Semikonduktor

ET2006 - Elektronika Komunikasi

Program Studi Teknik Telekomunikasi

Sekolah Teknik Elektro dan Informatika
Institut Teknologi Bandung
 Silabus
• Materi yang akan dipelajari dalam bab Semikonduktor :
– Konduktor dan Semikonduktor
– Kristal Silikon dan Semikonduktor Intrinsik
– Aliran dan Doping
• Dua Tipe Aliran
• Doping Semikonduktor
– Dioda Tanpa Pencatuan
– Pencatuan pada Dioda
• Tegangan Maju
• Tengan Balik
• Tegangan Breakdown
– Level dan Bukit Energi
– Tegangan Barrier dan Temperatur
– Dioda Tegangan Balik

2
 Dioda Tanpa Pencatuan
• Dua tipe semikonduktor

pertemuan pn

tipe p tipe n
Pertemuan pn terbentuk dengan cara
menggabungkan tipe p dan tipe n. ion pada pertemuan
Ion pada pertemuan terbentuk pada batas
antara tipe p dan tipe n.
Daerah muatan kosong antara pertemuan
pn disebut dengan depletion layer.
Medan listrik diantara ion sama dengan
perbedaaan tegangan  barrier potential. depletion layer 3
 Tegangan Maju
• Tegangan maju
I Definisi: tegangan yang diberikan
ke sebuah dioda dengan
menghubungkan terminal sumber
V negatif ke material tipe-n dan
R terminal sumber positif ke
material tipe-p  forward bias
• Aliran elektron bebas
Baterai mendorong holes dan elektron bebas ke arah daerah pertemuan.
Ketika tegangan bateri lebih kecil dari barrier potential, maka tidak dapat
melalui depletion layer karena tidak cukup energi. Sebaliknya, ketika
tegangan baterai lebih besar, maka elektron dapat melalui depletion layer
dan bergabung (recombine) dengan holes dan terjadi alirran arus.
• Aliran sebuah elektron
Setelah sebuah elektron keluar dari terminal negatif baterai menuju
material tipe-n, maka elektron akan bergerak menuju ke daerah
pertemuan. Ketika tegangan baterei lebih besar dari 0.7V maka elektron
akan melewati depletion layer karena mempunyai cukup energi. 4
 Tegangan Balik
• Tegangan balik
Definisi: tegangan yang diberikan
ke sebuah dioda dengan
menghubungkan terminal sumber
V positif ke material tipe-n dan
I R terminal sumber negatif ke
material tipe-p  reverse bias
Tegangan balik akan melebarkan depletion layer, karena baik holes
maupun elektron bebas akan menjauhi daerah pertemuan.
• Arus pembawa minoritas
Energi termal akan terus menerus
membuat pasangan holes dan
elektron bebas, ada sebagian kecil
pembawa minoritas yang bekerja  V
arus mengalir pada rangkaian luar. I R
• Arus bocor permukaan
Selain keberadaan arus pembawa minoritas (energi termal), juga ada arus
permukaan yang mengalir karena ketidakmurnian dan ketidaksempurnaan
struktur kristal  surface leakage current (arus bocor permukaan). 5
 Tegangan Breakdown
• Tegangan breakdown
Definisi: tegangan balik maksimum
yang mampu merusak dioda 
~50V (tergantung jenis dioda).
V Setelah tegangan breakdown
I R terlewati, maka pembawa minoritas
akan membesar pada depletion
layer akan mengalirkan arus balik
Dari mana pembawa ini datang? dengan mudah.
Pembawa ini diproduksi oleh efek avalanche yang terjadi pada saat tegangan
balik yang tinggi.

tipe-p tipe-n

V
I R

6
 Level Energi dan Pita Energi
• Setiap orbit elektron mempunyai level energi masing-masing.
• Energi yang lebih pada orbit yang lebih besar
Ketika elektron berpindah dari orbit rendah ke orbit
yang lebih tinggi, maka elektron akan mendapatkan
inti energi potensial terhadap posisi inti  disebabkan
E
oleh panas, cahaya atau tegangan.
r3 • Pita energi
r2
r1 Intrinsik
semikonduktor
tepi inti pita konduksi
• Perpindahan elektron ke orbit yang lebih
rendah

