Dasar Transistor

TRANSISTOR

Transistor : Bipolar
Efek Medan (FET)
Depletion
Enhancement
 TRANSISTOR BIPOLAR
BASIS
Tipe npn
Di-dope
sedikit

EMITER KOLEKTOR
E n p n C
Di-dope Di-dope
banyak Sedang
(antara E dan B)

Tipe pnp B

E p n p C
 TRANSISTOR BIPOLAR
Cara memberi prategangan pada transistor bipolar :

RC
_________
_________
_________ n
_________
_________
RB _________ VCE
_________ p VCC
_________
_________
_________ n
VBE _________
VBB
 TRANSISTOR BIPOLAR
Arus transistor bipolar :
Tipe npn Tipe pnp

Hk. Kirchoff : I E  IC  I B I B  1% . I E
Penguatan Transistor : IC
βdc   h FE
IB
100  βdc  300  daya rendah
20  βdc  100  daya tinggi
 TRANSISTOR BIPOLAR
Kurva karakteristik transistor bipolar :
VCC  VCE
IC 
RC

Ada dua loop :

Rangkaian base
Rangkaian kolektor

VBB dan VCC diubah-ubah

IB dijaga konstan
IC dan VCE diukur
 TRANSISTOR BIPOLAR
Kurva karakteristik transistor bipolar :

Setelah IC dan VCE diukur maka akan

didapat kurva sebagai berikut :

IC
I : 0  VCE  1 V
 drh saturasi
II : 1 V  VCE  40 V
 drh aktif
10 μA
1 mA III: VCE  40V
VCE
 drh breakdown
1V 40 V
 TRANSISTOR BIPOLAR
Kurva karakteristik transistor bipolar :
Dengan cara yang sama untuk arus basis yang lain didapatkan
kurva sebagai berikut :
IC
40 μA
4 mA
30 μA
3 mA
20 μA
2 mA
10 μA
1 mA
0 μA VCE
1V 40 V

Pada daerah saturasi, transistor sebagai tahanan berharga kecil

Pada daerah aktif, transistor sebagai sumber arus tetap
Pada daerah break-down, transistor rusak
 TRANSISTOR BIPOLAR
Pengaruh temperatur pada penguatan transistor bipolar :

Beberapa transistor beserta pembuang panasnya :

 TRANSISTOR BIPOLAR
Garis beban :

3 kΩ

RB
VCE 15 V

15 V

VCC
Titik saturasi : IC(sat) 
RC

Titik cut-off : VCE  VCC

 TRANSISTOR BIPOLAR
Menentukan titik kerja :

3 kΩ

500 kΩ
VCE 15 V

15 V

Persamaan yang digunakan : VBB  VBE

IB 
RB
IC  β dc . IB
VCE  VCC  IC . R C

Tentukan titik kerja untuk rangkaian di atas bila : bdc 50, 100 dan 150
 TRANSISTOR BIPOLAR
Mengenali keadaan saturasi :
Asumsikan transistor bekerja pada daerah aktif
Lakukan perhitungan
Bila hasil perhitungan tidak masuk akal, maka asumsi salah

Buatlah perhitungan untuk rangkaian berikut :

10 kΩ
Hitung :
VCE atau IC(sat)
βdc  50 20 V
100 kΩ

10 V
 TRANSISTOR BIPOLAR
Pada keadaan saturasi  transistor akan menjadi lebih kecil dari
spesifikasinya.
Para perancang mengambil keadaan “Hard saturation” untuk
penguatan saturasi sekitar 10.

Untuk mengenali apakah sebuah rangkaian transistor

saturasi adalah dengan melihat bahwa :

R C : R B  1: 10
 TRANSISTOR BIPOLAR
Emitter bias :
RC 1 kΩ

βdc  100

VBB VCC 5V 15 V

RE 2,2 kΩ

Tegangan masukan langsung dipasang di basis :

VE  VBB  VBE Perubahan  tidak mempengaruhi titik
VE kerja, tetapi arus base diasumsikan nol.
IE  ; IB  0  IC  IE
RE
VC  VCC  IC . R C Seberapa besarkah efek dari asumsi
bahwa arus base nol?
VCE  VC  VE
 TRANSISTOR BIPOLAR
Transistor bipolar sebagai sebuah saklar :
VCC IC
RC VCC CLOSED
RC SWITCH

OPENED
VBB RB SWITCH

VCE
VCC

Pengaturan ON-OFF nya adalah dengan mengatur teg. basis.

15 V
1 kΩ
15 V

0V
5V

0V 3 kΩ
 TRANSISTOR BIPOLAR
LED Driver :
Common Base 1,5 kΩ
Saklar terbuka – cut off
Saklar tertutup – hard saturation
15 V

15 kΩ Bila VLED = 0 V, maka :

15 V
I pada 1,5 k = 10 mA.

Common Saklar terbuka – cut off

Emitter
Saklar tertutup – hard saturation
20 V

15 V
Arus di emitter 10 mA, tidak
1,5 kΩ tergantung pada tegangan LED.