BJT Transistor
BJT Transistor
M O D U L E L E K T R O N I K A D A N M E K AT R O N I K A
BIPOLAR JUNCTION
TRANSISTOR
O L E H M A R I A B E S TA R I N A
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
MODUL PEMBELAJARAN TEKNIK ELEKTRONIKA
Untuk Sekolah Menengah Kejuruan
Edisi Tahun 2017
Pengarah
Drs. H. Mustaghfirin Amin, M.BA
Direktur Pembinaan SMK
Penanggung Jawab
Arie Wibowo Khurniawan, S.Si. M.Ak
Kasubdit Program dan Evaluasi, Direktorat Pembinaan SMK
Ketua Tim
Arfah Laidiah Razik, S.H., M.A.
Kasi Evaluasi, Subdit Program dan Evaluasi, Direktorat Pembinaan SMK
Penyusun
Maria Bestarina Laili, S.T
(SMKN 1 Karawang)
ISBN 978-602-5517-15-0
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Penerbit:
Direktorat Pembinaan Sekolah Menengah Kejuruan
Komplek Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan, Gedung E, Lantai 13
Jalan Jenderal Sudirman, Senayan, Jakarta 10270
2
KATA PENGANTAR
KATAKASUBDIT
PENGANTAR
PROGRAM
DIREK- DAN EVALUASI
Jakarta, 2017
Puji syukur kami panjatkan kepada Tuhan yang Maha Esa atas tersusunnya modul
ini, dengan harapan dapat digunakan sebagai modul pembelajaran untuk siswa Sekolah
Menengah Kejuruan (SMK) Bidang Studi Teknik Elektronika Industri.
Penerapan kurikulum 2013 mengacu pada paradigma belajar kurikulum abad 21
menyebabkan terjadinya perubahan, yakni dari pengajaran (teaching) menjadi BELAJAR
(learning), dari pembelajaran yang berpusat kepada guru (teachers-centered) menjadi
pembelajaran yang berpusat kepada peserta didik (student-centered), dari pembelajaran pasif
(pasive learning) ke cara belajar peserta didik aktif (active learning-CBSA) atau Student Active
Learning-SAL.
Modul ″Bipolar Junction Transistor″ ini disusun berdasarkan tuntutan paradigma
pengajaran dan pembelajaran kurikulum 2013 diselaraskan berdasarkan pendekatan model
pembelajaran yang sesuai dengan kebutuhan belajar kurikulum abad 21, yaitu pendekatan
model pembelajaran berbasis peningkatan keterampilan proses sains.
Penyajian modul untuk Mata Pelajaran ″Bipolar Junction Transistor″ ini disusun
dengan tujuan agar supaya peserta didik dapat melakukan proses pencarian pengetahuan
berkenaan dengan materi pelajaran melalui berbagai aktivitas proses sains sebagaimana
dilakukan oleh para ilmuwan dalam melakukan penyelidikan ilmiah (penerapan saintifik),
dengan demikian peserta didik diarahkan untuk menemukan sendiri berbagai fakta,
membangun konsep, dan nilai-nilai baru secara mandiri.
Penulis menyampaikan terima kasih, sekaligus mengharapkan saran kritik demi
kesempurnaan modul ini dan penghargaan kepada semua pihak yang telah berperan serta
dalam membantu terselesaikannya modul Siswa untuk Mata Pelajaran Teknik Elektronika
Industri kelas X Semester 1 Sekolah Menengah Kejuruan (SMK).
.IVQER%TVMP
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
4IRYPMW
ii
DAFTAR ISI
(%*8%6-7-
B. Deskripsi ............................................................................................................... 2
C. Waktu ................................................................................................................... 3
D. Prasyarat............................................................................................................... 3
&%&--4)1&)0%.%6%2.................................................................................................. 6
B. Kegiatan Pembelajaran…………………………………………………………………………………..7
/IKMEXER&IPENEV/I ..................................................................................................... 7
c. Rangkuman ......................................................................................................... 13
d. Tugas.................................................................................................................. 15
/IKMEXERFIPENEVOI ................................................................................................... 24
c. Rangkuman ......................................................................................................... 28
d. Tugas.................................................................................................................. 28 iii
/IKMEXERFIPENEVOIXVERWMWXSVWIFEKEMWEOPEVIPIOXVSRMO ............................................. 36
c. Rangkuman ......................................................................................................... 42
d. Tugas.................................................................................................................. 42
/IKMEXERFIPENEVOI ................................................................................................... 58
c. Rangkuman ......................................................................................................... 60
d. Tugas.................................................................................................................. 60
/IKMEXER&IPENEV/I ................................................................................................... 66
c. Rangkuman ......................................................................................................... 68
d. Tugas.................................................................................................................. 68
/IKMEXERFIPENEVOI ................................................................................................... 77
c. Rangkuman ......................................................................................................... 92
iv
d. Tugas.................................................................................................................. 92
B. Psikomoto…………………………………………………………………………………………………..109
DAFTAR PUSTAKA…………………………………………………………………………………………..117
PENUTUP………………………………………………………………………………………………………..118
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
v
PETA
4)8%/)(9(9/%213(90
KEDUDUKAN MODUL
STRUKTUR KURIKULUM
SEKOLAH MENENGAH KEJURUAN/MADRASAH ALIYAH KEJURUAN
(Program Pendidikan 3 Tahun)
KELAS
1 2 1 2 1 2
% 1YEXER9QYQ
1 Pendidikan Agama dan Budi Pekerti 3 3 3 3 3 3
3 Bahasa Indonesia 4 4 3 3 2 2
4 Matematika 4 4 4 4 4 4
5 Sejarah Indonesia 3 3 - - - -
6 Bahasa Inggris 3 3 3 3 3 3
7 Seni Budaya 3 3 - - - -
Jumlah A 24 24 17 17 15 15
&1YEXER/INYVYER
&(EWEV/INYVYER.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
10 Fisika 4 4
11 Kimia 3 3
&(EWEV/IELPMER
12 Kerja Bengkel dan Gambar Teknik 6 6 - - - -
14 Dasar Pemrograman 2 2 - - - -
vi &/SQTIXIRWM/IELPMER
KELAS
1 2 1 2 1 2
vii
+037%6-91
GLOSARIUM
Atom adalah suatu materi yang tidak dapat dibagi lagi, yang terdiri atas inti atom serta awan
elektron yang bermuatan negatif yang mengelilinginya. Inti atom terdiri atas proton yang
bermuatan positif, dan neutron yang bermuatan netral (kecuali pada inti atom Hidrogen-1,
yang tidak memiliki neutron).
Doping. Proses menambahkan kotoran pada bahan semikonduktif intrinsic (murni) untuk
mengendalikan karakteristik konduksi.
Efisiensi penguat, besaran persentasi dari power output dibandingkan dengan power input.
Elektron. Partikel dasar dari muatan listrik negatif.
Elektron bebas. Sebuah elektron yang telah memperoleh cukup energy untuk melepaskan diri
dari pita valensi dari inti atom, dikenal juga sebutan elektron konduksi.
Fidelitas, seberapa mirip bentuk sinyal keluaran hasil replica terhadap sinyal masukan.
Lubang (Hole). Tidak adanya elektron pada pita valensi atom.
PN junction. Batas antara dua jenis bahan semikonduktif.
Semikonduktor. Bahan yang terletak di antara konduktor dan isolator dalam sifat
konduktifnya, seperti Silikon, germanium, dan boron.
Silikon. Bahan semikonduktif.
Sistem Satuan Internasional adalah sistem satuan atau besaran yang paling umum
digunakan. Pada awalnya sistem ini merupakan sistem MKS, yaitu panjang (meter), massa
(kilogram), dan waktu (detik/sekon). Sistem SI ini secara resmi digunakan di semua negara di
dunia kecuali Amerika Serikat (yang menggunakan Sistem Imperial), Liberia, dan Myanmar.
Dalam sistem SI terdapat 7 satuan dasar/pokok SI dan 2 satuan tanpa dimensi. Selain itu,
dalam sistem SI terdapat standar awalan-awalan (prefix) yang dapat digunakan untuk
penggandaan atau menurunkan satuan-satuan yang lain.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
viii
&%&-
BAB I
4)2(%,909%2
PENDAHULUAN
Transistor membuat dunia elektronik kita menjadi sangat maju. Hampir di setiap rangkaian
elektronik modern terdapat transistor. Terkadang kita dapat melihatnya di beberapa
rangkaian elektronik, tetapi kadang juga tidak terlihat secera langsung karena pada
rangkaian elektronik modern, transistor berada dalam IC (Integrated Circuit). Pada modul ini
akan diperkenalkan tentang transistor yang paling sering digunakan pada rangkaian
elektronik yakni Bipolar Junction Transistor (BJT).
Dalam jumlah diskrit kecil, transistor dapat digunakan untuk membuat switch sederhana
elektronik, logika digital, dan sirkuit sinyal penguatan. Dalam jumlah ribuan, jutaan, bahkan
miliaran, transistor saling berhubungan dan tertanam dalam chip kecil untuk membuat
memory komputer, mikroprosesor, dan IC kompleks lainnya.
% 7XERHEV/SQTIXIRWM
/SQTIXIRWM(EWEV4IRKIXELYER
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
/SQTIXIRWM(EWEV/IXIVEQTMPER
4.39. Mendemontrasikan aplikasi tegangan bias transistor: common base,
common emittor, common colector.
4.40. Mengukur titik kerja transistor pada penguat kela : A, AB, B, C, D, H.
1
7YF/SQTIXIRWM
1. Memahami susunan fisis, simbol dan prinsip kerja transistor
2. Menginterprestasikan karakteristik dan parameter transistor.
3. Mengkatagorikan bipolar transistor sebagai penguat tunggal satu tingkat sinyal
kecil.
4. Mengkatagorikan bipolar transistor sebagai piranti saklar.
5. Menginterprestasikan katagori (pengelompokan) transistor berdasarkan
kemasan.
6. Memahami prinsip dasar metode pencarian kesalahan transistor sebagai
penguat dan piranti saklar.
7. Memahami tegangan bias rangkaian transistor.
8. Menganalisi titik kerja transistor pada penguat kelas A, AB, B, C, D, H
& (IWOVMTWM
Modul dengan judul “Bipolar Junction Transistor” merupakan bahan ajar yang
digunakan sebagai bahan ajar dan panduan teori peserta didik Sekolah Menengah
Kejuruan (SMK) untuk membentuk salah satu bagian dari kompetensi Penerapan
Konsep Dasar Teknik Elektronika, Bidang Keahlian Teknik Elektronika Industri.
Bipolar Junction Transistor merupakan modul teori dan atau praktikum yang
memuat penerapan dari komponen elektronika transistor, hukum-hukum dasar
kelistrikan yang ada di elektronika, serta memuat kajian atau teori dalam
menganalisa rangkaian dan pengukuran rangkaian elektronika.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Modul ini terdiri atas 6 (enam) kegiatan belajar yang mencakup penentuan jenis
transistor BJT, transistor BJT sebagai saklar, Transistor BJT sebagai Inverter,
Transistor BJT sebagai Penguat dan penguat transistor kelas A, B, AB, C, D, H.
Dengan menguasai modul ini diharapkan peserta didik mampu memahami dan
menerapkan Bipolar Junction Transistor dalam praktek dan juga proses belajar
mengajar akan menjadi program yang terencana untuk meningkatkan pengetahuan
dan ketrampilan pada peserta didik.
2
' ;EOXY
Jumlah waktu yang dibutuhkan untuk menguasai kompetensi yang menjadi target
dalam modul ini adalah 40 jam pelajaran atau sepuluh pertemuan dengan alokasi
waktu 10 x 40 menit tiap pertemuan.
