NAMA KELOMPOK :

1. AHMAD ALFAN SURURI

2. ILLAVI PEBRIAN PRASETI
3. M. AINUR ROFIQ

(121810201025)
(121810201027)
(121810201038)

BASIC OF SOLAR CELLS

1. PENDAHULUAN
Sel surya fotovoltaik merupakan suatu alat yang dapat mengubah
energi sinar matahari secara langsung menjadi energi listrik sehingga
mereka dapat berpindah secara bebas dalam semikonduktor dan akhirnya
mengalir melalui beban listrik, seperti bola lampu atau mesin. Pada asasnya
sel tersebut merupakan suatu diode semikonduktor yang bekerja menurut
suatu proses khusus yang dinamakan proses

tidak seimbang (non-

equibilirium process) dan berlandaskan efek fotovoltaik (photovoltaic effects)

(Kadir, 1995). Efek fotovoltaik merupakan fenomena yang menghasilkan
tegangan dan arus.
Pembuatan sel surya yang paling umum dengan membuat sambungan
pn dari bahan semikonduktor. Sel surya bekerja atas dasar efek fotovoltaik
(photovoltaic). Di area sekitar sambungan pn, cahaya matahari diserap dan
di sana akan terlahir pasangan muatan listrik electron-hole. Elektron
(electron) yang bermuatan negatif akan bergerak ke arah elektroda positif
dan berkumpul di sana, sedangkan hole yang bermuatan positif akan
berkumpul di elektroda negative. Hal ini melahirkan beda potensial di antara
dua elektroda tersebut, dan dari sini melahirkan sumber energi listrik. Divais
sambungan pn dalam jumlah banyak yang disambung paralel dapat
menghasilkan sumber energi listrik yang besar. Sumber listrik ini sifatnya
arus listrik searah "direct current" (DC), yang kemudian dapat dikonversi

menjadi arus bolak-balik "alternating current" (AC). Kebanyakan sel surya

saat ini dibuat dari material silikon, meskipun material lain juga dicoba agar
dapat menghasilkan sel surya yang lebih hemat biaya dan ramah
lingkungan.
Efek fotovoltaik ini ditemukan oleh Becquerel pada tahun 1839,
dimana Becquerel mendeteksi adanya tegangan foto ketika sinar matahari
mengenai elektroda pada larutan elektrolit. Pada tahun 1954 peneliti di Bell
Telephone menemukan untuk pertama kali sel surya silikon berbasis p-n
junction dengan efisiensi 6%. Sekarang ini, sel surya silikon mendominasi
pasar sel surya dengan pangsa pasar sekitar 82% dan efisiensi lab dan
komersil berturut-turut yaitu 24,7% dan 15%.
2. DISKUSI
a. ELEMEN OPERASI SEL SURYA
Gambar di bawah mengilustrasikan operasi dasar sel surya. Cahaya
foton diabsorbsi oleh semikonduktor dan dalam proses ini menghasilkan
pembawa muatan listrik yang disebut electron dan hole. Electron dan hole
menyebar ke junction, baik pn junction seperti yang diilustrasikan pada
gambar atau beberapa tipe junction yang lain dimana terdapat medan listrik
internal kuat. Electron dan hole dipisahkan oleh medan dan menghasilkan
tegangan listrik dan arus dalam rangkaian eksternal.

Gambar 1. muatan pembawa positif dan engatif dihasilkan dalam

semikonduktor sebagai cahaya foton yang diabsorbsi. Pembawa ini, ketika
dikumpulkan dengan pn junction, menghasilkan arus listrik dalam rangkaian
eksternal. Di sini arus ditunjukkan oleh daya bola lampu

b. SEMIKONDUKTOR
Semikonduktor mempunyai konduktivitas di antara range
104

sampai
range

ini

diketahui

104

mho/cm. konduktivitas semikonduktor dapat diubah di atas

dengan
sebagai

menambahkan
dopan,

ke

sejumlah
dalam

kecil

ketakmurnian,

semikonduktor.

