KRISTAL SEMIKONDUKTOR

A. Lebar Pita Energi Semikonduktor

𝐸𝑔
Konduktivitas intrinsik dan konsentrasi pembawa intrinsic secara umum diatur oleh ,
𝑘𝐵 𝑇

perbandingan dari lebar (celah) pita terhadap temperature. Ketika perbandingan ini besar,
konsentrasi pembawa intrinsik akan rendah dan konduktivitas akan rendah. Lebar pita yang
mewakili semikonduktor diberikan pada tabel 1. Nilai terbaik dari lebar pita diperoleh dengan
penyerapan optik.
Tabel 1. Lebar energi antara valensi dan pita konduksi (i = celah tidak langsung ; d = celah
langsung)

Pada proses penyerapan langsung, ambang dari penyerapan optik kontinu pada frekuensi 𝑔
mengukur lebar pita 𝐸𝑔 = ħ𝑔 . Foton diserap oleh Kristal dengan pembentukan elektron dan hole
(rongga).
Pada proses penyerapan tidak langsung, lebar energi minimum dari struktur pita meliputi
elektron dan rongga dipisahkan oleh banyak vektor gelombang 𝒌𝑐 . Disini transisi foton langsung
pada celah energi minimum tidak sesuai dengan persyaratan dari konservasi vektor gelombang
karena vektor gelombang foton diabaikan pada jangkauan energi tertentu. Tetapi, jika fonon dari
vektor gelombang K dan frekuensi Ω dibuat pada proses, maka kita punya
 𝒌 (𝑓𝑜𝑡𝑜𝑛) = 𝒌𝑐 + 𝑲 ≅ 0 ; ħ = 𝐸𝑔 + ħ𝛺
sebagai syarat dari hukum konservasi. Energi fonon ħ𝛺 secara umum akan menjadi lebih kecil
daripada 𝐸𝑔 : fonon bahkan dari vektor gelombang tinggi adalah sumber yang dapat diakses dengan
mudah dari momentum Kristal karena energi fonon secara sifat kecil (~0.01 sampai 0.03 eV) dalam
perbandingan dengan lebar energi. Jika temperature cukup tinggi, fonon telah siap secara termal
dikeluarkan dari Kristal, mungkin juga untuk memiliki proses penyerapan foton pada penyerapan
fonon.
Lebar pita mungkin juga disimpulkan dari temperature bergantung pada konduktivitas atau
konsentrasi pembawa pada jangkauan intrinsik. Konsentrasi pembawa diperoleh dari pengukuran
tegangan Hall, kadang-kadang dilengkapi dengan pengukuran konduktivitas. Pengukuran optik
menentukan apakah celah adalah langsung atau tidak langsung. Sisi pita pada Ge dan Si
dihubungkan oleh transisi tidak langsung; sisi pita pada InSb dan GaAs dihubungkan dengan
transisi langsung. Lebar pada Sn adalah langsung dan nol; HgTe dan HgSe adalah semilogam
dan memiliki lebar negatif-konduksi dan valensinya overlap.
Orbital-orbital elektron dalam kristal semikonduktor terbagi dalam dua kelompok pita energi.
Pita yang memiliki energi rendah dinamakan pita valensi sedangkan pita yang memiliki energi
tinggi dinamakan pita konduksi. Pita valensi dan pita konduksi dibatasi oleh nilai-nilai energi yang
