Makalah elektronika daya

Komponen komponen semikonduktor

NAMA: INGRRID FEBY DWI SHAFIRA. M

NIM: 1824041010

KELAS: PTE 02

PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO ( S-1)

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS NEGERI MAKASSAR
2019
 KATA PENGANTAR

Puji syukur saya panjatkan kehadirat ALLAH SWT, karena berkat Rahmat dan Hidayah-
Nya, saya dapat menyelesaikan makalah yang berjudul “komponen komponen semikonduktor”
ini, meskipun masih banyak kekurangan.

Makalah ini kami buat untuk menambah wawasan dan pengetahuan bagi peserta diskusi
pada khususnya dan bagi pembaca pada umumnya. Saya mengucapkan terima kasih untuk semua
pihak yang telah membantu kami, sehingga makalah ini dapat terselesaikan. Saya menyadari
bahwa makalah ini masih jauh dari sempurna, hal ini dari segi penyusunan maupun dari segi
materi. “Tidak ada gading yang tak retak”, demikian pula dengan makalah ini. Oleh karena itu,
saya sangat mengharapkan setiap kritik dan saran yang bersifat membangun, yang dapat
memperbaiki dan menyempurnakan makalah ini.
 DAFTAR ISI

Kata Pengantar
Daftar Isi

BAB I PENDAHULUAN
Latar belakang
Rumusan masalah
Tujuan

BAB II PEMBAHASAN
1. Dioda
2. Silicon cotrolled rectifier
3. Bipolar transistor
4. Metal oxid semikonduktor field effect transistor
5. Gate turn off
6. Insolate gate bipolar transistor
7. Triode alternating current

BAB III PENUTUP

Kesimpulan
Saran
 BAB I

PENDAHULUAN

 Latar Belakang

Apabila kita berbicara tentang elektronika maka tidak akan lepas dari semikonduktor.
Memang pada awal kelahirannya elektronika didefenisikan sebagai cabang ilmu listrik yang
mempelajari pergerakan muatan didalam gas ataupun vakum. Penerapannya sendiri juga
menggunakan komponen-komponen yang utamanya memanfaat keduamedium ini, yang dikenal
sebagai Vacuum Tube. Akan tetapi sejak ditemukannya transistor, terjadi perubahan tren dimana
penggunaan semikonduktor sebagai pengganti material komponen semakin populer dikalangan
praktisi elektronika. Puncaknya adalah saat ditemukannya Rangkaian Terpadu (Integrated
Circuit ) pada akhir dekade 50-an yang telah menyederhanakan berbagai rangkaian yang
sebelumnya berukuran besar menjadi sangat kecil. Selain itu penggunaan material
semikonduktor juga memberikan fleksibilitas dalam penerapannya.

Material semikonduktor, seperti juga material-material lainnya terdiri atas atom-atom yang
berukuran sangat kecil. Atom-atom ini terdiri atas nukleus (inti) yang dikelilingi oleh sejumlah
elektron. Nukleus sendiri terdiri atas neutron dan proton. Proton bermuatan positif, elektron
bermuatan negatif, sedangkan neutron netral. Elektron-elektron yang mengelilingi nukleus ini
tersebar pada beberapa lapisan kulit dengan jarak tertentu dari nukleus, dimana energinya
semakin meningkat seiring dengan meningkatnya jarak dari setiap lapisan kulit terhadap nukleus.
Elektron pada lapisan terluar disebut elektron valensi. Aktifitas kimiawi dari sebuah unsur
terutama ditentukan oleh jumlah elektron valensi ini.

Rumusan Masalah:

Apa saja komponen komponen semi konduktor?

Tujuan:

Mengetahui beberapa komponen komponen yang ada di semikonduktor

 BAB II

PEMBAHASAN

1. Dioda

Dioda adalah komponen elektronika yang terdiri dari dua kutub dan berfungsi
menyearahkan arus. Komponen ini terdiri dari penggabungan dua semikonduktor yang masing-
masing diberi doping (penambahan material) yang berbeda, dan tambahan material konduktor
untuk mengalirkan listrik.

Struktur utama dioda adalah dua buah kutub elektroda berbahan konduktor yang masing-
masing terhubung dengan semikonduktor silikon jenis p dan silikon jenis n. Anoda adalah
elektroda yang terhubung dengan silikon jenis p dimana elektron yang terkandung lebih sedikit,
dan katoda adalah elektroda yang terhubung dengan silikon jenis n dimana elektron yang
terkandung lebih banyak. Pertemuan antara silikon n dan silikon p akan membentuk suatu
perbatasan yang disebut P-N Junction.

