Nama :Adryan Fathur Rahman

NIM : 161810201074

1. Struktur Kristal
- Amorf
Contoh bahan amorf meliputi silikon amorf, plastik, dan kacamata. Silicon
Silikon amorf dapat digunakan dalam sel surya dan transistor film tipis.
Bahan amorf tidak memiliki urutan jangka panjang, tetapi memiliki berbagai
tingkat urutan jarak pendek. Bahan amorf hanya memiliki urutan dalam
beberapa dimensi atom atau molekul. Zat Amorf (Non-kristal) tersusun atas
atom, ion, atau molekul yang berorientasi acak yang tidak membentuk pola
atau struktur kisi yang ditentukan. Perbedaan Utama – Amorf vs
Kristal. Semua bahan dapat dikategorikan menjadi tiga keadaan utama
berdasarkan sifat agregasi molekulnya; kategori ini disebut benda padat,
cairan, dan gas. Gas dan cairan sangat berbeda dari padatan karena mereka
tidak memiliki bentuk yang pasti dan mengambil bentuk wadah di mana
mereka ditempatkan. Tidak seperti gas dan cairan, padatan memiliki bentuk
tiga dimensi yang pasti dengan bentuk agregat molekul paling kompleks.

- Pollycrystal
Polikristal dapat didefinisikan sebagai kumpulan dari kristal-kristal tunggal
yang memiliki ukuran sangat kecil dan saling menumpuk yang membentuk
benda padat. Struktur amorf menyerupai pola hampir sama dengan kristal,
akan tetapi pola susunan atom-atom, ion-ion atau molekul-molekul yang
dimiliki tidak teratur dengan jangka yang pendek. Amorf terbentuk karena
proses pendinginan yang terlalu cepat sehingga atom-atom tidak dapat
dengan tepat menempati lokasi kisinya. Bahan seperti gelas, nonkristalin
ataupun vitrus yaitu memiliki struktur yang identik dengan amorf. Susunan
dua-dimensional simetris dari dua jenis atom yang berbeda antara kristal dan
amorf ditunjukan pada berikut :

Butirnya biasanya berdiameter 100 nm - 100 mikron. Polikristalin dengan

butiran yang berdiameter. Daerah ini disebut sebagai butir (domain) dan
dipisahkan satu sama lain oleh batas butir. Urutan atom dapat bervariasi dari
satu domain ke domain lainnya. Daerah yang dipesan ini, atau daerah crytal
tunggal, bervariasi dalam ukuran dan orientasi satu sama lain. Bahan
polikristalin memiliki tingkat keteraturan yang tinggi terhadap banyak
dimensi atom atau molekul. Polycrystal adalah bahan yang terbuat dari
agregat banyak kristal tunggal kecil (juga disebut kristalit atau biji-bijian).
<10 nm disebut nanokristalin
- Kristal Tunggal
Kristal tunggal memiliki struktur atom yang berulang secara berkala di
seluruh volume. Bahkan pada skala panjang tak hingga, setiap atom terkait
dengan setiap atom ekuivalen lainnya dalam struktur dengan simetri translasi.

- Ikatan Ion
Ikatan ion adalah ikatan yang terjadi akibat perpindahan elektron dari satu
atom ke atom lain. Ikatan ion terbentuk antara atom yang melepaskan
electron (logam) dengan atom yang menangkap elektron (bukan logam).
Atom logam, setelah melepaskan elektron berubah menjadi ion positif.
Sedangkan atom bukan logam, setelah menerima elektron berubah menjadi
ion negatif. Antara ion-ion yang berlawanan muatan ini terjadi tarik-menarik
(gaya elektrostastis) yang disebut ikatan ion (ikatan elektrovalen). Senyawa
yang memiliki ikatan ion disebut senyawa ionik. Senyawa ionik biasanya
terbentuk antara atom-atom unsur logam dan nonlogam.
- Ikatan Kovalen
Ikatan kovalen merupakan ikatan yang terjadi karena adanya pasangan
elektron (e–) yang dipakai secara bersama-sama oleh atom-atom yang
berikatan.

Ikatan kovalen termasuk di dalamnya berbagai jenis ikatan, yaitu ikatan

sigma, ikatan pi, ikatan logam-logam, interaksi agostik, dan ikatan tiga pusat
dua elektron. Istilah bahasa Inggris untuk ikatan kovalen, covalent bond,
pertama kali muncul pada tahun 1939. Awalan co- berarti bersama-sama,
berasosiasi dalam sebuah aksi, berkolega, dll.; sehingga "co-valent bond"
artinya adalah atom-atom yang saling berbagi "valensi", seperti yang dibahas
oleh teori ikatan valensi. Pada molekul H2, atom hidrogen berbagi dua
elektron via ikatan kovalen. Kovalensi yang sangat kuat terjadi di antara
atom-atom yang memiliki elektronegativitas yang mirip. Oleh karena itu,
ikatan kovalen tidak seperlunya adalah ikatan antara dua atom yang berunsur
 sama, melainkan hanya pada elektronegativitas mereka. Oleh karena ikatan
kovalen adalah saling berbagi elektron, maka elektron-elektron tersebut perlu
ter-delokalisasi. Lebih jauh lagi, berbeda dengan interaksi elektrostatik
("ikatan ion"), kekuatan ikatan kovalen bergantung pada relasi sudut antara
atom-atom pada molekul poliatomik.
- Ikatan Metal
Ikatan logam adalah suatu jenis ikatan kimia yang melibatkan gaya tarik
elektrostatik di antara elektron konduksi yang dikumpulkan di dalam suatu
awan elektron (disebut juga "lautan elektron") dan ion logam bermuatan
positif. Dipahami sebagai kemitraan elektron "bebas" di antara satu kisi ion
bermuatan positif (kation), ikatan logam biasanya dibandingkan dengan
ikatan di dalam garam lebur. Namun, pandangan ini hanya tepat untuk
beberapa jenis logam saja. Dalam pandangan yang lebih ke arah mekanika
kuantum, elektron konduksi membagi kepadatan mereka di antara semua
atom yang berfungsi sebagai entitas netral (tidak bermuatan). Ikatan logam
memainkan peran dalam berbagai sifat fisik yang dimiliki oleh sesuatu logam
seperti kekuatan, duktilitas, konduktivitas termal dan listrik, serta kilauan.
Meskipun istilah "ikatan logam" lebih sering digunakan menggantikan
"ikatan kovalen", penggunaan pengikatan logam (metallic bonding) lebih
dianjurkan, karena jenis ikatan ini bersifat kolektif dalam alam, dan satu
"ikatan logam" tunggal tidak ada. Tidak semua logam memiliki pengikatan
logam: salah satu contoh adalah ion merkuri yang membentuk ikatan kovalen
logam-logam.
- Kohesi dan Adhesi
Kohesi adalah gaya tarik menarik antara partikel partikel yang sejenis. Kohesi
dipengaruhi oleh kerapatan dan jarak antarpartikel dalam zat. Dengan
demikian, kamu pasti tahu bahwa gaya kohesi zat padat lebih besar
dibandingkan dengan zat cair dan gas (hayo…coba ingat kembali susunan
partikel pada zat padat, cair, dan gas pada artikel sebelumnya). Gaya kohesi
 mengakibatkan dua zat bila dicampurkan tidak akan saling melekat. Contoh
peristiwa kohesi adalah : Tidak bercampurnya air dengan minyak, tidak
melekatnya air raksa pada dinding pipa kapiler, dan air pada daun talas.
Adhesi adalah gaya tarik menarik antara partikel partikel yang tidak sejenis.
Gaya adhesi akan mengakibatkan dua zat akan saling melekat bila
dicampurkan. Contohnya : Bercampurnya air dengan teh/kopi, melekatnya air
pada dinding pipa kapiler, melekatnya tinta pada kertas, dll. (Coba kalian cari
tahu contoh yang lainnya dalam kehidupan sehari hari). Ada 3 kondisi yg
mungkin terjadi jika kita mencampurkan 2 macam zat :
1. Jika gaya kohesi antar partikel zat yang berbeda lebih besar daripada gaya
adhesinya, kedua zat tidak akan bercampur. Contohnya, minyak kelapa
dicampur dengan air.
2. Jika gaya adhesi antar partikel zat yang berbeda sama besar dengan gaya
kohesinya, kedua zat akan bercampur merata. Contohnya, air dicampur
dengan alkohol.
3. Jika gaya adhesi antar partikel zat yang berbeda lebih besar daripada gaya
kohesinya, kedua zat akan saling menempel. Contohnya, air yang
menempel pada kaca.

