipis emas pada substrat alumina
(Al2O3) ukuran panjang 5 cm, lebar 1 cm tebal 1 mm. Untuk maksud tersebut, terlebih
dahulu dibuat mal dari bahan SS ukuran 8,5 cm, dari bahan SS tersebut dibuat mal
pemanas dengan ukuran 1 mm. Untuk membuat lapisan tipis emas pada substrat
alumina digunakan DC Sputtering. Proses sputtering dilakukan pada kondisi :
tegangan elektroda = 2 kV, P = 2,5 x 10-2 torr. Jarak elektroda 2,5 cm dan daya 100
watt. Dari hasil pengujian diperoleh hasil bahwa untuk tegangan pemanas 1,5 volt
dicapai temperatur 59°C, untuk tegangan pemanas 3 volt dicapai temperatur 168°C,
untuk tegangan pemanas 4,5 volt dicapai temperatur 295°C, untuk tegangan 6 volt
dicapai temperatur 391°C, untuk tegangan 7,5 volt dicapai temperatur 520°C,
sedangkan untuk tegangan pemanas 9 volt lapisan tipis pemanas mengelupas
(rusak). Oleh karena sensor ZnO beroperasi antara 280°C hingga 300°C, maka cukup
diperlukan tegangan pemanas dari batery 4,5 volt.
Kata kunci: Sputtering , Alumina, Filamen pemanas

ABSTRACT
FABRICATION OF GOLD (Au) THIN FILM HEATER ON ALUMINA (Al2O3)
SUBSTRATE FOR HEATING OF ZnO THIN FILM GAS SENSOR. It has been
fabricated gold (Au) thin film heater an Alumina (Al2O3) substrate for heating of ZnO
thin film gas sensor. The dimension of substrate is 5 cm length, 1 cm width and 1 mm
thickness. For the purpose, the first step is to fabricate the mall made of SS with
dimension 8,5 cm, diameter and 2 mm thickness, from this material is then fabricated
mall with dimension 1 mm width. The Au thin film on Alumina (Al2O3) substrate can be
carried out using DC sputtering technique. The conditions of sputtering process are
electroda voltage = 2 kV, P = 2,5 x 10-2 torr, electrode distance = 2,5 cm and power
100 watt. From the tested done, it can be concluded that for 1,5 volt, 3 volt, 4,5 volt, 6
volt, 7,5 volt. Volt heater voltage, the temperature that can be achieved is 59°C,
168°C, 295°C, 391°C, 7,5 volt 520°C respectively, while for heater voltage 9 volt the
gold thin film spallation. Since the working temperature of ZnO thin film is in order of
280°C up 300°C, the 4,5 volt batery is enough to supply of the sensor.
Key word: Sputtering, Alumina, Heater filament

PENDAHULUAN (MOS, metal oxide semiconductor) seperti CeO2,

SnO, SnO2, TiO2, ZnO maupun ZnO2 yang dihadapi
S ejak tahun 2002 Bidang Akselerator PTAPB-
BATAN telah memulai riset dalam febrikasi
sensor gas dari lapisan tipis berbasis MOS (Metal
selama ini adalah bahwa suhu operasinya yang
cukup tinggi yaitu dalam kisaran 250°C hingga
400°C serta ketidak stabilan resistansinya.
Oxide Semiconductor). Kelemahan utama sensor
Selama ini untuk menumbuhkan lapisan
lapisan tipis dari bahan metal oksida semikonduktor
tipis dari bahan MOS, substrat yang digunakan

