Perbedaan Rom : PROM, EPROM, EEPROM, dan Flash

Memory

Perbedaan  PROM, EPROM, EEPROM, dan Flash memory. Posting wahyu kali ini karena ada tugas dari

kampus, untuk teman-teman yang menemukan ini pasti beruntung hehe. Ini adalah Perbedaan ROm :  PROM,

EPROM, EEPROM, dan Flash memory. Baiklah Langsung aja silahkan di tulis biar tugasnya selesai :).

1. PROM

PROM kependekan dari Programmable Read Only Memory. PROM adalah salah satu jenis ROM, merupakan alat

penyimpan berupa memori (memory device) yang hanya bisa dibaca isinya. PROM memang tergolong memori

non-volatile, artinya program yang tersimpan di dalamnya tidak akan hilang walaupun komputer dimatikan (tidak

mendapatkan daya listrik). Program yang tersimpan di dalamnya bersifat permanen. Biasanya digunakan untuk

menyimpan program bahasa mesin yang sudah menjadi bagian hardware (perangkat keras) komputer.

Contohnya adalah program yang men-start komputer ketika komputer baru dinyalakan (di-on-kan).

Program yang ada di dalam PROM diisi oleh pabrik pembuatnya. Pengisian program ke dalam PROM

menggunakan alat khusus bernama PROM burner, atau PROM Writer Program atau informasi yang telah diisikan

atau direkamkan ke dalam PROM, tidak dapat dihapus lagi.

2. EPROM

EPROM kependekan dari Erasable Programmable Read Only Memory. EPROM berbeda dengan PROM. EPROM

adalah jenis chip memori yang dapat ditulisi program secara elektris. Program atau informasi yang tersimpan di

dalam EPROM dapat dihapus bila terkena sinar ultraviolet dan dapat ditulisi kembali. Kesamaannya dengan

PROM adalah keduanya merupakan jenis ROM, termasuk memori non-volatile, data yang tersimpan di dalamnya

tidak bisa hilang walaupun komputer dimatikan, tidak membutuhkan daya listrik untuk mempertahankan atau

menjaga informasi atau program yang tersimpan di dalamnya.

Alat yang dapat digunakan untuk menghapus isi chip EPROM adalah UV PROM eraser. Alat ini akan menyinarkan

sinar ultraviolet ke memori tempat data disimpan dalam chip EPROM (disinarkan tepat pada lubang kuarsa

bening). Dengan demikian, chip EPROM dapat digunakan kembali dan dapat diisikan informasi/program baru ke

dalamnya. Informasi lain menyebutkan bahwa alat yang dapat digunakan untuk menghapus isi EPROM adalah

EPROM Rewriter.
3. EEPROM

EEPROM kependekan dari Electrically Erasable Programmable Read Only Memory. Seperti halnya PROM dan

EPROM, EEPROM merupakan memori non-volatile. Informasi, data atau program yang tersimpan di dalamnya

tidak akan hilang walaupun komputer dimatikan, dan tidak membutuhkan daya listrik untuk mempertahankan

atau menjaga informasi atau program yang tersimpan di dalamnya.

EEPROM adalah komponen yang banyak digunakan dalam komputer dan peralatan elektronik lain untuk

menyimpan konfigurasi data pada peralatan elektronik tersebut. Kapasitas atau daya tampung simpan datanya

sangat terbatas. Pada sistem hardware komputer, chip EEPROM umumnya digunakan untuk menyimpan data

konfigurasi BIOS dan pengaturan (setting) sistem yang berhubungan dengannya.

EEPROM memiliki kelebihan tersendiri dibandingkan EPROM. EEPROM dapat dihapus secara elektris

menggunakan sinar ultraviolet, sehingga proses penghapusannya lebih cepat dibandingkan EPROM.

Penghapusan juga dapat dilakukan secara elektrik dari papan circuit dengan menggunakan perangkat lunak

EEPROM Programmer. Alat yang dapat digunakan untuk menghapus isi EEPROM disebut EEPROM Rewriter.

