CRITICAL BOOK REPORT

MK.ELEKTRONIKA DASAR

S1 PENDIDIKAAN FISIKA

DIODA SEMIKONDUKTOR

DOSEN PENGAMPU : Drs. KHAIRUL AMDANI, M.Si

DISUSUN OLEH :

NAMA : LINDU P SIANULLANG

NIM : 4172121025

KELAS : FISIKA DIK C 2017

PROGRAM STUDI S1 PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI MEDAN

MEDAN, Maret 2019

 KATA PENGANTAR

Puji dan syukur saya panjatkan atas kehadirat Tuhan Yang Maha
Esa,karena atas berkat dan rahmatnyalah penulis dapat membuat dan
menyelesaikan tugas critical book report ini dalam keadaan sehat.

Critical book report ini penulis susun untuk memenuhi salah satu tugas
mata kuliah “ELEKTRONIKA DASAR”. Harapan penulis hasil dari cbr ini dapat
bermanfaat bagi siapa saja yang membacanya dan pada khususnya juga pada pada
teman-teman di program studi Pendidikan Fisika. Cbr ini disusun untuk
membahas tentang Dioda semikonduktor.

Demikian lah cbr ini penulis susun, penulis sadar bahwa cbr ini masih
sangat jauh dari kata kesempurnaan. Oleh karena itu, saran dan kritik yang
bersifat membangun dari pembaca.

Medan , 28 Maret 2019

Penulis

i
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR ...................................................................................................... i

DAFTAR ISI ..................................................................................................................... ii

BAB I PENDAHULUAN ................................................................................................. 1

A. Latar Belakang ....................................................................................................... 1

B. Tujuan Penulisan CBR ........................................................................................... 1
C. Manfaat CBR ......................................................................................................... 2
D. Identitas Buku Yang di Review ............................................................................. 2

BAB II RINGKASAN BUKU ......................................................................................... 3

BAB III PEMBAHASAN ................................................................................................ 18

A. Kelebihan Buku ..................................................................................................... 18

B. Kekurangan Buku .................................................................................................. 18

BAB IV PENUTUP .......................................................................................................... 19

A. Kesimpulan ............................................................................................................. 19

B. Saran ........................................................................................................................ 19

DAFTAR PUSTAKA ....................................................................................................... 20

ii
 BAB I

PENDAHULUAN

A. LATAR BELAKANG

Apabila kita berbicara tentang elektronika maka tidak akan lepas dari
semikonduktor. Memang pada awal kelahirannya elektronika didefenisikan
sebagai cabang ilmu listrik yang mempelajari pergerakan muatan didalam gas
ataupun vakum.

Dioda pada umumnya merupakan komponen elektronika yang berfungsi

sebagai penyearah (rectifier) untuk mengubah tegangan bolak-balik (AC) menjadi
tegangan searah (DC). Dioda menjadi sangat penting karena hampir semua
peralatan elektronika memerlukan sumber arus searah (DC).Dioda daya
mempunyai spesifikasi yang sama dengan dioda biasa pada umumnya, perbedaan
yaitu dioda daya mempunyai kapasitas daya (arus dan tegangan) yang lebih tinggi
dari dioda-dioda sinyal biasa, namun kecepatan penyaklaran pada dioda daya
relatif lebih rendah. Melihat karakteristik dioda daya yang mempunyai kapasitas
daya yang lebih tinggi dari dioda biasa, maka seringkali doda daya digunakan di
dalam rangkaian elektronika sebagai penyearah.

B. TUJUAN PENULISAN CBR

1. Menyelesaikan tugas yang diberikan oleh dosen mata kuliah Elektronika

Dasar.
2. Menambah wawasan mengenai Dioda Semikonduktor.
3. Menguatkan opini mengenai kelebihan dan kekurangan buku dengan cara
mereview buku tersebut.

1
C. MANFAAT CBR
Adapun manfaat penulisan CBR bagi akademisi sebagai kepentingan ilmiah
yaitu untuk menambah wawasan tentang Dioda semikonduktor. Sedangkan bagi
penulis sebagai persyaratan formal yaitu untuk memenuhi tugas mata kuliah
Elektronika Dasar. Dan mengembangkan kemampuan untuk mereview isi buku.