( 4VEW]EVEX
Untuk melaksanakan modul Bipolar Junction Transistor ini memerlukan kemampuan
awal yang harus dimiliki peserta didik, yaitu:
3
b. Berikanlah penjelasan mengenai peranan dan pentingnya materi dari modul
ini.
c. Berikanlah penjelasan serinci mungkin pada setiap tahapan tugas yang
diberikan kepada siswa.
d. Berilah contoh gambar-gambar atau barang yang sudah jadi, untuk
memberikan wawasan kepada siswa.
e. Lakukan evaluasi pada setiap akhir penyelesaian tahapan tugas.
f. Berilah penghargaan kepada siswa didik yang setimpal dengan hasil
karyanya.
* 8YNYER%OLMV
Setelah mengikuti/ menyelesaikan kegian-kegiatan belajar dari modul ini, diharapkan
siswa memiliki spesifikasi kinerja sebagai berikut:
a. Memahami tentang dasar-dasar dan jenis transistor BJT
b. Memiliki pengetahuan dan pemahaman tentang rangkaian elektronik
menggunakan transistor yang banyak dijumpai dalam kehidupan sehari-hari.
c. Memiliki pengetahuan tentang fungsi dan aplikasi dari transistor BJT.
+ 'IO4IRKYEWEER7XERHEVX/SQTIXIRWM
8MRKOEX
2S (EJXEV4IVXER]EER 4IRKYEWEER
WGSVI–
Apakah siswa dapat menjelaskan pengertian
1
transistor?
3
kaki transistor?
4
Apakah siswa mampu menjelaskan rangkaian
7
transistor sebagai saklar?
Apabila siswa telah mendapatan score minimum 80% dalam mengerjakan tugas
tersebut diatas dengan benar, maka siswa yang bersangkutan sudah dapat ujian
untuk mendapatkan sertifikat, dan tidak perlu mengkuti modul ini serta
diperbolehkan langsung mengikuti modul berikutnya.
5
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
6
&%&--
BAB II
4)1&)0%.%6%2
PEMBELAJARAN
% 6IRGERE&IPENEV7MW[E
.IRMW 8IQTEX %PEWER 8ERHE8ERKER
8ERKKEP ;EOXY
/IKMEXER &IPENEV 4IVYFELER +YVY
7
/)+-%8%2&)0%.%6
/IKMEXERFIPENEVOI4IRKIREPER8VERWMWXSV
E 8YNYER/IKMEXER4IQFIPENEVER
Setelah mempelajari materi ini siswa dapat:
1. Siswa dapat mengenal komponen transistor BJT
2. Siswa dapat menentukan kaki transistor dengan Ohm Meter dan Datasheet
F 9VEMER1EXIVM
Transistor adalah Komponen aktif yang dibuat dari bahan semikonduktor. Pada tahun
1951 ditemukan oleh seseorang yang bernama Shockley. Bahan semi konduktor ini
mengubah industri elektronik begitu cepat.
Sejarah transistor pada perkembangan teknologi elektronika cukup pesat, dimulai pada
17 november 1947 sampai dengan 23 desember 1947, dimana John Bardeen dan
Walter Brattain di laboratorium AT&T’s Bell, melakukan berbagai eksperimen
elektronika salah satunya tentang perkembangan transistor ini.
Pada eksperimen dan pengamatan ini mereka menemukan kesimpulan bahwa ketika
dua kontak titik emas yang diterapkan pada Kristal germanium, menghasilkan sinyal
output yang kekuatannya lebih besar daripada input, nama transistor sendiri diciptakan
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
oleh R. Pierce.
8
Transistor mempunyai beberapa jenis tetapi pada tahun 1948, transistor titik kontak
secera independen ditemukan oleh fisikawan Jerman Herbert Matare dan Heinrich
Welker saat bekerja di Companie des Freins et SIGNAUX, anak perusahaan
Westinghouse yang terletak di Paris. Matere memiliki pengalaman sebelumnya dalam
pengembangan rectifier Kristal dari silicon dan germanium dalam upaya radar Jerman
selama perang dunia II.
Dengan pengetahuan ini, dia mulai meneliti fenomena interferensi pada 1947. Pada
bulan juni 1948, ia menyaksikan arus yang mengalir melalui titik kontak. Matare
konsisten menggunakan sampel dari germanium yang dihasilkan oleh Welker, mirip
dengan apa yang Bardeen dan Brattain telah capai sebelumnya pada Desember 1947.
Menyadari bahwa para ilmuawan laboratorium AT&T’s Bell sudah menemukan
transistor sebelum mereka, perusahaan itu memproduksi dan menambahkan
komponen baru dengan nama “transistron” ke dalam produksi untuk digunakan dalam
jaringan telepon di Prancis. BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
9
Salah satu jenis transistor lain dalam perkembangan sejarah transistor adalah
transistor berfrekuensi tinggi, dimana pengembangan transistor jenis ini adalah
perusahaan PHILCO (Philadelphia Storage Battery Company) dimana perusahaan ini
adalah perintis dalam bidang produksi radio, batterai, dan televisi. Kemampuan
transistor yang dikembangkan PHILCO ini memungkinkan transistor bekerja pada
frekuensi 60 MHz, dari mulai era tersebut transistor mengalami berbagai
perkembangan lebih lanjut.
Sejarah transistor tidak terlepas dari berbagai pengembangan supaya menjadi lebih
efisien, efektif dalam hal bentuk dan fungsi, sehingga sampai saat ini bisa kita temukan
berbagai jenis transistor. Transistor yang sering digunakan dalam rangkaian
elektronika adalah jenis transistor bipolar junction (BJT), Field Effect Transistor (FET),
Metal Oxide Silicon FET (MOSFET).
Pada prinsipnya, suatu transistor terdiri atas dua buah dioda yang disatukan. Agar
transistor dapat bekerja, kepada kaki kakinya harus diberikan tegangan, tegangan ini
dinamakan bias voltage. Basis-emitor diberikan forward voltage, sedangkan basis-
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
kolektor diberikan reverse voltage. Transistor yang dibahas ini adalah Bipolar Junction
Transistor (BJT) karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan
elektron di kutub negatif mengisi kekurangan elektron (hole) dikutub positif. Sifat
transistor adalah bahwa antara kolektor dan emitor akan ada arus (transistor akan
menghantar) bila ada arus basis. Makin besar arus basis makin besar
penghantarannya.
10
Berbagai bentuk transistor yang terjual di pasaran, bahan selubung kemasannya juga
ada berbagai macam misalnya selubung logam, keramik dan ada yang berselubung
polyester. Transistor pada umumnya mempunyai tiga kaki, kaki pertama disebut basis
(B), kaki berikutnya dinamakan kolektor (C) dan kaki yang ketiga disebut emitor (E).
Suatu arus listrik yang kecil pada basis akan menimbulkan arus yang jauh lebih besar
diantara kolektor dan emitornya, maka dari itu transistor digunakan untuk memperkuat
arus (amplifier).
Terdapat dua jenis transistor ialah jenis NPN dan jenis PNP. Pada transistor jenis NPN
tegangan basis dan kolektornya positif terhadap emitor, sedangkan pada transistor
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
11
7XVYOXYVHER4VMRWMT/IVNE8VERWMWXSV
Transistor dibangun dengan menumpuk tiga lapisan yang berbeda dari bahan
semikonduktor bersama-sama. Beberapa lapisan memiliki elektron lebih yang
ditambahkan (“doping”), dan yang kekurangan elektron (didoping dengan “lubang” -
tidak adanya elektron). Bahan semikonduktor dengan kelebihan electron disebut tipe-
n (n untuk negatif karena elektron memiliki muatan negatif) dan bahan semikonduktor
dengan kekurangan elektron disebut tipe-p (untuk positif). Transistor dibuat oleh salah
susun n di atas p di atas sebuah n, atau p lebih n lebih p.
Bisa dikatakan bahwa elektron dapat dengan mudah mengalir dari n daerah untuk
daerah p, asalkan mereka memiliki sedikit kekuatan (tegangan) untuk mendorongnya.
Akan tetapi untuk mengalirkan elektron dari daerah p ke daerah n benar-benar sulit
(membutuhkan banyak tegangan). Tapi hal khusus tentang transistor (pada gambar di
bawah ini) menyatakan bahwa elektron dapat dengan mudah mengalir dari dasar tipe-
p ke n jenis kolektor selama pertemuan basis-emitor diberi bias maju (berarti tegangan
pada basis lebih tinggi daripada tegangan pada emitor).
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
12
NPN transistor dirancang untuk meluluskan elektron dari emitor ke kolektor (arus
mengalir dari kolektor ke emitor). emitor “memancarkan” elektron ke basis, yang
mengontrol jumlah pancaran elektron pada emitor. Sebagian besar elektron yang
dipancarkan tersebut “dikumpulkan” oleh kolektor, yang mengirimkannya bersama ke
bagian selanjutnya dari rangkaian.
Sebuah PNP bekerja dengan cara yang sama tapi berlawanan. Basis masih mengontrol
aliran arus, tapi arus tersebut mengalir dengan arah yang berlawanan- dari emitor ke
kolektor. Emitor memancarkan “lubang (hole)” (tidak adanya konseptual elektron) yang
dikumpulkan oleh kolektor. Transistor itu seperti katup elektron. Kaki basis mengatur
aliran elektron dari emitor ke kolektor.
Sebagai mixer
Sebagai osilator
Sebagai switch
Sebagai Digital Logic
13
4IQFIVMER8IKERKER1YOE:SPXEKI&MEW
4EHE8VERWMWXSV
Agar transistor dapat bekerja maka pemberian tegangan muka pada transistor harus
seperti diatas yaitu:
Dioda BE di beri bias maju (forward bias)
Dioda BC di beri bias mundur (reverse bias)
G 6ERKOYQER
Transistor adalah Komponen aktif yang dibuat dari bahan semikonduktor yang
memiliki 3 kaki yakni Basis, Kolektor dan Emitor.
Jenis transistor BJT adalah PNP dan NPN.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
H 8YKEW
1. Jelaskan fungsi dari Transistor?
2. Sebutkan 5 Tipe Transistor yang termasuk ke dalam jenis transistor NPN?
3. Jelaskan persamaan dan perbedaan transistor bipolar germanium dan transistor
bipolar silikon!
I 8IW*SVQEXMJ
7SEP4MPMLER+ERHE
1. Transistor berasal dari kata “transfer dan resistor” artinya...
a. Trafo dan resistor
b. Resistor dan induktor
c. Kapasitor dan resisto
d. perpindahan muatan
e. perpindahan hantaran
7. Untuk mengukur transistor tipe npn dengan multimeter analog, kabel probe merah
sebaiknya dihubungkan dengan transistor kaki...
a. Basis dan Emitor
b. Colector dan Emitor
c. Basis dan Colector
d. Basis
e. Colector
b. Arus Emittor
c. Tegangan kolektor
d. Resistor kolektor
e. Tegangan emitor
9. Agar transistor bekerja dengan baik maka basis-emitor di beri bias maju dan bias
mundur pada…
16
a. Kolektor - Emitor
b. Basis - Source
c. Kolektor - Basis
d. Emitor - Basis
e. Emitor – Kolektor
10. Diantara jenis package dari transistor adalah sebagai berikut, kecuali…
a. TO-220
b. DPAK
c. SOT-23
d. MT-200
e. TQFP128
7SEP)WWE]
1. Apa yang dimaksud dengan transistor bipolar?
2. Gambarkan konstruksi fisik, dioda analogi serta symbol rangkaian dari transistor
NPN dan PNP!
3. Sebutkan beberapa fungsi dari transistor!
4. Sebutkan 10 jenis package transistor!
5. Gambarkan pemberian tegangan muka (voltage bias) pada transistor NPN dan
PNP!
17
J /YRGM.E[EFER*SVQEXMJ
.E[EFER4MPMLER+ERHE
2S % & ' ( )
1
10
.E[EFER7SEP)WWE]
1. Transistor bipolar adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya dengan kanal konduksi utamanya
menggunakan dua polaritas pembawa muatan yaitu elektron dan lubang untuk
membawa arus listrik.
