1

LAPORAN LABORATORIUM
PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

03
RESISTANSI DIODA

NAMA PRAKTIKAN : M. ALWAN NUR AJIE (1803332024)

NAMA REKAN KERJA : AFIF RIO SYAPUTRA (1803332062)

KELAS / KELOMPOK : T.T 2A / 01

TANGGAL PELAKSANAAN PRAKTIKUM : 3 APRIL 2019

TANGGAL PENYERAHAN LAPORAN : 23 MEI 2019

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA

 2

DAFTAR ISI

Contents
JUDUL ................................................................................................................... 1

DAFTAR ISI .......................................................................................................... 2

I. TUJUAN PERCOBAAN ............................................................................... 3

II. DASAR TEORI .......................................................................................... 3

III. PERALATAN DAN ALAT-ALAT........................................................... 4

IV. LANGKAH PERCOBAAN ....................................................................... 5

A. Pembuatan garis beban diode .................. Error! Bookmark not defined.

B. Pengukuran arus dan tegangan diode pada titik operasi, cutoff, dan
saturasi .............................................................. Error! Bookmark not defined.

V. DATA HASIL PERCOBAAN ...................................................................... 6

VI. ANALISA DAN PEMBAHASAN............................................................. 7

VII. TUGAS ...................................................................................................... 17

VIII. SIMPULAN ........................................................................................... 18

IX. DAFTAR PUSTAKA ............................................................................... 19

X. LAMPIRAN ................................................................................................. 20
 3

I. TUJUAN PERCOBAAN
 Membandingkan resistansi dioda pada saat dibias maju dan dibias balik.
 Membandingkan resistansi dioda Si dengan dioda Ge.
 Memperlihatkan bahwa resistansi balik berubah sesuai dengan
perubahan temperatur.

II. DASAR TEORI

 Pengertian Dioda
Dioda (Diode) adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat
dari bahan semikonduktor dan mempunyai fungsi untuk
menghantarkan arus listrik ke satu arah tetapi menghambat arus listrik
dari arah sebaliknya. Oleh karena itu, Dioda sering dipergunakan
sebagai penyearah dalam Rangkaian Elektronika. Dioda pada
umumnya mempunyai 2 Elektroda (terminal) yaitu Anoda (+) dan
Katoda (-) dan memiliki prinsip kerja yang berdasarkan teknologi
pertemuan p-n semikonduktor yaitu dapat mengalirkan arus dari sisi
tipe-p (Anoda) menuju ke sisi tipe-n (Katoda) tetapi tidak dapat
mengalirkan arus ke arah sebaliknya.

 Dioda Bias Mundur

Karena pada ujung anoda (A) yang berupa bahan tipe p diberi
tegangan negatip, maka hole-hole (pembawa mayoritas) akan tertarik
ke kutup negatip baterai menjauhi persambun- gan. Demikian juga
karena pada ujung katoda (K) yang berupa bahan tipe n diberi tegangan
positip, maka elektron-elektron (pembawa mayoritas) akan tertarik ke
kutup positip baterai menjauhi persambungan. Sehingga daerah
pengosongan semakin lebar, dan arus yang dis- ebabkan oleh pembawa
mayoritas tidak ada yang mengalir.
Sedangkan pembawa minoritas yang berupa elektron (pada bahan
tipe p) dan hole (pada bahan tipe n) akan berkombinasi sehingga
mengalir arus jenuh mundur (reverse satura- tion current) atau Is. Arus
ini dikatakan jenuh karena dengan cepat mencapai harga maksi- mum
tanpa dipengaruhi besarnya tegangan baterai. Besarnya arus ini
 4

dipengaruhi oleh tem- peratur. Makin tinggi temperatur, makin besar

harga Is. Pada suhu ruang, besarnya Is ini da- lam skala mikro-amper
untuk dioda germanium, dan dalam skala nano-amper untuk dioda
silikon.

