Anda di halaman 1dari 10

KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

Kelompok 2:
Afifah (17033002)
Jeremia Vinsencius (17033020)
Revi Indriani (17033036)

Mata Kuliah Elektronika Dasar


A. Pengertian Dasar

Transistor Bipolar adalah jenis transistor yang paling


banyak di gunakan pada rangkaian elektronika. Jenis-jenis
transistor ini terbagi atas 3 bagian lapisan material
semikonduktor yang terdiri dari dua formasi lapisan yaitu
lapisan P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan lapisan N-P-N
(Negatif-Positif-Negatif).
Simbol Transistor Bipolar

Transistor NPN dan PNP


B. KARAKTERISTIK LOOP KELUARAN
COMMON BASE

suatu rangkaian yang menggunakan konfigurasi common base


terdiri dari suatu resistor dan dua buah tahanan.Tahana RC di pasang
pada bagian keluaran ,yang mana pada bagian keluaran ini di
hubungkan dengan catu daya VCC.
Persamaan tegangan pada loop keluaran dari konfigurasi
common base dapat i tuliskan dalam bentuk

VCC =IC RC+VCB

Arua listrik pada kolektor dapat di rumuskan dalam bentuk

IE =VCC – VCB/RC
Pada gambar dapat di kemukakan untuk tegangan
kolektor base rendah arus kolektor naik dengan cepat untuk
suatu setting arus emitor.kemudian arus kolektor hampir konstan
meskipun tegangan kolektor base ditambahuntuk setting arus
emitor yang lebih besar ,arus kolektor yang di hasilkan lebih
besar tetapi dengan pola kelengkungan yang sama.
C. KARAKTERISTIK LOOP MASUKAN COMMON
BASE

Istilah common base di turunkan dari


kenyataan bahwa terminal base di gunakan secara
bersama untuk kedua masukan dan tegangan dari
konfigurasi.Secara umum kaakteristik transistor
menyatakan hubungan antara arus listrik dan
tegangan keluaran dengan bias yang di berikan.suatu
rangkaian yang menggunakan konfigurasi common
base terdiri dari suatu resistor dan dua buah
tahanan.Tahana RE di pasang pada bagian masukan
,yang mana pada bagian masukan ini di hubungkan
dengan catu daya VEE.
RANGKAIAN KONFIGURASI COMMON BASE
Pada gambar untuk suatu tegangan VCB,bila tegangan
VBE kecil tidan ada arus emitor dan arus mulai pada
tegangan sekitar 0,6 volt.pada tegangan di atas 0,6 volt
arus emitor naik dengan cepat.karakteristik ini mirip
dengan karakteristik dioda dalam bias maju untuk
tegangan VEB lebih kecil kelengkungan arus emitor
bergeser ke arah kanan.
Persamaan tegangan pada loop masukan dapat di tentukan dengan
menerapkan hukum kirchhoff tentang tegangan pada suatu loop
tertutup.

VEE =VBE +IE RE

Arus listrik pada emitor dapat di rumuskan dalam bentuk

IE =VEE-VBE/RE
Terima Kasih

Anda mungkin juga menyukai