2. Klasifikasi Material Semikonduktor

Bahan Semikonduktor adalah bahan dasar untuk komponen aktif dalam alat
elektronika, digunakan misalnya untuk membuat dioda, transistor, dan IC
(integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor karena bahan ini
memang bukan konduktor murni. Bahan-bahan logam seperti tembaga, besi,
timah, disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom
yang sedemikian rupa sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. Saat ini bahan
semikonduktor yang paling banyak digunakan adalah kristal silikon. Dahulu
orang juga menggunakan unsur germanium. Kedua unsur itu merupakan
kelompok IV dalam susunan berkala. Kristal gallium-arsenida yang terbentuk dari
 unsur gallium dan arsen mempunyai sifat seperti unsur kelompok IV, sehingga
dapat pula digunakan untuk membentuk bahan semikonduktor.
Sifat- Sifat Semikonduktor
Disamping itu semikonduktor memiliki sifat-sifat berikut :
1. Semikonduktor murni mempunyai koefisien temperatur yang negatif dengan
resistansi tidak seperti logam yang memiliki resistansi dengan koefisien
temperatur positif.
2. Semikonduktor memberikan daya termolistrik yang tinggi dengan tanda yang
positif atau negatif relatif logam bersangkutan.
3. Hubungan (juction) antara semikonduktor jenis p dan semikonduktor jenis n
menunjukkan sifat-sifat penyearahan.
4. Semikonduktor bersifat peka cahaya, membangkitkan baik tegangan foto
maupun perubahan resistansi akibat penyinaran cahaya.
- Cacat Kristal
Imperfeksi cacat dalam zat padat diartikan sebagai deviasi atas kesempurnaan
kisi kristal. Keadaan cacat dalam Kristal dapat terjadi saat proses
pembentukannya, ataupun pengaruh gaya-gaya dari luar.
Disorder: Ketidakseimbangan jumlah atom dari perpaduan dua unsure yang
berbeda (alloy). Kekosongan kisi (vacancy): Kekosongan ikatan antar atom,
menyebabkan ketidak stabilan structural. Dislokasi: Perubahan posisi atom
akibat pengaruh gaya luar (tegangan dan regangan).

3. Elektronegativitas
Elektronegativitas (Simbol: χ) adalah sebuah sifat kimia yang menjelaskan
kemampuan sebuah atom (atau lebih jarangnya sebuah gugus fungsi) untuk
menarik elektron (atau rapatan elektron) menuju dirinya sendiri pada ikatan
kovalen. Konsep elektronegativitas pertama kali diperkenalkan oleh Linus
Pauling pada tahun 1932 sebagai bagian dari perkembangan teori ikatan valensi.
Elektronegativitas tidak bisa dihitung secara langsung, melainkan harus
dikalkulasi dari sifat-sifat atom dan molekul lainnya. Beberapa metode kalkulasi
telah diajukan. Walaupun pada setiap metode terdapat perbedaan yang kecil
dalam nilai numeris elektronegativitasnya, semua metode memiliki tren periode
yang sama di antara unsur-unsur. Elektronegativitas merupakan salah satu sifat
periodisitas unsur, selain afinitas elektron, jari-jari atom, dan energi ionisasi.
- Ikatan ion
Dalam ikatan ionik, perbedaan elektronegatif antara dua atau lebih atom begitu
besar sehingga elektron dilucuti dari atom yang kurang elektronegatif.
Ikatan ini bersifat polar, seperti magnet kecil. Mereka dapat memisahkan diri
dalam air atau pelarut lain menjadi dua atau lebih ion yang terpisah.
- Ikatan kovalen

Ikatan kovalen adalah sejenis ikatan kimia yang memiliki karakteristik

berupa pasangan elektron yang saling terbagi (pemakaian bersama elektron)
di antara atom-atom yang berikatan. Singkatnya, stabilitas tarikan dan tolakan
yang terbentuk di antara atom-atom ketika mempergunakan bersama elektron
dikenal sebagai ikatan kovalen. Ikatan kovalen termasuk di dalamnya
berbagai jenis ikatan, yaitu ikatan sigma, ikatan pi, ikatan logam-
logam, interaksi agostik, dan ikatan tiga pusat dua elektron. Istilah bahasa
Inggris untuk ikatan kovalen, covalent bond, pertama kali muncul pada tahun
1939. Awalan co- berarti bersama-sama, berasosiasi dalam sebuah aksi,
berkolega, dll.; sehingga "co-valent bond" artinya adalah atom-atom yang
saling berbagi "valensi", seperti yang dibahas oleh teori ikatan valensi. Pada
molekul H2, atom hidrogen berbagi dua elektron via ikatan kovalen.
Kovalensi yang sangat kuat terjadi di antara atom-atom yang
memiliki elektronegativitas yang mirip. Oleh karena itu, ikatan kovalen tidak
seperlunya adalah ikatan antara dua atom yang berunsur sama, melainkan
hanya pada elektronegativitas mereka. Oleh karena ikatan kovalen adalah
saling berbagi elektron, maka elektron-elektron tersebut perlu ter-
delokalisasi. Lebih jauh lagi, berbeda dengan interaksi elektrostatik ("ikatan
ion"), kekuatan ikatan kovalen bergantung pada relasi sudut antara atom-
atom pada molekul poliatomik. Ikatan kovalen dibagi menjadi dua, yaitu
ikatan kovalen polar dan ikatan kovalen nonpolar. Ikatan kovalen polar
terjadi jika salah satu atom yang berikatan
mempunyai elektronegativitas yang jauh lebih besar daripada yang lain.
Ikatan kovalen nonpolar terjadi jika kedua atom berikatan
mempunyai afinitas elektron yang sama.
4. – titik leleh