yang

Konduktivitas

semikonduktor murni cukup meningkat dengan cepat dengan kenaikan

temperature. Semikonduktor mungkin menjadi elemen seperti silicon dan
germanium, atau senyawa seperti cadmium Sulfida (CdS) dan gallium
arsenide (GaAs) atau alloy.
Gambar 2.a menunjukkan penyusunan atom silicon dalam Kristal
silicon. Silicon merupakan unsur golongan IV dan setiap atom mempunyai
empat electron dalam kulit terjauh. Dalam Kristal silicon setiap atom
mempunyai empat atom tetangga terdekat, dengan setiap atom berbagi dua
electron kovalen, sehingga melengkapi kestabilan 8 kulit electron. 1.12 eV
energy diketahui sebagai energy bandgap silicon, untuk memisahkan
electron dari inti dan menciptakan electron kondusi bebas. Mereka dapat
berpindah secara bebas dan membawa arus listrik . Pemindahan electron
dari inti meninggalkan hole. Electron dari atom terdekat dapat mengisi hole
ini dan menyebabkan hole berpindah ke tempat baru. Gerak ini pada
electron secara alami juga membawa arus listrik.

Gambar 2 Model sederhana semikonduktor : (a) diagram ikatan electron

pada Si murni. (b) diagram tipe n Si yang didopping dengan atom yang
mengandung fosfor
Pada model ikatan inti atom (atom tanpa electron valensi) ditunjukkan
dengan perkumpulan dan valensi atau ikatan electron yang ditunjukkan oleh
garis yang saling berhubungan pada perkumpulan. Pada kasus c-Si salah
satu atom Si mempunyai empat electron valensi dan empat tetangga dekat.
Setiap electron valensi sama-sama berbagi dengan tetangga terdekat. Ada
delapan garis yang mengakhiri pada setiap perkumpulan. Pada suatu Kristal
Si ideal pada

0o K

semua electron valensi mengambil bagian untuk

membentuk ikatan kovalen di antara atom Si dan maka dari itu tidak ada
electron bebas dalam kisi. Situasi ini ditunjukkan pada gambar 3.3.a. gambar
3.3b menunjukkan situasi ketika ikatan kovalen rusak dan satu electron
meninggalkan ikatan. Garis tunggal di antara atom pada gambar 3.3b
menyatakan electron yang tetap pada ikatan yang rusak. Ketika ikatan rusak
dan hole tercipta, electron valensi dari ikatan terdekat dapat berpindah ke
dalam posisi yang kosong ini dan memulihkan ikatan. Akibat transfer ini pada
waktu yang sama electron yang berpindah menciptakan posisi kosong pada
daerah asalnya. Oleh karena merusak ikatan kovalen mendorong formasi
pasangan electron-hole, dalam semikonduktor instrinsik konsentrasi electron
sama dengan konsentrasi hole. Pada
yang

rusak

per

cm3

dalam

300 K

intrinsic

ada kira-kira
c-Si.

Bilangan

1.5 10
ini

10

ikatan

kemudian

memberikan juga konsentrasi hole, p dan electron, n pada intrinsic c-Si. Itu

berarti bahwa pada

300 K

10

n=p=1.5 10 cm

. Konsentrasi ini disebut

konsentrasi pembawa inrinsik.

Parameter semikonduktor yang menentukan bentuk dari sel surya adalah :

1) Konsentrasi atom doping, yang dapat menjadi dua tipe yang berbeda;
atom donor yang menyumbangkan electron bebas,
NA

acceptor yang emnerima electron,

ND

, atau atom

. Konsentrasi menentukan

lebar ruang daerah muatan pada junction.

2) Mobilitas,
dan koefisien difusi, D , muatan pembawa yang
mengkarakteristikkan pembawa transport yang berkaitan dengan drift
dan difusi, secara berturut-turut.

3) Lifetime,
dan panjang difusi

L , kelebihan pembawa yang

mengkaraktristikan proses rekombinasi.