Sebaliknya, ketika elektron pita valence

25oC
jatuh ke orbit yang rendah,
maka akan melepaskan pita kedua
energi dalam bentuk panas,
cahaya atau radiasi lainnya. -273oC
pita pertama
7
 Pita Energi Tipe-n dan Tipe-p
• Perbedaan pita energi tipe-n dan tipe-p.
Tipe-n Tipe-p

pita konduksi pita konduksi

pita valence pita valence

25oC 25oC

pita kedua pita kedua

-273oC -273oC
pita pertama pita pertama

Pembawa mayoritas adalah elektron pada
pita konduksi ( mengalir ke kiri) dan
pembawa minoritas adalah holes pada pita
valence ( mengalir ke kanan)
Pembawa mayoritas adalah holes pada
pita valence ( mengalir ke kanan) dan
pembawa minoritas adalah elektron pada
pita konduksi ( mengalir ke kiri)
8
 Bukit Energi (Difusi dan Equilibrium)
orbit pita konduksi
• Sebelum Difusi
E pertemuan

pita konduksi +3 +5
p
n

pita valence
orbit pita valence
Tipe-p Tipe-n
• Saat Equilibrium hole
depletion layer
E E
pita konduksi
+3

hole yang terisi

p p
n
n
+3
pita valence
9
Sebelum difusi Setelah depletion layer terbentuk
 Bukit Energi (Tegangan Maju)
• Pemberian tegangan maju
E pita konduksi • Pada saat sebelum difusi, pita-p
sedikit lebih tinggi dari pita-n karena p
mempunyai muatan inti +3 sedangkan
p A n mempunyai muatan inti +5.
B n • Pada saat equilibrium, elektron pada
pita konduksi sisi n yang berjalan pada
orbitnya tidak mempunyai energi yang
pita valence sepadan dengan sisi p. Elektron tidak
dapat loncat untuk melalui bukit energi, kecuali mendapat energi dari
sumber (tegangan) luar, atau bisa berupa panas, cahaya atau radiasi.
• Pada saat pemberian tegangan maju, baterei mampu meningkat level
energi, sehingga elektron mempunyai energi yang cukup untuk
berpindah dari daerah n ke daerah p. Setelah memasuki daerah p,
elektron tersebut akan jatuh ke hole (A). Beberapa hole juga akan
berpenetrasi ke daerah n, dalam hal ini elektron pada pita konduksi
akan melakukan recombination (B).
10
 Tegangan Barrier dan Temperatur
• Ketika dioda mengalirkan arus (berkonduksi), maka suhu di dalam dioda
(junction temperature) akan lebih tinggi dibandingkan suhu disekitar (luar)
dioda (ambient temperature). Hal ini disebabkan oleh panas yang dihasilkan
dari proses recombination.
• Tegangan barrier akan tergantung pada junction temperature. Peningkatan
pada junction temperature akan menghasilkan lebih banyak elektron bebas
dan holes pada daerah doping, sehingga menyebabkan depletion layer
menjadi sempit. Oleh karena itu, tegangan barrier kecil ada pada junction
temperature yang tinggi.
• Tegangan barrier pada dioda silikon akan menurun sebesar 2mV untuk
setiap kenaikan suhu per 1 derajat celcius. V
 2mV / C o
Contoh: T
Diasumsikan tegangan barrier 0,7V pada ambient temperature 25oC,
berapa tegangan barrier dioda silikon ketika junction temperature-nya
100oC dan 0oC?
Solusi: V  2mV / o C  T  2  (100  25)  150mV
VB  0.7V  0.15  0.55V 11
 Diode Tegangan Balik
• Arus transien
Ketika tegangan balik membesar, maka elektron bebas dan holes akan
menjauhi dari daerah pertemuan sehingga meningalkan ion positif dan
negatif. Akibatnya daerah depletion layer akan melebar. Semakin besar
tegangan balik semakin lebar depletion layer. Ketika depletion layer
melebar, maka arus akan mengalir ke rangkaian luar. Pada saat depletion
layer berhenti melebar, maka arus transien akan menuju nol.
• Arus saturasi balik
Ketika energi termal mengakibatkan penambahan
elektron bebas dan hole pada daerah depletion
layer, elektron pada A dan hole pada B dapat
berkontribusi untuk me ｎ ghasilkan arus balik.
A Karena adanya arus balik, elektron bebas akan
B bergerak ke kanan dan menekan elektron keluar
ke sisi kanan dari dioda. Sama halnya seperti
hole akan bergerak ke kiri.
Semakin tinggi junction temperature maka semakin besar arus saturasi.
12