UJIAN AKHIR SEMESTER TEKNOLOGI LAPISAN TIPIS

1.

Tentukan proses deposisi lapisan tipis yang sesuai (evaporasi, sputtering, dsb., sumber, target, dsb.) untuk aplikasi beriut ini. a. Melapisi sebuah cermin teleskop yang besar dengan Rh b. Deposisi interkoneksi lapisan tipis Al-Cu-Si untuk rangkaian terintegrasi (IC) c. Deposisi multilayer TiO2-SiO2 pada mutiara buatan untuk meningkatkan kuliatas warna dan reflektivitas

Jawab: a. Melapis cermin teleskop yang besar dengan Rh Metode yang sesuai adalah evaporasi dengan target Rhodium (Rh) dan sumber adalah electron beam. b. Deposisi interkoneksi lapisan tipis Al-Cu-Si untuk rangkaian terintegrasi (IC) Metode yang sesuai adalah sputtering dengan target Al-Cu-Si, dan sumber adalah ion. c. Deposisi multilayer TiO2-SiO2 pada mutiara buatan untuk meningkatkan kualitas warna dan reflektivitas Metode yang sesuai adalah sputtering dengan target TiO2 dan SiO, dan sumber adalah ion.

2.

Suatu lapisan Al dideposit pada laju 1m/menit di dalam vakum pada temperatur 25C. Diperkirakan oksigen pada film sebesar 10-3, berapa tekanan parsial oksigen di dalam sistem?

Jawab: 2
/

10 1
Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal 1

 2,7 1

gram 0,032 kg/mol mol J 8,314 mol. K 32 25C 298 K 26,98 g/mol

1,667. 10 cm/s

Untuk gas Oksigen dalam lapisan tipis sebesar 10-3, maka tekanannya adala: 0.0012

0.001 2,7 1,667. 10 20,032 . 8,314 . 298 10 . . 26,98 /

. 3. a.

Jelaskan tentang metode evaporasi, elektrodeposisi, XRD, XRF, dan plasma induktif, bagaimana prinsip keja alatnya?

b.

Jelaskan tentang sifat mekanik dan sifat listrik lapisan tipis, bagaimana metode untuk menentukan sifat-sifat tersebut?

c.

Jelaskan metode pengukuran ketebalan lapisan tipis yang anda ketahui! Jawab:

a. 11.

Metode Evaporasi Metode evaporasi adalah salah satu cara mendeposisi lapisan tipis berbahan dasar logam dengan proses penumbuhannya yang dilakukan di ruang vakum. Dalam ruang vakum tersebut terdapat molekul-molekul gas baik yang berasal dari gas sisa maupun yang berasal dari sumber evaporasi yaitu bahan logam yang diuapkan.

Meli Muchlian

Teknologi Lapisan Tipis

Hal 2

Prinsip kerja alat: Dalam proses evaporasi, substrat ditempatkan di dalam ruang vakum tempat material sumber yang akan dievaporasi diletakkan. Kemudian bahan sumber tersebut dipanaskan sampai titik mendidih dan menguap. Kondisi vakum diperlukan untuk memungkinkan molekul untuk menguap bebas di ruangan, dan mengembun pada semua permukaan logam.

a.

2.

Elektrodeposisi Elektrodeposisi adalah proses pelapisan bahan dalam bahan elektrolit pada suatu substrat dengan pemberian arus listrik eksternal. Komponen utama pada proses elektrodeposisi terdiri dari sumber arus searah (DC), larutan elektrolit, dan elektroda. Elektroda tersebut terdiri dari anoda dan katoda. Pada anoda akan terjadi reaksi oksidasi dan pada katoda terjadi reaksi reduksi.

Prinsip kerja alat: Lapisan tipis yang akan di deposisi dimasukkan dalam larutan elektrolit dengan kadar molar tertentu, lalu dihubungkan pada sumber arus DC (anoda (+) dan katoda (-)), selanjutnya diatur waktu, kuat arus dan tegangannya, dengan tujuan untuk mengatur ketebalan lapisan tipis yang akan di buat.

Meli Muchlian

Teknologi Lapisan Tipis

Hal 3

a.

3.

XRD XRD adalah instrumen yang digunakan untuk mengidentifikasi material kristalit maupun non-kristalit, sebagai contoh identifikasi struktur kristalit (kualitatif) dan fasa (kuantitatif) dalam suatu bahan dengan memanfaatkan radiasi gelombang elektromagnetik sinar X.

Prinsip kerja alat:

Sinar-X dihasilkan di suatu tabung sinar katode dengan pemanasan kawat pijar untuk menghasilkan elektron-elektron, kemudian elektronelektron tersebut dipercepat terhadap suatu target dengan memberikan suatu voltase, dan menembak target dengan elektron. Ketika elektronelektron mempunyai energi yang cukup untuk mengeluarkan elektronelektron dalam target, karakteristik spektrum sinar-X dihasilkan. Ketika

Meli Muchlian

Teknologi Lapisan Tipis

Hal 4

geometri dari peristiwa sinar-X tersebut memenuhi persamaan Bragg, interferens konstruktif terjadi dan suatu puncak di dalam intensitas terjadi. Detektor akan merekam dan memproses isyarat penyinaran ini dan mengkonversi isyarat itu menjadi suatu arus yang akan dikeluarkan pada printer atau layar komputer. a. 4. XRF XRF adalah alat dalam aplikasi teknik analisis unsur suatu material dengan dasar interaksi sinar-X dengan material analit.

Prinsip kerja alat: Pada teknik XRF, menggunakan sinar-X pada tabung pembangkit sinarX digunakan untuk mengeluarkan electron dari kulit dalam sehingga menghasilkan sinar-X baru dari sample yang di analisis.