tidak boleh ditempati elektron. Daerah terlarang tersebut dinamakan celah energi. Lebar celah
energi didefinisikan sebagai selisih antara energi terendah dalam pita konduksi dengan energi
tertinggi dalam pita valensi, atau dapat dituliskan:
Eg = Ec – Ev (1)
dimana:
Eg = lebar celah pita energi
Ec = energi terendah dalam pita konduksi
Ev = energi tertinggi dalam pita valensi
Aliran muatan listrik dalam bahan semikonduktor terjadi jika ada elektron yang meloncat dari
pita valensi ke pita konduksi. Dalam pita valensi, elektron tidak dapat mengalir bebas dalam logam
sehingga mudah mengalir ketika diberi medan listrik. Dalam pita valensi, elektron tidak dapat
mengalir bebas meskipun diberikan medan listrik yang besar. Pada suhu mendekati nol Kelvin
tidak ada elektron yang sanggup meloncat dari pita valensi ke pita konduksi sehingga
semikonduktor bersifat isulator. Jika suhu dinaikkan maka ada elektron dari pita valensi yang
meloncat ke pita konduksi. Makin tinggi suhu makin banyak elektron yang meloncat ke pita
konduksi sehingga konduktivitas semikonduktor makin besar.
Ketika elektron meloncat ke pita konduksi maka pita valensi menjadi kekurangan elektron.
Lokasi yang ditinggalkan elektron seolah berperilaku sebagai partikel bermuatan positif. Partikel
ini dinamakan hole. Dalam bahan semikonduktor murni, jumlah elektron yang meloncat ke pita
konduksi persis sama dengan jumlah hole yang terbentuk di pita valensi. Dengan demikian, jika
ne adalah konsentrasi elektron pada pita konduksi dan nh adalah konsentrasi hole pada pita valensi
maka untuk semikonduktor murni terpenuhi:
ne = nh (2)
Bahan semikonduktor untuk aplikasi industri umumnya bukan semikonduktor murni, tetapi
semikonduktor yang didop dengan atom tertetu. Doping tersebut menyebabkan terjadinya
perubahan konsentrasi elektron dan hole yang tidak lagi memenuhi persamaan di atas. Jika atom
dopan pada semikonduktor memberikan sumbangan elektron pada material sehingga menjadi atom
yang bermuatan positif maka dikatakan atom tersebut sebagai donor (pemberi elektron).
Sebaliknya jika atom dopan pada semikonduktor menarik elektron dari pita valensi sehingga
menjadi atom yang bermuatan negatif maka dikatakan atom tersebut sebagai akseptor. Jika jumlah
atom donor lebih banyak dari atom akseptor maka dinamakan semikonduktor tersebut bertipe
negatif. Sebaliknya jika jumlah akseptor lebih banyak daripada jumlah atom donor maka
dinamakan semikonduktor bertipe positif.
Karena elektron adalah fermion maka distribusi elektron pada pita konduksi memenuhi fungsi
distribusi Fermi-Dirac:
1
𝑓𝑒 (𝐸) = 𝐸−𝜇 (3)
[ ]+1
𝑒 𝑘𝑇