 Dioda Bisa Maju

Ketika kaki katoda disambungkan dengan kutub negative baterai

dan anoda disambungkan dengan kutub positif, maka dikatakan bahwa
dioda sedang dibias dengan tegangan maju/ dalam bias maju, kutub
negative baterai akan menolak electron-elektron bebas yang ada dalam
semikonduktor tipe N, jika energi listrik yang digunakan adalah
melebihi tegangan barir, maka electron yang tertolak tersebut akan
melintasi daerah deplesi dan bergabung dengan hole yang ada pada
tipe P, hal ini terjadi terus menerus selama rangkaian Digambar
tersebut adalah tertutup. Kondisi inilah yang menyebabkan adanya
arus listrik yang mengalir dalam rangkaian.

III. PERALATAN DAN ALAT-ALAT

 Sumber daya searah (1V - 15V)
 Multimeter Digital
 Dioda Si
 Dioda Ge
 Resistor 100KΩ
 Kabel – kabel penghubung
 5

IV. LANGKAH PERCOBAAN

+ -
0.000 V

+ -
D1
0.000 A

+
DC_SUPPLY

0.000
RL

V
-
GAMBAR 1

1) Buatlah rangkaian seperti gambar diatas dengan menggunakan dioda

silikon dan tegangan dari power supply sebesar +5V. Ukurlah Vo
2) Ulangi langkah 1) dengan nilai Vs yang lain
3) Baliklah posisi dioda atau polaritas sumber tegangan dibalik sehingga
dioda dibias mundur/balik. Atur Vs sebesar -5V. Ukurlah Vo
4) Ulangi langkah 3) dengan nilai Vs yang lain
5) Kemudian peganglah ujung katoda dengan ibu jari dan jari telunjuk
(untuk memanaskan dioda dengan panas tubuh). Hati-hati jangan sampai
dioda terhubung oleh jari saudara, atau memparalel dioda dengan tahanan
kulit
6) Perhatikan tegangan pada R selama dioda dipegang dan catat nilai Vo
pada alat ukur
7) Gantilah dioda Silikon dengan dioda Germanium dan ulangi langkah-
langkah diatas.
 6

V. DATA HASIL PERCOBAAN

Tabel 1. Dioda Silikon
KONDISI VD VS VR (Volt) ID (mA) RD(Ω)
DIODA (VOLT)
(UKUR)
UKUR HITUNG UKUR HITUN UKUR HITUN
G G

Bias Maju 0,4338 +5 4,575 4,3 45,85 43 µA 9,4613 16,279

µA kΩ 1 kΩ

0,4555 +8 7,453 7,3 75,45 73 µA 6,0371 9,589

µA kΩ kΩ

0,4658 +10 9,528 9,3 95,44 93 µA 4,8806 7,5269

µA kΩ kΩ

Bias Mundur - -5 0,452 0 0 0 ∞ ∞

4,9469 mV

-7,917 -8 0,524 0 0,01 0 791,7 ∞

mV µA MΩ

-9,899 -10 0,739 0 0,02 0 494,95 ∞

mV µA MΩ

Bias Mundur - -10 0,824 0 0,37 0 26,82 ∞

dan kaki 9,9927 mV µA MΩ
katoda
dipegang
Bias Mundur -9,9 -10 0,319 0 0,02 0 495 ∞
salah satu mV µA MΩ
kaki dioda
dilepas

Tabel 2. Dioda Germanium

KONDISI VD VS VR (Volt) ID (mA) RD(Ω)
DIODA (VOLT)
(UKUR)
UKUR HITUN UKUR HITUN UKUR HITUN
G G G

Bias Maju 0,1069 +5 4,8891 4,7 49 µA 47 µA 2,1816 6,383

kΩ kΩ

0,1279 +8 7,871 7,7 78,88 77 µA 1,6215 3,8961

µA kΩ kΩ

0,1392 +10 9,86 9,7 98,80 97 µA 1,4089 3,0928

µA kΩ kΩ
 7

Bias Mundur - -5 0,3910 0 4,05 0 1,1266 ∞

4,5629 mV µA M

-7,444 -8 0,4806 0 4,89 0 1,5223 ∞

mV µA MΩ

-9,357 -10 0,5468 0 5,51 0 1,6982 ∞

mV µA MΩ

Bias Mundur -9,282 -10 0,6061 0 6,81 0 1,363 ∞

dan kaki mV µA MΩ
katoda
dipegang
Bias Mundur -9,901 -10 0,154 0 0 0 ∞ ∞
salah satu mV
kaki dioda
dilepas