D. IDENTITAS BUKU
1. Judul : Elektronika: Teori Dan Penerapannya
2. Pengarang : Sutrisno
3. Penerbit : ITB
4. Kota terbit : Bandung
5. Tahun terbit : 1986
6. ISBN : 979-8001-01-x

2
 BAB II

RINGKASAN BUKU

Dioda Semikonduktor

Dioda adalah suatu komponen elektronik yang dapat melewatkan arus

pada satu arah saja. Ada berbagai macam diode, yaitu dioda tabung, dioda
sambungan p-n, dioda kontak titik (point-contact diode) dan sebagainya. Dalam
hal ini kita akan membatasi pembahasan pada dioda sambungan p-n, khususnya
dioda penyearah, dioda isyarat dan dioda Zener.

Dioda memegang peranan amat penting dalam elektronika, di antaranya

adalah untuk menghasilkan tegangan searah dari tegangan bolak-balik, untuk
mengesan gelombang radio, untuk membuat berbagai bentuk gelombang isyarat,
untuk mengatur tegangan searah agar tidak berubah dengan beban maupun dengan
perubahan tegangan jala-jala (PLN), untuk saklar elektronik, LED, laser
semikonduktor, mengesan gelombang mikro dan lain-lain. Beberapa pengertian
dasar dari pada dioda sambungan p-n digunakan pada transistor, sehingga apabila
kita menguasai pengertian dasar dioda akan mudah pula kita memahami sifat
transistor.

A. Sambungan p-n

Bentuk dioda yang lazim digunakan terdiri dari semikonduktor jenis p

yang dibuat bersambung dengan semikonduktor jenis n. Penyambungan ini
dilakukan waktu penumbuhan kristal. Muatan yang diberi lingkaran menyatakan
ion dan muatan ini tetap di tempat, tidak bergerak walaupun diberi medan listrik.

Tanda + dan - dalam kotak persegi menyatakan pembawa muatan intrinsik,

yaitu yang berasal dari ikatan kopalen pada atom silicon, yang menjadi bebeas
oleh oleh karena eksitasi termal. Pembawa muatan yang lain adalah muatan yaitu
lubang yang dihasilkan oleh atom akseptor pada bahan jenis-p, dan elektron bebas
yang berasal dari atom donor. Pembawa muatan bebas ini adalah pembawa
muatan ekstrinsik.

3
 Elektron bebas pada bahan jenis-n akan berdifusi melalui sambungan,
masuk ke dalam bahan jenis p, dan terjadi rekombinasi dengan lubang lubang
yang ada dalam bahan p. Sebaliknya juga terjadi, yaitu lubang bahan p berdifusi
masuk ke dalam bahan n, dan ber-rekombinasi dengan elektron dan saling
meniadakan muatan. Akibatnya, tepat pada sambungan p-n terjadi daerah tanpa
muatan bebas, yang disebut daerah pengosongan (depletion region). Oleh karena
muatan positif terpisah dari muatan negatif, maka dalam daerah pengosongan
terjadi medan listrik, yang melawan proses difusi selaniutnya. Dengan adanya
medan listrik ini tarjadi beda potensial listrik (bukit potensial) antara bagadan p
dan bagian n dalam daerah pengosongan. Sebaran muatan, kuat medan listrik, dan
potensial listrik pada sambungan p-n. Ingat bahwa hubungan antara kuat medan
𝑑𝑉
listrik E dan potensial listrik V diberikan oleh hubungan E = -𝑑𝑥 yaitu negatif dari

pada kemiringan grafik V(x).

Adanya kuat medan listrik menyebabkan terjadinya bukit potensial pada

sambungan p-n. Agar suatu elektron dalam bahan n dapat menyeberangi
sambungan haruslah elektron tersebut mempunyai energi lebih besar dari pada
bukit potensial, yaitu eVho (e = muatan elektron). Pada keadaan ini terjadi aliran
arus minoritas, yaitu lubang yang ada di jenis n dan elektron bebas yang ada di
jenis p, yang tidak dihalangi oleh bukit potensial akan tetapi bahkan dibantu untuk
menyeberang sambungan, Pada saat yang sama lubang yang ada di jenis p, yaitu
pembawa muatan mayoritas ada juga yang mempunyai cukup energi untuk
menyeberang sambungan. Dalam keadaan mantap kedua aliran ini saling meniada
kan. Hal serupa terjadi dengan elektron bebas. Dapat disimpulkan bahwa tanpa
tegangan, arus dioda sama dengan nol.