Titik leleh didefinisikan sebagai temperatur dimana zat padat berubahmenjadi

cairan pada tekanannya satu atmosfer. Titik leleh suatu zat padat tidak
mengalami perubahan yang berarti dengan adanya perubahan tekanan.
Olehkarena itu tekanan biasanya tidak dilaporkan pada penentuan titik leleh
kecuali kalau perbedaan dengan tekanan normal terlalu besar. !ada umumnyatitik
leleh senyawa organik mudah diamati sebab temperatur dimana pelelehan mulai
terjadi hampir sama dengan temperatur dimana zat telah meleleh semuanya. Titik
leleh bargantung pada kekuatan relatif dari ikatan. 0emakin kuat ikatanyang
dibentuk semakin besar energi yang diperlukan untuk memutuskannya.4engan
kata lain semakin tinggi juga titik lebur unsur tersebut. Perbedaan titik leleh
antara senyawa pada golongan yang sama dapat dijelaskan dengan perbedaan
elektronegativitas unsur pembentuk senyawa tersebut. dalam satu golongan unsur
transisi dari atas ke bawah kekuatan ikatan bartambah, jadi titik leleh bertambah.
unsur C dan Si yang mempunyai struktur kovalen yang sangat besar mempunyai
titik leleh tinggi. Titik leleh dari gas mulia ditentukan oleh besarnya nomor atom.
semakin besar nomor atom maka titik lelehnya makin tinggi. itu berarti ikatan
van der waals sangat lemah. Sifat fisika dari karbon yaitu pada titik lelehnya
adalah titik leleh darikarbon sangat tinggi, sehingga karbon berbeda dengan non
logam lainnya.
- Titik didih
Titik didih adalah suhu (temperatur) ketika tekanan uap sebuah zat cair sama
dengan tekanan eksternal yang dialami oleh cairan. Sebuah cairan di dalam
vacuum akan memiliki titik didih yang rendah dibandingkan jika cairan itu
berada di dalam tekanan atmosfer. Cairan yang berada di dalam tekanan
tinggi akan memiliki titik didih lebih tinggi jika dibandingkan dari titik
didihnya di dalam tekanan atmosfer. Titik didih normal (juga disebut titik
didih atmospheris) dari sebuah cairan merupakan kasus istimewa ketika
tekanan uap cairan sama dengan tekanan atmosfer di permukaan laut, satu
atmosphere. Pada suhu ini, tekanan uap cairan bisa mengatasi tekanan
atmosfer dan membentuk gelembung di dalam massa cair. Pada saat ini (per
1982) Standar Titik Didih yang ditetapkan oleh IUPAC adalah suhu ketika
pendidihan terjadi pada tekanan 1 bar. Pada tekanan dan temperatur udara
standar (76 cmHg, 25 °C) titik didih air sebesar 100 °C.
- Konduktivitas listrik
Konduktivitas listrik adalah ukuran dari kemampuan suatu bahan untuk
menghantarkan arus listrik. Jika suatu beda potensial listrik ditempatkan pada
ujung-ujung sebuah konduktor, muatan-muatan bergeraknya akan berpindah,
menghasilkan arus listrik. Konduktivitas listrik didefinsikan sebagai ratio
dari rapat arus terhadap kuat medan listrik :

Pada sebagian jenis bahan dimungkinkan terdapat konduktivitas listrik yang

anisotropik. Lawan dari konduktivitas litrik adalah resistivitas listrik atau
biasa dikata dijadikan resistivitas saja, adalah
5. Dinamika Kristal
Suatu alasan mengapa kecepatan suara terhadap padatan berbeda adalah pengaruh
dari struktur padatan tersebut, semakin padat struktur maka kecepatan akan
melambat begitu juga sebaliknya

- Fenomena Fisis Monoatomic Chain

1. Crystal Kristal paling sederhana adalah rantai satu dimensi atom identik.
2. Rantai terdiri dari sejumlah besar atom identik dengan identik massa.
3. Atom dipisahkan oleh jarak "a".
4. Atom hanya bergerak searah dengan rantai.
5. Hanya tetangga terdekat yang berinteraksi (pasukan jarak dekat).
6. Mulai dengan case paling sederhana rantai linear monoatomik hanya dengan
tetangga terdekat interaksi.
7. Jika seseorang memperluas energi di dekat titik keseimbangan untuk ke-n atom
dan menggunakan pendekatan elastis, persamaan Newton menjadi

- Fenomena Fisis Chain Of Two Type Of Atom

1. Dua jenis atom massa M dan m dihubungkan oleh pegas identik konstanta pegas
K;
2. Ini adalah model kristal ionik yang paling sederhana.
3. Karena a adalah jarak yang diulang, tetangga terdekat pemisahan adalah a/2

- Fenomena Fisis Optical /Acoustic Branches

Acoustic branch memiliki nama karena menimbulkan panjang gelombang
getaran – kecepatan suara. Optic branch merupakan getaran yang memiliki energi
tinggi (frekuensinya tinggi). Medan listrik berosilasi yang dihasilkan oleh radiasi
EM.
Pada spektrum karakteristik getaran kristal pada mempunyai beberapa arahan :
 Pertimmbangan kondisi untuk perambatan gelombang kisi secara berkala
 Kandungan energi
 Spesifikasi gelombang panas dari gelombang kisi
 Aspek partikel dari gelombang kisi yang terkuantisasi (phonon)
 Konsekuensi dari penggabungan harmonik antara atom