VI. ANALISA DAN PEMBAHASAN

1. Perhitungan
Rumus yang digunakan pada bias maju:

𝑉𝑟 = 𝑉𝑠 − 𝑉𝑑
𝑉𝑠 − 𝑉𝑑
𝐼𝑑 =
𝑅
𝑉𝑑
𝑅𝑑 =
𝐼𝑑

DIODA SILIKON

1. Bias Maju

Vs = +5V

𝑉𝑟 = 5 − 0.7 = 4.3𝑉
5−0.7
𝐼𝑑 = 2𝑘
= 43 µA
0.7
𝑅𝑑 = 43 µA
= 16,2791 kΩ

Vs= +8V

𝑉𝑟 = 8 − 0.7 = 7.3𝑉
8−0.7
𝐼𝑑 = 2𝑘
= 73 µA
0.7
𝑅𝑑 = = 9,589 kΩ
73 µ𝐴
 8

Vs = +10V

𝑉𝑟 = 10 − 0.7 = 9.3𝑉
10 −0.7
𝐼𝑑 = 2𝑘
= 93 µA
0.7
𝑅𝑑 = = 7,5269 kΩ
93 µ𝐴

2. Bias Mundur

Vs = -5V

𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑑 = −5𝑉
𝑉𝑟 = −5 − (−5) = 0
5
𝑅𝑑 = 0
=∞

Vs = -8V

𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑑 = −8𝑉
𝑉𝑟 = −8 − (−8) = 0
8
𝑅𝑑 = 0
=∞

Vs = -10V

𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑑 = −10𝑉
𝑉𝑟 = −10 − (−10) = 0
10
𝑅𝑑 = 0
=∞

3. Bias Mundur dan kaki katoda dipegang

Vs = -10V

𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑑 = −10𝑉
 9

𝑉𝑟 = −10 − (−10) = 0
10
𝑅𝑑 = 0
=∞

4. Bias Mundur salah satu kaki dioda dilepas

Vs = -10V

𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑑 = −10𝑉
𝑉𝑟 = −10 − (−10) = 0
10
𝑅𝑑 = 0
=∞

DIODA GERMANIUM

1. Bias Maju

Vs = +5V

𝑉𝑟 = 5 − 0.3 = 4.7𝑉
5−0.3
𝐼𝑑 = 2𝑘
= 47 µA
0.3
𝑅𝑑 = = 6,383 kΩ
47 µA

Vs= +8V

𝑉𝑟 = 8 − 0.3 = 7.7𝑉
8−0.3
𝐼𝑑 = = 77 µA
2𝑘
0.3
𝑅𝑑 = 77 µ𝐴
= 3,8961 kΩ

Vs = +10V

𝑉𝑟 = 10 − 0.3 = 9.7𝑉
10 −0.3
𝐼𝑑 = 2𝑘
= 97 µA
0.3
𝑅𝑑 = 97 µ𝐴
= 3,0928 kΩ
 10

2. Bias Mundur

Vs = -5V

𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑑 = −5𝑉
𝑉𝑟 = −5 − (−5) = 0
5
𝑅𝑑 = 0
=∞

Vs = -8V

𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑑 = −8𝑉
𝑉𝑟 = −8 − (−8) = 0
8
𝑅𝑑 = =∞
0

Vs = -10V

𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑑 = −10𝑉
𝑉𝑟 = −10 − (−10) = 0
10
𝑅𝑑 = 0
=∞

3. Bias Mundur dan kaki katoda dipegang

Vs = -10V

𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑑 = −10𝑉
𝑉𝑟 = −10 − (−10) = 0
10
𝑅𝑑 = 0
=∞

4. Bias Mundur salah satu kaki dioda dilepas

Vs = -10V
 11

𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑑 = −10𝑉
𝑉𝑟 = −10 − (−10) = 0
10
𝑅𝑑 = 0
=∞