Produk EEPROM versi awal, hanya dapat dihapus dan diisi ulang kurang lebih sebanyak 100 kali. Sedangkan

produk-produk terbaru dapat dihapus dan diisi ulang (erase-rewrite) sampai ribuan kali (bahkan beberapa

informasi menyebutkan mampu sampai 100 ribu kali)

4. Flash Memory

Flash memory yang dikenal pula dengan sebutan memori flash, adalah memori sejenis EEPROM yang

memberikan banyak lokasi memori untuk dihapus atau ditulisi dalam suatu operasi pemrograman. Flash memory

tetap dapat menyimpan data tanpa memerlukan penyediaan listrik. Penulisan ke dalam flash memori dapat

dilakukan dengan menggunakan alat yang disebut EEPROM Writer atau software yang dapat menulisi Flash

ROM. Sedangkan penghapusan datanya dapat dilakukan dengan menggunakan alat yang disebut EEPROM

Writer, atau langsung secara elektrik dari papan sirkuit dengan menggunakan software Flash BIOS Programmer.

Memori jenis ini banyak digunakan dalam kartu memori, drive flash USB, kamera digital, pemutar MP3, hingga
telepon genggam.

Mungkin Sekian posting tentang Perbedaan  PROM, EPROM, EEPROM, dan Flash memory. Pasti ini

Bermanfaat buat teman-teman. terima kasih yaa telah berkunjung.

sumber :http://gpinkom.wordpress.com/
Tentang DRAM
SEJARAH DRAM

The cryptanalytic Mesin yang diberi nama kode "Aquarius" digunakan di Bletchley Park

selama Perang Dunia II dimasukkan memori dinamis terprogram. Pita kertas itu dibaca dan karakter
di atasnya "yang diingat di toko dinamis .toko ini menggunakan bank besar kapasitor, yang entah
dibebankan atau tidak, kapasitor dibebankan mewakili lintas (1)dan kapasitor bermuatan dot ( 0).
Karena muatan secara bertahap luntur, pulsa periodik diaplikasikan untuk top up mereka masih
dikenakan (maka istilah 'dinamis') ".

Pada tahun 1964 Arnold Farber dan Eugene Schlig, bekerja untuk IBM, menciptakan sel
memori terprogram, menggunakan gerbang transistor dan dioda terowongan gerendel. Mereka
menggantikan kait dengan dua transistor dan dua resistor, konfigurasi yang kemudian dikenal
sebagai sel-Farber Schlig. Pada tahun 1965 Benjamin Agusta dan timnya di IBM menciptakan sebuah
chip silikon memori 16-bit berdasarkan pada sel-Farber Schlig, dengan 80 transistor, 64 resistor, dan
empat dioda.

Pada tahun 1966 DRAM ditemukan oleh Dr Robert Dennard di IBM Thomas J. Watson
Research Center . Dia diberikan nomor paten US 3.387.286 pada tahun 1968. Kapasitor telah
digunakan untuk skema memori sebelumnya seperti drum dari Komputer Atanasoff-Berry , yang
tabung Williams dan tabung Selectron . Toshiba "Toscal" SM-1411kalkulator elektronik, yang
diperkenalkan pada bulan November 1966, menggunakan bentuk RAM dinamis dibangun dari
komponen diskrit.

Pada tahun 1969 Honeywell meminta Intel untuk membuat DRAM menggunakan 3 -
transistor sel yang telah mereka kembangkan. Ini menjadi Intel 1102 (1024x1) pada awal 1970.
Namun, 1102 memiliki banyak masalah, mendorong Intel untuk mulai bekerja pada desain diperbaiki
sendiri, secara rahasia untuk menghindari konflik dengan Honeywell. Ini menjadi yang pertama yang
tersedia secara komersial memori DRAM, Intel 1103 (1024x1), pada bulan Oktober 1970, meskipun
masalah awal dengan hasil yang rendah sampai revisi kelima dari masker . The 1103 dirancang oleh
Joel Karp dan ditata oleh Barbara Maness.