Material semikonduktor yang digunakan umumnya berupa silikon atau germanium.

Adapun semikonduktor jenis p diciptakan dengan menambahkan material yang memiliki
elektron valensi kurang dari 4 (Contoh: Boron) dan semikonduktor jenis n diciptakan dengan
menambahkan material yang memiliki elektro valensi lebih dari 4 (Contoh: Fosfor).

Cara Kerja Dioda

Secara sederhana, cara kerja dioda dapat dijelaskan dalam tiga kondisi, yaitu kondisi
tanpa tegangan (unbiased), diberikan tegangan positif (forward biased), dan tegangan negatif
(reverse biased).

Kondisi tanpa tegangan

Pada kondisi tidak diberikan tegangan akan terbentuk suatu perbatasan medan listrik pada
daerah P-N junction. Hal ini terjadi diawali dengan proses difusi, yaitu bergeraknya muatan
elektro dari sisi n ke sisi p. Elektron-elektron tersebut akan menempati suatu tempat di sisi p
yang disebut dengan holes. Pergerakan elektron-elektron tersebut akan meninggalkan ion positif
di sisi n, dan holes yang terisi dengan elektron akan menimbulkan ion negatif di sisi p. Ion-ion
tidak bergerak ini akan membentuk medan listrik statis yang menjadi penghalang pergerakan
elektron pada dioda.

Pada kondisi ini, bagian anoda disambungkan dengan terminal positif sumber listrik dan
bagian katoda disambungkan dengan terminal negatif. Adanya tegangan eksternal akan
mengakibatkan ion-ion yang menjadi penghalang aliran listrik menjadi tertarik ke masing-
masing kutub. Ion-ion negatif akan tertarik ke sisi anoda yang positif, dan ion-ion positif akan
tertarik ke sisi katoda yang negatif. Hilangnya penghalang-penghalang tersebut akan
memungkinkan pergerakan elektron di dalam dioda, sehingga arus listrik dapat mengalir seperti
pada rangkaian tertutup.

Kondisi tegangan negatif (Reverse-bias)

Pada kondisi ini, bagian anoda disambungkan dengan terminal negatif sumber listrik dan
bagian katoda disambungkan dengan terminal positif. Adanya tegangan eksternal akan
mengakibatkan ion-ion yang menjadi penghalang aliran listrik menjadi tertarik ke masing-
masing kutub. Pemberian tegangan negatif akan membuat ion-ion negatif tertarik ke sisi katoda
(n-type) yang diberi tegangan positif, dan ion-ion positif tertarik ke sisi anoda (p-type) yang
diberi tegangan negatif. Pergerakan ion-ion tersebut searah dengan medan listrik statis yang
menghalangi pergerakan elektron, sehingga penghalang tersebut akan semakin tebal oleh ion-ion.
Akibatnya, listrik tidak dapat mengalir melalui dioda dan rangkaian diibaratkan menjadi
rangkaian terbuka.

Jenis-jenis Dioda dan Fungsi Dioda

Dioda dibedakan menjadi beberapa jenis berdasarkan karakteristik dan fungsinya. Jenis-jenis
dioda dan aplikasinya adalah sebagai berikut.

PN Junction Diode: Dioda standar yang terdiri dari susunan PN dan memiliki cara kerja seperti
yang dijelaskan sebelumnya. Dioda jenis ini adalah diode yang umum digunakan di pasaran
(disebut juga diode generik), digunakan terutama sebagai penyearah arus.

Light Emitting Diode (LED): Saat dialiri arus forward-bias, LED akan mengeluarkan cahaya.
LED saat ini umum digunakan sebagai alat penerangan dan beberapa jenis digunakan untuk
menggantikan lampu fluorescent.
Laser Diode: Dioda jenis laser juga menghasilkan cahaya, namun cahaya yang dihasilkan adalah
cahaya koheren. Aplikasi diode laser adalah perangkat pembaca CD dan DVD dan laser pointer.

Photodiode: Photodiode dapat menghasilkan energi listrik apabila daerah PN junction disinari.
Umumnya photodiode dioperasikan dalam reverse-bias, sehingga arus yang kecil akibat cahaya
dapat langsung terdeteksi. Photodiode digunakan untuk mendeteksi cahaya (photodetector).