Populasi elektron pada pita konduksi adalah:

𝑁𝑒 = ∑𝐶𝐵 𝑓𝑒 (𝐸) (4)
dan jumlah hole pada pita valensi adalah:
𝑁ℎ = ∑𝑉𝐵{1 − 𝑓𝑒 (𝐸)} = ∑𝑉𝐵 𝑓ℎ (𝐸) (5)
dengan:
𝐸−𝜇
[ ]
1 𝑒 𝑘𝑇 1
𝑓ℎ (𝐸) = 1 − 𝑓𝑒 (𝐸) = 1 − 𝐸−𝜇 = 𝐸−𝜇 = 𝜇−𝐸 (6)
[ ]+1 [ ]+1 [ ]+1
𝑒 𝑘𝑇 𝑒 𝑘𝑡 𝑒 𝑘𝑇
Hukum Aksi Massa
Sekarang kita hitung perkalian ne dan nh.
−(𝐸𝑐 −𝜇) −(𝜇−𝐸𝑣 )
𝑛𝑒 𝑛ℎ = 𝑛𝑐 𝑒 [ ]
× 𝑛𝑣 𝑒 [ ]
𝑘𝑇 𝑘𝑇

−(𝐸𝑐 −𝐸𝑣 )
= (𝑛𝑐 𝑛𝑣 )𝑒 [ ]
𝑘𝑇

−𝐸𝑔
= (𝑛𝑐 𝑛𝑣 )𝑒 [ 𝑘𝑇 ] (7)
Untuk semikonduktor murni berlaku ne = nh = ni. Dengan demikian, konsentrasi pembawa
muatan intrinsik dapat ditentukan dari persamaan di atas sebagai:
−𝐸𝑔 −𝐸
1⁄ [ 𝑔 ]
𝑛𝑖2 = (𝑛𝑐 𝑛𝑣 )𝑒 [ 𝑘𝑇 ] atau 𝑛𝑖 = (𝑛𝑐 𝑛𝑣 ) 2 𝑒 2𝑘𝑇 (8)
Sebuah semikonduktor bersifat sebagai isolator pada temperatur yang sangat rendah,
namun pada temperatur ruangan bersifat sebagai konduktor. Hal ini dapat terjadi karena dalam
temperatur rendah seluruh lintasan elektron terisi penuh oleh elektron, dan ketika dalam temperatur
yang tinggi akan ada ikatan-ikatan yang pecah sehingga menyebabkan adanya elektron-elektron
bebas.
B. Persamaan Gerak Elektron dalam Semikonduktor
Kita akan menentukan persamaan gerak untuk sebuah electron dalam pita energi. Kecepatan
kelompok untuk beberapa fungsi gelombang dengan vektor gelombang k adalah :

(9)

dengan  merupakan frekuensi sudut. Jika frekuensi sudut ini dihubungkan dengan energi dari
𝜖 𝜖
fungsi gelombang ϵ adalah  = ħ. Dengan mensubstitusi  = ħ ke dalam persamaan untuk

kecepatan grup maka akan diperoleh :

(10)

(11)
 Pengaruh kristal di dalam gerak elektron diberikan dalam hubungan dispersi ϵ(k). Usaha
yang dilakukan oleh medan listrik pada elektron adalah :

(12)
€ dapat ditulis dalam bentuk

(13)
Dengan mensubstitusi persamaan (11) ke persamaan (12), maka kita mendapatkan

(14)
Dengan membandingkan persamaan (12) dan persamaan (13) maka

(15)
Maka

(16)
Atau

(17)
Persamaan (15) diatas merupakan persamaan untuk gaya listrik yang dialami oleh elektron
karena berada dalam medan listrik E . Akhirnya diperoleh:
 (18)
Inilah persamaan gerak elektron dalam pita energi.
Massa Efektif
Pada pembahasan sebelumnya, kita telah mengetahui persamaan gerak elektron dalam pita
energi dan kecepatan grup yang dihubungkan dengan energi. Sekarang kita akan mengetahui
berapa besarnya massa efektif. Massa efektif elektron merupakan massa elektron dalam pita
energi ketika mengalami gaya atau percepatan. Besarn ya massa efektif elektron ditentukan dari
persamaan gerak yang telah dibahas sebelumnya. Adapun langkah-langkah menentukan besaarnya
massa efektif adalah sebagai berikut.
Dari persamaan sebelumnya kita tahu bahwa perumusan untuk kecepatan elektron
adalah

(19)
Apabila kecepatan grup ini kita turunkan terhadap waktu, maka akan kita peroleh

(20)
Atau dapat dituliskan dalam bentuk

(21)
Dari persamaan gerak kita ketahui bahwa

(22)
Dengan mensubstitusi persamaan gerak ini ke persamaan sebelumnya, sehingga
diperoleh
 (23)

atau dapat ditulis menjadi

(24)
Dari persamaan ini, ruas kiri merupkan percepatan, dan ruas kanan merupakan sesuatu
dikalikan gaya F. Berdasarkan hukum II Newton kita ketahui bahwa:

(25)
Sehingga dari persamaan tersebut didefinisikanlah massa efektif yang besarnya