Peristiwa yang dilukiskan adalah yang terjadi jika antara ujung bahan p
dan n tidak diberi sumber ggl (bateai). Sekarang antara ujung bahan p dan n kita
hubungkan suatu baterai, dengan bahan -p dihubungkan dengan kutub positif dan
bahan-n dengan kutub negatif. Pada keadaan ini dikatakan sambungan p-n diberi
panjar maju. Dengan adanya panjar maju ini sebaran potensial pada sambungan p-
n nampak seperti pada gambar 4.6. Dengan diberi panjar maju, bukit potensial
(Vh) menjadi kurang dari pada tinggi bukit potensial tegangan (Vho). Dengan
4
berkurangnya tinggi bukit potensial, elektron dari bagian -n dan lubang dari
bagian p mudah menyeberang, sehinga terjadi aliran listrik.

Jika kutub baterai positif dihubungkan dengan bagian n dan kutub baterai
negatif dengan bagian p, dikatakan sambungan p-n diberi panjar mundur. Dengan
adanya panjar mundur pada sambungan p-n, bukit potensial bertambah tinggi,
sehingga muatan ekstrinsik (elektron dalam jenis-n dan lubang dalam jenis-p)
susah mengalir, karena tak punya cukup tenaga untuk mengatasi bukit potensial.
Dapatlah disimpulkan bahwa suatu sambungan p-n akan mengairkan arus bila
diberi tegangan maju dan susah menalirkan arus bila diberi tegangt mundur. Ini
adalah sifat lioda. Ternyata peninggian bukit potensial ini diikuti dengan
pelebaran daerah pengosongan pada sambungan p-n. Peristiwa terakhir ini
dimanfaatkan pada dioda varikap dan pada transistor efek medan (FET).

B. Ciri dioda sambungan p-n

Ciri (karakteristik) dioda adalah hubungan antara arus dioda dan beda
tegangan antara kedua ujung dioda. Untuk dioda sambungan p-n, Pada lengkung
ciri dioda, arus dioda iD = 0 jika vD =0 ini sesuai dengan yang sudah dibahas
sebelumnya, yaitu pada keadaan tanpa tegangan (vD =0) arus minoritas dan arus
mayoritas mempunyai besar sama tetapi arah yang berlawanan, sehingga arus total
pada tanpa tegangan panjar sama dengan nol. Jika dioda diberi tegangan maju,
yaitu vD =0, arus iD ≅ 0, sehingga vD = Vpotong , setelah mana arus diode naik
dengan cepatnya terhdapperubahan tegangan diode vD . untuk diode silikon Vpotong
≅ 0,6 V sedangkan untuk diode germanium Vpotong ≅ 0,3 V.

Pada tegangan mundur arus yang mengalir amat kecil, dan sampai batas-
batas tertentu tak bergantung pada tegangan diode. Arus ini terdiri dari arus
pembawa muatan minoritas, mengalir dari anoda ke katoda dan disebut arus
penjenuhan diode. Pada tegangan mundur tertentu lengkung ciri turun curam,
dikatakan terjadi kedadalan (breakdown). Tegangan mundur pada keadaan itu
disebut tegangan dadal atau tegangan balik puncak (peak inverse voltage - PIV).
Dioda penyearah ada yang mempunyai VPIV = 50V, 100 V, 200 V, hingga
beberapa kilo volt.

5
 C. Persamaan diode

Pada tegangan maju bukit potensial sambungan p-n berkurang yaitu

menjadi Vh = Vho-V. Disini Vho adalah tinggi bukit potensial tanpa panjar dan V
adalah beda tegangan pada diode. Sesuatu yang statistik Boltzmann, banyaknya
electron pada p yang mempunyai energy diatas Vh sebanding dengan e-qVh/kT atau
secara matematika np=nn e-qVh/kT dengan nn adalah rapat electron dari bagian n, q
adalah muatan electron, ketetapan Boltzmann dan T suhu dalam kelvin.

Persamaan 4.3 disebut persamaan 6ntri, dan memberikan bentuk fungsi teoritis
untuk ciri 6ntri dengan tegangan maju. Jika dibandingkan dengan lengkung ciri
6ntri yang sebenarnya ada beberapa penyimpangan.