2.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
18
3. Fungsi transistor :
Penguat tegangan, arus dan daya
Sakelar
Mixer
Oscilator
Digital logic
5. Gambaran pemberian tegangan muka (voltage bias) pada transistor NPN dan PNP
19
K 0IQFEV/IVNE
1)2)289/%2/%/-/%/-86%27-7836
4IVEPEXERHEROSQTSRIR]ERKHMKYREOER
2S 2EQE4IVEPEXER/SQTSRIR 7TIWMJMOEWM .YQPEL
3. Transistor 2N 3904 1 bh
4. Transistor 2N 3906 1 bh
5. Transistor C 9012 1 bh
6. Transistor C 9013 1 bh
7. Transistor C 9014 1 bh
8. Transistor C 9015 1 bh
9. Transistor BD 139 1 bh
6ERKOEMER4IVGSFEER
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
20
4VSWIHYV4IVGSFEER
E 1IRIRXYOER/EOM&EWMW7IFYEL8VERWMWXSV
Tes terlebih dahulu alat dan komponen-komponen yang akan
dipraktekan, setelah semuanya bisa berfungsi maka gunakanlah alat
dan komponen tersebut.
Atur posisi selector Multimeter pada pengukuran Ohmmeter x1.
Lakukan pengukuran seperti gambar di atas.
Perhatikan penunjukkan pergerakan jarum. Apabila jarum bergerak
ke kanan dengan posisi probe yang satu tetap pada kaki 3 dan probe
lainnya pada kaki 1 atau kaki 2 berarti kaki 3 adalah basis transistor.
Jika probe positif (merah) yang berada pada kaki 3 berarti transistor
tersebut berjenis PNP, sebaliknya jika probe negatif berada pada kaki
3 berarti transistor tersebut berjenis NPN.
F 1IRIRXYOER/EOM)QMXSV(ER/SPIOXSV7IFYEL8VERWMWXSV
Misal transistor yang kita gunakan berjenis PNP.
Ubahlah pengali Ohmmeter dari yang x1 menjadi x10K.
Lakukan pengukuran seperti gambar diatas.
Kaki 3 (basis) yang awalnya terhubung dengan probe positif (merah),
ditukar dengan probe hitam, kemudian probe merah dihubungkan
pada kaki 1 atau kaki 2. Jika pada saat dihubungkan ke kaki 1
penunjukan jarum bergerak dan pada kaki 2 jarum diam saja, maka
kaki 1 merupakan Emitor dan kaki 2 merupakan kolektor. Karena
dalam teori transistor dijelaskan bahwa hambatan kolektor lebih
besar dibandingkan hambatan emitor.
Untuk transistor jenis PNP dapat dilakukan seperti diatas, hanya
probenya saja yang dirubah dari awalnya basis terhubung dengan
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
3.
4.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
5.
22
6.
7.
8.
%REPMWMW
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
/IWMQTYPER
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
23
/IKMEXERFIPENEVOI/YVZEOEVEOXIVMWXMOXVERWMWXSVFNX
E 8YNYER/IKMEXER4IQFIPENEVER
1. Memahami dan menggambarkan kurva karakteristik transistor.
2. Mengidentifikasi daerah kerja transistor berdasarkan pada kurva karakteristik
transistor
3. Mengaplikasikan transistor sebagai penguat dan saklar berdasarkan pada daerah
kerja transistor dan datasheet-nya
F 9VEMER1EXIVM
Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3 terminal.
Secara harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘Transfer resistor’, yaitu suatu komponen yang
nilai resistansi antara terminalnya dapat diatur. Secara umum transistor terbagi dalam
3 jenis :
1. Transistor Bipolar
2. Transistor Unipolar
3. Transistor Unijunction
Transistor bipolar bekerja dengan 2 macam carrier, sedangkan unipolar satu macam
saja, hole atau electron. Beberapa perbandingan transistor bipolar dan unipolar:
&MTSPEV 9RMTSPEV
Pada transistor bipolar, arus yang mengalir berupa arus lubang (hole) dan arus electron
atau berupa pembawa muatan mayoritas dan minoritas. Transistor dapat berfungsi
sebagai penguat tegangan penguat arus, penguat daya atau sebagai saklar Ada 2
jenis transistor yaitu PNP dan NPN.
24
Transistor di desain dari pemanfaatan sifat diode, arus menghantar dari diode dapat
dikontrol oleh electron yang ditambahkan pada pertemuan PN diode. Dengan
penambahan elekdiode pengontrol ini, maka diode semi-konduktor dapat dianggap dua
buah diode yang mempunyai electrode bersama pada pertemuan. Junction semacam
ini disebut transistor bipolar dan dapat digambarkan sebagai berikut :
Dengan memilih electrode pengontrol dari type P atau type N sebagai electrode
persekutuan antara dua diode, maka dihasilkan transistor jenis PNP dan NPN.
Transistor dapat bekerja apabila diberi tegangan, tujuan pemberian tegangan pada
25
transistor adalah agar transistor tersebut dapat mencapai suatu kondisi menghantar
atau menyumbat. Baik transistor NPN maupun PNP tegangan antara emitor dan basis
adalah forward bias, sedangkan antara basis dengan kolektor adalah reverse bias
Dari cara pemberian tegangan muka didapatkan dua kondisi yaitu menghantar dan
menyumbat seperti pada gambar transistor NPN dibawah ini.
4IQFIVMERXIKERKERTEHEXVERWMWXSV
Tegangan pada Vcc jauh lebih besar dari tegangan pada Veb. Diode basis-emitor
mendapat forward bias, akibatnya electron mengalir dari emitor ke basis, aliran
electron ini disebut arus emitor (IE). Elektron electron ini tidak mengalir dari kolektor ke
basis, tetapi sebaliknya sebagian besar electron-elektron yang berada pada emitor
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
tertarik ke kolektor, karena tegangan Vcc jauh lebih besar dari pada tegangan Veb dan
mengakibatkan aliran electron dari emitor menuju kolektor melewati basis. Electron-
elektron ini tidak semuanya tertarik ke kolektor tetapi sebagian kecil menjadi arus basis
(IB).
4IRKYEXER8VERWMWXSV
αdc = IC / IE (perbandingan antara arus kolektor dengan arus emitter)
26
Berdasarkan hukum kirchoff :
IE = (IB + IC)…………………………………… : IC
IE/IC = IB / IC + IC / IC
1/αdc = 1 / βdc + 1
1/αdc = 1/βdc + βdc/βdc
1/αdc = 1 + βdc / βdc
αdc = βdc / 1 + βdc
IE=IB+IC…………………………………………. : IC
IE/IC=IB/IC+IC/IC
1/αdc = 1 / βdc + 1
1/βdc = 1 / αdc – 1
1/βdc = 1 / αdc – αdc / αdc
1/βdc = 1 – αdc / αdc
βdc = αdc / 1 – αdc
(EIVELOIVNEXVERWMWXSV
Daerah kerja transistor dapat dibagi dalam 3 bagian sebagai berikut:
(EIVELEOXMJ
27
suatu transistor berada didaerah aktif apabila diode basis emitter dibias forward dan
diode basis kolektor berada dibias reverse.
(EIVELWEXYVEWM
suatu transistor berada didaerah saturasi apabila diode basis emitter di bias forward
dan diode basis kolektor berada dibias forward.
(EIVELGYXSJJ
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
28
suatu transistor berada pada kondisi cutoff apabila keduanya berada pada bias
reverse.
G 6ERKOYQER
Pengoperasian transistor disesuaikan dengan tipe dari transistor tersebut, yakni PNP
atau NPN. Transistor memiliki tiga daerah operasi yang sering dimanfaatkan yakni,
daerah aktif, saturasi, dan cut off.
H 8YKEW
1. Jelaskan secara singkat gambar dibawah ini!
29
3. Jelaskan kurva dibawah ini!
4. Bagaimana keadaan arus dan tegangan saat transistor berfungsi sebagai saklar
terbuka dan tertutup?
5. Sebutkan sifat waktu saat transistor pada proses ON-OFF?
I8IW*SVQEXMJ
1. Hubungan yang benar antara IC, IB, dan IE dibawah ini yang benar adalah, kecuali...
a. IC + IB = IE d. βdc = IC x IE
b. IC = αdc x IE e. αdc = IC/IE
c. IC = βdc x IB
4. Pada transistor arus yang memiliki nilai arus yang paling besar adalah…
a. Arus emitor
b. Arus kolektor
30 c. Arus basis
d. Arus bocor
e. Arus keluaran
8. Ratio arus dari 𝐼𝐼𝐼𝐼⁄𝐼𝐼𝐼𝐼 biasanya kurang dari 1 dan biasa disebut dengan
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
a. Alpha
b. Beta
c. Omega
d. Theta
e. Lambda
31
9. Titik-titik akhir dari sebuah garis beban pada kurva karakteristik transistor
merupakan titik…
a. Saturasi dan cutoff
b. Titik kerja
c. Kurva daya
d. Faktor penguatan
e. Breakdown
10. Jika arus kolektor 1.5mA dan besar hfe =50, maka arus basis adalah…
a. 3µA
b. 30µA
c. 150µA
d. 3mA
e. 15µA
7SEP)WWE]
1. Jika arus emitter sebesar 6 mA dan arus kolektor sebesar 5,75 mA, berapakah
besarnya arus basis? Berapakah nilai dari αdc?
2. Sebuah transistor mempunyai Ic sebesar 100 mA dan IB sebesar 0,5 mA,
berapakah besarnya αdc dan βdc?
3. Sebuah transistor mempunyai βdc sebesar 150. jika arus kolektor sama dengan
45 mA, berapakah besarnya arus basis?
4. Sebuah transistor 2N3298 mempunyai βdc khusus sebesar 90. jika arus emitter
sebesar 10 mA, hitunglah kira-kira besarnya arus kolektor dan arus basis?
5. Sebuah transistor mempunyai βdc = 400, berapakah besarnya arus basis, jika arus
kolektor sama dengan 50 mA?
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
J /YRGM.E[EFER*SVQEXMJ
/YRGM.E[EFER7SEPTMPMLERKERHE
No A B C D E
2
32
3
10
/YRGM.E[EFER7SEP)WWE]
1. Diketahui :
IE = 6mA
IC = 5,75mA
2. Diketahui :
IC = 100mA
IB = 0.5 mA
Jawab :
αdc=IC/IE=100/100.5=0.995
IE=IC+IB=100+0.5=100mA
βdc=IC/IB= 100/0.5=200
33
3. Diketahui:
βdc = 150
IC = 45mA
Ditanya : IB ?
Jawab:
βdc=IC⁄IB IB= 45⁄150=0.3 mA
4. Diketahui:
βdc = 90
IE = 10mA
Ditanya : IB dan IC ?
Jawab:
𝛽𝛽 90 90
𝛼𝛼 = = = = 0.989
𝛽𝛽 + 1 90 + 1 91
𝐼𝐼𝐼𝐼
𝛼𝛼 = 𝐼𝐼𝐼𝐼 = 𝛼𝛼. 𝐼𝐼𝐼𝐼 = 0.989 𝑥𝑥 10 = 9.89 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝐼𝐼𝐼𝐼
5. Diketahui:
βdc = 400
IC = 50mA
Ditanya : IB ?
Jawab:
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
34
K 0IQFEV/IVNE
E %PEX(ER/SQTSRIR
Alat dan komponen yang digunakan dalam praktikum adalah sebagai
berikut:
1. Set Osiloskop dan Probe.
2. Set Multimeter.
3. 1 Unit Function Generator.
4. 1 Unit DC Power Supply.
5. 1 Unit Project Board.
6. Kabel Jumper.
7. Unit Tang Potong.
8. Komponen:
35
KURVA KARAKTERISTIK TRANSISTOR
G 0ERKOELOIVNE
1. Susunlah komponen-komponen yang digunakan pada project board sesuai
dengan rangkaian skematik di atas (RB=100kΩ, RC = 470 kΩ)
2. Karena hanya ada satu buah multimeter, maka untuk mengukur arus
maupun tegangan dilakukan secara bergantian
3. Perhatikan rangkian sebelah kiri dan susun seperti pada gambar di atas
dengan menyambung secara seri multimeter yang digunakan dengan RB
serta VBB, sedangkan rangkaian di sebelah kanan dibiarkan saja terbuka
dengan tidak membentuk satu loop tertutup.