Gambar Peristiwa pada tabung X-ray 5. Plasma induktif Metode Inductively Coupled Plasma (ICP) adalah metoda untuk meningkatkan penumbuhan kristal menggunakan plasma yang berasal

Meli Muchlian

Teknologi Lapisan Tipis

Hal 5

dari gas dengan atom terionisasi.

Prinsip kerja alat: Perangkat ICP dirancang untuk menghasilkan plasma dari gas yang atomnya dalam keadaan terionisasi. ICP terdiri dari tiga tabung konsentris, paling sering dibuat dari silika. Tabung tersebut, loop luar, loop menengah, dan loop dalam, secara kolektif membentuk obor ICP. Obor terletak dalam kumparan air pendingin generator frekuensi radio (rf). Gas mengalir ke obor lalu medan rf diaktifkan dan gas pada kumparan dibuat konduktif elektrik. Ini adalah proses urutan terbentuknya plasma. Cahaya yang dipancarkan oleh atom-atom unsur dalam ICP harus dikonversikan ke sinyal listrik dengan memancarkan radiasi dan kemudian intensitas cahaya diukur menggunakan

photomultiplier untuk mengetahui panjang gelombang yang sesuai.

Meli Muchlian

Teknologi Lapisan Tipis

Hal 6

b. 11.

Sifat Mekanik Sifat mekanik lapisan tipis adalah tegangan (gaya/luas penampang) dan regangan (perubahan panjang/panjang awal). Perbedaan koefisien ekspansi termal antara film dan substrat biasanya akan menyebabkan stres mekanik. Efek stress dan adhesi, serta efek film intrinsik lainnya dapat menyebabkan wafer membungkuk dan retak, terbentuk celah, dan film terangkat yang semuanya dapat merusak kualitas film.

Metode menentukan sifat mekanik dengan difraksi Sinar-X: Menggunakan metode difraksi Sinar-X. Sebagai contohnya pada film tipis polycristalin yang diberi stress pada sumbu x dan y, maka akan timbul koefisien epitaksial film sesuai dengan persamaan:

bulk kisi tanpa tekanan dengan Sinar-X kita dapat menentukan secara langsung , dimana / . Karena ,sehingga :

Dengan mengukur jarak kisi dalam film yang tertekan dan juga

Akurasi dari pengukuran dengan teknik Sinar-X ini diperluas dengan penentuan ketepatan kisi parameter, serta penentuan dan yang disebabkan ukuran butir, dislokasi, kesamaan, susunan, dan ketidak seragaman tegangan mikro. b. 2. Sifat Listrik Beberapa sifat listrik thin film diantaranya adalah resistivitas, konduktivitas, mobilitas pembawa muatan, konsentrasi pembawa muatan, arus-tegangan, kapasitansi-tegangan. Dengan mengetahui sifatsifat elektris dari material kita secara langsung dapat mengetahui adanya cacat kimia dan fisika dari kristal tersebut. Sebagai contoh, jika tipe semikonduktor (carrier) dari material diketahui maka tahanan jenisnya dapat digunakan untuk mencari konsentrasi rataan dari carrier

Meli Muchlian

Teknologi Lapisan Tipis

Hal 7

mayoritas.

Metode menentukan sifat listrik dengan Four-Point Probe: Four-Point Probe (probe 4 titik) adalah salah satu jenis alat yang digunakan untuk mengukur nilai resistivitas suatu lapisan bahan semikonduktor seperti Silikon (Si), Germanium (Ge), Gallium Arsenide (GaAs), juga bahan logam dalam bentuk thin film (lapisan tipis) yang dipergunakan dalam pembuatan piranti elektronika. Alat ukur ini didasarkan pada 4 buah probe dimana 2 probe berfungsi untuk mengalirkan arus listrik dan 2 probe yang lain untuk mengukur tegangan listrik sewaktu probe-probe tersebut dikenakan pada bahan (sampel). Untuk menentukan serta mengkaji sifat-sifat bahan tersebut dapat dilakukan dengan menentukan nilai resistivitas untuk suatu luasan dan ketebalan tertentu. Beberapa parameter lain yang dapat diperoleh dari pengukuran bahan dengan menggunakan peralatan ini antara lain adalah mengetahui jenis doping suatu bahan semikonduktor (positif atau negatif), mobilitas elektron dari suatu bahan.

Konfigurasi utama four point probe c. Salah satu metode untuk mengukur ketebalan lapisan tipis adalah dengan metode interferometri menggunakan perangkat interferometer. Penggunaan suatu interferometer memungkinkan untuk mengukur ketebalan film tipis. Metode ini menggunakan suatu sumber radiasi, sehingga memiliki skala ukur dengan limit orde panjang gelombang sinar laser. Interferometer juga dapat dapat digunakan untuk mengukur panjang atau perubahan panjang

Meli Muchlian

Teknologi Lapisan Tipis

Hal 8

berdasarkan penentuan garis-garis interferensi karena alat ini menggunakan sebuah sumber radiasi (laser) dengan panjang gelombang tertentu, serta terdiri dari berbagai elemen optik sehingga memerlukan pengaturan yang tepat dalam pengoperasiannya.

Pengukuran lapisan tipis. garis-garis interferensi dihasilkan oleh refleksi sinar dari permukaan film dan permukaan substrat. Keterangan: F d LS BS M MS S t = Film = ketebalan Film = sumber cahaya monokromatik = prisma pemecah berkas cahaya (beam-splitting prism = cermin datar = mikroskop = subtrat = lapisan udara

Meli Muchlian

Teknologi Lapisan Tipis

Hal 9