Pada tegangan maju lengkungan ciri sebenarnya lebih condong dari pada
lengkungan teori, sebab hambatan oleh kebocoran arus melalui perduktor dalam
6ntri, yang dapat dibayangkan sebagai suatu hambatan Rs, Nilai Rs, kira-kira 10
ohm. Penyimpangan berikutnya adalah untuk tegangan mundur, lengkungan 6ntri
lebih condong dari pada lengkungan teori, sebab hambatan kebocoran arus
melalui permukaan 6ntri. Hambatan dapat dibayangkan sebagai suatu hambatan
Rsh yang dipasang 6ntrinsi dengan 6ntri. Hambatan Rsh mempunyai nilai 100 kΩ
atau lebih. Penyimpangan ketiga adalah adanya kedadalan pada ciri mundur.

D. Pengaruh suhu pada lengkung ciri 6ntri

Perubahan suhu menvebabkan terjadinya perubahan bentuk lengkung ciri.

Tampak pengaruh suhu terhadap lengkungan ciri diode terdapat pada tegangan
potong dan pada arus penjenuhan. Jika suhu dinaikkan, tegangan berkurang, tetapi
arus penjenuhan bertambah, dan kemiringan lengkung ciri pada tegangan mundur
pun bertambah. Pengaruh suhu oleh fungsi eksponensial eqVh/kT yang berasal dari
arus injeksi tidaklah terlalu besar.

Kenaikan suhu menaikkan pula eksitasi termik, sehingga rapat 6ntrinsi

6ntrinsic ni, bertambah, berlaku hubungan pn = pi2 dengan p adalah rapat lubang
ekstrinsik. Akibatnya pada bagian n berlaku :

6
 𝑛2 𝑛𝑖2
Pn = 𝑛 𝑖 ≅
𝑛 𝑁𝑑

Dan pada bagian p berlaku ,

𝑛2 𝑛𝑖2
np = 𝑝𝑖 ≅
𝑝 𝑁𝑎

Maka rapat arus penenuhan

1 1
Js ≅ C(Pn + np) = Cni2 (𝑁 ≅ ) = C1 ni2
𝑑 𝑁𝑎

Tampak untuk germanium, setiap perubahan suhu sebesar 100C

menyebabkan perubahan relative Js sebesar 100 %, atau perubahan arus
penjenuhan menjadi dua kali lipat. Untuk silicon arus penjenuhan menjadi dua
kali lipat untuk kenaikan 60C.

E. Garis beban pada rangkaian dioda

Jika pada rangkaian diberi tegangan VDD dan hambatan sebesar RL

bagaimanakah kita menentukan arus iD dan tegangarn vD satu cara yang dapat
ditempuh adalah dengan menggunakan lengkung ciri dioda, yaitu arus dioda iD
dinyatakan sebagai fungsi vD.

VDD = VD + iD RL atau

𝑣 𝑣𝐷𝐷
iD = -𝑅𝐷 +
𝐿 𝑅𝐿

𝑣 𝑣𝐷𝐷 1
Persamaan iD = - 𝑅𝐷 + menyatakan garis lurus dengan kemiringan = - 𝑅
𝐿 𝑅𝐿 𝐿
𝑣𝐷𝐷
memotong sumbu VD pada VD = VDD dan sumbu iD pada nilai iD = 1A = . Garis
𝑅𝐿

ini disebut garis beban, titik potong anatara garis beban dan lengkung ciri diode
menyatakan arus dan tegangan diode.

Dekat dengan Vpotong tanggapan diode tidaklah linier dan disebut daerah aturan
kuadrat. Pada arus diode tinggi lengkungan ciri diode tampak seperti garais lurus
(sebetulnya eksponensial). Daerah ini disebut daerah linier.

7
 F. Penyearahan arus bolak balik

Misalkan subner tegangan VDD diganti dengan sumber tegangan bolak

balik , bentuk isyarat keluaran dapat diperoleh secara grafik. Pada saat t 2, VDD =
Vp, arus diode iD (t) ditentukan oleh titik q2. Untuk mendapatkan V0 (t2) membuat
grafik iD tehadap V0, dan diperoleh bentuk isyrat keluaran.