4. Set VBB agar arus yang terukur di multimeter (IB) tersebut sama dengan
0.02 mA. Jika sudah pindahkan multimeter ke rangkaian sebelah kanan dan
biarkan untuk sementara waktu rangkaian di sebelah kiri dalam keadaan
open circuit
5. Sekarang perhatikan rangkaian sebelah kanan, pasang multimeter secara
seri untuk mengukur arus (IC) yang melewati rangkaian sebelah kanan
6. Sambunglah rangkaian sebelah kiri yang terputus tersebut dengan jumper
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
kabel dan kemudian amati nilai IC yang terukur dengan mengubah nilai VCC
dari 0 V – 10 V
7. Jika telah mendapatkan nilai IC, sekarang amati nilai VCE dengan
memasang secara parallel multimeter tersebut,dengan terlebih dahulu
menyambungkan kembali rangkaian sebelah kanan dengan jumper
8. Ulangi lagi langkah di atas untuk nilai Ib yang berbeda (0.04 – 0.01mA)
9. Catat hasilnya dalam jurnal.
36
/IKMEXERFIPENEVOIXVERWMWXSVWIFEKEMWEOPEVIPIOXVSRMO
E 8YNYER/IKMEXER4IQFIPENEVER
Mengetahui cara menggunakan transistor sebagai saklar elektronik
Mampu merancang rangkaian transistor sebagai saklar elektronik
Mampu menganalisa rangkaian transistor sebagai saklar elektronik
Mampu mengaplikasikan transistor sebagai saklar elektronik.
F 9VEMER1EXIVM
Transistor bipolar dapat difungsikan sebagai saklar elektronika dengan memanfaatkan
dua keadaan transistor yaitu keadaan saturasi (sebagai saklar tertutup) dan keadaan
cut off (sebagai saklar terbuka). Transistor akan mengalami perubahan kondisi dari
menyumbat ke jenuh dan sebaliknya. Transistor dalam keadaan menyumbat dapat
dianalogikan sebagai saklar dalam keadaan terbuka, sedangkan dalam keadaan jenuh
seperti saklar yang menutup.
8MXMO/IVNE8VERWMWXSV
(EIVEL.IRYL8VERWMWXSV
Daerah kerja transistor saat jenuh adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus
secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah
short pada hubungan kolektor – emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan
menghantar maksimum (sambungan CE terhubung maksimum)
(EIVEL%OXMJ8VERWMWXSV
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Pada daerah kerja ini transistor biasanya digunakan sebagai penguat sinyal. Transistor
dikatakan bekerja pada daerah aktif karena transistor selelu mengalirkan arus dari
kolektor ke emitor walaupun tidak dalam proses penguatan sinyal, hal ini ditujukan
untuk menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat. Daerah aktif terletak antara
daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut off).
37
(EIVEL1EXM8VERWMWXSV
Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan transistor
menyumbat pada hubungan kolektor – emitor. Daerah cut off sering dinamakan
sebagai daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat mengalirkan
arus dari kolektor ke emitor. Pada daerah cut off transistor dapat di analogikan sebagai
saklar terbuka pada hubungan kolektor – emitor.
+VEJMO/YVZE/EVEOXIVMWXMO8VERWMWXSV
Untuk membuat transistor menghantar, pada masukan basis perlu diberi tegangan.
Besarnya tegangan harus lebih besar dari Vbe (0,3 untuk germanium dan 0,7 untuk
silicon).
Dengan mengatur Ib>Ic/β kondisi transistor akan menjadi jenuh seakan kolektor dan
emitor short circuit. Arus mengalir dari kolektor ke emitor tanpa hambatan dan Vce≈0.
Besar arus yang mengalir dari kolektor ke emitor sama dengan Vcc/Rc. Keadaan
seperti ini menyerupai saklar dalam kondisi tertutup (ON).
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
38
8VERWMWXSV/SRHMWM.IRYL7EOPEV4SWMWM32
Besarnya tegangan kolektor emitor Vce suatu transistor pada konfigurasi diatas dapat
diketahui sebagai berikut.
Vce=Vcc-Ic.Rc
Karena kondisi jenuh Vce = 0V (transistor ideal) maka besarnya arus kolektor (Ic)
adalah :
Ic= Vcc/Rc
Besarnya arus yang mengalir agar transistor menjadi jenuh (saturasi) adalah:
Rb= (Vi-Vbe)/Ib
Ib > Ic/β
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
39
8VERWMWXSV/SRHMWM1EXM7EOPEV4SWMWM3**
Dengan mengatur Ib = 0 atau tidak memberi tegangan pada bias basis atau basis diberi
tegangan mundur terhadap emitor maka transistor akan dalam kondisi mati (cut off),
sehingga tak ada arus mengalir dari kolektor ke emitor (Ic≈0) dan Vce ≈ Vcc. Keadaan
ini menyerupai saklar pada kondisi terbuka seperti ditunjukan pada gambar diatas.
Besarnya tegangan antara kolektor dan emitor transistor pada kondisi mati atau cut
off adalah :
Vce=Vcc-Ic.Rc
Vce=Vcc.Rc
Vce=Vcc
Ib= Ic/β
Ib=0
40
8VERWMWXSV(EVPMRKXSR
Terkadang penguat arus DC dari transistor bipolar terlalu rendah untuk secara
langsung mengalirkan arus beban atau tegangan, jadi diperlukan beberapa transitor
yang dirangkai seri (multiple switching Transistors). Di sini, satu transistor masukan
kecil digunakan untuk mengganti "ON" atau "OFF" output transistor dan menangani
arus yang jauh lebih besar. Untuk memaksimalkan sinyal penguatan, kedua transistor
dihubungkan dalam "Complementary Gain Compounding Configuration" atau yang
lebih umum disebut "Konfigurasi Darlington" dimana faktor penguatanya adalah
perkalian penguatan dari masing-masing transistor.
Transistor Darlington hanya berisi dua tipe transistor bipolar NPN atau PNP yang saling
dihubungkan sehingga penguat arus transistor pertama dikalikan dengan penguat arus
transistor kedua untuk menghasilkan komponen yang berfungsi seperti transistor
tunggal dengan arus output sangat tinggi dengan arus basis yang jauh lebih kecil. Nilai
penguat arus (β) atau Hfe pada komponen darlington tersebut adalah :
Jadi Transistor Darlington dengan nilai β yang sangat tinggi dan arus Kolektor yang
tinggi sama dengan satu saklar transistor. Sebagai contoh, jika transistor masukan
pertama memiliki penguat arus 100 dan transistor pengalih kedua memiliki penguat
arus 50 maka total penguat arus akan menjadi 100 x 50 = 5000. Jadi misalnya, jika
arus beban kita dari atas adalah 200mA , Maka basis Darlington saat ini hanya 200mA
/ 5000 = 40uA.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
41
/SRJMKYVEWM8VERWMWXSV(EVPMRKXSR
Konfigurasi saklar transistor NPN Darlington di atas menunjukkan Kolektor dari dua
transistor yang dihubungkan bersamaan dengan Emitor transistor pertama yang
terhubung ke terminal Basis transistor kedua oleh karena itu, arus emitor transistor
pertama menjadi arus basis transistor kedua yang beralih Itu "ON".
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Transistor pertama atau "input" menerima sinyal input ke Basis-nya. Transistor ini
menguatkannya dengan cara biasa dan menggunakannya untuk menggerakkan
transistor "output" kedua yang lebih besar. Transistor kedua memperkuat sinyal lagi
sehingga menghasilkan arus yang sangat tinggi. Salah satu karakteristik utama
Transistor Darlington adalah menghasilkan arus yang sangat tinggi dibandingkan
dengan transistor bipolar tunggal.
42
Serta kemampuan penguat arus dan tegangan tinggi yang meningkat, keuntungan lain
dari "Switch Transistor Darlington" berada pada kecepatan peralihan yang tinggi
sehingga membuatnya ideal untuk digunakan dalam sirkuit inverter, sirkuit
pencahayaan dan aplikasi kontrol motor DC atau motor stepper.
G6ERKOYQER
Transistor bipolar dapat difungsikan sebagai saklar elektronika dengan
memanfaatkan dua keadaan transistor yaitu keadaan saturasi (sebagai saklar
tertutup) dan keadaan cut off (sebagai saklar terbuka).
Pada saat cut off tegangan kolektor emitter sama dengan tegangan sumber
kolektor dan arus basis mendekati nol.
H8YKEW
c. Sebuah rangkaian transistor jenis silikon sebagai
sakelar seperti gambar disamping memiliki βdc =
200, IB = 20µA dan Vin = 2.5 V. Tentukan nilai
resistor basis (RB) agar rangkaian sakelar dalam
kondisi full beban (ON)!
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
43
I8IW*SVQEXMJ
1. Diantara komponen elektonika berikut yang digunakan sebagai sakelar dalam
system switching regulator adalah
a. Resistor
b. Diode
c. Transistors
d. Relay
e. Capasitor
sakelar tertutup
b. Basis - kolektor dibias maju
c. Tegangan basis-emitor VBE < 0.7V
d. Arus kolektor mengalir maksimal
e. Vout = 0V
7. Dalam sebuah rankaian transistor disamping, Jika VCC = +18V dan R1 4K7 serta
7. R2
Dalam sebuah
1K5, makarankaian
berapa transistor
tegangandisamping,
bias padaJika VCC = +18V dan R1 4K7 serta
R2 1K5, maka berapa tegangan bias pada
basisnya?
basisnya?
a. 8.70 V
a.
b. 8.70
4.35 V
V
b. 4.35 V
c. 2.90 V
c.
d. 2.90
0.7 VV
d. 0.7 V
e. 13.64V
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
e. 13.64V
45
8. Pada gambar rangkaian transistor disamping, berapa
arus IB jika diketahui VCC=12V, RB=30K dan βdc=50?
a. 0.240mA
b. 0.377mA
c. 0.400mA
d. 0.600mA
e. 20mA
46
7SEP)WWE]
1. Transistor 2N 3904 mempunyai βdc = 100, dengan
bahan silikon. Berapa besar tegangan pada terminal
kolektor emitor (VCE)?
47
4. Rangkaian transitor Q1 memiliki βdc = 100, IB = 0.2mA,
VLED = 3V dan VCC= 12V. Tentukan nilai RB dan RC agar
LED menyala!
J/YRGM.E[EFER*SVQEXMJ
/YRGM.E[EFER7SEP4MPMLER+ERHE
2S % & ' ( )
1
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
48
/YRGM.E[EFER7SEP)WWE]
1. Diketahui:
βdc = 100
RB = 1MΩ
RC = 5KΩ
VB = 10V
VCC = 20V
VBE silicon =0.7V
Ditanya : VCE ?
Jawab:
𝑉𝑉𝑉𝑉 − 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 10 − 0.7
𝐼𝐼𝐼𝐼 = = = 9.3𝜇𝜇𝜇𝜇
𝑅𝑅𝑅𝑅 106
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 − 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 − 𝐼𝐼𝐼𝐼. 𝑅𝑅𝑅𝑅 = 20 − 0.93. 10−3 𝑥𝑥 5. 103 = 15.35𝑉𝑉
2. Diketahui :
βdc = 200
IB = 20µA
Vin = 2.5 V
Ditanya : RB ?
Jawab :
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 − 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 2.5 − 0.7
𝑅𝑅𝑅𝑅 = = = 90𝐾𝐾Ω
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
3. Diketahui :
βdc = 200
IC = 200mA
Vin = 5 V
Ditanya : IB dan RB ?