Gunn Diode: Gunn Diode adalah jenis diode yang tidak memiliki PN Junction, melainkan hanya
terdiri dari dua elektroda. Dioda jenis ini dapat digunakan untuk menghasilan sinyal gelombang
mikro.

BARITT Diode: BARITT (Barrier Injection Transit Time) Diode adalah jenis diode yang bekerja
dengan prinsip emisi termionik. Dioda ini digunakan untuk memproduksi sinyal gelombang
mikro dengan level derau yang rendah.

Tunnel Diode: Tunnel Diode adalah dioda yang bekerja memanfaatkan salah satu fenomena
mekanika kuantum yaitu tunneling. Tunnel junction digunakan sebagai salah satu komponen
pada osilator, penguat, atau pencampur sinyal, terutama karena kecepatannya bereaksi terhadap
perubahan tegangan.

Backward Diode: Backward diode memiliki karakteristik serupa dengan tunnel, perbedannya
terletak pada adanya sisi yang diberi doping lebih rendah dibanding sisi yang berlawanan.
Perbedaan profil doping ini membuat backward diode memiliki karakteristik tegangan-arus yang
serupa pada kondisi reverse dan forward.

PIN Diode: Pada dioda PIN, terdapat area semikonduktor intrinsic (tanpa doping) yang
diletakkan antara P dan N junction. Efek dari penambahan area intrinsic tersebut adalah
melebarnya area deplesi yang membatasi pergerakan elektron, dan hal ini tepat digunakan untuk
aplikasi pensinyalan (switching).

Schottky Diode: Pada Schottky diode diberikan tambahan metal pada cuplikan permukaan
bagian tengah semikonduktor. Karakteristik yang menjadi keunggulan dioda ini adalah tegangan
aktivasi yang rendah dan waktu pemulihan yang singkat. Dioda ini sangat umum digunakan
untuk rangkaian elektronik berfrekuensi tinggi, seperti perangkat-perangkat radio dan gerbang
logika.
Step Recovery Diode: Bagian semikonduktor pada dioda ini memiliki level doping yang secara
gradual menurun dengan titik terendah di junction. Modifikasi ini dapat mengurangi waktu
switching karena muatan yang ada pada daerah junction lebih sedikit. Aplaikasi dari
semikonduktor ini adalah pada alat-alat elektronik frekuensi radio.

Varactor Diode: Diaplikasikan pada mode reverse biasa dengan lapisan penghalang yang dapat
berubah-ubah sesuai tegangan diberikan. Hal ini membuat dioda ini seolah-olah merupakan suatu
kapasitor.

Zener diode: Memiliki karakteristik khusus yang mengingkan efek breakdown saat reverse bias
Dioda ini dapat menghasilkan tegangan yang tetap dan umum digunakan sebagai penghasil
tegangan referensi di rangkaian elektronik

2. Silicon controlled rectifier (SCR)

thyristor merupakan device semikonduktor yang mempunyai perilaku cenderung tetap on

setelah diaktifkan dan cenderung tetap off setelah dimatikan (bersifat histeresis) dan biasa
digunakan sebagai saklar elektronik, protektor, dan lain sebagainya. Sebelum kita mengetahui
lebih dalam tentang pengertian dan prinsip kerja dasar dari Silicon controlled rectifier (SCR),
sebaiknya kita tahu terlebih dulu tentang definisi dari dioda shockley. Karena SCR itu sendiri
memang device yang dikembangkan dari sebuah dioda shockley, yaitu dioda yang terdiri dari
empat lapisan bahan semikonduktor, atau yang juga biasa disebut sebagai dioda PNPN.

Perkembangan dioda shockley menjadi SCR sebenarnya dicapai hanya dengan

menambah suatu tambahan kecil yang tidak lebih dari sambungan kawat ketiga yang diberi nama
“gate” dari struktur PNPN yang telah ada.