4) Band gap energy,

n ,

yang

EG

, koefisien absorbsi

mengkaraktrikkan

kemampuan

dan indeks refraksi,

semikonduktor

untuk

mengabsorbsi radiasi tampak dan yang lainnya.

c. PRINSIP KERJA SEL SURYA
Sistem Kerja Sel Surya : cahaya matahari memasuki semikonduktor dan
menghasilkan electron dan hole (partikel yang bermuatan negative dan
partikel yang bermuatan positif), keduanya bebas untuk bergerak. Partikel ini
menyebar melalui semikonduktor dan akhirnya memasuki energy barrier
yang membolehkan partikel bermuatan.
Prinsip

kerja

sel

surya

silikon

adalah

berdasarkan

konsep

semikonduktor p-n junction. Pada sel surya terdapat junction antara dua
lapisan tipis yang terbuat dari bahan semikonduktor yang masing-masing
diketahui sebagai semikonduktor jenis p ( positif) dan semikonduktor jenis n (
negatif ). Struktur sel surya konvensional silikon p-njunction dapat dilihat
pada Gambar 3.

Gambar 3 Struktur sel surya Silikon p-n junction

(sumber : Halme, 2002)

Semikonduktor tipe-n didapat dengan mendoping silikon dengan unsur

dari golongan V sehingga terdapat kelebihan elektron valensi dibanding
atom sekitar. Pada sisi lain semikonduktor tipe-p didapat dengan doping oleh
golongan III sehingga elektron valensinya defisit satu dibanding atom sekitar.
Ketika semikonduktor tipe-p dan tipe-n disambungkan maka akan terjadi
difusi hole dari tipe-p menuju tipe-n dan difusi elektron dari tipe-n menuju
tipe-p. Difusi tersebut akan meninggalkan daerah yang lebih positif pada
batas tipe-n dan daerah lebih negatif pada batas tipe-p. Batas tempat
terjadinya perbedaan muatan pada p-n junction disebut dengan daerah
deplesi.

Adanya

perbedaan

muatan

pada

daerah

deplesi

akan

mengakibatkan munculnya medan listrik yang mampu menghentikan laju

difusi selanjutnya. Medan listrik tersebut mengakibatkan munculnya arus
drift.

Namun

arus

ini

terimbangi

oleh

arus

difusi

sehingga

secara

keseluruhan tidak ada arus listrik yang mengalir pada semikonduktor p-n
junction. tersebut.
Ketika junction disinari, photon yang mempunyai energi sama atau
lebih besar dari lebar pita energi material tersebut akan menyebabkan
eksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi dan akan meninggalkan
hole pada pita valensi. Elektron dan hole ini dapat bergerak dalam material
sehingga

menghasilkan

pasangan

elektrohole.

Apabila

ditempatkan

hambatan pada terminal sel surya, maka elektron dari area n akan kembali
ke area-p sehingga menyebabkan perbedaan potensial dan arus akan
mengalir. Skema cara kerja sel surya silikon ditunjukkan pada Gambar 4

Gambar 4 Skema kerja sel surya silicon

(sumber : Halme, 2002)
Suatu membrane yang membiarkan electron terlepas dan menahan
hole adalah material, yang mempunyai konduktivitas kuat untuk electron
dan

konduktivitas

lemah

untuk

hole.

Misalnya

seperti

material

semikonduktor tipe n, yang mana konduktivitas elektronnya kuat daripada

konduktivitas hole yang disebabkan oleh perbedaan yang besar pada
konsentrasi electron dan hole. Electron dengan mudah dapat mengalir pada
semikonduktor tipe n ketika mentransportasi hole yang merupakan pembawa
minoritas dalam material. Keadaan yang berlawanan untuk electron dalam
semikonduktor tipe p, yang merupakan contoh dari membrane hole.
Supaya

meminimalkan

injeksi

hole

dari

absorber

ke

dalam

semikonduktor tipe n dan suatu energy barrier harus dikenalkan dalam pita
valensi

EV

, di antara semikonduktor tipe n dan absorber. Secara ideal, ini

dapat diraih dengan memilih semikonduktor tipe n yang mempunyai band

gap yang lebih besar daripada absorber dan beda energy berada pada pita
valensi dua material. Dengan cara yang sama, injeksi electron dari absorber
ke dalam semikonduktor tipe p dapat ditahan dengan menggunakan
semikonduktor tipe p dengan band gap yang lebih besar dari pada absorber
dan mempunyai band off-set dalam pita konduksi

EC

, di antara absorber

dan semikonduktor tipe p.