49
Jawab :
𝐼𝐼𝐼𝐼 200𝑚𝑚𝑚𝑚
𝐼𝐼𝐼𝐼 = = = 1𝑚𝑚𝑚𝑚
𝛽𝛽𝛽𝛽𝛽𝛽 200
IC pada transistor:
Maka :
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 − 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 12𝑉𝑉 − 3𝑉𝑉
𝑅𝑅𝑅𝑅 = = = 450Ω
𝐼𝐼𝐼𝐼 20. 10−3
5. Diketahui:
R1 = 10K
R2 = 2K
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
VCC = 18V
Ditanya : VB?
Jawab :
𝑅𝑅2 2𝐾𝐾
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑥𝑥𝑥𝑥𝑥𝑥𝑥𝑥 = 𝑥𝑥18 = 3𝑉𝑉
𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2 10𝐾𝐾 + 2𝐾𝐾
50
K0IQFEV/IVNE
4IVGSFEER
86%27-78362427)&%+%-7%/0%6
E 4IVEPEXERHEROSQTSRIR]ERKHMKYREOER
Nama Peralatan /
No. Spesifikasi Jumlah
Komponen
1. DC Power Supply 0 – 30 V / 3 A 1 bh
5. Led 5 mm 1 bh
6. Resistor 330 Ω 1 bh
7. Resistor 10 KΩ 1 bh
F 6ERKOEMER4IVGSFEER
51
G /IWIPEQEXER/IVNE
a. Pastikan tegangan keluaran catu daya sesuai yang dibutuhkan!
b. Dalam menyusun rangkaian, perhatikan letak kaki-kaki komponen
c. Sebelum catu daya dihidupkan, hubungi guru untuk mengecek kebenaran
pemasangan rangkaian!
H 4VSWIHYV4IVGSFEER
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar diatas.
2. Hubungkan dengan sumber tegangan 5 VDC.
3. Pada kondisi switch (SW 1) open, perhatikan kondisi LED.
4. Ukurlah besar tegangan pada V R1, V LED1, V CE, V BE dan besar kuat arus listrik
IB dan IC. Masukan hasil pengukuran pada table 4.1.
5. Pada kondisi switch (SW 1) close, perhatikan kondisi LED.
6. Ukurlah besar tegangan pada VR1, VLED1, VCE, VBE dan besar kuat arus listrik
IB dan IC. Masukan hasil pengukuran pada table 4.2.
I ,EWMP4IVGSFEER
Tabel 4.1. Kondisi Switch (SW 1) Open
/32(-7- 8-8-/4)2+9/96%2
23 /)8
0)( :6 :0)( :') :&) -& -'
/32(-7- 8-8-/4)2+9/96%2
23 /)8
0)( :6 :0)( :') :&) -& -'
52
J%REPMWMW
____________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________
K/IWMQTYPER
____________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________
L8YKEW
53
c. Mengapa pada saat Switch (SW 1) Close, kondisi LED Menyala?
__________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
54
4IVGSFEER
86%27-78364247)&%+%-7%/0%6
E 4IVEPEXERHEROSQTSRIR]ERKHMKYREOER
No. Nama Peralatan / Komponen Spesifikasi Jumlah
1. DC Power Supply 0 – 30 V / 3 A 1 bh
5. Led 5 mm 1 bh
6. Resistor ?Ω 1 bh
7. Resistor ? KΩ 1 bh
55
G /IWIPEQEXER/IVNE
Pastikan tegangan keluaran catu daya sesuai yang dibutuhkan!
Dalam menyusun rangkaian, perhatikan letak kaki-kaki komponen
Sebelum catu daya dihidupkan, hubungi guru untuk mengecek kebenaran
pemasangan rangkaian!
H 4VSWIHYV4IVGSFEER
1. Perhatikan gambar diatas, kemudian hitunglah besar nilai R B dan RC sesuai
rumus saturasi dan cut off, jika nilai yang ditentukan besar tegangan sumber
(VCC) = 9V, IC = 19 mA dan IB = 0,38 mA. Masukan hasilnya pada Tabel 4.1.
2. Jika besar nilai RB dan RC nya sudah diketahui, maka buatlah rangkaian seperti
gambar diatas.
3. Hubungkan dengan sumber tegangan 9 VDC.
4. Pada kondisi switch (SW 1) open, perhatikan kondisi LED.
5. Ukurlah besar tegangan pada V RC, V LED1, V CE, V BE dan besar kuat arus listrik
IB dan IC. Masukan hasil pengukuran pada table 4.2.
6. Pada kondisi switch (SW 1) close, perhatikan kondisi LED.
7. Ukurlah besar tegangan pada V RC, V LED1, V CE, V BE dan besar kuat arus listrik
IB dan IC. Masukan hasil pengukuran pada table 4.3.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
56
I ,EWMP4IVGSFEER
8EFIP&IWEV2MPEM6&HER6'
8-8-/4)2+9/96%2
23 /32(-7-0)( /)8
:6 :0)( :') :&) -& -'
57
J %REPMWMW
_______________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________________
K /IWMQTYPER
_______________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________________
L 8YKEW
1. Jelaskan cara kerja Transistor PNP sebagai saklar?
2. Mengapa pada pemberian arus basis (IB) pada Transistor PNP dan NPN berbeda?
Jelaskan mengapa demikian?
3. Perhatikan kuat arus yang mengalir pada IC, apakah hasil perhitungan sama dengan
pengukuran? Jika berbeda mengapa terjadi demikian?
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
58
/IKMEXERFIPENEVOI8VERWMWXSVWIFEKEMHMKMXEPPSKMG
E8YNYER/IKMEXER4IQFIPENEVER
1. Siswa dapat menjelaskan transistor sebagai digital logic
2. Siswa dapat memahami transistor sebagai digital logic
3. Siswa dapat mempraktekkan transistor sebagai digital logic
F9VEMER1EXIVM
Transistor dapat dikombinasikan menjadi semua dasar dari gerbang logika antara lain
AND, OR, dan NOT. Dimana pada gerbang AND nilai keluaran akan benilai 1 jika kedua
atau lebih inputnya bernilai 1 juga. Untuk gerbang OR, nilai keluaran akan bernilai 1 jika
salah 1 atau semua inputnya bernilai 1 dan NOT akan bernilai 1 jika inpunya bernilai 0
dan sebaliknya.
8VERWMWXSVWIFEKEMMRZIVXIV
Dibawah ini adalah rangkaian transistor yang diimplementasikan sebagai inverter atau
gerbang logika NOT.
Jika tegangan tinggi diberikan kepada basis maka akan menghidupkan transistor
dimana kolektor dan emitor akan terhubung.
Ketika emitor dihubungkan ke ground atau tanah, maka kolektor secara otomatis
terhubung ke ground ( meskipun tegangannya sedikit lebih tinggi, sekitar VCE (sat) ~
59
0,05-0,2V). Jika input tegangan pada basisnya rendah, maka transistor terlihat seperti
rangkaian terbuka, dan output diambil dari VCC.
+IVFERK%2(
Berikut adalah sepasang transistor yang digunakan untuk membuat 2 masukan
gerbang AND.
Jika salah satu transistor dimatikan, maka output pada kolektor transistor kedua akan
ditarik rendah. Jika kedua transistor hidup (tegangan basis keduanya tinggi), maka
output dari rangkaian akan bernilai tinggi.
+IVFERK36
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Di sirkuit ini, jika salah satu (atau keduanya) A atau B yang tinggi, bahwa transistor
masing akan menyala, dan tarik output tinggi. Jika kedua transistor off, maka output
Transistor BJT dapat berfungsi sebagai rangkaian gerbang logika. Yakni gerbang
logika AND, OR dan NOT.
Transistor gerbang not disebut juga INVERTER.
H8YKEW
1. Buatlah rangkaian transistor sebagai digital logic AND!
2. Buatlah rangkaian transistor sebagai digital logic NOT!
I8IW*SVQEXMJ
1. Transistor digunakan sebagai rangkaian digital (digital logic) ketika berada
dalam…
a. Daerah aktif
b. Daerah breakdown
c. Daerah saturasi dan cut off
d. Daerah linear
e. Daerah jenuh
2. Ketika tidak ada arus pada basis sebuah transistor, maka tegangan ouput dari
transistor adalah…
a. 0V
b. VCC
c. Tidak berubah
d. Tidak diketahui
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
e. Mengambang
61
3. Gambar disamping adalah contoh
rangkaian transistor sebagai
gerbang logika…
a.NOT
b.AND
c.OR
d.NOR
e. NAND
62
d.NOR
e. NAND
c.OR
d.NOR
e. NAND
63
10. Gambar disamping adalah contoh rangkaian
transistor sebagai gerbang logika…
a.NOT
b.AND
c.OR
d.NOR
e. NAND
J/YRGM.E[EFER*SVQEXMJ
/YRGM.E[EFER7SEP4MPMLER+ERHE
No A B C D E
10
K0IQFEV/IVNE
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
86%27-78367)&%+%--2:)68)6
E %PEXHER/SQTSRIR
Alat dan komponen yang digunakan dalam praktikum adalah sebagai berikut:
1. Set Osiloskop dan Probe.
2. Set Multimeter.
3. 1 Unit Function Generator.
64
4. 1 Unit DC Power Supply.
5. 1 Unit Project Board.
6. Kabel Jumper.
7. Unit Tang Potong.
8. Komponen:
Transistor BJT BC 140
Resistor 100 kΩ, 470 kΩ, 47 kΩ, 10 kΩ, 1 kΩ, 27k Ω, 10 Ω, 50Ω dan 4k7 Ω
Kapasitor ELCO 4.7 μF,100μF dan 470 μF
Resistor variable 100kΩ
Led
F /IWIPEQEXER/IVNE
Pastikan tegangan keluaran catu daya sesuai yang dibutuhkan!
Dalam menyusun rangkaian, perhatikan letak kaki-kaki komponen
Sebelum catu daya dihidupkan, hubungi guru untuk mengecek kebenaran
pemasangan rangkaian!
G 0ERKOEL/IVNE
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
66
/IKMEXER&IPENEV/I8VERWMWXSVWIFEKEMTIRKYEX
E8YNYER/IKMEXER4IQFIPENEVER
1. Siswa dapat menjelaskan rangkaian transistor sebagai penguat
2. Siswa dapat memahami penggunaan transistor sebagai penguat
3. Siswa dapat mempraktekkan transistor sebagai penguat
F9VEMER1EXIVM
Rangkaian Dasar Transistor
Common Base
67
'SQQSR'SPIGXSV
'SQQSR)QMXSV
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
H8YKEW
1. Gambarkan dan jelaskan karakteristik dari rangkaian common base!
2. Gambarkan dan jelaskan karakteristik dari rangkaian common emitor!
3. Gambarkan dan jelaskan karakteristik dari rangkaian common kolektor!
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
I8IW*SVQEXMJ
7SEP4MPMLER+ERHE
1. Pemakaian basis secara bersama sebagai input dan output dinamakan rangkaian...
a. Common Emitor d. Forward Bias
b. Common Collector e. Reverse Bias
c. Common Base
69
2. Rangkaian dibawah ini adalah konfigurasi transistor...
a. Common Emitter
b. Common Collectoxr
c. Common Base
d. Forward Bias
e. Reverse Bias
6. Yang dimaksud dengan penguat (Gain) adalah perbandingan antara arus, tegangan
dan daya output terhadap...
a. arus, tegangan, dan daya input
b. arus, tegangan, dan impedansi input
c. tegangan dan impedansi input saja
d. arus, tahanan, dan daya input
e. impedansi dan tegangan output
70
7. Jika sebuah sinyal sebesar 2mV menghasilkan ouput sebesar 2V maka berapa
penguatan tegangannya?
a. 0.001
b. 0.004
c. 100
d. 1000
e. 10000
8. Hubungan phase dari input dan output pada penguat common collector dan
common base adalah..
a. 270 derajat
b. 180 derajat
c. 120 derajat
d. 90 derajat
e. 0 derajat
10. Jika sebuah sinyal input memiliki range 20-40µA dan sinyal ouput memiliki range 0.5-
1.5mA, berapa nilai βac?