Untuk mematikan kembali SCR dapat dilakukan dengan cara mengurangi arus sampai
salah satu dari transistor internal tersebut jatuh dan berada dalam mode cutoff , dan perilaku SCR
yang seperti ini juga seperti dioda shockley. Lalu sekarang coba kita bahas tentang kawat atau
terminal gate yang menjadi perbedaan dari kedua perangkat ini. Kita tahu kalau terminal gate
SCR terhubung langsung ke basis transistor yang lebih rendah, itu berarti terminal gate ini dapat
digunakan sebagai alternatif untuk mengaktifkan SCR (latch up). Dengan memberikan tegangan
yang kecil antara gate dan katoda, transistor yang bawah atau transistor yang lebih rendah akan
dipaksa ON oleh arus basis yang dihasilkan, hal ini akan menyebabkan arus basis transistor atas
mengalir dan transistor atas akan aktif dan menghantarkan arus basis untuk transistor yang
bawah (tidak dibutuhkan lagi pasokan tegangan dari terminal gate), sehingga kini kedua
transistor saling menjaga agar tetap aktif  atau saling mengunci (latch). Arus yang diperlukan
gate untuk memulai latch up tentu saja jauh lebih rendah daripada arus yang melalui SCR dari
katoda ke anoda, sehingga SCR tidak perlu mencapai penguatan.

Cara yang paling umum digunakan dan dianggap aman untuk mengaktifkan SCR adalah
dengan memberikan tegangan pada terminal gate, dan cara atau metode seperti ini disebut
dengan “memicu” (triggering). Bahkan dalam penggunaannya SCR biasanya sengaja dibuat atau
dipilih dengan tegangan breakover yang jauh lebih besar melampaui tegangan terbesar yang
diperkirakan akan dialami oleh sumber listrik. Sehingga SCR hanya bisa diaktifkan dengan pulsa
tegangan yang diterapkan ke terminal gate, bukan dengan tegangan breakover.

Perlu dikatakan bahwa SCR terkadang bisa dimatikan secara langsung dengan
menjumper atau mengkorsletkan terminal gate dan katoda, yang disebut dengan “reverse
triggering”, dimana gate dengan tegangan negatif (mengacu pada katoda), sehingga transistor
yang lebih rendah atau dibawah dipaksa cutoff. Saya mengatakan ini kadang-kadang karena cara
ini mungkin akan melibatkan semua arus kolektor dari transistor atas yang melewati basis
transistor yang dibawah. Dan arus ini mungkin sangat substansial sehingga membuat triggered
shut off dari SCR begitu sulit. Dan sebuah thyristor Gate-Turn-Off (GTO) yang merupakan
variasi dari SCR yang akan mampu mempermudah tugas ini. akan tetapi bahkan dengan sebuah
GTO sekalipun, arus gate yang dibutuhkan untuk mematikannya mungkin sebanyak 20% dari
arus anoda (beban).

Pengetesan fungsi dasar SCR, atau mengidentifikasi terminal dapat dilakukan dengan
ohmmeter. Karena koneksi internal antara gate dan katoda adalah PN junction tunggal, alat ukur
harus menunjukkkan adanya sambungan atau koneksi antara terminal-terminal ini saat probe
merah dihubungkan ke gate dan probe hitam pada katoda. Seperti gambar dibawah ini.

Jika anda menggunakan multimeter yang mempunyai fungsi dioda cheknya, indikasi
tegangan antara sambungan atau persimpangan gate ke katoda mungkin hasilnya tidak akan
sesuai dengan persimpangan PN silikon pada umumnya (yang biasanya sekitar 0,7 volt). Dalam
beberapa kasus, hasil pengukuran tegangan akan jauh lebih rendah. Hal ini disebabkan oleh
resistor internal yang terhubung antara gate dan katoda yang dimasukkan kedalam beberapa
SCR. Resistor ini ditambahkan untuk mengurangi kerentanan SCR terhadap pemicu (trigger)
palsu, yang berasal dari lonjakan tegangan palsu, dari noise rangkaian, atau dari pelucutan listrik
statis. Dengan kata lain, adanya resistor yang terhubung di persimpangan gate-katoda
mengharuskan sinyal trigger yang kuat (arus yang besar) untuk diterapkan pada gate SCR. Fitur
ini ditemukan pada SCR yang lebih besar bukan SCR yang kecil. Ingatlah bahwa SCR dengan
resistor internal yang terhubung antara gate dan katoda akan menunjukkan kontinuitas hubungan
dalam dua arah antara dua terminal.

Resistor internal pada kaki gate dan katoda SCRSCR dengan nilai resistor internal yang
kecil terkadang juga disebut sebagai SCR gate sensitif, karena kemampuannya yang dipicu
(triggered) oleh sinyal positif gate yang sangat sedikit.