Asimetri dalam struktur elektronik pada semikonduktor tipe n dan tipe
p merupakan dasar yang dibutuhkan untuk konversi energy fotovoltaik.
Gambar 5 menunjukkan skema digram pita suatu struktur sel surya dengan

absorber dan membrane semipermeable. Quasi Fermi level untuk electron

E FC

dan

quasi

mengambarkan

Fermi

penjelasan

level

untuk

keadaan

hole,
sel

E FV

surya.

digunakan

Illuminated

sel

untuk
surya

ditunjukkan oleh gambar 5 pada dua kondisi. Pertama adalah kondisi opencircuit, ketika terminal sel surya tidak terhubung satu sama lain dan
makadari itu tidak ada arus listrik yang mengalir pada rangkaian eksternal.
Tegangan ini ditunjukkan open-circuit voltage,
parameter

penting

yang

mengkarakteristikkan

V OC

dan itu merupakan

penampilan

sel

surya.

Gambar 5.b menujukkan pita diagram sel surya dalam kondisi rangkaian
singkat. Dalam kasus ini terminal sel surya merupakan circuit yang pendek
dan mengalir melalui rangkaina eksternal. Arus ini ditunjukkan sebagai
Short-Circuit Current

I SC

Arah arus di dalam sel Fotovoltaik

Di dalam arus sel fotovoltaik (PV) terlihat seperti arah berkebalikan,

karena dengan energy surya, arus dipompa dari kutub N ke kutub P.
pada generasi, arus muncul berkebalikan. Hal itu sama seperti pada
battery.
Tegangan dan arus pada sel fotovoltaik (kurva I-V)

Tipe kurva I-V

Daya listrik yang dihasilkan sel surya ketika mendapat cahaya diperoleh dari
kemampuan perangkat sel surya tersebut untuk memproduksi tegangan
ketika diberi beban dan arus melalui beban pada waktu yang sama.
Kemampuan ini direpresentasikan dalam kurva arus-tegangan (I-V) (Gambar
5).

Gambar 5 karakteristik kurva I-V pada sel surya

(sumber : Halme, 2002)

Ketika sel dalam kondisi short circuit, arus maksimum atau arus short circuit
I
( SC)

dihasilkan, sedangkan pada kondisi open circuit tidak ada arus

yang dapat mengalir sehingga tergangannya maksimum, disebut tegangan

open circuit.

v
( oc )

Titik pada kurva I-V yang menghasilkan arus dan

tegangan maksimum disebut titik daya maksimum (MPP).

REFERENCE
Gregg, B.A., Excitonic solar cells. Journal of Physical Chemistry B, 2003.
107(20): p. 4688 4698.Research, 2004. 19(7): p. 1924-1945.
Halls, J.J. and R.H. Friend, Organic Photovoltaic devices, in Clean electricity
from photovoltaics, M.D. Archer and R. Hill, Editors. 2001, Imperial
College Press: London.
Halme, J. 2002. Dye sensitized Nanostructured and Organic Photovoltaic
Cells : Technical Review And Preeliminary Test, Master Thesis. Espoo:
Helsinki University of Technology.
Kadir, A. 1995.

Energi : Sumber Daya, Inovasi, Tenaga Listrik, Potensi

Ekonomi, Edisi kedua. Jakarta: Universitas Indonesia.369.

Kreith, F. 1978. Principles of Solar Engineering. Hemisphere publishing
Corporation, United States of America.1.
Simon, J. and J.J. Andre, Molecular semiconductors. 1985, Berlin-Heidelberg:
Springer-Verlag. 142.