DRAM pertama dengan baris multiplexing dan kolom baris alamat adalah Mostek MK4096
(4096x1) yang dirancang oleh Robert Proebsting dan diperkenalkan pada tahun 1973. Ini skema
pengalamatan menggunakan pin alamat yang sama untuk menerima setengah rendah dan setengah
tinggi dari alamat sel memori yang direferensikan, beralih antara dua bagian pada bolak siklus bus.
Ini adalah kemajuan radikal, efektif mengurangi separuh jumlah baris alamat yang dibutuhkan, yang
memungkinkannya untuk masuk ke dalam paket dengan pin yang lebih sedikit, keunggulan biaya
yang tumbuh dengan setiap lonjakan ukuran memori. MK4096 terbukti menjadi desain yang sangat
kuat untuk aplikasi pelanggan. Pada kepadatan 16K, keuntungan biaya meningkat, yang Mostek
MK4116 16K DRAM, diperkenalkan pada tahun 1976, mencapai lebih dari 75% pangsa pasar DRAM
di seluruh dunia. Namun, karena kepadatan meningkat menjadi 64K di awal 80-an, Mostek disusul
oleh produsen DRAM. DRAM Jepang menjual kualitas yang lebih tinggi menggunakan skema
multiplexing yang sama dengan harga di bawah biaya . Jepang-Amerika.

PENGERTIAN DRAM

DRAM (Dynamic Random Access Memory) adalah jenis RAM yang menyimpan setiap bit data
yang terpisah dalam kapasitor dalam satu sirkuit terpadu. Data yang terkandung di dalamnya harus
disegarkan secara berkala oleh CPU agar tidak hilang. Hal ini membuatnya sangat dinamis
 dibandingkan dengan memori lainnya. Dalam strukturnya, DRAM hanya memerlukan satu transistor
dan kapasitor per bit, sehingga memiliki kepadatan sangat tinggi. Kapasitor dapat berupa
dibebankan atau habis, kedua negara yang diambil untuk mewakili dua nilai sedikit, konvensional
disebut 0 dan 1. Karena kapasitor bocor, informasi yang tersimpan akhirnya hilang kecuali kapasitor
itu disegarkan secara berkala. Karena kebutuhan dalam penyegaran ini, itu adalah
memori dinamis yang bertentangan dengan SRAM dan memori statis lainnya.

Memori utama ("RAM") di komputer pribadi adalah RAM dinamis (DRAM). Ini adalah RAM di
desktop , laptop dan workstation komputer serta beberapa RAM video game konsol.

DRAM yang diproduksi dengan menggunakan proses yang sama dengan bagaimana prosesor
adalah: substrat silikon terukir dengan pola yang membuat transistor dan kapasitor (dan struktur
pendukung) yang terdiri dari setiap bit. DRAM biaya jauh lebih sedikit dibandingkan prosesor karena
merupakan serangkaian sederhana, struktur berulang, sehingga tidak ada kerumitan membuat satu
chip dengan beberapa juta transistor individual berada. Lihat di sini untuk rincian tentang bagaimana
prosesor yang diproduksi ; prinsip-prinsip untuk pembuatan DRAM serupa.
A.    Modul DRAM

1.      DIP (Dual in-line Package)

Modul DIP yang sering ditemukan di pasaran umumnya mempunyai 16 pin (kaki), biasanya
digunakan sebelum munculnya FPRAM di pasaran.

Modul DIP biasanya dipasangkan (disisipkan) pada soket yang memang sudah tersedia pada
motherboard. Soket tempat modul DIP ini berberntuk kotak, pada permukaan atasnya terlihat adanya
sederetan lubang berjajar, tempat dimasukkannya kaki-kaki (pin) modul DIP. Jumlah lubang ini sama
dengan jumlah pin yang ada pada DIP.

2.      SIPP (Single In-line Pin Package), biasanya FPRAM

3.      SIMM (Single In-line Memory Module), biasanya FPRAM dan EDO RAM.

Di Pasaran, FPRAM yang sering ditemukan memiliki 30 pin, sedangkan EDO RAM memiliki
72 kaki. SIMM 72 pin EDO RAM ini sering pula disebut dengan nama PS/2 SIMM.