Cara lain untuk mendapatkan keluaran gelombang penuh adalah dengan

menggunakan 4 dioda penyearah seperti ini disebut penyearh jembatan. Jika
isyarat positif arah arus dengna D1 dan D2 menghantar, jika isyarat masukan
sedangkan negatif dengan diode D3 dan D4 menghantar. Untuk penyearah
jembatan tampak transpormator tak memerlukan adanya CT. Bahkan bila diode
yang digunakan mempunyai kemampuan tantangan yang cukup, tanpa
transpormatorpun penyearah ini dapat di lakukan.

8
Tampak bahwa dengan pengapit dioda kita telah membuat puncak isyarat
masukan pada 0 V atau pada garis dasar ( base line).

4.10.3 Pengapit bertegangan panjar

Dengan membalikkan dioda pada gambar 4.42 kita dapatkan tingkat dc pada
keluaran naik, sehingga bagian bawah isyarat terapit pada 𝑉 = 0 . Dengan
menggunakan rangkaian seperti pada gambar 4.45 kita dapat membuat apitan pada
suatu nilai tegangan yang positif.

4.10.4 Pelipat dua tegangan.

Dengan meggunakan rangkaian seperti pada gambar 4.46 dapat kita peroleh
tegangan keluaran searah dua kali nilai puncak tegangan masukan.

9
Pada gambar 4.46 (b) rangkaian (a) dilukiskan sehingga gabungan dioda D1 dan
C1 tampak sebagai penyearah setengah gelombang bertapiskan kapasitor C1.

Kita dapat membuat pelipat dua tegangan yang lebih baik dengan menggunakan
rangkaian seperti pada gambar 4.48.

Tampak bahwa dengan rangkaian ini kita peroleh tegangan keluaran 𝑉𝑏 yang rata.
Perbedaan antara rangkaian pada gambar 4.47 dan 4.48 adalah bahwa pada
gambar 4.47 dioda D1 bekerja sebagai penyearah setengah gelombang bertapis,

10
dan dioda D2 bekerja sebagai suatu pengapit bertegangan panjar. Pada gambar
4.48 dioda D1 bekerja sebagai pengapit dan dan D2 bekerja sebagai penyearah atau
lebih tepat sebagai saklar pengisi kapasitor C2. Jika 𝑉𝑎 < 𝑉𝑏 saklar dioda D2 mati,
sedang jika 𝑉𝑎 > 𝑉𝑏 saklar dioda D2 terpasang.

Rangkaian pada gambar 4.47 dapat ditambah dengan sebuah dioda dan sebuah
kapasitor lagi membentuk rangkaian pelipat tiga tegangan, seperti ditunjukkan
pada gambar 4.49.

Tampak pada gambar dioda D1 bekerja sebagai penyearah bertapis kapasitor C1,
D2 bekerja sebagai pengapit terpanjar sebesar Vm, dan dioda D3 bekerja sebagai
saklar untuk mengisi kapasitor C3.

Dengan menambah dua buah dioda dan dua buah kapasitor pada rangkaian pelipat
dua pada gambar 4.48 kita dapat membuat rangkaian pelipat empat tegangan.
Ditunjukkan gambar berikut ini.

11
Pada rangkaian ini D1 bekerja sebagai pengapit menghasilkan tegangan 𝑉𝑎 dan D2
bekerja sebagai saklar mengisi kapasitor C2 menghasilkan tegangan 𝑉𝑏 .
Selanjutnya D3 bekerja sebagai pengapit bertegangan panjar sebesar 2 𝑉𝑚
menghailkan tegangan 𝑉𝑐 , dan D4 bekerja sebagai saklar mengisi kapasitor C4,
menghasilkan tegangan 𝑉𝑑 . Rangkaian diatas dapat diteruskan untuk membuat
pelipat –n. Jika n genap kita harus mulai dengan mengapit , dan jika n ganjil kita
mulai jaringan tangga dioda dengan suatu penyearah setengah gelombang bertapis.