Pengukuran RD

Rumus yang digunakan yaitu:

𝑉𝑑
𝑅𝑑 =
𝐼𝑑
DIODA SILIKON

1. Bias Maju

Vs = +5V
0.4338
𝑅𝑑 = = 9,4613 kΩ
45.85 µA

Vs= +8V
0.4555
𝑅𝑑 = 75.45 µ𝐴
= 6,0371 kΩ

Vs = +10V
0.4658
𝑅𝑑 = 95.44 µ𝐴
= 4,8806 kΩ

2. Bias Mundur

Vs = -5V
4.9469
𝑅𝑑 = 0
=∞

Vs = -8V
7.917
𝑅𝑑 = 0.01µA
= 791,7 MΩ

Vs = -10V
9.899
𝑅𝑑 = 0.02µA
= 494,95 MΩ
 12

3. Bias Mundur dan kaki katoda dipegang

Vs = -10V
9.927
𝑅𝑑 = 0.37µA
= 26,8216 MΩ

4. Bias Mundur salah satu kaki dioda dilepas

9.9
𝑅𝑑 = 0.02µA
= 495 MΩ

DIODA GERMANIUM

1. Bias Maju

Vs = +5V
0.1069
𝑅𝑑 = = 2,1816 kΩ
49 µA

Vs= +8V
0.1279
𝑅𝑑 = = 1,6215 kΩ
78.88 µ𝐴

Vs = +10V
0.1392
𝑅𝑑 = = 1,4089 kΩ
98.8 µ𝐴

2. Bias Mundur

Vs = -5V
4.5629
𝑅𝑑 = 4.05µA
= 1,1266 M

Vs = -8V
7.444
𝑅𝑑 = 4.89µA
= 1,5223 MΩ

Vs = -10V
 13

9.357
𝑅𝑑 = 5.51µA
= 1,6982 MΩ

3. Bias Mundur dan kaki katoda dipegang

Vs = -10V
9.282
𝑅𝑑 = 6.81µA
= 1,363 MΩ

4. Bias Mundur salah satu kaki dioda dilepas

9.901
𝑅𝑑 = = ∞
0

2. Analisa 1
Pada saat dioda dibias maju, maka dioda bekerja dan mempunyai arus sebesar ID.
Sehingga dioda mempunyai tahanan dalam sebesar RD dan dapat dicari menggunakan
rumus:
𝑉𝑑
𝑅𝑑 =
𝐼𝑑
Dikarenakan adanya tahanan dalam maka tegangan output yang diukur akan mengalami
perbedaan dengan tegangan input yang diberikan.

Contohnya pada dioda silikon pada saat kondisi dioda dibias maju dengan tegangan
sumber sebesar 5V, pada pengukuran didapatkan arus sebesar 45,85 µA sedangkan
pada perhitungan didapatkan arus sebesar 43 µA. Pada pengukuran tahanan dalam
dioda yang didapatkan sebesar 9,4613 kΩ, sedangkan pada perhitungan didapatkan
tahanan dalam dioda sebesar 16,2791 kΩ. Perbedaan antara pengukuran dan
perhitungan dapat dikatakan cukup besar, ini dikarenakan tegangan kerja dioda yang
berbeda. Pada perhitungan tegangan dioda sebesar 0,4338V, sedangkan tegangan dioda
pada pengukuran yaitu 0,7V. Pada saat pengukuran Vr yang didapatkan yaitu sebesar
4,575V sedangkan pada saat perhitungan didapatkan tegangan sebesar 4,3V. Hal ini
dipengaruhi oleh adanya tahanan dalam pada setiap komponen yang digunakan,
termasuk dioda.

