03-Kel.01-Tt.2a-Afif Rio Syaputra
03-Kel.01-Tt.2a-Afif Rio Syaputra
LAPORAN LABORATORIUM
PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI
03
RESISTANSI DIODA
DAFTAR ISI
Contents
JUDUL ................................................................................................................... 1
B. Pengukuran arus dan tegangan diode pada titik operasi, cutoff, dan
saturasi .............................................................. Error! Bookmark not defined.
X. LAMPIRAN ................................................................................................... 7
3
I. TUJUAN PERCOBAAN
Membandingkan resistansi dioda pada saat dibias maju dan dibias balik.
Membandingkan resistansi dioda Si dengan dioda Ge.
Memperlihatkan bahwa resistansi balik berubah sesuai dengan
perubahan temperatur.
Karena pada ujung anoda (A) yang berupa bahan tipe p diberi
tegangan negatip, maka hole-hole (pembawa mayoritas) akan tertarik
ke kutup negatip baterai menjauhi persambun- gan. Demikian juga
karena pada ujung katoda (K) yang berupa bahan tipe n diberi tegangan
positip, maka elektron-elektron (pembawa mayoritas) akan tertarik ke
kutup positip baterai menjauhi persambungan. Sehingga daerah
pengosongan semakin lebar, dan arus yang dis- ebabkan oleh pembawa
mayoritas tidak ada yang mengalir.
Sedangkan pembawa minoritas yang berupa elektron (pada bahan
tipe p) dan hole (pada bahan tipe n) akan berkombinasi sehingga
mengalir arus jenuh mundur (reverse satura- tion current) atau Is. Arus
ini dikatakan jenuh karena dengan cepat mencapai harga maksi- mum
tanpa dipengaruhi besarnya tegangan baterai. Besarnya arus ini
4
VII. TUGAS
1. Manakah yang lebih besar resistansi balik dioda Ge atau dioda Si ?
Mengapa ?
2. Dioda apa yang lebih stabil (tidak banyak dipengaruhi oleh perubahan
suhu) ? Mengapa ?
Jawab
1. Nilai resistansi dioda saat bias balik lebih besar menggunakan dioda
silikon karena dioda silikon tersebut memiliki tegangan yang lebih
besar 0,7 Volt dibandingkan dioda germanium hanya memiliki
tegangan 0,3 Volt dimana tegangan tersebut mempengaruhi nilai
tahanan dioda saat diukur. Faktor lainnya yaitu pada dioda silikon
memiliki hambatan bulk yang lebih besar dibandginkan dioda
germanium.
2. Dioda yang lebih stabil adalah dioda germanium, karena sifat dioda
Ge adalah semikonduktor sementara Si memiliki tanggapan
terhadap suhu. Si dapat mengalami suatu kondisi dropout apabila
pada suhu dan tegangan tertentu saja. Namun selain itu bahan Si
juga memiliki koefisien negatif. Apabila jika suhu tersebut naik
maka resistansinya akan mengalami pengurangan.
VIII. SIMPULAN
Dioda memiliki nilai resistansi sendiri, dan nilai tersebut tergantung
pada nilai dari tegangan sumbernya. Semakin besar tegangan sumber
yang diberikan maka akan semakin kecil nilai resistansi diodanya.
Dioda dalam keadaan bias maju apabila polaritas dari tegangan
sumbernya dengan kaki diode sama dan dalam keadaan bias mundur
apabila polaritas dari tegangan sumbernya berlawanan dengan kaki
diodanya.
Pada saat dioda dalam keadaan bias maju terdapat arus yang mengalir
karena polaritasnya searah dan pada saat dioda dalam keadaan bias
6
mundur tidak ada arus yang mengalir karena dioda off, hal ini
dikarenakan polaritasnya berlawanan.
Nilai resistansi yang didapatkan pada saat dioda bias maju lebih besar
dibandingkan dengan dioda bias mundur.
Pada saat dioda bias mundur maka nilai teganan dioda akan sama
dengan tegangan sumber.
X. LAMPIRAN
8
9
10
11