4.      DIMM (Dual In-line Memory Module)

Contoh modul DRAM yang termasuk dalam tipe DIMM ini adalah SDRAM, DDR SDRAM,
DDR2 SDRAM, dan DDR3 SDRAM.
SDRAM biasanya didesain memiliki 168 pin, DDR SDRAM didesain memiliki 184 pin, sedangkan
DDR2 SDRAM dan DDR3 SDRAM didesain memiliki 240 pin.

5.      RIMM (Rambus In-line Memory Module)

Secara teknis, RIMM ini sebenarnya adalah DIMM. Pemberian nama menjadi RIMM adalah
hak bagi pemilik (pembuat) slot modul ini. RIMM sering ditemukan memiliki 184 pin.

6.      SO-RIMM (Small outline RIMM)

SO-RIMM adalah versi yang lebih kecil bentuknya daripada RIMM. Jika RIMM biasanya
digunakan pada komputer PC desktop, SO-RIMM umumnya digunakan pada komputer laptop.
Secara teknis, SO-RIMM ini adalah SO-DIMM. Pemberian nama menjadi SO-RIMM adalah hak bagi
pemilik (pembuat) slot modul ini.

7.      SO-DIMM (Small outline DIMM)

 SO-DIMM adalah versi yang lebih kecil bentuknya daripada DIMM, kurang lebih separuh dari
ukuran fisik DIMM. Jika RIMM biasanya digunakan pada komputer PC desktop, SO-DIMM umumnya
digunakan pada komputer laptop. Terdapat beberapa versi SO-DIMM, antara lain SO-DIMM 72 bin
(32 bit), 144 pin (64 bit), dan 200 pin (72 bit).

B.     Versi DRAM

1.      Asynchronous DRAM

Chip DRAM asynchronous memiliki sambungan listrik, beberapa jumlah input alamat (biasanya
12), dan beberapa (biasanya satu atau empat) jalur data dua arah. Ada empat active-low sinyal
kontrol:

                    i.    RAS, Row
Address Strobe. Masukan alamat ditangkap di tepi jatuh dari / RAS, dan memilih baris untuk
membuka. Sengketa ini diadakan terbuka selama / RAS rendah.

                  ii.    CAS, ColumnAddress Strobe. Masukan alamat ditangkap di tepi jatuh dari / CAS, dan pilih kolom dari baris
saat ini terbuka untuk membaca atau menulis.

                 iii.    KAMI, Menulis
Aktifkan. Sinyal ini menentukan apakah tepi jatuh diberikan / CAS adalah membaca (jika
tinggi) atau write (jika rendah). Jika rendah, input data juga ditangkap di tepi jatuh dari / CAS.

                 iv.    OE, Output
Enable. Ini adalah sinyal tambahan yang mengontrol output data I / O pin. Data pin didorong
oleh chip DRAM jika / RAS dan / CAS rendah, / WE tinggi, dan / OE rendah.  Dalam banyak aplikasi, /
OE dapat dihubungkan secara permanen rendah (output selalu diaktifkan), tetapi dapat berguna saat
menghubungkan beberapa chip memori secara paralel.

Interface ini menyediakan kontrol langsung dari waktu internal. Ketika / RAS didorong rendah,
siklus / CAS tidak boleh mencoba sampai amplifier rasa merasakan keadaan memori, dan / RAS tidak
boleh dikembalikan tinggi sampai sel-sel penyimpanan telah segar. Ketika / RAS didorong tinggi,
maka harus diadakan tinggi cukup lama untuk precharging untuk menyelesaikan.

1.                RAS Hanya Refresh (ROR)

2.                CAS sebelum RAS menyegarkan (CBR)

3.                Refresh tersembunyi

2.    Video DRAM (VRAM)

VRAM adalah dual-porting varian dari DRAM yang dulunya biasa digunakan untuk

menyimpan frame-penyangga di beberapa adapter grafis.

3.    Jendela DRAM (WRAM) 

WRAM adalah varian dari VRAM yang pernah digunakan dalam adapter grafis seperti Matrox
Millenium dan ATI 3D Rage Pro . WRAM dirancang untuk melakukan lebih baik dan biaya kurang dari
VRAM. WRAM mempersembahkan bandwidth 25% lebih besar dari VRAM dan dipercepat umum
digunakan operasi grafis seperti menggambar teks dan blok mengisi.