Dalam kajian ini kita diperkenalkan tentang konsep kristal dinamik yang
diperbolekan dalam frekuensi terntentu dan frekuensi yang dilarang, dan
padatan spektrum elektronik. Pada pembahasan bab sebelumnya kita dapat
mengansusikan atom berada pada posisi yang setimbang. Hal ini tidak
sepenuhnya benar yang bertentangan dengan HUP. Bahwa atom bergetar
tentang posisi setimbangnya yang bernilai absolut nol.energi yang dimiliki
atom sebagai hasil dari energi titik nol. Amplitudo yang berada di atom
meningkat seiring bertambahnya panas dengan suhu yang lebih tinggi. Dalam
bab ini kita akan membahas sifat gerakan atom yang biasanya disebut gerakan
kisi, dalam hal ini akan menggunakan dengan pendekatan dinamika kisi
harmonik, ampitudo getaran kisi yang kecil dan tinggi dan beberapa getaran
harmonis tidak terjadi.
Perhitung getaran kisi akan dibatan pada amplitudo kecil, karena padatan
dengan posisi setimbang stabil dan geraknya dapat dihitung dengan metode
analisis osilator harmonik sederhana. Batas amplitudo yang kecil dikenal
dengan batas harmonik. Hukum berkaitan dengan wilayah linear atau wilayah
deformasi elastis dan gaya pemulihan pada setiap atom kira-kira sebanding.
Beberapa efek dari non-linear atau tidak harmonis terjadi perpindahan yang
besar. Efek pada keidakharmonisan ini peting untuk interaksi antara fonon dan
foton.
Gerakan atom diatur oleh gaya yang diberikan ketika terjadi perpindahan
posisi kesetimbangannya. Pada perhitungan gaya perlu untuk menentukan
fungsi gelombang elektron dalam kristal. Lebih udahnya dalam perhitungan
gerakan atom dapat disimpulkan tanpa melakukan perhitungan.
Hukum Hooke merupakan salah satu hukum dengan sifat elastisitas
dengan kekuatan sekitar dua kali untuk dapat meregangkan sebuah pegas.
Ketergantungan perpindahan secara linear pada regangan disebut sebagai
hukum Hooke.
 Berdasarkan titik yang telah ditentukan daerah akhir dengan nama batas
limit dari elastisitas. Batas dari deformasi terjadi setelah melebihi batas
normal akan tetapi ketika melebihi batas maka ukuran dari suatu sampel tidak
daptkembali normal lagi. Batas juga tidak dapat berjalan dengan panjang yang
telah di aplikasikan dengan berdasarkan hukum Hooke.

 Sound Waves ( Gelombang Bunyi)

Gelombang bunyi dapat merambat melalui sebuah medium diantaranya
adlah benda padat, benda cair, ataupun gas yang masing-masing mempunyai
kecepatan rambat yang berbeda-beda beserta sifat elastisitas. Gelombang
bunyi berbentuk longitudinal dan transversal ataupun kombinasi dari
keduanya, tergantung dari titik awal dan arah pada titik nol. Gelombang bunyi
yang mengalr melalui benda padat ini dapat diketahui sebuah informasi bahwa
getaran kisi panjang gelombang dengan dibandingkan jarak antar atom dapat
dimungkinkan dan struktur atom yang dapat dijelaskan. Frekuensi pada
gelombang bunyi dapat berupa frekuensi tinggi dan rendah yang nantinya
dapat menentukan arah dari struktur kristal dengan menstranmisika tiga
gelombang bunyi dan arah dari polarisasinya.
 Bedasarkan hukum Hoole dengan tekanan S pada area

Dengan penggabungan hukum Newton kedua maka :

 Dalam hal ini dapat diaplikasikan pada sebuah pegas yang nantinya ketika
melebihi dua kali dari berat pegas tersebut maka pegas dapat terjadi sebuah
peristiwa regangan, akan tetapi ketika melebihi batas dari sebuah regangan
tersebaut maka pegas tersubut tidak dapat kembali ukuran normal. Sedangkan
kecepatan dari gelombang bunyi adalah :

Semakin besar modul elastis dan semakin kecil densitasnya lebih cepat
gelombang suara bisa menyebar.
 Getaran kisi pada kristal 1D
Interaksi atom dengan nilai potensial (V) dapat dinyatakan dengan deret Taylor’s

Contoh kristal paling sederhana pada 1D adalah pada ikatan monoatomik dengan
ikatan ion
 Rantai dari dua tipe atom
Dua jenis atom dengan massa M dan m saling terikat satu sama lain
dengan sebuah pegas yang identik dihubungkan dengan konstanta pegas K

Ini adalah model dari kristal ionik yang sederhana, karena a adalah jarak
yang diulang oleh pegas sebelahnya denga pemisahan a/2. Dalam hal ini
hanya mempertimbangkan interaksi pegas sebelah yang pertama dalam
perkiraan kristal ionik karena a merupakan interaksi yang terdapat jarak.

5.3 Fenomena Fisis Phonon, Foton dalam Bahan

1. Garis atom regulernya seragam.
2. Harus terdapat energi terikat dengan getaran atom.
3. Phonon akan terikat dengan phonon lain, menyebabkan tidak dapat bergetar
sendiri.
4. Getarannya kolektif dan menyebar melalui materi.
5. Getaran kisi – kisi yang menyebar di anggap gelombang suara.
6. Kecepatannya adalah kecepatan suara dalam materi.
7. Energi getaran molekul diukur dari harmonic osilator.
8. Kuantum harmonic osilator telah sama tingkatan energi pemisahan ∆E = hv.

CHAPTER 6
1.1 Thermal Conductivity
perpindahan panas oleh elektron konduksi

Kmetals = Knon – metals

Elektron berasal dari bagian logam yang lebih panas mengangkut lebih
banyak energi panas daripada energi panas yang dihasilkan oleh aliran panas
yang bersih. Maka konduksi panas adalah,
1
K = 3 Cv vF l dimana, Cv adalah spesifik panas per unit volume

vF adalah rata – rata kecepatan dari elektron dari konduksi panas tentang ksT dari
εF. maka induksi panas menjadi,

1.2 Fenomena Wiedemann-Franz Law

 CHAPTER 7
7.1 Plasma Oscillation and Plasmons
Jika kita menganggap serius keberadaan FEG, kita mungkin
mengharapkannya untuk dipamerkan osilasi kolektif jika terganggu.
Pertimbangkan sampel logam silinder dengan polarisasi terinduksi dalam
FEG-nya
7.2 Heat Capacity Of The FEG
Teka-teki abad ke-19: setiap molekul gas monatomik dalam sampel
3
pada suhu T memiliki energi2 𝐾 Jadi jika N bebas elektronik dalam logam

membentuk gas klasik maka harus berperilaku serupa

sehingga kontribusi elektronik terhadap kapasitas panas molar akan diharapkan

Ini adalah setengah dari 3R yang kami temukan untuk kapaktasi panas kisi pada
T. Tinggi percobaan menunjukkan bahwa total C untuk logam hanya sedikit
lebih tinggi daripada untuk isolator — yang bertentangan dengan teori klasik.

