Ujian 2011

1. Litografi merupakan proses pencetakan yang dilakukan pada permukaan licin, dan juga
sebuah cara untuk memproduksi semikonduktor dan peralatan MEMS. Penggunaan litografi
:
Dalam industri mikroelektronika, digunakan untuk pembuatan dioda, resistor,
transistor, dan kapasitor.
Digunakan dalam proses percetakan, misalnya proses percetakan buku secara offset
yang menggunakan pelat logam.
2. Penempatan masker :
Contact printing
Masker ditempelkan pas di atas dari resis
Proximity printing
Masker ditempatkan tidak langsung di atas resis, namun ada celah yang
memisahkan dengan jarak lebih dari 10 mikrometer
Projection printing
Masker dicerminkan bayangannya atau diproyeksikan di atas resis oleh cermin atau
lensa.
3. Berdasarkan sumber iradiasi :
Fotolitografi
Menggunakan sinar dengan panjang gelombang sekitar 200-480 nm dan sebagian di
daerah sinar tampak
Litografi sinar X
Menggunakan panjang gelombang sinar X. Fotolitografi dan litografi sinar X ini
menggunakan masker
Litografi penembakan elektron
Elektron yang ditembakkan dapat didefleksikan di atas permukaan sehingga
terbentuk pola tertentu yang memiliki resolusi tinggi. Cara ini dapat dilakukan pada
resis yang sangat kecil tanpa menimbulkan cacat pada resis.
4. Tahap-tahap proses litografi:
Pasivasi
Proses pembentukan silikon oksida pada permukaan substrat. Dilakukan dengan dua
cara yaitu dengan CVD dan oksidasi kering.
Pelapisan resis
Resis dilapiskan pada permukaan substrat dengan cara pelapisan berputar.
Tujuannya untuk membentuk lapisan film yang homogen dan bebas dari cacat.
Pemanasan awal
Pemanasan awal ini untuk menghilangkan pelarut pada resis yang telah ditempelkan
pada permukaan substrat.
Penyinaran
Penyinaran dilakukan dengan menggunakan masker, yaitu cara fotolitografi dan
litografi sinar X, penyinaran tanpa menggunakan masker yaitu litografi penembakan
elektron.
Developing
Proses pembuatan sturktur 3D pada lapisan film resis.
Pemanasan akhir
Pemanasan akhir bertujuan untuk mendapatkan performa yang baik dari litografi
maksimum
Pengetsaan
Pengetsaan bertujuan untuk memindahkan pola yang terbentuk pada film resis ke
lapisan SiO2.
Pelepasan
Pelepasan lapisan film resis sehingga terbentuk substrat silikon yang tertutup oleh
lapisan SiO2 sesuai dengan pola tertentu.
5. Pemanasan awal dilakukan untuk menghialngkan pelarut yang masih terkandung pada resis.
Pemanasan akhir ini berfungsi mengeraskan resis agar memiliki ketahanan untuk proses
selanjutnya seperti proses pengetsaan.
6. Metode pelapisan substrat silikon :
CVD (Chemical Vapour Deposit)
Dilakukan dengan cara mengalirkan SiH4 atau SiCl4 ke lapisan substrat silikon
Reaksi : SiH4 + 2O2 -> SiO2 + 2H2O SiCl4 + 2H2O -> SiO2 + 4HCl
Oksidasi kering
Oksidasi kering dilakukan dengan cara mengalirkan gas oksidasi kering dengan suhu
1000-1200 derajat selsius ke substrat Si. Teknik ini dilakukan pada industri
semikonduktor untuk memperoleh produk yg murni.
7. Berdasarkan kepekaan :
Resis positif
Resis yang akan meningkatkan kelarutan karena resis yang telah diiradiasi ini akan
larut apabila dilarutkan dalam cairan tertentu. Resis positif ini akan terputus menjadi
polimer-polimernya.
Contoh : Microline PR 102, microline PR 115
Resis Negatif
Resis yang apabila telah diiradiasi dan dilarutkan dalam cairan tertentu akan
menurunkan kelarutan, karena akan membentuk ikatan silang dalam larutan
Contoh : Microresist 747, microresis 752
Berdasarkan komponen
Resis 1 komponen
Resis yang udah punya 1 komponen yang bisa melakukan fungsi utama sebagai resis
dan memiliki
Contoh : Resis polimer tersubtitusi, PMMA dan PMCA
Resis 2 komponen
Terdiri dari 1 komponen sebagai lapisan film resis dan 1 komponen sebagai
sensitizer, yaitu senyawa kimia yg peka terhadap iradiasi.
Contoh : Sebagai lapisan film resis : Novolac, sebagai sensitizer: diazonaphtoquinon
8.
9. Tiga parameter karakteristik resis :
Sensitivitas
Sensitivitas untuk resis + adalah dosis untuk melarutkan sejumlah resis keseluruhan
yang telah diiradiasi.
Sensitivitas untuk resis adalah dosis yang dibutuhkan untuk mendapatkan
ketidaklarutan resis pada tingkat ketebalan tertentu
Resolusi
Resolusi dikarakterisasi dgn lebar celah minimum yang dapat diperoleh pada
ketebalan resis tertentu
Kontras
Sensitivitas dan kontras ditentukan dari kurva karakteristik yang menggambarkan
hubungan antara ketebalan lapisan resis yang telah ternormalisasi dengan dosis
tertentu atau waktu. Kemiringan kurva ini merupakan kontras