K. Kapasitansi sambungan p-n

Pada sambungan p-n terjadi daerah pengosongan dimana tak ada pembawa
muatan bebas. Didalam daerah pengosongan terdapat medan listrik, sehingga
daerah ini berupa kapasitor yang berisi muatan. Ini dilukiskan pada gambar 4.51

Dapat ditunjukkan bahwa :

12
 1) 𝑞𝑁𝑑 𝐿𝑛 = 𝑞𝑁𝑎 𝐿𝑝 agar netral.
1⁄
2
2∈𝑉ℎ
2) 𝐿𝑝 = ( 𝑁 )
𝑞𝑁𝑎 (1+ 𝑎 )
𝑁𝑑

1⁄
2
2∈𝑉ℎ
3) 𝐿𝑛 = ( 𝑁 )
𝑞𝑁𝑑 (1+ 𝑑
𝑁𝑎

∈ = permitivitas listrik

Hubungan diatas dapat diartikan sebagai berikut :

𝑁𝑎 𝐿𝑝
1. 𝐿𝑛 = , yaitu makin besar 𝑁𝑑 `maka 𝐿𝑛 makin sempit.
𝑁𝑑
1⁄
2. 𝐿𝑝 𝛼 𝑉ℎ 2

𝑉ℎ = 𝑉ℎ𝑜 + 𝑉𝑏𝑎𝑡 untuk tegangan panjar mundur

𝑉ℎ = 𝑉ℎ𝑜 − 𝑉𝑏𝑎𝑡 untuk tegangan panjar maju.

Pada keadaan tegangan panjar mundur daerah pengosongan melebar.

Kapasitansi sambungan

Kapasitansi sambungan dapat ditentukan sebagai berikut :

𝑑𝑄
𝐶 = 𝑑𝑉

𝑑𝑄/𝑑𝐿𝑝
= 𝑑𝑉
ℎ /𝑑𝐿𝑝

Kapasitansi sambungan mengganggu pada operasi dengan isyarat frekuensi tinggi.

13
 Pada frekuensi tinggi Cj berpengaruh pada keadaan tegangan mundur
1
waktu hambatan dioda besar. Pada frekuensi tinggi 𝜔𝐶 amat kecil sehingga dalam
𝑗

keadaaan tegangan panjar mundur dioda terjadi bocoran melalui Cj. Dioda pada
tegangan mundur dapat dinyatakan sebagai kapasitor yang nilai kapasitasnya
dapat diatur dengan tegangna panjar ( gambar 4.53). Dioda yang khusus untuk
maksud ini disebut dioda varaktor atau dioda varikap.

L. Dioda Zener

Jika tegangan mundur pada dioda p-n diperbesar, pada suatu nilai tegangan
maka arus mundur naik dengan cepat sekali, seperti pada gambar 4.54. Tegangan
mundur yang terjadi disebut tegangan balik puncak (𝑃𝐼𝑉). Peristiwa ini terjadi
karena dadalnya ikatan kovalen silikon didalam daerah pengosongan pada
sambungan p-n.

Dioda yang digunakan pada daerah dadal disebut dioda Zener. Dioda ini
digunakan untuk pengaturan tegangan, agar sumber tegangan searah tak berubah
tegangan keluarannya jika diambil arusnya ( dibebani) dalam batas-batas tertentu.
Dioda zener dibuat agar mempunyai tegangan dadal ( disebut tegangan Zener)
pada nilai tertentu antara 3𝑉 dan 100𝑉.

Parameter Dioda Zener

Beberapa parameter dioda zener yang penting adalah:

1. Tegangan dadal
2. Koefisien suhu ( perubahan tegangan Zener terhadap suhu)
3. Kemampuan daya ( lesapan daya maksimum)
4. Hambatan isyarat kecil , yaitu hambatan zener terhadap perubahan
tegangan kecil, atau untuk isyarat ac kecil.
M. Dioda Zener untuk pengaturan tegangan

Tegangan keluaran penyearah gelombang penuh dengan tapis pada keadaan beban
ringan (arus beban kecil atau RL besar) adalah seperti gambar berikut.

14
Tampak bahwa :

1. Vodc turun jika arus beban IL diperbesar

2. Tegangan riak membesar dengan arus beban IL atau jika RL diperkecil. Ini
juga dapat dipahami dari hubungan antara tegangan riak dengan RL. Riak
dapat diperkecil dengan menggunakan kapasitansi yang besar pada beban
arus yang besar. Akan tetapi penurunan tegangan searah pada arus beban
besar tetap terjadi. Penyearah diatas dikatakan tidak mempunyai
pengaturan tegangan.