7.3 Heat Capacity Of The Quantum-Mechanical FEG

Mekanika kuantum menunjukkan bahwa pendudukan keadaan elektron
diatur oleh prinsip pengecualian pauli, dan bahwa kemungkinan pendudukan
keadaan dengan energi E pada suhu T adalah :
7.4 Electrical Resistivity Of The FEG
Berdasarkan model yang yang telah dilakukan oleh salah satu ilmuwan
Paul Drude 1990 mendeskrisikan bahwa listrik dan konduktivitas termal dari
metal. Percobaan model ini berhasil sehingga mempengaruhi dari jalannya
fisika zat padat dan memperkenalkan konsep dasar yang masih digunakan
sampai sekarang. Karena sebuah elektron yang mengalami medan listrik yang
seragam akan berakselerasi tanpa batas waktu dan menyiratkan peningkatan
arus, drude mengusulkan mekanisme tumbukan yang dengannya elektron
membuat tumbukan setiap detik. dalam setiap tabrakan ia mengasumsikan
bahwa semua kecepatan maju elektron dikurangi menjadi nol dan itu harus
sesuai agan. hasilnya adalah kecepatan rata-rata yang konstan.
 Kerapatan arus dalam FEG dapat dengan mudah dihitung dengan
asumsi geometri sampel sederhana

7.5 Electrical Conductivity In Reciprocal Space

Bola fermi berisi semua keadaan elektron yang diduduki dalam FEG
dengan tidak adanya medan listrik, ada jumlah elektron yang sama yang
bergerak dalam arah + -X + -Y, dan + -Z, sehingga arus bersih adalah nol
 tetapi ketika bidang E diterapkan di sepanjang arah-x, fermi spe
bergeser oleh jumlah yang terkait dengan perubahan bersih dalam momentum
FEG

Pergeseran dalam bola Fermi menciptakan aliran arus bersih karena

lebih banyak elektron bergerak ke arah –x daripada arah + x. Tetapi kelebihan
pembawa saat ini hanya mereka yang sangat dekat dengan permukaan Fermi.
Jadi pembawa saat ini memiliki kecepatan vF

7.6 The Effect Hall Measurment

Efek Hall ditemukan oleh Edwin Hall pada tahun 1879. Tahun 1879
eksperimen mengenai elektron belum ditemukan, sehingga terjadi pelemahan.
Tahun 1930 di ungkapkan oleh Landau bahwa elektron kuantum tidak sama
dengan yang diungkapkan di elektron klasik. Inversi pertama tentang
pengukuran konduktivitas Hall pada medan magnet yang kuat dilakukan oleh
S. Kawaji dan rekannya pada tahu 1975, dengan menggunakan pengaturan
eksperimental untuk mengukur tegangan Hall. Tahun 1985 Klaus von Klitzing
menemukan kuantum efek hall. Tahun 1982 DCTsui, HLStormer, dan
ACGossard menemukan keberadaan langkah Hall dengan rasional bilangan
kuantum fraksional, yang disebut pecahan efek Hall kuantum.
 Efek hall adalah suatu peristiwa berbeloknya aliran listrik (elektron)
dalam pelat konduktor karena adanya pengaruh medan magnet. Konstanta hall
pada setiap bahan akan menjadi berbeda termasuk perak dan wolfram, dan ada
yang menyebabkan harga dari konstanta hall perak dan wolfman berbeda
adalah karena jenis pembawa muatan yang berbeda-beda. Pembawa muatan
dari perak adalah positif (hole) sedangkan wolfram sebagai pembawa muatan
negatif (elektron).
Instrumen Efek Hall merupakan instrumen fisika yang sangat diperlukan
dalam pengembangan material. Misalnya pengembangan material
superkonduktor dan material semikonduktor. Dengan instrumen Efek Hall
dapat diketahui sifat-sifat listrik (electrical properties) material tersebut
diantaranya tipe konduktor, resitivitas, mobilitas, dan konsentrasi carrier.
Dengan mengetahui sifat listrik terutama material semikonduktor yang baru
ditumbuhkan (growth), maka dapatdisimpulkan bahwa materi tersebut dapat
dikategorekian secara listrik baik atau tidak baik. Material semikonduktor
yang mempunyai mobilitas tinggi dengan konsentrasi carrier yang rendah baik
untuk dimanfaatkan dalam devais elektronik dan atau optoelektronik. Salah
satu cara yang sederhana untuk mengetahui besaran listrik ini adalah melelui
Efek Hall
Efek Hall merupakan kejadian dimana terdapat beda tegangan pada
sebuah logam yang berada dalam medan magnet ketika diberikan arus pada
logam yang saling tegak lurus dengan medannya. Prinsip dasar yang
mendasari adalah gaya Lorentz bekerja pada muatan yang masuk ke logam
yang dapat mempengaruhi pergerakan muatan tersebut. Apabila terdapat
perubahan muatan q mengalami gaya Lorentz dengan arah lateral dan besar
gaya dapat dirumuskan dengan:
FB = qv x B
Keterangan:
FB : Gaya Lorentz
q : muatan partikel
v : kecepatan gerak q
B : medan magnet

Efek Hall merupakan peristiwa dimana ketika arus listrik (I) mengalir
pada sebuah bahan logam dan logam tersebut memliki medan magnet (B)
yang tegak lurus dengan arus, maka pembawa muatan (charge carrier) yang
bergerak pada logam tersebut akan mengalami pembelokan oleh medan
magnet tersebut. Akibat dari proses itu akan terjadi penumpukan muatan pada
sisi-sisi logam tersebut setelah beberapa saat. Penumpukan atau pengumpulan
muatan tersebut dapat menyebabkan sisi tersebut menjadi lebih elektropositif
ataupun elektronegatif bergantung pada pembawa muatannya. Perbedaan
muatan di setiap sisi-sisinya mengakibatkan perbedaan potensial dikeduanya,
beda potensial pada peristiwa tersebut dikenal sebagai Potensial Hall (VH).
gaya yang dibelokkan akan dihitung dengan menggunakan perubahan dari
“Medan hall” EH , sehingga gayanya berlawanan dengan gaya Lorentz,
sehingga dapat dirumuskan dengan:
FE = qEH
Keterangan:
FE : Gaya yang dibelokkan
q : muatan partikel
EH : madan hall
Kedua rumus tersebut dapat dituliskan dengan penyederhanaan sebagai berikut :
FB = FE
qvB = qEH
karena dikedua ruas terdapat q, maka q akan saling menghilangkan, rumus akan
menjadi:
qvB = qEH
vB = EH
 𝐸𝐻
v= 𝐵
𝐸𝐻
kecepatan gerak dari muatan partikel akan menjadi sama dengan v = Apabila
𝐵

suatu persamaan kerapatan arus adalah:

J = nqv
𝐸𝐻
sedangkan : v= 𝐵

persamaan kerapatan arus menjadi persamaan berikut :

J = nqv
𝐸
J = nq 𝐵𝐻
𝑛𝑞𝐸𝐻
J= 𝐵

Apabila suatu koefisien Hall dirumuskan dengan Hukum Ohm

𝐸𝐻
RH = 𝐽𝐵

Sedangkan dari persamaan kerapatan arus tadi didapat rumus sebagai berikut:
𝑛𝑞𝐸𝐻
J= 𝐵
1 𝐸𝐻
=
𝑛𝑞 𝐽𝐵

Maka, rumus dari koefisien Hall dapat dituliskan menjadi:

𝐸𝐻 1
RH = = 𝑛𝑞
𝐽𝐵

Apabila tegangan Hall (VH) dan arus (I), dirumuskan sebagai berikut:
- VH = EH w
𝑉𝐻
EH = 𝑤

- I = JA = Jwt
𝐼
J = 𝑤𝑡

Maka, rumus koefisien Hall dapat dituliskan menjadi:

 𝑉𝐻⁄
𝐸𝐻 𝑤 𝑉𝐻 𝑤𝑡 1 𝑉𝐻 𝑡 1
RH = = (𝐼⁄ = ( 𝐼 )𝐵 = = 𝑛𝑞
𝐽𝐵 𝑤𝑡)𝐵 𝑤 𝐼𝐵

Dapat diketahui bahwa, RH dari pengukuran diasumsikan bahwa |q|=e (yang

mana Hall tidak diketahui), akan ditemukan n. Sedangkan nilai VH dan RH
dipengaruhi nilai q. Perbedaan diantara prediksi FEG dan kecuali dari nearly
vanish adalah ketika logam cair dibandingkan. Perbedaan terdapat antara
interaksi kisi elektron.