Rangkaian tes untuk SCR berikut ini sangat baik untuk digunakan sebagai alat uji SCR,
selain itu juga sangat baik untuk mengetahui dan memahami operasi dasar SCR. Sebuah sumber
tegangan DC yang digunakan sebagai daya dari rangkaian dan dua push button switch yang
digunakan untuk mengaktifkan dan mematikan SCR. 

Rangkaian sederhana penguji SCR

Push button NO (tombol on) menghubungkan gate dengan anoda, sehingga arus dari
terminal negatif baterai akan melalui PN junction katoda-gate, kemudian melalui saklar, melalui
resistor beban dan kembali ke baterai. Arus gate inilah yang akan membuat SCR latch on,
sehingga meskipun tombol on dilepas, beban akan tetap mendapat daya listrik. Dengan menekan
push button NC (tombol off), arus yang melalui SCR akan terhenti, sehingga hal tersebut akan
memaksa untuk mematikan SCR (Turn off).

Jika SCR tidak bisa atau gagal untuk latch, mungkin masalahnya ada pada beban
rangkaian bukan pada SCR. Arus beban dengan jumlah minimum tertentu diperlukan atau wajib
dimiliki untuk menjaga agar SCR latch on. Tingkat atau level arus minimum ini disebut “holding
current”. Holding current biasanya berkisar antara 1 miliampere sampai 50 miliampere atau
mungkin lebih untuk unit yang lebih besar.
 Untuk pengujian sepenuhnya dapat dilakukan dengan menguji trigger dengan tegangan
breakover. Untuk menguji batas tegangan breakover dapat dilakukan dengan cara meningkatkan
suplai tegangan DC sampai SCR aktif dan mengunci (latch) dengan sendirinya (tanpa perlu
menekan tombol pushbutton). Saat tes tegangan breakover ini perlu kehati-hatian karena
mungkin memerlukan tegangan yang sangat tinggi. Dalam bentuk sederhana, rangkaian tes SCR
bisa cukup sebagai rangkaian kontrol start/stop untuk motor DC, lampu, atau beban-beban yang
praktis lainnya.

Rangkaian kontrol start/stop motor DC

Contoh penggunaan SCR pada sirkuit DC adalah sebagai perangkat atau device crowbar
yang berfungsi untuk memproteksi bila terjadi tegangan lebih (over voltage). Sirkuit crowbar
terdiri dari sebuah SCR yang dihubungkan pararel dengan output dari power supply DC.
Rusaknya SCR dan power supply dapat dicegah dengan pemasangan secara benar dan bijaksana
sebuah fuse atau resistansi seri yang besar setelah SCR untuk membatasi arus hubung singkat
dari rangkaian.

rangkaian power supply DC

Beberapa rangkaian atau perangkat sensor tegangan output akan terhubung ke gate SCR.
Sehingga ketika kondisi overvoltage terjadi, tegangan akan diterapkan di antara gate dan katoda,
yang kemudian memicu atau mentrigger SCR dan memaksa fuse untuk memutus.

Meskipun fakta mengatakan bahwa SCR merupakan perangkat DC (arus searah), namun
sebagian besar aplikasi SCR adalah untuk mengontrol daya AC (arus bolak-balik). Jika
dibutuhkan arus rangkaian dalam dua arah, maka beberapa atau lebih dari satu SCR dapat
digunakan dalam sebuah rangkaian. Dengan begitu SCR akan dapat menangani atau mengalirkan
setiap arah arus dari kedua setengah siklus gelombang AC.

3. BJT

Transistor yang akan dibahas adalah transistor jenis BJT (Bias Junction Transistor).
Transistor BJT pertama kali dibuat oleh William Bradford Schockley, John Bardeen dan Walter
Houser Brattain pada tahun 1951 atas penemuannya ini ketiga Ilmuan ini dianugrahi hadiah
Nobel pada tahun 1956 dalam bidang fisika. Penemuan transistor membawa perubahan yang
ekstrim dalam dunia khususnya bidang elektronika. Jika dulu sebelum ada transistor peralatan
elektronika dibuat masih menggunakan tabung hampa yang memiliki ukuran yang besar dan
membutuhkan daya listrik yang tinggi untuk pengoperasiannya, namun setelah ditemukannya
transistor, peralatan elektronika dapat dibuat menjadi lebih kecil, handal dan tidak membutuhkan
daya yang besar untuk pengoperasiaanya. Penemuan transistor membawa perubahan besar dalam
industri elektronika dan membuka gerbang menuju dunia moderen hingga saat ini.

