Struktur Pita Energi SEMIKONDUKTOR Semikonduktor Intrinsik Semikonduktor Tipe-n Semikonduktor Tipe-p Pengaruh Suhu thd Konsentrasi Pembawa Muatan
Si tipe-n dg doping 10^21/m^3
Soal Latihan 1. Berapakah konsentrasi pembawa muatan untuk Si yang di doping dengan 10^17 atom As/cm^3 2. Berapakah konsentrasi pembawa muatan untuk Si yang di doping dengan 10^17 atom P/cm^3 Asumsikan ni = 1,5x10^15/cm^3 ENERGI FERMI SK Intrinsik Semikonduktor ekstrinsik SK Ekstrinsik Type N
Type P
Vif = Beda energi antara E intrinsik dengan
Fermi level 1. Compute ni for Si and Ge at 300K using the values of Nc, Nv, and Eg from table 3.1.1 and compare with the valuees of ni appearing in the same table. Comment. (3.5) 2. Compute the carrier concentration at 600K for Si doped with 1017 As atoms/cm3 and 8.5x1016 B atoms/cm3. (3.6) 3. A sample of Si at 500K is doped with 9x1014 B atoms/cm3 and 1.4x1015 As atoms/cm3 (3.10) a. Is the sample N, P or intrinsic b. Compute the net and total doping c. Compute majority and minority carrier populations