Karakteristik Transistor BJT

Muhajirin

Heri Setiawan, Ita Purnamasari, Lilis Yuliana

Fisika 2012

Abstrak

Telah dilakukan praktikum Karakteristik Transistor Bipolar dengan tujuan untuk mengetahui metode pemberian bias
tegangan dan arus pada transistor bipolar, menentukan dan membedakan karakteristik output, d an karakteristik
transfer arus konstan dari transistor bipolar, menginterpretasikan kurva karakteristik transistor bipolar. Data
dikumpulkan dari percobaan ini terdiri atas dua jenis, pertama data untuk karaktristik output, dengan pengukuran pada
IC dimana arus basis dengan VCE dimanipulasi, kedua untuk karakteristik transfer arus konstan I B yang dimanipulasi
sedangkan yang menjadi variabel respon adalah IB. Berdasarkan hasil percobaan dan analisis perhitungan dapat
disimpulkan bahwa kurva karakteristik output dari transistor dibagi menjadi tiga daerah yaitu daerah saturasi, cutt-off,
aktif. Sedangkan kurva karakteristik dari transfer arus konstan menunjukkan grafik kesebandingan antara I C terhadap
IB sedangkan faktor penguat yang merupakan perbandingan antara I C dengan IB yang diperoleh untuk kegiatan
pertama sebesar = 64. Untuk kegiatan kedua IB faktor penguat yang diperoleh sebesar

= 133.

E
Metode Dasar p

Transistor adalah singkatan dari Transfer

Resistor, istilah yang memberikan petunjuk C
mengenai bagaimana perangkat ini bekerja. E
Arus yang mengalir pada rangkaian output
ditentukan oleh arus yang mengalir pada
rangkaian input. Karena transistor adalah
perangkat tiga terminal, satu elektroda harus
digunakan secara bersama oleh rangkaian input (C)
dan output (Bakri, 2008 : 18-19).

Transistor adalah suatu komponen aktif yang

terbuat dari bahan semikonduktor. Ada dua n
macam transistor, yaitu transistor dwikutub p
(bipolar) dan transistor efek medan (Field
Effect Transistor-FET).
n
Transistor dwikutub dibuat dengan p
menggunakan semikonduktor ekstrinsik n

jenis p dan jenis n, yang disusun seperti pada

gambar 7.1 berikut.

B B

Gambar7.
1.SusunanTransistorD
wikutub

Ketiga bagian
transistor ini disebut
emitter, base, dan
collector. Dengan
notasi atau simbol,
skema dasar bias
transistor bipolar
ditunjukkan pada
Gambar 7.2 berikut.

Gambar 7.2.Rangkaian bias transistor(a)
transistor NPN, (b) transistor PNP
Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian dasar
(yang disebut konfigurasi) untuk
mengoperasikan transistor.
Basis ditanahkan (Common Base –CB)
Emiterditanahkan (Common Emitter – CE)
Kolektorditanahkan (Common Collector -
CC)
Karakteristik dari transistor biasanya disebut
juga karakteristik statik, yang digambarkan
dalam suatu kurva yang menghubungkan
antara selisih arus dc dan tegangan pada
transistor. Kurva karakteristik statik tersebut
sangat membantu dalam mempelajari operasi
dari suatu transistor ketika diterapkan dalam
suatu rangkaian. Ada tiga karakteristik yang
sangat penting dari suatu transistor, yaitu :
Karakteristik input.
Karakteristik output.
Karakteristik transfer aruskonstan. (Tim
Elektronika Dasar, 2013).
Transistor BJT terdiri dari dua
semikonduktor sambungan PN yaang
dibentuk dalm satu kristaal, dngan jarak
antara kedua sambungan lebih kecil dari
lebar difusi. Tergantung dari type
semikonduktor yang berada ditengah ,
dimungkinkan adanya dua jenis transistor
yaitu transistor PNP dan transistor NPN.
Dengan menyebut transistor pada umumnya
yang dimaksud adalah tranistor BJT
Penentuan Titik Operasi
Sinyal keluaran dari sebuah penguat, selain
di harapkan menjadi lebih besar, juga
mempunyai bentuk serupa dengan
masukannya. Untuk maksud ini transistor
harus dioperasikan padaa daerah yang paling
linear yaitu daerah aktif. Titik operasi tidak
lain adalah harga dari arus dan tegangan dari
transistor sebelum adanya sinyal masukan.
Harga-harga ini ditentukan oleh harga dari
tahanan dan sumber tegangan luar yang
dipasang pada rangkaian (Purwadi, B. 144-
157).
Identifikasi Variabel
Kegiatan 1. Karakteristik Tegangan
Output
Variabel Manipulasi: Tegangan Jepit
kolektor-Emiter (VCE) (V), Arus Basis (IB)
(µA), dan Tegangan Sumber 10 volt
Variabel Respon: Arus kolektor (IC)(mA)
Variabel Kontrol: Resistansi resistor ()
Kegiatan 2. Karakteristik Ciri Alih

dengan menggunakan Ampermeter dan

transfer arus konstan

memiliki satuan amper.

a. Variabel Manipulasi: Arus Basis (IB)

4.
Alat dan Bahan

(µA)

a.
Power Supply 12 Vdc, 1 buah

b. Variabel Respon: Arus kolector (IC)(mA)

b.
Resistor, 1 buah

c. Variabel Kontrol: Resistansi resistor (),

c.
Voltmeter 0 –10 Vdc, 1 buah

Tegangan Jepit kollektor-Emitter (VCE) 5

d.
Amperemeter 0 –1 Adc, 2 buah

volt, dan Tegangan Sumber 10 volt

e.
Transistor Bipolar NPN, 1 buah

3. Definisi Variabel

f.
Kabel penghubung.

a. Tegangan
Sumber 10
volt
adalah
5.
Prosedur Kerja

tegangan maksimum yang

digunakan
a. Merangkaidan mempelajari kit percobaan

pada praktikum ini, diukur dengan

Common Emitter (CE) berikut.

menggukan
voltmeter
dan
memiliki

satuan volt.

Resistansi merupakan hambatan yang digunakan untuk mengatur arus listrik

yang akan masuk ke Basis, satuannya

adalah
ohm (Ω), besar
di

gunakan dalam praktikum ini adalah 100

b.
Mengukur
karakteristik
input,

menyatakan bagaimana arus base IB

kiloohm (KΩ) dengan toleransi 5%.

c. Tegangan

jepit
kolektor-Emiter

bervariasi dengan tegangan base

–
merupakan
tegangan
yang dimanipulasi

emitter VBEketika tegangan kolektor –

dengan
cara
memutar-mutar

emiter VCE dibuat konstan. Pertama,

potensiometer,

diukur
dengan

tegangan VCE dibuat konstan dengan

menggunakan
voltmeter dan memiliki

suatu nilai tertentu lalu variasikan VBE

satuan volt.

dan IB
akan
meningkat dalam setiap

d. Arus Basis merupakan arus yang

lewat

rentan
nilai.
Mencatat
nilai-nilai

pada kaki Basis Transistor diukur dengan

tersebut.
Selanjutnya,
mengulangi

menggunakan Ampermeter dan memiliki

prosedur ini untuknilai VCE

yang lebih

satuan amper.

besar.
e. Arus kolekor merupakan arus yang lewat
c.
Mengukur
karakteristik
Output,

pada kaki
kolektor
Transistor
diukur

menunjukkan bagaimana arus collector

IC bervariasi
dengan perubahan
VCE