a. 0.05
b. 20
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
c. 25
d. 50
e. 500
71
7SEP)WWE]
1. Jelaskan yang dimaksud dengan penguatan pada transistor!
2. Sebutkan 3 klasifikasi penguat pada transistor!
3. Gambarkan dan jelaskan karakteristik dari rangkaian common base!
4. Gambarkan dan jelaskan karakteristik dari rangkaian common Collector!
5. Gambarkan dan jelaskan karakteristik dari rangkaian common Emitter!
J/YRGM.E[EFER*SVQEXMJ
/YRGM.E[EFER7SEP4MPMLER+ERHE
2S % & ' ( )
/YRGM.E[EFER7SEP)WWE]
1. Penguatan adalah perbandingan antara arus, tegangan dan daya output dari
sebuah rangakaian transistor terhadap arus, tegangan dan daya input.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
72
Karakteristik:
Impedansi input rendah
Impedansi output sangat tinggi
Sudut phase I/O adalah 0˚
Penguatan tegangan tinggi
Penguatan arus rendah
Penguatan daya rendah
Karakteristik:
Impedansi input tinggi
Impedansi output rendah
Sudut phase I/O adalah 0˚
Penguatan tegangan rendah
Penguatan arus tinggi
Penguatan daya menengah
Karakteristik:
Impedansi input menengah
Impedansi output tinggi
Sudut phase I/O adalah 180˚
Penguatan tegangan menengah
Penguatan arus menengah
Penguatan daya sangat tinggi 73
K0IQFEV/IVNE
E %0%8(%2/31432)2
Alat dan komponen yang digunakan dalam praktikum adalah sebagai berikut:
1. Set Osiloskop dan Probe.
2. Set Multimeter.
3. 1 Unit Function Generator.
4. 1 Unit DC Power Supply.
5. 1 Unit Project Board.
6. Kabel Jumper.
7. Unit Tang Potong.
8. Komponen:
Transistor BJT BC 140
Resistor 100 kΩ, 470 kΩ, 47 kΩ, 10 kΩ, 1 kΩ, 27k Ω, 10 Ω, 50Ω dan 4k7 Ω
Kapasitor ELCO 4.7 μF,100μF dan 470 μF
Resistor variable 100Kω
Led
F /IWIPEQEXER/IVNE
Pastikan tegangan keluaran catu daya sesuai yang dibutuhkan!
Dalam menyusun rangkaian, perhatikan letak kaki-kaki komponen
Sebelum catu daya dihidupkan, hubungi guru untuk mengecek kebenaran
pemasangan rangkaian!
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
74
G 0ERKOEL/IVNE
PENGUAT COMMON BASE
75
PENGUAT COMMON EMITTER
0ERKOEL/IVNE
1. Susunlah komponen-komponen yang digunakan pada project board sesuai
dengan rangkaian skematik di atas.
2. Berikan sinyal input dan ukur harganya (Vi). Dengan amplitude kurang dari 50mV
(sinyal kecil) dan frekuensi 1kHz.
3. Sambungkan Probe Ch1 Osiloskop pada input dan Ch2 pada output.
4. Amati sinyal output dan hitung berapa penguatannya.
5. Ukur tahanan masukan (Rin) dan tahanan luaran (Rout) menggunakan
potensiometer.
6. Cara pengukuran Rin dan Rout sama seperti praktikum sebelumnya.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
76
PENGUAT COMMON COLLECTOR
0ERKOEL/IVNE
1. Susunlah komponen-komponen yang digunakan pada project board sesuai
dengan rangkaian skematik di atas.
2. Berikan sinyal input dan ukur harganya (Vi). Dengan amplitude kurang dari 50mV
(sinyal kecil) dan frekuensi 1kHz.
3. Sambungkan Probe Ch1 Osiloskop pada input dan Ch2 pada output.
4. Amati sinyal output dan hitung berapa penguatannya.
5. Ukur tahanan masukan (Rin) dan tahanan luaran (Rout) menggunakan
potensiometer.
6. Cara pengukuran Rin dan Rout sama seperti praktikum sebelumnya.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
77
/IKMEXERFIPENEVOI4IRKYEXXVERWMWXSVOIPEWEFEFGHL
E8YNYER/IKMEXER4IQFIPENEVER
Dengan mempelajari materi ini siswa dapat:
1. Menjelaskan transistor sebagai penguat daya berdasarkan kelasnya
2. Memahami transistor sebagai penguat daya berdasarkan kelasnya
3. Menerapkan transistor sebagai penguat daya berdasarkan kelasnya
F9VEMER1EXIVM
Sudah menjadi suatu hal yang lumrah jika seseorang selalu mencari sesuatu yang lebih
baik. Tak terkecuali di bidang rancang bangun penguat amplifier, perancang, peminat
atau insinyur elektronika tak pernah berhenti mencari berbagai macam konsep yang lebih
baik. Ada beberapa jenis penguat audio yang dikategorikan antara lain sebagai penguat
class A, B, AB, C, D, T, G, H dan beberapa tipe lainnya yang belum disebut di sini. Tulisan
berikut membahas secara singkat apa yang menjadi ciri dan konsep dari sistem power
amplifier (PA) tersebut.
*MHIPMXEWHER)JMWMIRWM
Penguat audio (amplifier) secara harfiah diartikan dengan memperbesar dan
menguatkan sinyal input. Tetapi yang sebenarnya terjadi adalah, sinyal input di-replika
(copied) dan kemudian di reka kembali (re-produced) menjadi sinyal yang lebih besar dan
lebih kuat. Dari sinilah muncul istilah fidelitas (fidelity) yang berarti seberapa mirip bentuk
sinyal keluaran hasil replika terhadap sinyal masukan. Ada kalanya sinyal input dalam
prosesnya kemudian terdistorsi karena berbagai sebab, sehingga bentuk sinyal
keluarannya menjadi cacat. Sistem penguat dikatakan memiliki fidelitas yang tinggi
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
(high fidelity), jika sistem tersebut mampu menghasilkan sinyal keluaran yang
bentuknya persis sama dengan sinyal input. Hanya level tegangan atau amplituda saja
yang telah diperbesar dan dikuatkan. Di sisi lain, efisiensi juga mesti diperhatikan.
Efisiensi yang dimaksud adalah efisiensi dari penguat itu yang dinyatakan dengan
besaran persentasi dari power output dibandingkan dengan power input. Sistem penguat
dikatakan memiliki tingkat efisiensi tinggi (100 %) jika tidak ada rugi-rugi pada proses
penguatannya yang terbuang menjadi panas.
78
1EGEQ1EGEQ4IRKYEX8VERWMWXSV
Amplifier atau power amplifier berfungsi untuk menguatkan sinyal audio setelah
mengalami proses. Sinyal yang diterima akan dikuatkan untuk kemudian di umpankan ke
loudspeaker. Maka penguat kelas dibedakan menjadi:
/IPEW%
Ciri-ciri:
Sinyal keluarannya bekerja pada daerah aktif.
Fidelitas yang tinggi
Bentuk sinyal keluarannya sama persis dengan input (asalkan sinyal masih bekerja
di daerah aktif).
Efisiensi yang rendah (25% – 50%). Karena titik Q berada pada titik A, sehingga
walaupun tidak ada sinyal input (atau ketika sinyal input = 0 Vac) transistor tetap
bekerja pada daerah aktif dengan arus bias konstan.
Transistor selalu ON sehingga sebagian besar sumber catu daya terbuang menjadi
panas.
Transistor penguat kelas A perlu ditambah dengan pendingin ekstra (misalnya
heatsink yang lebih besar).
Contoh dari penguat kelas A adalah adalah rangkaian dasar common emiter (CE)
transistor. Penguat tipe kelas A dibuat dengan mengatur arus bias yang sesuai di titik
tertentu yang ada pada garis bebannya. Sedemikian rupa sehingga titik Q ini berada tepat
di tengah garis beban kurva VCE-IC dari rangkaian penguat tersebut dan sebut saja titik ini
titik A. Gambar berikut adalah contoh rangkaian common emitor dengan transistor NPN
Q1.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
79
Garis beban pada penguat ini ditentukan oleh resistor Rc dan Re dari rumus
Selanjutnya pembaca dapat menggambar garis beban rangkaian ini dari rumus tersebut.
Sedangkan resistor Ra dan Rb dipasang untuk menentukan arus bias. Pembaca dapat
menentukan sendiri besar resistor-resistor pada rangkaian tersebut dengan pertama
menetapkan berapa besar arus Ib yang memotong titik Q.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
80
Besar arus Ib biasanya tercantum pada datasheet transistor yang digunakan. Besar
penguat sinyal AC dapat dihitung dengan teori analisa rangkaian sinyal AC. Analisa
rangkaian sinyal Ac adalah dengan menghubung singkat setiap komponen kapasitor C
dan secara imajiner menyambungkan Vcc ke ground. Dengan cara ini rangkaian gambar
1 dapat dirangkai menjadi seperti gambar 3. Resistor Ra dan Rc dihubungkan ke ground
dan semua kapasitor dihubung singkat.
Dengan adanya kapasitor Ce, nilai Re pada analisa sinyal AC menjadi tidak berarti.
Pembaca dapat mencari lebih lanjut literature yang membahas penguatan transistor
untuk mengetahui bagaimana perhitungan nilai penguatan transistor secara detail.
Penguatan didefinisikan dengan
Vout/Vin = rc/re
dimana rc adalah resistansi Rc pararel dengan beban Rl (pada penguat akhir, RL adalah
speaker 8 Ohm) dan re adalah resistansi penguatan transistor. Nilai re dapat dihitung dari
rumus
re = hfe/hie
yang datanya juga ada di datasheet transistor. Gambar di bawah ini menunjukkan
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
ilustrasi penguatan sinyal input serta proyeksinya menjadi sinyal output terhadap garis
kurva x-y rumus penguatan
81
/)0%7&
Ciri-ciri
Pushpull / Transistor bekerja bergantian antara Q1 (NPN) dan Q2 (PNP).
Panas yang dihasilkan tidak terlalu besar
Efisiensi lebih besar (75%)
Adanya cacat silang (cross over)
Tegangan Power supply +, - dan Ground.
Panas yang berlebih menjadi masalah tersendiri pada penguat kelas A. Maka dibuatlah
penguat kelas B dengan titik Q yang digeser ke titik B (pada gambar di bawah ini). Titik B
adalah satu titik pada garis beban dimana titik ini berpotongan dengan garis arus Ib = 0.
Karena letak titik yang demikian, maka transistor hanya bekerja aktif pada satu bagian
phase gelombang saja. Oleh sebab itu penguat kelas B selalu dibuat dengan 2 buah
transistor Q1 (NPN) dan Q2 (PNP).
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
82
Karena kedua transistor ini bekerja bergantian, maka penguat kelas B sering dinamakan
sebagai penguat Push-Pull. Rangkaian dasar PA kelas B adalah seperti pada gambar di
bawah. Jika sinyalnya berupa gelombang sinus, maka transistor Q1 aktif pada 50 % siklus
pertama (phase positif 0o-180o) dan selanjutnya giliran transistor Q2 aktif pada siklus 50
% berikutnya (phase negatif 180o – 360o).
Penguat kelas B lebih efisien dibanding dengan kelas A, sebab jika tidak ada sinyal input
(vin = 0 volt) maka arus bias Ib juga = 0 dan praktis membuat kedua transistor dalam
keadaan OFF.
83
Efisiensi penguat kelas B kira-kira sebesar 75%. Namun bukan berarti masalah sudah
selesai, sebab transistor memiliki ke-tidak ideal-an. Pada kenyataanya ada tegangan jepit
Vbe kira-kira sebesar 0.7 volt yang menyebabkan transistor masih dalam keadaan OFF
walaupun arus Ib telah lebih besar beberapa mA dari 0. Ini yang menyebabkan masalah
cross-over pada saat transisi dari transistor Q1 menjadi transistor Q2 yang bergantian
menjadi aktif. Gambar di bawah menunjukkan masalah cross-over ini yang penyebabnya
adalah adanya dead zone transistor Q1 dan Q2 pada saat transisi. Pada penguat akhir,
salah satu cara mengatasi masalah cross-over adalah dengan menambah filter cross-
over (filter pasif L dan C) pada masukan speaker.