4.    Modus halaman cepat DRAM (FPM DRAM)

Modus halaman cepat DRAM juga disebut FPM DRAM, FPRAM, modus Halaman DRAM,
halaman Cepat modus memori, atau halaman memori modus.

Dalam mode halaman, deretan DRAM dapat disimpan "terbuka" dengan memegang / RAS
rendah, sementara melakukan beberapa membaca atau menulis dengan pulsa terpisah / CAS
sehingga berturut-turut membaca atau menulis dalam baris tidak menderita keterlambatan precharge
dan mengakses baris. Hal ini meningkatkan kinerja sistem saat membaca atau menulis semburan
data.
5.    Data diperpanjang keluar DRAM (EDO DRAM)

EDO DRAM, kadang-kadang disebut sebagai Hyper Page Mode DRAM diaktifkan, mirip
dengan Cepat Page Mode DRAM dengan fitur tambahan yang siklus akses baru dapat dimulai sambil
menjaga output data siklus sebelumnya aktif. Hal ini memungkinkan sejumlah tumpang tindih dalam
operasi (pipelining), sehingga agak perbaikan kinerja. Itu adalah 5% lebih cepat dari FPM DRAM,
yang mulai menggantikan pada tahun 1995, ketika Intel memperkenalkan chipset 430FX yang
mendukung EDO DRAM.

Harus tepat, EDO DRAM mulai data output di tepi jatuh dari / CAS, tetapi tidak berhenti
output ketika / CAS naik lagi. Ini memegang output valid (sehingga memperpanjang waktu data
output) sampai baik / RAS deasserted, atau jatuh tepi baru / CAS memilih alamat kolom yang
berbeda.

Single-cycle EDO memiliki kemampuan untuk melaksanakan transaksi memori lengkap

dalam satu siklus clock. Jika tidak, setiap akses RAM berurutan dalam halaman yang sama
mengambil dua siklus clock bukannya tiga, setelah halaman tersebut telah dipilih. Kinerja dan
kemampuan EDO yang memungkinkan untuk agak menggantikan cache L2 kemudian-lambat PC. Ini
menciptakan kesempatan untuk mengurangi kerugian kinerja yang sangat besar terkait dengan
kurangnya L2 cache, sementara membuat sistem yang lebih murah untuk membangun. Ini juga baik
untuk notebook karena kesulitan dengan faktor bentuk yang terbatas, dan keterbatasan daya tahan
baterai. Sebuah sistem EDO dengan L2 cache adalah kongkrit lebih cepat dari yang lebih tua FPM/L2
kombinasi.

Single-cycle EDO DRAM menjadi sangat populer pada video card menjelang akhir tahun
1990-an. Itu biaya yang sangat rendah, namun hampir sama efisien untuk kinerja sebagai VRAM jauh
lebih mahal.

Banyak peralatan mengambil 72-pin SIMM bisa menggunakan salah FPM atau
EDO. Masalah yang mungkin, terutama ketika pencampuran FPM dan EDO. Awal Hewlett-
Packard printer telah FPM RAM dibangun pada, beberapa, tapi tidak semua, model bekerja jika
tambahan EDO SIMM ditambahkan.

6.    Burst EDO DRAM (BEDO DRAM) 

Sebuah evolusi dari EDO DRAM, EDO DRAM Burst, dapat memproses empat alamat memori
dalam satu ledakan, untuk maksimum 5-1-1-1, tabungan tambahan tiga jam lebih dirancang secara
optimal memori EDO. Hal itu dilakukan dengan menambahkan alamat counter pada chip untuk
melacak alamat berikutnya. BEDO juga menambahkan tahap pipelined memungkinkan siklus
halaman-akses yang akan dibagi menjadi dua komponen. Selama operasi memori-baca, komponen
pertama mengakses data dari array memori untuk tingkat keluaran (kedua latch). Komponen kedua
melaju bus data dari latch ini pada tingkat logika yang tepat. Karena data tersebut sudah dalam buffer
output, waktu lebih cepat akses dicapai (sampai 50% untuk blok data yang besar) dibandingkan
dengan EDO tradisional.