7.7 Kronig-Penny Models

Model Kronig-Penney dan struktur pita elektron bebas (atau kisi
kosong) Garis besar:
1. Kelas terakhir: Teorema Bloch, pita energi, dan celah pita - hasil interaksi
gelombang elektron konduksi dengan inti ion
a. Tiga metode untuk memahami asal bandgap:
• Orbit atom atau molekul berinteraksi membentuk pita dan celah pita
• Nilai k yang diizinkan di zona Brillouin pertama
• model elektron bebas dekat dekat batas zona
• model Kronig-Penny (perawatan mekanika kuantum sederhana: Schrodinger
eqn + Block theorem => bandgap!) - Pierret Ch.3
2. Model Kronig-Penney (pengobatan QM sederhana bandgap)
3. Pembentukan struktur pita elektron bebas di zona Brillouin yang berkurang (lihat
juga catatan saya)
• Tidak ada penggunaan praktis dalam topik penelitian tetapi untuk memahami
bagaimana energi dilipat ke dalam zona Brillouin pertama dan asal usul
degenerasi energi dalam struktur pita.
Kronig-Penny merupakan sebuah model yang disederhanakan untuk
sebuah elektron dalam potensi periodik satu dimensi.

8.
Tingkat energi diskrit dalam atom akan terisolasi tunggal atau dalam
kesenjangan energi antara dua tingkat energi yang berbeda. Tingkat energi
diskrit secara berkala pada atom-atom yang tersusun membentuk sebuah pita
energi ( celah energi mungkin berada di antara pita-pita energi.
Pada kasus 1 : Logam alkali seperti Li, Na, K, Rb,Cs – BCC dan Cu, Ag,
Au – FCC memiliki satu elektron valensi per satuan sel. Setengah dari band
akan diisi oleh elktron valensi. Bahan yang dipakai harus konduktror yang
bagus. Pada kasus 2 : Logam alkali tanah Be, Mg, Ca, Sr, Ba memiliki dua
elektron valensi per satuan sel. Satu pita harus terisi penuh dengan elektron
valensi namun, pita energi akan saling tumbang tindih dengan pita band
logam. Hal ini akan mengakibatkan konduktor menjadi buruk. Pada kasus 3 :
Si ini memiliki 2 atom per sartuan sel pada setiap atom memiliki elektron
valensi yang menempati 4 pita valensi dan bagian atas terendah adalah pita
 konduksi dan dipisahkan oleh pita gap pada isolator 0K. Apabila terdapat
kondisi dimana pita valensi ataupun pita konduksi terdapat kebocoran atau
melebihi dari kapasitas hal ini disebut sebagai daerah terlarang dari
semikonduktor.

Tingkat energi diskrit dalam atom terisolasi tunggal (Kesenjangan

energi ada antara dua tingkat energi)

Tingkat energi diskrit secara berkala atom yang tersusun membentuk pita-pita
energi (celah energi mungkin ada di antara pita-pita energi)

7.8 Band Gap

Sel surya menggunakan bahan dari semi konduktor seperti silikon
dengan struktur skala atom kuadratvalen.
Unsur ini memiliki empat elektron valensi dengan orbit terluarnya yang saling terikat
dengan elektron valensi yang lain dan akan membentuk sebuah ikatan kovalen.

Gambar : (a) kiri, tipe-n fosfor. (b) kanan, tipe-p boron

Atom silikon ditambahkan atau dicampur dengan ikatan natrium dan akan
meningkakan konduktivitas dalam proses ini disebut istilah dooping dengan
menambahkan elektron valensi, seperti fosfor dengan boron yang akan
menciptakan elektron ekstra. Pada fosfor akan menciptakan semikonduktor
tipe-n dan boron menciptakan semikonduktor tipe-p. Muatan ini akan
berpindah dari positif menuju negatif bergabung dengan lubang dan akan
membentuk didekat PN Junction disebut sebagai zona deplesi dimana tidak
ada muatan lagi
 Pada hal ini energi panas dari matahari akan ditangkap oleh bahan
semikonduktror dan terjadi akan terjadi peristiwa bepindahnya muatan
elektron dari positi menuju negatif karena pada tipe-p kekurangan elektron,
sedangkan tipe-n kelebihan elektron dan akan menimbulkan sebuah arus
listrik dan beda potensial tegangan.

Tingkat energi diskrit dalam atom akan terisolasi tunggal atau dalam
kesenjangan energi antara dua tingkat energi yang berbeda. Tingkat energi
diskrit secara berkala pada atom-atom yang tersusun membentuk sebuah pita
energi ( celah energi mungkin berada di antara pita-pita energi.
Pada kasus 1 : Logam alkali seperti Li, Na, K, Rb,Cs – BCC dan Cu,
Ag, Au – FCC memiliki satu elektron valensi per satuan sel. Setengah dari
band akan diisi oleh elktron valensi. Bahan yang dipakai harus konduktror
yang bagus. Pada kasus 2 : Logam alkali tanah Be, Mg, Ca, Sr, Ba memiliki
 dua elektron valensi per satuan sel. Satu pita harus terisi penuh dengan
elektron valensi namun, pita energi akan saling tumbang tindih dengan pita
band logam. Hal ini akan mengakibatkan konduktor menjadi buruk. Pada
kasus 3 : Si ini memiliki 2 atom per sartuan sel pada setiap atom memiliki
elektron valensi yang menempati 4 pita valensi dan bagian atas terendah
adalah pita konduksi dan dipisahkan oleh pita gap pada isolator 0K. Apabila
terdapat kondisi dimana pita valensi ataupun pita konduksi terdapat kebocoran
atau melebihi dari kapasitas hal ini disebut sebagai daerah terlarang dari
semikonduktor.