24 ISSN 1410 - 8178 J. Karmadi

 PROSIDING SEMINAR NASIONAL
PENELITIAN DAN PENGELOLAAN PERANGKAT NUKLIR
Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan
Yogyakarta, 19 September 2006
adalah kaca preparat dan sumber pamanasnya
terpisah. Kelemahan substrat kaca adalah bila
dioperasikan pada suhu tinggi maka kaca tersebut
akan mudah retak sehingga akan merusak lapisan
tipis yang terbentuk, dengan demikian unjuk kerja
dari sensor akan berubah dan menjadi jelek. Sedang
dengan pemanas terpisah maka akan diperlukan
daya yang tinggi pula dan kurang praktis.
Berbagai upaya telah dilakukan untuk
mengatasi masalah tersebut. Untuk sensor yang
ukuran portabel maka diperlukan sumber daya
pemanas yang rendah pula. Yang menjadi masalah
adalah bagaimana mendisain pemanas dengan
konsumsi daya rendah. Untuk maksud tersebut telah
didesain dan dikontruksi suatu pemanas dari lapisan
tipis emas (Au) dengan ukuran tebal dalam orde µm
dan lebar 1 mm di atas substrat alumina (Al2O3)
berukuran panjang 5 cm, lebar 1 cm dan ketebalan 1
mm. adapun skema dari lapisan tipis pemanas yang
didesain dan telah dibuat disajikan pada gambar 1.
Gambar 1. Skema Sistem Pemanas di atas Subtrat
Alumina (Al2O3)
TEORI SPUTTERING
Metode deposisisi lapisan tipis secara garis
besar dapat dibagi menjadi dua, yaitu proses PVD
(Physical Vapor Deposition) dan proses CVD
(Chemical Vapor Deposition). Proses PVD dibagi
menjadi dua kategori yaitu evaporasi termal dan
sputtering , proses CVD juga terdiri dari dua
kategori yaitu plasma CVD dan laser CVD.
Sistem sputtering pada umumnya berupa
tabung lucutan pijar yang didalamnya terpasang
elektrode (anode dan katode), di mana target
dipasang pada katode dan substrat diletakkan pada
anode, dilengkapi dengan sistem vakum, sistem
masukan gas, sistem pendingin target serta sistem
pemanas substrat dan catu daya (DC atau RF).
Dalam sistem spputering, apabila suatu permukaan
padatan (target) ditumbuk oleh partikel–partikel
dengan energi tertentu maka atom–atom permukaan
J. Karmadi ISSN 1410 – 8178
target terhambur balik atau terhambur keluar seperti
ditunjukkan dalam gambar 2. Fenomena ini disebut
back-spputering atau disederhanakan spputering.
Apabila suatu keping tipis ditumbuk dengan
partikel–partikel berernergi, maka beberapa atom
yang terhambur bertransmisi melalui keping, dan
fenomena ini disebut dengan transmission
sputtering.
Gambar 2. Proses sputtering secara fisis
Beberapa sistem sputtering telah diajukan
untuk proses deposisi lapisan tipis dan diantara
sistem tersebut, model sederhana adalah sistem
sputtering diode DC. Sistem sputtering DC tersebut
terdiri dari sepasang elektrode planar. Satu dari
elektrode adalah katode dingin dan lainnya adalah
anode. Material target yang akan didepositkan
terpasang pada katode, dan substrat diletakkan pada
anode. Tabung sputtering diisi dengan gas
sputtering, pada umumnya adalah gas argon ( Ar )
dengan tekanan operasi 0,1 Torr.
Lucutan pijar dipertahankan dengan
memberi tegangan DC antara elektrode. Ion-ion
argon yang dihasilkan di dalam lucutan pijar
dipercepat pada cathode fall (sheath) dan atom–
atom target yang tersputter didepositkan pada
permukaan substrat. Dalam sistem sputtering DC ini
target terdiri dari metal atau metal paduan, karena
lucutan pijar (yaitu aliran arus) harus dipertahankan
antara elektrode metalik.
TATA KERJA
Tahapan dalam pembuatan filamen
pemanas dari lapisan tipis adalah sebagai berikut :
1. Pemotongan substrat dari alumina
2. Alumina ukuran 25 cm x 25 cm x 0,1 cm
dipotong menjadi ukuran 5 cm x 1 cm x 0,1 cm
menggunakan gergaji intan kecepatan rendah.
3. Kemudian potongan-potongan alumina tersebut
dicuci dengan alkohol menggunakan penggetar
ultrasonic cleaner.
4. Potongan alumina tadi kemudian diletakkan di
atas mal (pola) dan selanjutnya diletakkan pada
25
 PROSIDING SEMINAR NASIONAL
PENELITIAN DAN PENGELOLAAN PERANGKAT NUKLIR
Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan
Yogyakarta, 19 September 2006

tempat yang telah tersedia pada tabung
sputtering (elektroda bagian atas) anoda.
5. Target sputtering emas (Au) ukuran diameter 60
cm dan tebal 3 mm diletakkan pada katoda
(elektroda bagian bawah).
6. Kemudian tabung sputtering dihampakan
dengan pompa vakum rotari.
7. Setelah tabung sputtering cukup hampa,
kemudian dilakukan eksperimen awal dengan
cara mengatur parameter proses sputtering
seperti tekanan gas sputter (Argon), jarak
elektrode, tegangan elektrode, dan pemanas
substrat yang di lengkapi dengan kontroll suhu.
8. Tujuan dari eksperimen awal ini dimaksudkan
untuk mengetahui kondisi optimum dari
parameter proses. Indikator dari kondisi
optimum paramater proses tersebut ditandai
dengan nyala plasma yang terang dan homogen.
9. Setelah kondisi tersebut dipenuhi, maka proses
sputtering baru dilakukan dengan memberi
Tabel 1. Uji tegangan filamen pemanas dengan variasi tegangan catu daya
tegangan negativ pada katode dan untuk
mengatur ketebalan lapisan tipis dapat
dilakukan dengan mengatur lamanya proses
deposisi lapisan tipis.
10. Dalam eksperimen ini kondisi sputtering yang
bagus adalah tegangan elektrode 2 kV, tekanan
operasi 2,5 x 10-2 mBar, jarak elektroda 2,5 cm
dan suhu pemanas 250°C.
Untuk mengetahui keberhasilam pembuatan
filamen pemanas dari lapisan tipis emas (Au) pada
substrat alumina, maka dilakukan pengujian dari
lapisan tipis emas (Au) dengan berbgai tegangan
catu daya.
HASIL DAN PEMBAHASAN
Hasil pengujian dari lapisan tipis emas
untuk pemanas dengan variasi tegangan catu daya
disajikan pada tabel 1.