Pada saat dioda dibias mundur, maka dioda tidak bekerja, Ini dikarenakan tidak ada arus
yang mengalir. Dikarenakan arus = 0, maka:
𝑉𝑑
𝑅𝑑 =
𝐼𝑑
𝑉𝑑
𝑅𝑑 = 0
=∞

Arus yang bernilai 0 ini juga mempengaruhi Vr. Dikarenakan VR = I x R, jika I = 0 maka Vr
akan bernilai 0.
 14

Contohnya pada dioda germanium pada saat kondisi dioda dibias mundur dengan
tegangan sumber sebesar -8V, pada pengukuran didapatkan arus sebesar 4,89 µA,
sedangkan pada perhitungan didapatkan arus sebesar 0. Pada pengukuran tahanan
dalam dioda sebesar 1,5223 MΩ. Sedangkan pada perhitungan didapatkan tahanan
dalam dioda sebesar ∞. Pada pengukuran didapatkan nilai tahanan dalam dikarenakan
masih ada arus kecil yang mengalir pada rangkaian. Pada saat pengukuran Vr yang
didapatkan yaitu sebesar 0,4806 mV, sedangkan pada perhitungan didapatkan tegangan
sebesar 0.

Pada saat dioda dibias mundur dan kaki katoda dipegang , kondisi ini sama dengan pada
kondisi dibias mundur, hanya saja pada kondisi ini tegangan terpengaruh oleh kondisi
elektromagnetik seseorang sehingga tegangan dioda menjadi terpengaruh dan berubah
nilainya.

Contohnya pada dioda silikon saat dibias mundur tanpa dipengaruhi apapun tegangan
dioda sebesar -9,899V, sedangkan setelah kaki katoda dioda yang dibiasa mundur
dipegang maka tegangan dioda sebesar -9,9927V. Tegangan sedikit berubah karena kaki
katoda dipegang. Arus dioda yang dibias mundur dengan kaki katoda dipegang setelah
diukur sebesar 0,37 µA, sedangkan setelah dihitung sebesar 0A. Resistansi dalam pada
diodanya sebesar 26,82 MΩ, sedangkan pada perhitungan resistansi dalam dioda
sebesar tak hingga.

Pada saat dioda dibias mundur dan salah satu kaki dioda dilepas maka pada kondisi ini
seperti pada rangkaian terbuka. Sehingga arusnya sama dengan 0, dan tegangan output
yang didapatkan sebesar 0. Contohnya pada dioda germanium dengan kondisi bias
mundur salah satu kaki katoda dilepas didapatkan arus sebesar 0V. arus ini sama dengan
perhitungan yang seharusnya yaitu 0V. karena tidak ada arus yang lewat maka tahanan
dalam pada dioda menjadi sebesar ∞ baik pada pengukuran maupun perhitungan.
Sedangkan pada tegangan output pada perhitungan yaitu 0V, sedangkan pada
pengukuran didapatkan 0,154 mV. Hal ini mungkin dikarenakan adanya tahanan dalam
pada komponen yang lain seperti pada multimeter.

3. Analisa 2
1. Hitunglah nilai arus I dan resistansi dioda R pada dioda silikon dan germanium
lalu lengkapi tabel 1 dan tabel 2!
2. Bandingkan perubahan arus I dan resistansi dioda R pada dioda silikon pada
kondisi dioda yang berlainan! Jelaskan!
3. Bandingkan perubahan arus I dan resistansi R pada dioda germanium pada
kondisi dioda yang berlainan! Jelaskan!
4. Bandingkan nilai I dan R dioda silikon dan germanium pada kondisi yang sama!
Jelaskan!