Bias Junction Transistor (BJT) Transistor BJT sering disebut transistor saja, transistor
berdasarkan susunan semikonduktor pembentuknya dapat dibagi menjadi 2 tipe transistor yaitu :
tipe PNP (Positif – Negatif – Positif) dan Tipe NPN (Negatif – Positif – Negatif ). Gambar 1
berikut ini menunjukan perbedaan simbol transistor NPN dan Transistor PNP.

Analisa Rangkaian Transistor

Ada 3 macam rangkaian transistor yang umum digunakan yaitu :

Common Emitor (C-E), emitor yang digroundkanCommon collector (C-C), kolektor yang

digroundkanCommon Basis (C-B), basis yang digroundkan

4. MOSFET

Pengertian MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat
semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada
perangkat elektronik. MOSFET adalah inti dari sebuah IC ( integrated Circuit ) yang di desain
dan di fabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang sangat kecil. MOSFET memiliki
empat gerbang terminal antara lain adalah Source (S), Gate (G), Drain (D) dan Body(B).

MOSFET bekerja secara elektonik memvariasikan sepanjang jalur pembawa muatan

( electron atau hole ). Muatan listrik masuk melalui Saluran pada Source dan keluar melalui
Drain. Lebar Saluran di kendalikan oleh tegangan pada electrode yang di sebut dengan Gate atau
gerbang yang terletak antara Source dan Drain. ini terisolasi dari saluran di dekat lapisan oksida
logam yang sangat tipis. Kapasitas MOS pada komponen ini adalah bagian Utama nya.

Mosfet memiliki dua mode, mode pertama adalah depletion mode dan Enhancement Mode.
Depletion Mode:

Ketika tidak ada tegangan pada Gate maka kondusi channel berada pada kondisi maksimum.
Karena tegangan pada gerbang positif atau negative konduksi pada channel menurun.

Enhancement Mode

Ketika tidak ada tegangan pada Gate, MOSFET tidak akan bersifat konduksi. Tegangan yang
meningkat pada Gate, maka sifat konduksi pada Channel semakin lebih baik.

Cara Kerja MOSFET

Tujuan dari MOSFET adalah mengontrol Tegangan dan Arus melalui antara Source dan
Drain. Komponen ini hampir seluruh nya sebagai switch. Kerja MOSFET bergantung pada
kapasitas MOS. Kapasitas MOS adalah bagian utama dari MOSFET. Permukaan semikonduktor
pada lapisan oksida di bawah yang terletak di antara terminal sumber dan saluran pembuangan.
Hal ini dapat dibalik dari tipe-p ke n-type dengan menerapkan tegangan gerbang positif atau
negatif masing-masing. Ketika kita menerapkan tegangan gerbang positif, lubang yang ada di
bawah lapisan oksida dengan gaya dan beban yang menjijikkan didorong ke bawah dengan
substrat.

Daerah penipisan dihuni oleh muatan negatif terikat yang terkait dengan atom akseptor.
Elektron mencapai saluran terbentuk. Tegangan positif juga menarik elektron dari sumber n dan
mengalirkan daerah ke saluran. Sekarang, jika voltase diterapkan antara saluran pembuangan dan
sumber, arus mengalir bebas antara sumber dan saluran pembuangan dan tegangan gerbang
mengendalikan elektron di saluran. Alih-alih tegangan positif jika kita menerapkan tegangan
negatif, saluran lubang akan terbentuk di bawah lapisan oksida.

Rangkaian MOSFET pengendali Kecepatan MOTOR

Mosfet pada umumnya di gunakan untuk driver pengendali kecepatan motor. dengan
input PWM pada Gate maka akan mengontrol tegangan yang lewat melalui Source ke Drain.
Besar kecil nya tegangan yang di lalui source dan Drain ini ditentukan besar kecil nya nilai
PWM yang di input di Gate. Lebih Jelas nya lihat gambar rangkaian di bawah ini

Rangkaian MOSFET Sebagai Switch

 Karena MOSFET juga bisa bekerja selayaknya Transistor, maka MOSFET juga bisa
diguanakan sebagai switch. Pada MOSFET N-Channel, ketika ada tegangan pada Gate, maka
tegangan dari Source akan mengalir ke Drain. begitu juga sebalik nya. Ketika tidak ada
Tegangan pada Gate maka tegangan dari source tidak akan mengalir.