Meskipun BEDO DRAM menunjukkan optimasi tambahan atas EDO, pada saat itu tersedia
pasar telah membuat investasi yang signifikan menuju DRAM sinkron, atau SDRAM . Meskipun
BEDO RAM lebih unggul dalam beberapa hal SDRAM, teknologi terakhir dengan cepat mengungsi
BEDO.

7.    Multibank DRAM (MDRAM)

Multibank DRAM menerapkan interleaving teknik untuk main memory untuk kedua

tingkat memori cache untuk menyediakan alternatif yang lebih murah dan lebih cepat
untuk SRAM . Chip membagi kapasitas memori menjadi blok-blok kecil 256 kB dan memungkinkan
operasi untuk dua bank yang berbeda dalam satu siklus clock tunggal.

Memori ini terutama digunakan dalam kartu grafis dengan Tseng Labs ET6x00 chipset, dan
dibuat oleh MoSys . Papan berdasarkan chipset ini sering digunakan konfigurasi ukuran RAM yang
tidak biasa dari 2,25 MB, karena kemampuan MDRAM untuk diimplementasikan dalam berbagai
 ukuran dengan lebih mudah. Ini ukuran 2,25 MB diperbolehkan warna 24-bit pada resolusi 1024 ×
768, tampilan pengaturan yang sangat populer dalam waktu kartu.

8.    Sinkron grafis RAM (SGRAM)

SGRAM adalah bentuk khusus dari SDRAM untuk adapter grafis. Ia menambahkan fungsi
seperti bit masking (menulis ke bit plane tertentu tanpa mempengaruhi orang lain) dan memblokir
kemampuan menulis (mengisi blok memori dengan satu warna). Tidak seperti VRAM dan WRAM,
SGRAM adalah single-porting. Namun, hal itu dapat membuka dua halaman memori sekaligus, yang
mensimulasikan sifat dual-port teknologi VRAM lainnya.

9.    RAM dinamis sinkron (SDRAM)

SDRAM secara signifikan merevisi antarmuka memori asynchronous, menambahkan jam

(dan jam memungkinkan) line. Semua sinyal lain yang diterima di tepi terbit jam.

The input / RAS dan / CAS tidak lagi bertindak sebagai lampunya, tetapi sebaliknya, bersama
dengan / KAMI, bagian dari perintah 3-bit:

Fungsi / OE garis itu diperpanjang ke "DQM" sinyal per-byte, yang mengontrol masukan data
(menulis) selain output data (dibaca). Hal ini memungkinkan chip DRAM menjadi lebih luas dari 8 bit
sementara masih mendukung byte-granularity menulis.

Banyak parameter waktu tetap berada di bawah kendali kontroler DRAM. Misalnya, waktu
minimum harus berlalu antara baris yang diaktifkan dan membaca atau menulis perintah. Salah satu
parameter penting yang harus diprogram ke dalam SDRAM chip itu sendiri, yaitu latency CAS . Ini
adalah jumlah jam siklus diperbolehkan untuk operasi internal antara perintah membaca dan kata
data yang pertama muncul pada bus data. The "mode Beban mendaftar" Perintah ini digunakan untuk
mentransfer nilai ini ke chip SDRAM. Parameter dapat dikonfigurasi lainnya termasuk panjang
membaca dan menulis semburan, yaitu jumlah kata yang ditransfer per membaca atau menulis
perintah.

Perubahan yang paling signifikan, dan alasan utama yang telah menggantikan SDRAM RAM
asynchronous, adalah dukungan untuk beberapa bank intern di dalam chip DRAM. Menggunakan
beberapa bit "alamat bank" yang menyertai setiap perintah, bank kedua dapat diaktifkan dan mulai
membaca data sementara membaca dari bank pertama sedang berlangsung. Dengan bolak bank,
perangkat SDRAM dapat menyimpan data bus terus sibuk, dengan cara yang DRAM asynchronous
tidak bisa.

10. Data rate tunggal (SDR) 

Tunggal SDRAM data rate (kadang-kadang dikenal sebagai SDR) adalah bentuk sinkron

DRAM.