Temperatur Temperatur Temperatur pada Temperatur

Temperatur pada pada pada pengukuran menit pada
Tegangan
pengukuran pengukuran pengukuran keempat pengukuran
catu daya
menit pertama menit kedua menit ketiga (°C) menit kelima
(Volt)
(°C) (°C) (°C) (°C)

1,5 53 53 57 56 59
3 156 165 164 165 168
4,5 276 274 276 278 295
6 376 376 380 381 391
7,5 504 505 509 509 520
9 Filamen mengelupas

Dari tabel 1 terlihat bahwa untuk masing-
masing catu daya yang berbeda memberikan
kemampuan pemanasan yang berbeda pula, semakin
meningkat catu daya yang diberikan semakin
meningkat pula temperatur yang dicapai. Untuk catu
daya 9 volt ternyata lapisan tipis justru mengelupas,
hal ini karena terlalu panas. Dan oleh karena sensor
dengan bahan MOS (Metal Oxide Semiconductor)
biasanya beroperasi antara 280°C hingga 350°C,
maka untuk memanasi filamen cukup digunakan
batery 4,5 volt atau untuk amannya digunakan
batery 6 volt. Dan konsumsi daya sebesar itu cukup
rendah dan banyak dijual di pasaran.
KESIMPULAN
Dari hasil pembuatan filamen pemanas dari
lapisan tipis emas pada substrat alumina
(Al2O3)untuk pemanasa sensor gas lapisan tipis ZnO
dapat disimpulkan sebagai berikut:
1. Sistem pemanas lapisan tipis dari bahan emas
(Au) dapat melekat lebih kuat pada permukaan
substrat alumina
2. Suhu maksimum yang dicapai oleh filamen
pemanas sebesar 520°C, kondisi ini dicapai pada
tegangan catu daya sebesar 7,5 Volt.
3. Untuk memanasi sensor gas dari bahan ZnO
diperlikan suhu operasi antara 280 °C hingga
350 °C kondisi ini dicapai pada tegangan 4,5
Volt. Keberhasilan ini merupakan langkah maju
dalam mengatasi masalah sistem pemanas sensor
gas.
UCAPAN TERIMA KASIH
Dengan telah selesainya penelitian ini kami
mengucapkan banyak terima kasih kepada Bapak
Drs. Darsono, MSc., APU, Drs. BA. Tjipto Sujitno,
MT., APU dan Bapak Sayono, ST atas segala
bantuan yang telah diberikan.

26 ISSN 1410 - 8178 J. Karmadi

 PROSIDING SEMINAR NASIONAL
PENELITIAN DAN PENGELOLAAN PERANGKAT NUKLIR
Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan
Yogyakarta, 19 September 2006

DAFTAR PUSTAKA
1. WASA K. AND HAYAKAWA S., Handbook
of Sputter Deposition Technology, Principle,
Technology and Applications, Noyes TANYA JAWAB
Publications (1992).
2. KONUMA, M., Film Deposition by Plasma Irianto
Techniques, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg ¾ Mengapa lapisan ZnO perlu dipanasi ?
(1992). ¾ Apakah sistem pemanas yang dilapiskan pada
3. OHRING, M., The materials Science of Thin substrat Alumina (Al2O3) juga tidak akan
Films, Academic Press, Inc., San Diego (1992). mengelupas pada suhu 300 oC ?
4. R. LALAUZE et al, High – Sensitivity J. Karmadi
Materials for Gas Detection, Sensors and — Lapisan tipis ZnO termasuk bahan metal
Actuators B, Supplement 137 -143 (1997). oksida semikonduktor yang mana bila dikenahi
5. A.M. GAS,KOV, Materials for Solid State Gas suhu 300 oC maka akan terjadi perubahan
Sensors, Inorganic Materials, Vol. 36, Number nilai resistansinya dan tanggap terhadap gas-
3, 293 (2000). gas tertentu.
— Substrat alumina (Al2O3) adalah tahan
terhadap suhu tinggi dan untuk menjaga
supaya lapisan Au tidak mengelupas maka
selain diberi perekat tahan panas juga diberi
isolator.

J. Karmadi ISSN 1410 – 8178 27