/)0%7%&
Ciri-ciri
Pushpull / Transistor bekerja bergantian antara Q1 (NPN) dan Q2 (PNP).
Panas yang dihasilkan tidak terlalu besar
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
84
Cara lain untuk mengatasi cross-over adalah dengan menggeser sedikit titik Q pada garis
beban dari titik B ke titik AB. Tujuannya agar pada saat transisi sinyal dari phase positif
ke phase negative dan sebaliknya terjadi overlap diantara transistor Q1 dan Q2. Pada saat
itu, transistor Q1 masih aktif sementara transistor Q2 mulai aktif dan demikian juga pada
phase sebaliknya. Penguat kelas AB merupakan kompromi antara efisiensi (sekitar 50%-
75%) dengan mempertahankan fidelitas sinyal keluaran.
Ada beberapa teknik yang sering dipakai untuk menggeser titik Q sedikit di atas daerah
cut-off. Salah satu contohnya adalah seperti gambar-9 berikut ini. Resistor R2 di sini
berfungsi untuk memberi tegangan jepit antara base transistor Q1 dan Q2. Pembaca
dapat menentukan berapa nilai R2 ini untuk memberikan arus bias tertentu bagi kedua
transistor. Tegangan jepit pada R2 dihitung dari pembagi tegangan R1, R2 dan R3 dengan
rumus
Penguat kelas AB ternyata punya masalah dengan teknik ini, sebab akan terjadi
penggemukan sinyal pada kedua transistornya aktif ketika saat transisi. Masalah ini
disebut dengan gumming.
85
Untuk menghindari masalah gumming ini, ternyata sang insinyur tidak kehilangan akal.
Maka dibuatlah teknik yang hanya mengaktifkan salah satu transistor saja pada saat
transisi. Caranya adalah dengan membuat salah satu transistornya bekerja pada kelas
AB dan satu lainnya bekerja pada kelas B. Teknik ini bisa dengan memberi bias konstan
pada salah satu transistornya yang bekerja pada kelas AB (biasanya selalu yang PNP).
Caranya dengan menganjal base transistor tersebut menggunakan deretan dioda atau
susunan satu transistor aktif. Maka kadang penguat seperti ini disebut juga dengan
penguat kelas AB plus B atau bisa saja diklaim sebagai kelas AB saja atau kelas B karena
dasarnya adalah PA kelas B. Penyebutan ini tergantung dari bagaimana produk amplifier
anda mau diiklankan. Karena penguat kelas AB terlanjur memiliki konotasi lebih baik dari
kelas A dan B. Namun yang penting adalah dengan teknik-teknik ini bertujuan untuk
mendapatkan efisiensi dan fidelitas yang lebih baik dapat terpenuhi.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
86
/)0%7'
Ciri-ciri:
Hanya memerlukan satu Transistor
bekerja aktif hanya pada fasa positif
Efisiensi tinggi (100%)
Fidelitas lebih rendah dari kelas AB
Sering dipakai dalam rangkaian osilator pemancar
Bekerja di daerah aktif/linear.
Kalau penguat kelas B perlu 2 transistor untuk bekerja dengan baik, maka ada penguat
yang disebut kelas C yang hanya perlu 1 transistor. Ada beberapa aplikasi yang memang
hanya memerlukan 1 phase positif saja. Contohnya adalah pendeteksi dan penguat
frekuensi pilot, rangkaian penguat tuner RF dan sebagainya.
Transistor penguat kelas C bekerja aktif hanya pada phase positif saja, bahkan jika perlu
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
cukup sempit hanya pada puncak-puncaknya saja dikuatkan. Sisa sinyalnya bisa
direplika oleh rangkaian resonansi L dan C. Tipikal dari rangkaian penguat kelas C adalah
seperti pada rangkaian berikut ini.
87
10 Rangkaian Dasar Penguat Kelas C
Rangkaian ini juga tidak perlu dibuatkan bias, karena transistor memang sengaja dibuat
bekerja pada daerah saturasi. Rangkaian L C pada rangkaian tersebut akan ber-resonansi
dan ikut berperan penting dalam me-replika kembali sinyal input menjadi sinyal output
dengan frekuensi yang sama. Rangkaian ini jika diberi umpanbalik dapat menjadi
rangkaian osilator RF yang sering digunakan pada pemancar. Penguat kelas C memiliki
efisiensi yang tinggi bahkan sampai 100%, namun tingkat fidelitasnya memang lebih
rendah. Tetapi sebenarnya fidelitas yang tinggi bukan menjadi tujuan dari penguat jenis
ini.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
88
/)0%7(
Ciri-ciri
Menggunakan Teknik PWM Pulsa Width Modulation) dimana lebar dari pulsa ini
proporsional terhadap amplitudo sinyal input.
Bekerja sebagai switching transistor
Menggunakan teknik sampling
memerlukan sebuah generator gelombang segitiga dan komparator untuk
menghasilkan sinyal PWM yang proporsional terhadap amplitudo sinyal input.
Untuk Menaikkan fidelitas diperlukan filter
Sering dipakai dalam penguat digital 1 bit (on atau off ).
Penguat kelas D menggunakan teknik PWM ( Pulse Width Modulation) dimana lebar dari
pulsa ini proporsional terhadap amplitude sinyal input. Pada tingkat akhir, sinyal PWM
men-drive transistor switching ON dan OFF sesuai dengan lebar pulsanya. Transistor
switching yang digunakan biasanya adalah transistor jenis FET. Konsep penguat kelas D
ditunjukkan pada gambar 11. Teknik sampling pada system penguat kelas D memerlukan
sebuah generator gelombang segitiga dan komparator untuk menghasilkan sinyal PWM
yang proporsional terhadap amplitude sinyal input. Pola sinyal PWM hasil dari teknik
sampling digambarkan pada gambar 12. Paling akhir diperlukan filter untuk
meningkatkan fidelitas.
89
Ilustrasi modulasi PWM penguat kelas D
/)0%7)
Ciri-ciri
Mirip penguat kelas C
Memerlukan rangkaian LC dengan transistor yang bekerja kurang dari setengah duty
cycle
Bekerja sebagai switching transistor
Biasanya memerlukan Transistor jenis FET
Efisien dan cocok untuk aplikasi yang memerlukan drive arus yang besar namun
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Penguat kelas E pertama kali dipublikasikan oleh pasangan ayah dan anak Nathan D dan
Alan D Sokal tahun 1972. Dengan struktur yang mirip seperti penguat kelas C, penguat
kelas E memerlukan rangkaian resonansi L/C dengan transistor yang hanya bekerja
90 kurang dari setengah duty cycle. Bedanya, transistor kelas C bekerja di daerah aktif
(linier). Sedangkan pada penguat kelas E, transistor bekerja sebagai switching transistor
seperti pada penguat kelas D. Biasanya transistor yang digunakan adalah transistor jenis
FET. Karena menggunakan transistor jenis FET (MOSFET/CMOS), penguat ini menjadi
efisien dan cocok untuk aplikasi yang memerlukan drive arus yang besar namun dengan
arus input yang sangat kecil. Bahkan dengan level arus dan tegangan logik pun sudah
bisa membuat transitor switching tersebut bekerja. Karena dikenal efisien dan dapat
dibuat dalam satu chip IC serta dengan disipasi panas yang relatif kecil, penguat kelas E
banyak diaplikasikan pada peralatan transmisi mobile semisal telepon genggam. Di sini
antena adalah bagian dari rangkaian resonansinya.
/)0%7*
Ciri-ciri
Disebut juga penguat digital
Menggunakan konsep modulasi PWM dengan switching transistor serta filter
Proses sebelumnya adalah manipulasi bit-bit digital. Di dalamnya ada audio prosesor
dengan proses umpanbalik yang juga digital untuk koreksi waktu tunda dan fasa.
Penguat kelas T bisa jadi disebut sebagai penguat digital. Tripath Technology membuat
desain digital amplifier dengan metode yang mereka namakan Digital Power Processing
(DPP). Mungkin terinspirasi dari PA kelas D, rangkaian akhirnya menggunakan konsep
modulasi PWM dengan switching transistor serta filter. Pada penguat kelas D, proses
dibelakangnnya adalah proses analog. Sedangkan pada penguat kelas T, proses
sebelumnya adalah manipulasi bit-bit digital. Di dalamnya ada audio prosesor dengan
proses umpanbalik yang juga digital untuk koreksi timing delay dan phase.
/)0%7+
Ciri-ciri
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Termasuk penguat analog untuk memperbaiki efisiensi dari penguat kelas B/AB
Tegangan supply dibuat bertingkat karena membutuhkan tegangan yang tinggi.
Kelas G tergolong penguat analog yang tujuannya untuk memperbaiki efesiensi dari
penguat kelas B/AB. Pada kelas B/AB, tegangan supply hanya ada satu pasang yang
sering dinotasikan sebagai +VCC dan –VEE misalnya +12V dan –12V (atau ditulis dengan
+/-12volt). Pada penguat kelas G, tegangan supply-nya dibuat bertingkat. Terutama untuk
aplikasi yang membutuhkan power dengan tegangan yang tinggi, agar efisien tegangan 91
supplynya ada 2 atau 3 pasang yang berbeda. Misalnya ada tegangan supply +/-70 volt,
+/-50 volt dan +/-20 volt. Konsep ranagkaian PA kelas G seperti pada gambar-13. Sebagai
contoh, untuk alunan suara yang lembut dan rendah, yang aktif adalah pasangan
tegangan supply +/-20 volt. Kemudian jika diperlukan untuk men-drive suara yang keras,
tegangan supply dapat di-switch ke pasangan tegangan supply maksimum +/-70 volt.
/)0%7,
Ciri-ciri
Termasuk penguat analog untuk memperbaiki efisiensi dari penguat kelas B/AB
Mirip penguat kelas G dengan tegangan supply yang dapat berubah sesuai
kebutuhan
Kompleks namun efisien
Tinggi rendahnya tegangan supply dirancang agar lebih linier tidak terbatas hanya
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
ada 2 atau 3 tahap saja
Tegangan supply mengikuti tegangan output dan lebih tinggi hanya beberapa volt
Konsep penguat kelas H sama dengan penguat kelas G dengan tegangan supply
yang dapat berubah sesuai kebutuhan. Hanya saja pada penguat kelas H, tinggi
rendahnya tegangan supply di-desain agar lebih linier tidak terbatas hanya ada 2 atau 3
tahap saja. Tegangan supply mengikuti tegangan output dan lebih tinggi hanya
92
beberapa volt. Penguat kelas H ini cukup kompleks, namun akan menjadi sangat
efisien.
G6ERKOYQER
Penguat audio (amplifier) adalah memperbesar dan menguatkan sinyal input.
Fidelitas adalah seberapa mirip bentuk sinyal keluaran hasil replica terhadap sinyal
masukan.
Efisiensi penguat adalah besaran persentasi dari power output dibandingkan dengan
power input.
Setiap kelas penguatan memiliki kelemahan dan kelebihannya masing-masing baik
penguat kelas A, B, AB, C, D, T, G, H dan penguat kelas yang lain.