Suatu penyearah dengan pengaturan tegangan, mempunyai tegangan

keluaran yang tetap jika diberi beban arus dalam batas tertentu. Tanpa pengaturan,
penurunan tegangan keluaran oleh arus beban terjadi karena penyearah
mempunyai hambatan dalam yang terdiri dari hambatan gulungan transformator
dan hambatan dalam dioda. Pada arus beban yang besar terjadi jatuh tegangan
pada hambatan dalam ini sehingga tegangan keluaran berkurang.

15
Nilai hambatan keluaran R0 dapat ditentukan dengan mengukur V0 sebagai fungsi
arus beban IL. Hal ini dapat dilihat pada lenkung pembebanan dalam gambar 4.60.
Kemiringan grafik lengkung pembebanan tak lain adalah hambatan keluaran R0.

Pengaturan tegangan dapat dibuat dengan menggunakan dioda Zener. Ini

dilakukan seperti pada gambar 4.61

Dengan membuat Va lebih besar dari tegangan Zener, maka dioda zener bekerja
pada daerah dadal sehingga tegangan keluaran tetap untuk berbagai nilai arus
beban, selama Vb tidak kurang dari 12 V.

Dari gambar 4.61, tampak 𝐼𝑆 = 𝐼𝐷 + 𝐼𝐿 sehingga 𝑉𝑏 = 𝑉𝐷 = 𝑉𝑎 − 𝐼𝑆 𝑅𝑆

= 𝑉𝑎 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆 − 𝐼𝐿 𝑅𝑆

(𝑉𝑎 −𝐼𝐿 𝑅𝑆 ) 𝑉𝐷
Atau 𝐼𝐷 = −
𝑅𝑆 𝑅𝑆

16
17
 BAB III
PEMBAHASAN

A. Kelebihan Buku

Kelebihan dari buku ini yaitu memaparkan pembahasan grafik dan

rangkaian secara jelas dan setiap rumus yang dilampirkan dibuku tersebut
dijelaskan keterangannya sehingga memudahkan para pembaca untuk memehami
pembahasan pada grafik dan rangkaian tersebut. Penulisan buku ini juga sangat
rapi dan teratur serta kata yang digunakan dalam buku ini sesuai dengan EYD.
Buku ini juga telah ber ISBN.

B. Kekurangan

Kekurangan dari buku ini yaitu pemaparan pembahasan materi yang

kurang terperinci atau kurang jelas dan lengkap sehingga sulit untuk dipahami
pembaca dan pembaca akan mudah merasa jenuh untuk membacanya.

18
 BAB IV
PENUTUP

A. Kesimpulan

Dioda adalah suatu komponen elektronik yang dapat melewatkan arus

pada satu arah saja. Ada berbagai macam diode, yaitu dioda tabung, dioda
sambungan p-n, dioda kontak titik (point-contact diode) dan sebagainya. Dalam
hal ini kita akan membatasi pembahasan pada dioda sambungan p-n, khususnya
dioda penyearah, dioda isyarat dan dioda Zener.

Dioda memegang peranan amat penting dalam elektronika, di antaranya

adalah untuk menghasilkan tegangan searah dari tegangan bolak-balik, untuk
mengesan gelombang radio, untuk membuat berbagai bentuk gelombang isyarat,
untuk mengatur tegangan searah agar tidak berubah dengan beban maupun dengan
perubahan tegangan jala-jala (PLN), untuk saklar elektronik, LED, laser
semikonduktor, mengesan gelombang mikro dan lain-lain. Beberapa pengertian
dasar dari pada dioda sambungan p-n digunakan pada transistor, sehingga apabila
kita menguasai pengertian dasar dioda akan mudah pula kita memahami sifat
transistor.

B. Saran

Menurut saya dari buku yang direview ini cocok dijadikan penuntun
pembelajaran Critical Book Review karena pada buku ini sudah menjelakan
pembahasan grafik dan rangkaian dengan jelas, hanya saja pada buku ini
pembahasan mengenai pembahasan materinya yang kurang jelas sehingga
pembaca harus mencarinya dari sumber yang lain.

19
 Daftar Pustaka

Sutrisno. 1986. Elektronika Teori Dasar Dan Peneapannya Jilid 1. Bandung: ITB

20