CHAPTER 8
8.1 Temperaure Currie
Suhu Curie adalah suhu di mana material tertentu kehilangan sifat
magnetik permanennya untuk digantikan oleh magnet yang induksi. Suhu
Curie dapat juga dikatakan suhu critis terjadinya transisi fase feromagnetik
suatu bahan padat menjadi paramagnetik akibat pemanasan.
 Momen magnetik :
  Grafik Temperatur Curie M vs H (10 -6 Square)

8.2 Susceptibility Magnetic

Tingkat kemagnetan suatu benda untuk termagnetisasi yang pada
umumnya erat kaitannya dengan kandungan mineral dan oksida besi, Semakin
 besar kandungan mineral magnetit di dalam batuan akan semakin besar harga
suseptibilitasnya. Suseptibilitas magnetik adalah konstanta proporsionalitas
berdimensi yang menunjukkan tingkat kemagnetan suatu bahan dalam respons
terhadap medan magnet yang diterapkan. Suatu istilah terkait
magnetisabilitas, Perbandingan antara momen magnetik dan kerapatan fluks
magnet. Parameter yang terkait erat adalah permeabilitas, yang menyatakan
jumlah magnetisasi bahan dan volume.
Momen dari Susceptibility adalah ketika semakin jauh maka akan
semakin kecil medan magnet, tetapi apabila semakin dekat maka akan
semakin besar medan magnet itu.

8.3 Magnetisasi
Magnetisasi adalah sebuah proses ketika sebuah materi yang
ditempatkan dalam suatu bidang magnetik akan menjadi magnet.Proses ini
ditentukan oleh jenis bahan yang disesuaikan dengan kekuatan medan
magnet.Pada sebagian besar bahan, proses magnetisasi sangat kecil. Bahan
yang menghasilkan magnetisasi kuat sekalipun berada di medan magnet yang
lemah disebut feromagnetik. Bahan feromagnetik terdiri dari dua bidang kecil
yaitu kompleks weiss dan bidang-bidang elementer.Bahan tersebut akan
mengalami magnetisasi tinggi karena sumbu-sumbu perputaran elektronnya
sejajar. Faktor lain yang melemahkan magnetisasi adalah pengarahan
 kompleks weiss pada bahan yang sembarangan. Misalnya terjadi pada sebuah
batang besi yang dimagnetisasi namun arah kompleks weiss sembarangan
maka besi tersebut tidak akan menjadi magnet atau tidak mengalami
magnetisasi. Pengarahan kompleks weiss yang benar adalah terarah sejajar
dengan medan bahan yang akan dimagnetisasi.Magnetisasi akan terjadi jika
semua bidang bahan sudah terbentuk dan bahan tersebut sudah dikatakan
jenuh.

8.4 Domain Magnetik

Domain magnetik adalah wilayah di dalam bahan magnetik yang
magnetisasinya berada pada arah yang seragam. Ini berarti bahwa momen -
momen magnet individual atom-atom disejajarkan satu sama lain dan mereka
menunjuk ke arah yang sama. Ketika didinginkan di bawah suhu yang disebut
suhu Curie , magnetisasi sepotong bahan feromagnetik secara spontan
membelah menjadi banyak daerah kecil yang disebut domain magnetik.
Magnetisasi dalam setiap domain menunjuk ke arah yang seragam, tetapi
magnetisasi domain yang berbeda dapat menunjuk ke arah yang berbeda.
Struktur domain magnetik bertanggung jawab atas perilaku magnetik bahan
feromagnetik seperti besi , nikel , kobalt dan paduannya , dan bahan
ferrimagnetik seperti ferit . Ini termasuk pembentukan magnet permanen dan
daya tarik material feromagnetik ke medan magnet. Daerah yang memisahkan
domain magnetik disebut dinding domain , di mana magnetisasi berputar
secara koheren dari arah dalam satu domain ke domain lainnya. Studi tentang
domain magnetik disebut mikromagnetik .
Domain magnetik terbentuk dalam material yang memiliki pemesanan
magnetik ; yaitu, dipol mereka secara spontan sejajar karena interaksi
pertukaran . Ini adalah bahan feromagnetik , ferrimagnetik dan
antiferromagnetik . Bahan paramagnetik dan diamagnetik , di mana dipol
sejajar dalam menanggapi medan eksternal tetapi tidak secara spontan sejajar,
tidak memiliki domain magnetik.
Alasan sepotong material magnetik seperti besi secara spontan
membelah diri menjadi domain-domain yang terpisah, dan bukannya ada
dalam keadaan dengan magnetisasi dalam arah yang sama di seluruh material,
adalah untuk meminimalkan energi internalnya.Suatu wilayah besar dari
bahan feromagnetik dengan magnetisasi yang konstan sepanjang akan
menciptakan medan magnet besar yang memanjang ke ruang luar itu sendiri
(diagram a, kanan) . Ini membutuhkan banyak energi magnetostatik yang
tersimpan di lapangan. Untuk mengurangi energi ini, sampel dapat dibagi
menjadi dua domain, dengan magnetisasi berlawanan arah di setiap domain
(diagram b kanan) . Garis medan magnet melewati loop dalam arah yang
berlawanan melalui masing-masing domain, mengurangi medan di luar
materi. Untuk mengurangi energi medan lebih jauh, masing-masing domain
ini dapat membelah juga, menghasilkan domain paralel yang lebih kecil
dengan magnetisasi dalam arah bolak-balik, dengan jumlah medan yang lebih
kecil di luar material.
Struktur domain dari bahan magnetik aktual biasanya tidak terbentuk
oleh proses pemisahan domain besar menjadi yang lebih kecil seperti
dijelaskan di sini. Ketika sampel didinginkan di bawah suhu Curie, misalnya,
konfigurasi domain keseimbangan hanya muncul. Tetapi domain dapat
terpecah, dan deskripsi pemisahan domain sering digunakan untuk
mengungkap pertukaran energi dalam pembentukan domain.
Seperti dijelaskan di atas, domain yang terlalu besar tidak stabil, dan
akan dibagi menjadi domain yang lebih kecil. Tapi domain yang cukup kecil
akan stabil dan tidak akan terpecah, dan ini menentukan ukuran domain yang
dibuat dalam suatu materi. Ukuran ini tergantung pada keseimbangan
beberapa energi di dalam material.Setiap kali wilayah magnetisasi terbagi
menjadi dua domain, ia menciptakan dinding domain antara domain, di mana
dipol magnetik (molekul) dengan magnetisasi yang menunjuk ke arah yang
berbeda berdekatan. Interaksi pertukaran yang menciptakan magnetisasi
adalah kekuatan yang cenderung untuk menyelaraskan dipol di dekatnya
sehingga mereka menunjuk ke arah yang sama. Memaksa dipol yang
berdekatan untuk menunjuk ke arah yang berbeda membutuhkan energi. Oleh
karena itu, dinding domain membutuhkan energi ekstra, yang disebut energi
dinding domain , yang sebanding dengan luas dinding.
Dengan demikian jumlah bersih energi tersebut berkurang ketika suatu
domain terbelah sama dengan perbedaan antara energi medan magnet yang
dihemat, dan energi tambahan yang diperlukan untuk membuat dinding
domain. Energi medan sebanding dengan kubus ukuran domain, sedangkan
energi dinding domain sebanding dengan kuadrat ukuran domain. Jadi saat
domain semakin kecil, energi bersih yang dihemat dengan pemisahan
berkurang. Domain terus membelah menjadi domain yang lebih kecil sampai
biaya energi untuk membuat dinding domain tambahan sama dengan energi
medan yang dihemat. Maka domain dengan ukuran ini stabil. Dalam sebagian
besar bahan, domain berukuran mikroskopis, sekitar 10−4- 10−6 m
9. Gambar celah pita semikonduktor