H8YKEW
1. Jelaskan titik kerja dari penguat transistor kelas A!
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
93
I8IW*SVQEXMJ
7SEP4MPMLER+ERHE
1. Penguat power amplifier yang paling banyak dijumpai di pasaran dan paling banyak
dipakai adalah ….
a. Penguat kelas A
b. Penguat kelas B
c. Penguat kelas AB
d. Penguat kelas D
e. Penguat kelas C
2. Penguat power amplifier yang paling banyak dijumpai di pasaran dan paling banyak
dipakai adalah ….
a. Penguat kelas A
b. Penguat kelas B
c. Penguat kelas AB
d. Penguat kelas D
e. Penguat kelas C
94
4. Ciri-ciri penguat transistor sebagai berikut
• Hanya memerlukan satu Transistor
• bekerja aktif hanya pada fasa positif
• Efisiensi tinggi (100%)
• Fidelitas lebih rendah dari kelas AB
• Sering dipakai dalam rangkaian osilator pemancar
• Bekerja di daerah aktif/linear.
6. Jika sebuah transistor memiliki power rating 1W dan arus kolektor 100mA, maka
tegangan maksimum yang diperbolehkan mengalir pada kolektor sebesar…
a. 1V
b. 100V
c. 20V
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
d. 10V
e. 2V
7. Jika sebuah transistor memiliki power rating 1W dan arus kolektor 100mA, maka
tegangan maksimum yang diperbolehkan mengalir pada kolektor sebesar…
a. Penguat tunggal
b. Penguat ganda
95
c. Penguat push-pull
d. Penguat Simetri
e. Penguat differensial
a. Penguat kelas A
b. Penguat kelas B
c. Penguat kelas C
d. Penguat kelas D
e. Penguat Kelas AB
96
10. Gambar dibawah adalah skema dasar dari sebuah penguat…
a. Penguat kelas A
b. Penguat kelas B
c. Penguat kelas C
d. Penguat kelas H
e. Penguat Kelas AB
7SEP)WWE]
1. Sebutkan ciri-ciri penguat transistor kelas A!
2. Sebutkan ciri-ciri penguat transistor kelas B!
3. Pada rangkaian penguat transistor Kelas A
berikut dimana: Vcc=12 Volt, arus kolektor Ic =
100 mA, hFE = 100 dan VBE = 0,7 Volt. Berapa
nilai resistor bias basisnya?
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
97
4. Rangkaian penguat transistor kelas A di
samping dirancang agar arus kolektornya
sebesar 10 mA dengan tegangan kolektor
sebesar 6 Volt terhadap ground, sedangkan
Vcc = 12 Volt. Berapa nilai yang tepat untuk
resistor di kolektor?
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
98
J/YRGM.E[EFER*SVQEXMJ
/YRGM.E[EFER7SEP4MPMLER+ERHE
2S % & ' ( )
/YRGM.E[EFER7SEP)WWE]
1. Ciri-ciri penguat transistor kelas A
Sinyal keluarannya bekerja pada daerah aktif.
Fidelitas yang tinggi
Bentuk sinyal keluarannya sama persis dengan input
Efisiensi yang rendah (25% – 50%).
Transistor selalu ON sehingga sebagian besar sumber catu daya terbuang
menjadi panas.
Transistor penguat kelas A perlu ditambah dengan pendingin ekstra (misalnya
heatsink yang lebih besar).
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
99
3. Diketahui :
VCC = 12V
IC = 100mA
VBE = 0.7V
β/hFE = 100
𝐼𝐼𝐼𝐼 100𝑚𝑚𝑚𝑚
𝐼𝐼𝐼𝐼 = = = 1𝑚𝑚𝑚𝑚
𝛽𝛽 100
𝑉𝑉𝑉𝑉1 5.3𝑉𝑉
𝑅𝑅1 = = = 5𝐾𝐾3 Ω
𝐼𝐼𝐼𝐼 1𝑚𝑚𝑚𝑚
4. Diketahui :
VCC = 12V
IC = 10mA
VC = 6V
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 6𝑉𝑉
𝑅𝑅𝑅𝑅 = = = 600Ω
𝐼𝐼𝐼𝐼 10𝑚𝑚𝑚𝑚
Jawab :
Untuk menemukan nilai resistor di emitter yaitu R1 harus dihitung dahulu tegangan
pada R1, arus Emitor, dan arus base, dihitung menurut nilai mana yang dapat dicari
lebih dahulu. Tegangan pada R1 yaitu:
Untuk menemukan arus emitor, harus dicari arus base lebih dahulu, yaitu:
𝑉𝑉𝑉𝑉 6𝑉𝑉
𝑅𝑅𝑅𝑅 = = = 5940.6Ω ≈ 6𝐾𝐾Ω
𝐼𝐼𝐼𝐼 1.01𝑚𝑚𝑚𝑚
101
K0IQFEV/IVNE
4IRKYEX(E]E/IPEW%
E %PEXHER&ELER
2S %PEX&ELER /IXIVERKER .YQPEL
1 Osiloskop Dual Trace 1
2 Function Generator - 1
4 Power Supply - 1
5 Probe Oskiloskop - 2
7 Capit Buaya - 4
8 Transistor TIP 41 C 1
- 120 Ω
- 820 Ω
9 Resistor @ 1 pcs
- 15 Ω
- 56 Ω
- 10 uF
10 Kapasitor - 10 uF @ 1 pcs
- 100 uF
11 Project Board - 1
102
G +EQFEV6ERKOEMER
H 0ERKOEL4IVGSFEER
Buatlah rangkaian penguat kelas A pada project board seperti pada gambar di
atas.
Hubungkan dengan Generator dan atur nilai VCC sebesar 20V.
Hubungkan probe CN1 osiloskop pada input dan ground serta probe CN2
osiloskop pada output dan ground.
Atur frekuensi pada generator sebesar 50 Hz, 100 Hz, 500 Hz, 1 KHz, 10 KHz,
20 KHz, 50 KHz.
Atur agar VCE bernilai setengah dari VCC agar sinyal keluaran tidak terpotong
dengan memutar R1.
Catat data kedalam tabel 1.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
103
8EFIP(EXETIRKEQEXERTIRKYEXHE]EOIPEW%
*VIOYIRWM
:MRQ:
:SYXQ:
%Z
,^
50
100
500
1000
10000
20000
50000
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
104
BAB III
&%&---
EVALUASI
):%09%7-
% /SKRMXMJ7OMPP
Nama Siswa : ………………………………………….
Hari, Tanggal : ………………………………………….
4MPMLPELNE[EFER]ERKFIREVHEVMWSEPWSEPHMFE[ELMRM
1. Komponen elektronika yang berfungsi sebagai penguat adalah..
a. Transistor
b. Dioda
c. Transformator
d. Condensator/elco.
e. Resistor
2. Dari gambar di bawah ini, manakah simbol transistor untuk membuat layout
PCB?
106
7. Polaritas tegangan pada transistor NPN adalah…
a. Emitor (+), Basis (+), dan Kolektor (+)
b. Emitor (-), Basis (+), dan Kolektor (-)
c. Emitor (+), Basis (+), dan Kolektor (-)
d. Emitor (-), Basis (-), dan Kolektor (-)
e. Emitor (-), Basis (-), dan Kolektor (+)
e. Ie = 0
12. Pemakaian basis secara bersama sebagai input dan output dinamakan
rangkaian…
a. Common Emitor
b. Common Colector
c. Common Base
d. Forward Bias
e. Reverse Bias
c.OR
d.NOR
e. NAND
108
7SEP)WWE]
1. Jelaskan pengertian transistor bipolar!
2. Gambarkanlah simbol dan skema kedua jenis transistor bipolar!
3. Sebutkan beberapa fungsi dari transistor!
4. Sebutkan 3 klasifikasi penguat pada transistor!
5. Gambarkan dan jelaskan karakteristik dari rangkaian common base!
109
&4WMOSQSXSV7OMPP
1)6%/-86%2+/%-%286%27-7836
E 4IVEPEXERHEROSQTSRIR]ERKHMKYREOER
No. Nama Peralatan / Komponen Spesifikasi Jumlah
1. DC Power Supply 0 – 30 V / 3 A 1 bh
4. Transistor NPN 2 bh
5. Led 5 mm 2 bh
6. Resistor 33 KΩ 2 bh
7. Resistor 470 Ω 2 bh
R1= 470 Ω, R2=33K Ω, R3=33K Ω, R4=470 Ω, C1=47uF, C2=47uF, Vcc=9V.
110
G /IWIPEQEXER/IVNE
a. Pastikan tegangan keluaran catu daya sesuai yang dibutuhkan!
b. Dalam menyusun rangkaian, perhatikan letak kaki-kaki komponen
c. Sebelum catu daya dihidupkan, hubungi guru untuk mengecek kebenaran
pemasangan rangkaian!
H 4VSWIHYV/IVNE
Rakitlah rangkaian seperti gambar rangkaian diatas.
Rangkaian benar jika lampu LED 1 dan LED 2 menyala secara bergantian
Ukurlah bagian-bagian yang telah ditentukan pada saat LED menyala.
I ,EWMP4IVGSFEER
8-8-/4)2+9/96%2
23 /)8
:0)( :') :&) - 8
111
0)1&%64)2-0%-%246%/8-/
Nama Peserta Didik : ………………………………………..
Hari, Tanggal : ………………………………………...
Skor
No Aspek Penilaian Skor Maks Keterangan
Perolehan
I Persiapan Kerja :
Berpakaian Praktik kerja lengkap
rapi.
Menyiapkan bahan sesuai daftar
Menyiapkan Alat sesuai daftar
II Hasil Kerja:
Pemasangan komponen yang kuat
Kerapian
Ketepatan pemasangan komponen
Kesesuaian Hasil pengukuran
Rangkaian berfungsi ketika di uji
coba
IV Waktu Penyelesaian:
Tepat sesuai waktu yang
ditentukan
Terlambat (Toleransi 30 Menit)
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Skor Maksimal
TOTAL
1IRKIXELYM
+YVY4VEOXIO
(……………..)
112
'%XXMXYHI7OMPP
Nama Siswa :……………………………………………
Hari, Tanggal :……………………………………….…..
Berilah tanda (v) pada kolom SL, SR, KD dan TP dari sikap-sikap peserta didik selama
pembelajaran berlanjut.
4MPMLER.E[EFER
2S -RHMOEXSV -RWXVYQIR
70 76 /( 84
Keterangan :
SL : Selalu Skor =4
SR : Sering Skor =3
KD : Kadang-Kadang Skor =2
TP : Tidak Pernah Skor =1
4IQFSFSXER7SEP
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
114
(4VSHYO&IRHE/IVNE7IWYEM/VMXIVME7XERHEVX
1. Buatlah Layout PCB pada buku kerja dengan benar
2. Gambarlah rangkaian flip flop diatas dengan menggunakan rapido pada PCB
berukuran 5 cm x 5 cm
3. Setelah selesai menggambar, larutkan PCB menggunakan Ferriclorit
4. Bor papan PCB yang akan digunakan untuk memasukkan kaki-kaki setiap komponen.
5. Masukkan semua komponen sesuai layout
6. Solderlah kaki komponen-komponen tersebut menggunakan Solder dan Timah.
7. Selesai
)&EXEWER;EOXY=ERK8IPEL(MXIXETOER
Batas waktu pembuatan produk/benda kerja yang ditetapkan adalah 2 x tatap muka.
*/YRGM.E[EFER
/YRGM.E[EFER4MPMLER+ERHE
No A B C D E
9
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
10
11
12
13
14
15
115
/YRGM.E[EFER7SEP)WWE]
1. Transistor bipolar adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai
sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau
sebagai fungsi lainnya dengan kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas
pembawa muatan yaitu elektron dan lubang untuk membawa arus listrik.
2.
116
Karakteristik:
Impedansi input rendah
Impedansi output sangat tinggi
Sudut phase I/O adalah 0˚
Penguatan tegangan tinggi
Penguatan arus rendah
117
DAFTAR PUSTAKA
(%*8%64978%/%
118
PENUTUP
4)29894
Besar harapan penulis agar modul ini dapat dengan mudah dipelajari dan dipahami
oleh siswa SMK se Indonesia dan untuk siswa SMK Negeri 1 Karawang khususnya,
Semoga modul ini bermanfaat untuk penulis dan untuk pembaca semua.
4IRYPMW
1EVME&IWXEVMRE0EMPM78
119