5. Gate Turn Off Thyristors

  GTO adalah sebuah perangkat tiga terminal semikonduktor yang termasuk di dalam kelompok
thyristor dengan struktur empat lapisan. GTO memiliki kontrol penuh untuk pengendalian ON-
OFF state melalu terminal kontrol (gerbang). 

  Pengoperasian GTO sama seperti thyristor konvensional, dimana akan ON ketika menerapkan
sinyal gerbang positif ke gerbang terminalnya dan akan OFF ketika diterapkan sinyal gerbang
negatif.

   GTO ada dua jenis, simetris dan asimetris.

GTO simetris memiliki forward-reverse blocking. GTO asimetris adalah jenis yang

paling umum, tidak ada reverse-blocking. 

     Dalam keadaan ON, GTO beroperasi dengan cara sama seperti

thyristor. Seperti SCR, GTO akan ONjika potensial pada anoda lebih positif dari padapotensial
pada katoda dan pada terminal gerbangdialirkan pulsa arus positif dia akan terus ON

     GTO akan OFF jika terminal gerbang dan katoda diberi tegangan yang lebih negatif atau
dialiri pulsa arus negatif. 

Keuntungan Gate Turn Off Thyristors 

Meniadakan kebutuhan akan komponen pengkomutasi,

jadimengakibatkan pengurangan biaya, berat dan volume. Karena tidak dibutuhkannya rangkaian
komutasi paksa, maka gangguan elektromagnetik dan akustik dapat dikurangi. Dapat di-OFF-
kan lebih cepat, jadi mempunyai frekuensi pensaklaran yang tinggi. Meningkatkan efisiensi
konverter.

6. IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)

adalah piranti semikonduktor dengan tiga terminal yang setara dengan gabungan sebuah
transistor bipolar (BJT) dan sebuah transistor efek medan (MOSFET) yang tercatat untuk
efisiensi tinggi dan cepat berpindah. Karena dirancang untuk cepat menghidupkan dan
mematikan, IGBT sering digunakan dengan menyatukan kompleks waveforms pulse modulasi
lebar dan low-pass filters.

KARAKTERISTIK  IGBT

Sesuai dengan namanya, divais baru ini merupakan divais yang menggabungkan struktur
dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain,
IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor
tersebut.

Terminal gate dari IGBT, sebagai terminal kendali juga mempunyai struktur bahan
penyekat (insulator) sebagaimana pada MOSFET. Input dari IGBT adalah terminal Gate dari
MOSFET, sedang terminalSource dari MOSFET terhubung ke terminalBasis dari BJT (PNP).
Dengan demikian, arus drain keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT (PNP).
Karena besarnya tahanan masuk dari MOSFET, maka terminal input IGBT hanya akan menarik
arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus drain sebagai arus keluaran dari MOSFET akan
cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan saturasi. Dengan gabungan sifat kedua
elemen tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik.

Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan
arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya. Terminal masukan IGBT mempunyai
nilai impedansi yang sangat tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang
umumnya terdiri dari rangkaian logika. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian
pengendali (controller) dan penggerak (driver) dari IGBT.

Di samping itu, kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan divais BJT,
meskipun lebih rendah dari divais MOSFET yang setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT
mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitter) BJT. Dengan kata lain,
pada saat keadaan menghantar, nilai tahanan menghantar (Ron) dari IGBT sangat kecil,
menyerupai Ron pada BJT. Dengan demikian bila tegangan jatuh serta lesapan dayanya pada
saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk
dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan Ampere, tanpa terjadi kerugian daya yang
cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat inverter maupun Kendali Motor Listrik
(Drive).

SIFAT-SIFAT IGBT

Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya (power electronics) dewasa ini
adalah saklar zat padat (solid-state switches) yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor
seperti transistor bipolar (BJT),transistor efek medan (MOSFET), maupun Thyristor. Sebuah
saklar ideal di dalam aplikasi elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:

1.pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang besar sekali,
mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil

2.Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai tahanan menghantar (Ron)
yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan
menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya daya lesapan (power
dissipation) yang terjadi, dan (kecepatan pensaklaran (switching speed) yang tinggi.

Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan
semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan semikonduktor komersial pada
umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil. Untuk sifat nomor (2), BJT lebih
unggul dari MOSFET, karena tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitter, VCE pada keadaan
menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam
keadaan jenuh (saturasi).

Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan switching, MOSFET lebih
unggul dari BJT, karena sebagai divais yang bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan
mayoritas (majority carrier), pada MOSFET tidak dijumpai aruh penyimpanan pembawa muatan
minoritas pada saat proses pensaklaran, yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran

7.Triac

merupakan komponen semikonduktor yang tersusun atas diode empat lapis berstruktur p-
n-p-n dengan tiga p-n junction. Triac memiliki tiga buah elektrode, yaitu : gate, MT1, MT2.
Triac biasanya digunakan sebagai pengendali dua arah (bi-directional).  Apabila kita akan
menggunakan triac dalam pembuatan perangkat atau sistem kontrol elektronik, ada beberapa hal
yang harus diketahui dalam memilih triac sebagai berikut. Hal-Hal Yang Perlu Diperhatikan
Dalam Memilih Triac  : tegangan breakover maju dan mundur arus maksimum ( IT maks) arus
genggam minimum (Ih min) tegangan dan arus picu gate yang diperlukan kecepatan pensaklaran
tegangan maksimum dV/dt tegangan blocking triac (VDRM) Simbol Dan Bentuk Triac Triac
akan tersambung (on) ketika  berada di quadran I yaitu saat arus positif kecil  melewati terminal
gate ke MT1,dan polaritas MT2 lebih tinggi dari MT1, saat triac terhubung dan rangkaian gate
tidak memegang kendali, maka triac tetap tersambung selama polaritas MT2 tetap lebih tinggi
dari MT1 dan arus yang mengalir lebih besar dari arus genggamnya (holding current/Ih), dan
triac juga akan tersambung saat arus negatif melewati terminal gate ke MT1,dan polaritas MT1
lebih tinggi dari MT2, dan triac akan tetap terhubung walaupun rangkaian gate tidak memegang
kendali selama polaritas MT1 lebih tinggi dari MT2. Selain dengan cara memberi pemicuan
melalui teminal gate, triac juga dapat dibuat tersambung (on) dengan cara memberikan tegangan
yang tinggi  sehingga melampaui tegangan breakover-nya terhadap terminal MT1 dan MT2,
namun cara ini tidak diizinkan karena dapat menyebabkan triac akan rusak. Pada saat triac
tersambung (on) maka tegangan jatuh maju antara terminal MT1 dan MT2 sangatlah kecil yaitu
berkisar antara 0.5 volt sampai dengan 2 volt.
 BAB III
PENUTUP

KESIMPULAN
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di
antara insulator (isolator) dan konduktor. Semikonduktor disebut juga sebagai bahan setengah
penghantar listrik. Suatu semikonduktor bersifat sebagai insulator jika tidak diberi arus listrik
dengan cara dan besaran arus tertentu, namun pada temperatur, arus tertentu, tatacara tertentu
dan persyaratan kerja semikonduktor berfungsi sebagai konduktor,Semikonduktor terdiri dari
beberpa komponen yaitu DIODE, BJT, GTO, SCR, TRIAC, MOSFET, IGBT

SARAN
Kegunaan bahan semikonduktor sangatlah penting dalam kehidupan sehari-hari. Tidak
hanya dalam dunia medis saja yang membutuhkan bahan semikonduktor, akan tetapi sanggatlah
penting juga dalam elektronika, karena bahan semikonduktor (misalnya silikon dan germanium),
hanya memerlukan sedikit saja bahan doping atau campuran untuk mengubah bahan
semikonduktor agar dapat dipergunakan. Oleh karena itu, mari kita sebagai mahasiswa kejuruan
fisika mempelajari kehebatan-kehebatan bahan semikonduktor, mungkin kita nanti bisa
menciptakan alat dari bahan tersebut dan berguna dalam elektronika.
 DAFTAR PUSTAKA

 https://www.studiobelajar.com/dioda/
 https://teknikelektronika.com/pengertian-scr-silicon-controllled-rectifier-prinsip-kerja-
scr/
 http://elkatechno.blogspot.com/2016/12/bipolar-junction-transistor-bjt.html
 https://mikroavr.com/pengertian-mosfet-dan-manfaat-nya/
 http://myelectronicnote.blogspot.com/p/gate-turn-off-switch-gto.html
 https://www.wikikomponen.com/pengertian-definisi-dan-aplikasi-igbt-dalam-elektronik/
 https://elektronika-dasar.web.id/definisi-dan-prinsip-kerja-triac/