(26)
Inilah persamaan yang menunjukkan definisi massa efektif.
C. Semikonduktor Intrinsik dan Ekstrinsik
Pada bahan semikonduktor, hole (kekosongan) dan elektron berfungsi sebagai pembawa
muatan listrik (pengantar arus). Semikonduktor dibagi dua berdasarkan jenis muatan pembawanya,
yaitu:
a. Semikonduktor intrinsik, adalah semikonduktor yang belum disisipkan atom-atom lain
(atom pengotor)
b. Semikonduktor ekstrinsik, adalah semikonduktor yang sudah dimasukkan sedikit
ketidakmurnian (doping). Akibat doping ini maka hambatan jenis semikonduktor
mengalami penurunan. Semikonduktor jenis ini terdiri dari dua macam, yaitu
semikonduktor tipe-P (pembawa muatan hole) dan tipe-N (pembawa muatan elektron).
1. Semikonduktor intrinsik
Semikonduktor intrinsik adalah suatu bahan semikonduktor dalam bentuk yang sangat murni
dimana sifat-sifat kelistrikannya ditentukan oleh sifat-sifat asli yang melekat pada unsur itu
sendiri. Contoh : germanium dan silicon.
Distribusi peluang Fermi-Dirac pada Semikonduktor intrinsic :
 1
𝑓𝐹𝐷 (𝐸) = 𝐸−𝜇 (27)
[ ]
𝑒 𝑘𝑇 +1

dimana 𝑓𝐹𝐷 (𝐸) adalah pelung untuk menentukan elektron yang energinya antara E dan .
Pada suhu di atas 00K, jumlah elektron dalam pita konduksi sama dengan jumlah hole dalam
pita valensi. Jumlah elektron dalam konduksi adalah
N[E] = g[E] f[E] (28)
dan banyak hole dalam pita valensi
N*[E] = g[E](1- f[E]) (29)
Untuk penyelesaian ini, maka :
a) Lebar pita energi sangat kecil bila dibandingkan dengan pita terlarang sehingga semua
tataran dalam pita dapat dianggap memiliki energi yang sama.
b) Dengan mengacu energi pada pita valensi sama dengan nol dan lebar pita terlarang sama
dengan Eg maka energy pada pita akan sama dengan Eg.
Akibat dari penyelesaian di atas, maka diperoleh
𝐸𝑔 = 2𝐸𝐹
Ciri-ciri semikonduktor intrinsik :
a) Jumlah elektron dalam pita konduksi sama dengan jumlah hole dalam pita valensi
b) Energi Fermi terletak ditengah-tengah celah energi
c) Elektron memberikan sumbangan terbesar terhadap arus, tetapi sumbangan hole juga
berperan penting
d) Ada sekitar satu atom diantara 109 atom yang memberikan sumbangan terhadap hantaran
ini
Semikonduktor intrinsik digunakan pada peralatan pengukur suhu dan sebagai pengganti alat-
alat elektronik yang memerlukan kepekaan dalam perubahan suhu. Hal ini merupakan
penggunaan praktis dari sifat kebergantungan  terhadap suhu T.
2. Semikonduktor ekstrinsik
Semikonduktor intrinsik tidak memiliki nilai praktis yang besar sebab hanya satu atom
diantara 109 atom yang memberikan sumbangan terhadap hantaran. Dengan pemberian pengotor
pada tingkatan 1bagian dalam 109 maka akan mengubah sifat-sifat semikonduktor itu secara
drastic. Bahan seperti ini dikenal sebagai semikonduktor ekstrinsik (tak murni) dan proses
pemberian pengotor dinamakan doping. Ada dua jenis semikonduktor ekstrinsik ini, yaitu
pertama adalah semikonduktoryang pengotornya memberikan tambahan elektron pada pita
konduksi dan yang kedua adalah semikonduktor yang memberikan elektron pada pita valensi.
Semikonduktor Ekstrinsik Tipe-n
Semikonduktor dengan konsentrasi elektron lebih besar dibandingkan konsentrasi hole disebut
semikonduktor ekstrinsik tipe-n. Semikonduktor tipe-n menggunakan semikoduktor intrinsik dengan
menambahkan atom donor yang berasal dari kelompok V pada susunan berkala, misalnya Ar (arsenic),
Sb (Antimony), phosphorus (P). Atom campuran ini akan menempati lokasi atom intrinsik didalam
kisi kristal semikonduktor.