11. Ganda data rate (DDR)

Ganda SDRAM data rate (DDR) adalah perkembangan selanjutnya dari SDRAM, digunakan
dalam memori PC dimulai pada tahun 2000. Versi berikutnya diberi nomor berurutan (DDR2,
DDR3,dll). DDR SDRAM secara internal melakukan double-lebar akses pada clock rate, dan
menggunakan double data rate antarmuka untuk mentransfer satu setengah jam pada setiap
sisi. DDR2 dan DDR3 meningkatkan faktor ini untuk 4 × 8 × dan masing-masing memberikan 4-kata
dan semburan 8-kata lebih dari 2 dan 4 clock cycle, masing-masing. Tingkat akses internal sebagian
besar tidak berubah (200 juta per detik untuk DDR-400, DDR2-800 dan DDR3-1600 memori), namun
data masing-masing transfer akses yang lebih.

12.  Direct Rambus DRAM (DRDRAM)

Langsung RAMBUS DRAM (DRDRAM) dikembangkan oleh Rambus.

13.  RAM pseudostatik (PSRAM)

 PSRAM atau PSDRAM adalah RAM dinamis dengan built-in menyegarkan dan sirkuit alamat-
kontrol untuk membuatnya berperilaku mirip dengan RAM statis (SRAM). Ini menggabungkan
kepadatan tinggi dari DRAM dengan kemudahan penggunaan SRAM benar. PSRAM (dibuat oleh
Numonyx) digunakan di iPhone Apple dan embedded system lain sebagai XFlar Platform.

Beberapa komponen DRAM memiliki "self refresh mode". Sementara ini melibatkan banyak
logika yang sama yang diperlukan untuk operasi pseudo-statis, modus ini sering setara dengan
modus siaga. Hal ini disediakan terutama untuk memungkinkan sistem untuk menangguhkan
pengoperasian kontroler DRAM untuk menghemat daya tanpa kehilangan data yang disimpan dalam
DRAM, tidak untuk memungkinkan operasi tanpa controller DRAM terpisah seperti halnya dengan
PSRAM.

Sebuah tertanam varian PSRAM dijual oleh MoSys dengan nama 1T-SRAM . Secara teknis

DRAM, tetapi berperilaku seperti SRAM. Hal ini digunakan
dalam Nintendo Gamecube dan Wii konsol.

14.  Mengurangi Latency DRAM (RLDRAM)

Mengurangi Latency DRAM adalah kinerja tinggi ganda data rate (DDR) SDRAM yang
menggabungkan cepat, akses random dengan bandwidth yang tinggi, terutama ditujukan untuk
jaringan dan aplikasi caching.

15.  1T DRAM

Tidak seperti semua varian lainnya diuraikan dalam bagian ini dari artikel ini, 1T
DRAM adalah cara yang berbeda untuk membangun sel DRAM bit dasar. 1T DRAM adalah
"capacitorless" desain sel bit yang menyimpan data dalam kapasitor tubuh parasit yang merupakan
bagian inheren dari silikon pada insulator (SOI) transistor. Dianggap sebagai gangguan dalam desain
logika, ini efek tubuh mengambang dapat digunakan untuk penyimpanan data. Meskipun refresh
masih diperlukan, membaca adalah non-destruktif, muatan yang tersimpan menyebabkan pergeseran
terdeteksi dalam tegangan ambang transistor.

Ada beberapa jenis 1T DRAM kenangan: dikomersialisasikan Z-RAM dari Inovatif Silicon,

yang TTRAM dari Renesas dan A-RAM dari UGR / CNRS konsorsium.

Klasik one-transistor/one-capacitor (1T/1C) sel DRAM juga kadang-kadang disebut sebagai

"1T DRAM", terutama dibandingkan dengan 3T dan 4T DRAM yang diganti pada 1970-an.

 KELEMAHAN

DRAM lebih lambat dari SRAMs dan membutuhkan overhead dari sirkuit refresh. Ini mungkin
tampak aneh untuk ingin membuat memori komputer dari sesuatu yang hanya bisa menampung
nilai untuk sepersekian detik. Bahkan, DRAM keduanya lebih rumit dan lebih lambat dari SRAMs.