Jawab:
 15

1. Ada pada bagian perhitungan

2. Pada penggunaan dioda silikon dengan kondisi yang berlainan, nilai I dan R
didapatkan nilai yang berbeda. Ini dikarenakan pada saat dioda dibias maju, ada
arus yang mengalir. Contohnya pada kondisi tegangan sumbernya +10V, setelah
diukur didapatkan arus sebesar 95,44 µA. Karena ada arus yang mengalir, maka
tahanan dalam dioda mempunyai nilai yaitu sebesar 4,8806 kΩ. Sehigga pada
kondisi ini resistansi dalam pada dioda dapat diukur. Pada saat dioda dibias
mundur tidak ada arus yang mengalir sehingga pada kondisi ini tahanan
dalamnya yaitu tak terhingga. Contohnya pada saat kondisi tegangan sumbernya
-10V, setelah diukur didapatkan arus sebesar 0,02 µA. Kondisi ini hampir
mendekati arus yang seharusnya yaitu 0A. Karena masih ada arus bocor yang
mengalir maka tahanan dalam dapat dihitung dan didapatkan sebesar 494,95
MΩ. Pada saat kondisi dioda dibias mundur dengan kaki katoda dipegang, maka
tegangan dioda menjadi terpengaruh. Tetapi karena dibias mundur, tidak ada
arus yang mengalir dan resistansi dalam diodanya tidak terhingga. Contohnya
pada kondisi ini dengan tegangan sumber sebesar -10V, setelah diukur arus
berubah menjadi 0,37 µA. Karena masih ada kebocoranarus didalam rangkaian
maka tahanan dalam dioda dapat dihitung yaitu sebesar 26,82 MΩ. Pada kondisi
dioda dibias mundur dan salah satu kaki dioda dilepas, maka kondisi ini seperti
saklar terbuka. Sehingga tidak adanya arus yang mengalir. Karena tidak adanya
arus yang mengalir, maka tahanan dalam yang didapatkan sebesar tak terhingga.
Contohnya pada kondisi ini dengan tegangan sumber sebesar -10V, didapatkan
arus sebesar 0,02 µA. Nilai ini mendekati nilai yang seharusnya yaitu 0A.
Karena masih ada arus yang bocor maka nilai resistansi dalam masih bisa
dihitung yaitu sebesar 495 MΩ
3. Pada penggunaan dioda germanium dengan kondisi yang berlainan, nilai I dan
R didapatkan nilai yang berbeda. Ini dikarenakan pada saat dioda dibias maju,
ada arus yang mengalir. Contohnya pada kondisi tegangan sumbernya +10V,
setelah diukur didapatkan arus sebesar 98,80 µA. Karena ada arus yang
mengalir, maka tahanan dalam dioda mempunyai nilai yaitu sebesar 1,4089 kΩ.
Sehigga pada kondisi ini resistansi dalam pada dioda dapat diukur. Pada saat
dioda dibias mundur tidak ada arus yang mengalir sehingga pada kondisi ini
 16

tahanan dalamnya yaitu tak terhingga. Contohnya pada saat kondisi tegangan
sumbernya -10V, setelah diukur didapatkan arus sebesar 5,51 µA. Kondisi ini
hampir mendekati arus yang seharusnya yaitu 0A. Karena masih ada arus bocor
yang mengalir maka tahanan dalam dapat dihitung dan didapatkan sebesar
1,6982 MΩ. Pada saat kondisi dioda dibias mundur dengan kaki katoda
dipegang, maka tegangan dioda menjadi terpengaruh. Tetapi karena dibias
mundur, tidak ada arus yang mengalir dan resistansi dalam diodanya tidak
terhingga. Contohnya pada kondisi ini dengan tegangan sumber sebesar -10V,
setelah diukur arus berubah menjadi 6,81 µA. Karena masih ada kebocoranarus
didalam rangkaian maka tahanan dalam dioda dapat dihitung yaitu sebesar 1,363
MΩ. Pada kondisi dioda dibias mundur dan salah satu kaki dioda dilepas, maka
kondisi ini seperti saklar terbuka. Sehingga tidak adanya arus yang mengalir.
Karena tidak adanya arus yang mengalir, maka tahanan dalam yang didapatkan
sebesar tak terhingga. Contohnya pada kondisi ini dengan tegangan sumber
sebesar -10V, didapatkan arus sebesar 0,A. Nilai ini sama dengan nilai
seharusnya yaitu 0A. Karena tidak ada arus yang mengalir maka resistansi dalam
yang didapat yaitu tak terhingga
4. Nilai arus dan resistansi dalam pada dioda silikon dan dioda germanium pada
kondisi dioda dibias maju berbeda. Ini dikarenakan pada kedua dioda tersebut
tegangan kerja diodanya berbeda sehingga mendapakan arus dan resistansi
dalam yang berbeda pula. Contohnya pada saat kondisi menggunakan tegangan
sumber sebesar 5V. Pada dioda silikon didapatkan nilai arus sebesar 45,85 µA
dan nilai tahanan dalam sebesar 9,4613 kΩ. sedangkan pada dioda germanium
didapatkan nilai arus sebesar 49 µA dan nilai tahanan sebesar 2,1816 kΩ.
Pada kondisi dioda silikon dan germanium dibias mundur maka kedua dioda
dalam kondisi off, sehingga tidak ada arus yang mengalir dan tahanan dalam
pada kedua dioda setelah dimasukan kedalam perhitungan menjadi tak
terhingga. Perbedaan nilai yang terjadi pada saat pengukuran dikarenakan
perbedaan arus bocor.
Pada kondisi dioda silikon dan germanium dibias mundur dan kaki katoda
dipegang kedua dioda tersebut dalam kondisi off. Yang terpengaruh pada
kondisi ini yaitu tegangan dioda yang sedikit berubah. Sedangkan pada kondisi
 17