Gambar 1. Atom pengotor untuk menghasilkan semikonduktor ekstrinsik tipe-n

Konsentrasi elektron pada Si dan Ge dapat dinaikkan dengan proses doping unsur valensi 5.
Sisa satu elektron akan menjadi elektron bebas, jika mendapatkan energi yang relatif kecil saja
(disebut sebagai energi ionisasi). Elektron ini akan menambah konsentrasi elektron pada pita
konduksi. Elektron yang meninggalkan atom pengotor yang menjadi ion disebut dengan elektron
ekstrinsik. Keberadan impuriti donor digambarkan dengan keadaan diskrit pada energi gap pada posisi
didekat pita konduksi.

Gambar 2. Kristal semikonduktor ekstrinsik tipe-n dua dimensi

Penambahan atom donor telah menambah level energi pada pita konduksi yang berada diatas
energi gap sehingga mempermudah elektron untuk menyebrang ke pita konduksi.
Pada suhu kamar sebagian besar atom donor terionisasi dan elektronnya tereksitasi ke
dalam pita konduksi. Sehingga jumlah elektron bebas (elektron intrinsik dan elektron ekstrinsik)
pada semikonduktor tipe- n jauh lebih besar dari pada jumlah hole (hole intrinsik). Oleh sebab itu,
elektron di dalam semikonduktor tipe-n disebut pembawa muatan mayoritas, dan hole
disebut sebagai pembawa muatan minoritas.
Semikonduktor Ekstrinsik Tipe-p
Semikonduktor tipe-p, dimana konsentrasi lubang lebih tinggi
dibandingkan elektron, dapat diperoleh dengan menambahkan atom akseptor. Pada Si dan
Ge, atomnya aseptor adalah unsur bervalensi tiga (kelompok III pada susunan berkala) misalnya B
(boron), Al (alumunium), atau Ga (galium).

Gambar 3 .Atom pengotor untuk menghasilkan semikonduktor ekstrinsik tipe-p

Karena unsur tersebut hanya memiliki tiga elektron valensi, maka terdapat satu kekosongan untuk
membentuk ikatan kovalen dengan atom induknya. Atom tersebut akan mengikat elektron dari pita
velensi yang berpindah ke pita konduksi. Dengan penangkapan sebuah elektron tersebut, atom
akseptor akan menjadi ion negatip. Atom akseptor akan
menempati keadaan energi dalam energi gap di dekat pita valensi.

(a) (b)
Gambar 4
(a) Kristal semikonduktor ekstrinsik tipe-p dalam dua dimensi
 (b) Pita energi semikonduktor ekstrinsik tipe-p

Pada semikonduktor tipe-p, atom dari golongan III dalam sistem periodik unsur misalnya Ga,
dibubuhkan kedalam kristal semikonduktor intrinsik. Oleh karena galium termasuk golangan III dalam
sistem periodik unsur, atom Ga memiliki tiga buah elektron valensi. Akibatnya, dalam berikatan dengan
atom silikon di dalam kristal, Ga memerlukan satu elektron lagi untuk berpasangan dengan atom
Si. Oleh sebab itu atom Ga mudah menangkap elektron, sehingga disebut akseptor. Jika ini terjadi
atom akseptor menjadi kelebihan elektron sehingga menjadi bermuatan negatif. Dalam hal ini dikatakan
atom akseptor terionkan. Ion akseptor ini mempunyai muatan tak bebas, oleh karena tak bergerak
dibawah medan listrik luar. Ion Si yang elektronnya ditangkap oleh atom akseptor terbentuk
menjadi lubang, yang disebut lubang ekstrinsik.
Jelaslah bahwa pada semikonduktor tipe-p, lubang merupakan pembawa muatan yang
utama, sehingga disebut pembawa muatan mayoritas. Disini elektron bebas merupakan pembawa
muatan minoritas.