KELEBIHAN

Keuntungan dari DRAM adalah kesederhanaan struktural hanya satu transistor dan kapasitor
yang diperlukan per bit, dibandingkan dengan empat atau enam transistor di SRAM. Hal ini
memungkinkan DRAM untuk mencapai sangat tinggi kepadatan . Tidak seperti flash memory , DRAM
adalah memori volatile (lih. memori non-volatile ), karena kehilangan data dengan cepat ketika
kekuasaan akan dihapus. Transistor dan kapasitor yang digunakan sangat kecil, miliaran dapat muat
pada satu chip memori.

Alasan bahwa DRAM digunakan sederhana mereka jauh lebih murah dan memakan banyak
ruang kurang, biasanya 1/4 area silikon dari SRAMs atau kurang. Untuk membangun MB memori inti
64 dari SRAMs akan sangat mahal. Overhead dari rangkaian refresh ditoleransi untuk memungkinkan
penggunaan jumlah besar murah, memori kompak. Sirkuit menyegarkan itu sendiri hampir tidak
pernah masalah, bertahun-tahun menggunakan DRAM telah menyebabkan desain sirkuit ini menjadi
semua tapi disempurnakan.

DRAM lebih kecil dan lebih murah dibandingkan SRAMs karena SRAMs terbuat dari empat
sampai enam transistor (atau lebih) per bit, DRAM hanya menggunakan satu, ditambah kapasitor.
Kapasitor, ketika energi, memegang muatan listrik jika sedikit mengandung muatan "1" atau tidak
jika itu berisi "0". Transistor yang digunakan untuk membaca isi dari kapasitor. Masalah dengan
kapasitor adalah bahwa mereka hanya memegang biaya untuk jangka waktu singkat, dan kemudian
menghilang. Kapasitor ini sangat kecil, sehingga biaya mereka memudar terutama dengan cepat.
Inilah sebabnya mengapa sirkuit refresh dibutuhkan: untuk membaca isi dari setiap sel dan
menyegarkan mereka dengan "biaya" segar sebelum isi memudar dan hilang. Refreshing dilakukan
dengan membaca setiap "baris" di baris chip memori satu per satu; proses membaca isi setiap
kapasitor kembali menetapkan tuduhan itu. Untuk penjelasan tentang bagaimana "baris" dibaca,
dan dengan demikian bagaimana refresh dicapai, lihat bagian ini menggambarkan akses memori . 

KESIMPULAN

             Kesimpulan yang dapat saya ambil dari makalah tentang DRAM ini adalah bahwa DRAM
merupakan suatu media penyimpanan yang dimana sangat dinamis dibandingkan dengan memori
lainnya. Meskipun mempunyai kekurangan yaitu lebih lambat dari SRAMs dan membutuhkan
overhead dari sirkuit refresh. Tetapi dibalik kekurangannya DRAM memiliki kelebihan yang membuat
dia berbeda dengan yang lain yaitu DRAM jauh lebih murah dan memakan banyak ruang kurang,
biasanya 1/4 area silikon dari SRAMs atau kurang sehingga DRAM baik digunakan untuk media
penyimpanan untuk data yang tidak terlalu banyak kapasitasnya.

            Dan dengan makalah ini juga dapat membantu mahasiswa dalam mengetahui lebih dalam lagi
suatu media penyimpanan khususnya DRAM. Sehingga mahasiswa dapat memanfaatkannya dengan
baik sesuai dengan kapasita, kekurangan dan kelebihannya.

SARAN

            Saran yang dapat saya berikan adalah sebelum menggunakan suatu media penyimpanan
ketahui terlebih dahulu kekurangan dan kelebihanya baru menggunakanya dengan arif dan
bijaksana.

DAFTAR PUSTAKA

 http://royhankrenz.blogspot.com/2012/03/dynamic-random-access-memory-dram.html
 http://www.jaringankomputer.org/fungsi-ram-dan-jenis-jenis-type-ram/  

 http://id.wikipedia.org/wiki/Dynamic_Random_Access_Memory