ini kedua dioda tidak memiliki arus yang mengalir, dan tahanan dalam pada
kedua dioda yaitu tak terhingga.
Pada kondisi dioda silikon dan germanium dibias mundur dengan salah satu kaki
dioda dilepas maka, kondisi ini seperti saklar terbuka sehingga tidak ada arus
yang mengalir, dan resistansi dalam pada dioda yaitu tak terhingga.

VII. TUGAS
1. Manakah yang lebih besar resistansi balik dioda Ge atau dioda Si ?
Mengapa ?
2. Dioda apa yang lebih stabil (tidak banyak dipengaruhi oleh perubahan
suhu) ? Mengapa ?

Jawab

1. Nilai resistansi dioda saat bias balik lebih besar menggunakan dioda
silikon karena dioda silikon tersebut memiliki tegangan yang lebih
besar 0,7 Volt dibandingkan dioda germanium hanya memiliki
tegangan 0,3 Volt dimana tegangan tersebut mempengaruhi nilai
tahanan dioda saat diukur. Faktor lainnya yaitu pada dioda silikon
memiliki hambatan bulk yang lebih besar dibandginkan dioda
germanium.
2. Dioda yang lebih stabil adalah dioda germanium, karena sifat dioda
Ge adalah semikonduktor sementara Si memiliki tanggapan
terhadap suhu. Si dapat mengalami suatu kondisi dropout apabila
pada suhu dan tegangan tertentu saja. Namun selain itu bahan Si
juga memiliki koefisien negatif. Apabila jika suhu tersebut naik
maka resistansinya akan mengalami pengurangan.
 18

VIII. SIMPULAN
 Dioda memiliki nilai resistansi sendiri, dan nilai tersebut tergantung
pada nilai dari tegangan sumbernya. Semakin besar tegangan sumber
yang diberikan maka akan semakin kecil nilai resistansi diodanya.
 Dioda dalam keadaan bias maju apabila polaritas dari tegangan
sumbernya dengan kaki diode sama dan dalam keadaan bias mundur
apabila polaritas dari tegangan sumbernya berlawanan dengan kaki
diodanya.
 Pada saat dioda dalam keadaan bias maju terdapat arus yang mengalir
karena polaritasnya searah dan pada saat dioda dalam keadaan bias
mundur tidak ada arus yang mengalir karena dioda off, hal ini
dikarenakan polaritasnya berlawanan.
 Nilai resistansi yang didapatkan pada saat dioda bias maju lebih besar
dibandingkan dengan dioda bias mundur.
 Pada saat dioda bias mundur maka nilai teganan dioda akan sama
dengan tegangan sumber.
 19

IX. DAFTAR PUSTAKA

Adi. 2014. “Jelaskan dan Gambarkan Karakteristik Dioda”.
(https://www.slideshare.net/satyakenmyloove/jelaskan-dan-
gambarkan-karakteristik-dioda). [diakses pada tanggal 20 Mei
2019].
Susanti, Anna. 2006. “Laboratorium Elektronika Semester III”. DIPA
Politeknik Negeri Jakarta.
 20

X. LAMPIRAN