- Tipe P-N, N-P, P-I-N

Tipe P-N
P-N Junction adalah batas pertemuan antara kedua bahan semikonduktor tipe
P dan tipe N yang ada didalam sebuah kristal semikonduktor. P-N Junction
terjadi karena elektron bebas pada semikonduktor tipe N mengisi “hole” pada
semikonduktor tipe P. Area pertemuan ini disebut dengan depletion region
atau Area penipisan. Ketika persimpangan P-N terbentuk, beberapa elektron
bebas dari area tipe N yang berhasil mencapai pita konduksi bebas akan
menyebar dan mengisi lubang (hole) pada area tipe P.
Hal ini meninggalkan ion positif pada sisi semikonduktor tipe N. Kemudian
sebuah ruang pengisian muatan terbangun, menciptakan daerah penipisan
yang kemudian menghambat transfer elektron lanjut kecuali dibantu dengan
meletakkan bias maju di persimpangan yang disebut dengan Forward Biased.
Pemberian bias terbalik (Reverse Biased) tidak akan memicu pergerakan
elektron didalam semikonduktor sehingga membuat komponen
semikonduktor hanya bisa dialiri arus satu arah saja.
Tipe N-P
Apabila bahan semikonduktor intrinsik (murni) diberi (didoping) dengan
bahan bervalensi lain maka diperoleh semikonduktor ekstrinsik. Pada bahan
semikonduktor intrinsik, jumlah elektron bebas dan holenya adalah sama.
Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat rendah, karena terbatasnya
jumlah pembawa muatan yakni hole maupun elektron bebas tersebut. Jika
bahan silikon didoping dengan bahan ketidak murnian (impuritas) bervalensi
lima (penta-valens), maka diperoleh semikonduktor tipe n. Bahan dopan yang
 bervalensi lima ini misalnya antimoni, arsenik, dan pospor. Struktur kisi-kisi
kristal bahan silikon type n dapat dilihat pada gambar berikut.

Karena atom antimoni (Sb) bervalensi lima, maka empat elektron valensi
mendapatkan pasangan ikatan kovalen dengan atom silikon sedangkan elektron
valensi yang kelima tidak mendapatkan pasangan. Oleh karena itu ikatan elektron
kelima ini dengan inti menjadi lemah dan mudah menjadi elektron bebas. Karena
setiap atom depan ini menyumbang sebuah elektron, maka atom yang bervalensi
lima disebut dengan atom donor. Dan elektron “bebas” sumbangan dari atom
dopan inipun dapat dikontrol jumlahnya atau konsentrasinya. Meskipun bahan
silikon type n ini mengandung elektron bebas (pembawa mayoritas) cukup
banyak, namun secara keseluruhan kristal ini tetap netral karena jumlah muatan
positip pada inti atom masih sama dengan jumlah keseluruhan elektronnya. Pada
bahan type n disamping jumlah elektron bebasnya (pembawa mayoritas)
meningkat, ternyata jumlah holenya (pembawa minoritas) menurun. Hal ini
disebabkan karena dengan bertambahnya jumlah elektron bebas, maka kecepatan
hole dan elektron ber-rekombinasi (bergabungnya kembali elektron dengan hole)
semakin meningkat. Sehingga jumlah holenya menurun.
Level energi dari elektron bebas sumbangan atom donor dapat digambarkan
seperti pada gambar dibawah. Jarak antara pita konduksi dengan level energi
donor sangat kecil yaitu 0.05 eV untuk silikon dan 0.01 eV untuk germanium.
Oleh karena itu pada suhu ruang saja, maka semua elektron donor sudah bisa
mencapai pita konduksi dan menjadi elektron bebas.

- Arus Difusi
Pada difusi, partikel akan bergerak dari daerah dengan konsentrasi yang tinggi
menuju daerah dengan konsentrasi yang rendah. Ini adalah fenomena
statistikal dan berhubungan dengan teori kinetik. Untuk menjelaskannya, baik
elektron maupun hole pada semikonduktor selalu berada pada pergerakan
yang kontinyu. dengan kecepatan rata-rata yang ditentukan oleh suhu, dan
dalam arah yang acak oleh pengaruh struktur kristal. Secara statistik, kita
dapat mengasumsikan bahwa untuk setiap instan manapun, sekitar setengah
dari partikel pada daerah dengan konsentrasi tinggi akan bergerak keluar dari
daerah tersebut menuju daerah dengan konsentrasi yang lebih rendah. Kita
juga dapat mengasumsikan bahwa pada saat yang bersamaan, sekitar setengah
dari partikel dari daerah dengan konsentrasi rendah bergerak menuju daerah
dengan konsentrasi yang lebih tinggi. Bagaimanapun juga, oleh definisi,
terdapat lebih sedikit partikel pada daerah dengan konsentrasi rendah
daripada yang terdapat pada daerah dengan konsentrasi yang lebih tinggi,
Karenanya, aliran partikel akan bergerak dari daerah dengan konsentrasi
tinggi menuju daerah dengan konsentrasi yang lebih rendah. Ini adalah proses
difusi yang paling dasar.
Arus drif adalah arus yang ditimbulkan oleh mengalirnya muatan-muatan
yang disebabkan oleh perbedaan potensial. Contohnya adalah arus yang
terjadi pada bahan resistif yang dipasang pada suatu tegangan listrik.
Contohnya pada sebuah medan listrik diberikan pada suatu semikonduktor.
Medan listrik ini akan menghasilkan gaya yang bekerja baik pada elektron
bebas ataupun hole, yang lalu akan mengalami pergerakan dan kecepatan
drift. Medan listrik E lalu diberikan pada semikonduktor ini pada suatu arah
tertentu sehingga menghasilkan gaya pada elektron – yang karena bermuatan
negatif – dalam arah yang berlawanan. Elektron tersebut akan memperoleh
kecepatan drift vdn (dalam cm/s) yang besarnya dimana μn adalah konstanta
mobilitas elektron dan diukur dalam cm^2/V-s. Mobilitas ini dapat dipandang
sebagai sebuah parameter yang mengindikasikan seberapa baik sebuah
elektron dapat bergerak didalam semikonduktor. Tanda negatif pada
persamaan menandakan bahwa kecepatan drift elektron berlawanan arah
dengan medan listrik yang diberikan.