2013 08 30 16 42 32 - Ronika

1.1.
Pendahuluan
Pada dasarnya semua bahan memiliki sifat resistif namun beberapa bahan seperti
tembaga, perak, emas dan bahan metal umumnya memiliki resistansi yang sangat kecil.
Bahan-bahan tersebut menghantar arus listrik dengan baik, sehingga dinamakan
konduktor. Kebalikan dari bahan yang konduktif, bahan material seperti karet, gelas,
karbon memiliki resistansi yang lebih besar menahan aliran elektron dan disebut sebagai
insulator. Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk
membatasi jumlah arus yang mengalir dalam satu rangkaian. Sesuai dengan namanya
resistor bersifat resistif dan umumnya terbuat dari bahan karbon .
Dari hukum Ohms diketahui, resistansi berbanding terbalik dengan jumlah arus
yang mengalir melaluinya. Satuan resistansi dari suatu resistor disebut Ohm atau
dilambangkan dengan simbol (Omega).
Tipe resistor yang umum adalah berbentuk tabung dengan dua kaki tembaga di
kiri dan kanan. Pada badannya terdapat lingkaran membentuk gelang kode warna untuk
memudahkan pemakai mengenali besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan
Ohmmeter. Kode warna tersebut adalah standar manufaktur yang dikeluarkan oleh EIA
(Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan pada tabel 1.1. berikut :
Dasar Elektronika - 1
Tabel 1-1 : Nilai Warna Gelang

Warna
Nilai
Faktor
Pengali
Hitam
Coklat
10
1%
Merah
100
2%
Jingga
1.000
Kuning
10.000
Hijau
100.000
Biru
106
Violet
107
Abu-abu
108
Putih
109
Emas
0.1
5%
Perak
0.01
10%
Tanpa warna
20%
Toleransi
1.2. Cara Pembacaan Nilai Tahanan

Resistansi dibaca dari warna gelang yang paling depan ke arah gelang toleransi
berwarna coklat, merah, emas atau perak. Biasanya warna gelang toleransi ini berada
pada badan resistor yang paling pojok atau juga dengan lebar yang lebih menonjol,
sedangkan warna gelang yang pertama agak sedikit ke dalam. Dengan demikian
pemakai sudah langsung mengetahui berapa toleransi dari resistor tersebut.
Jumlah gelang yang melingkar pd resistor umumnya sesuai dengan besar
toleransinya. Biasanya resistor dengan toleransi 5%, 10% atau 20% memiliki 3 gelang
(tidak termasuk gelang toleransi). Tetapi resistor dengan toleransi 1% atau 2% (toleransi
kecil) memiliki 4 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). Gelang pertama dan
seterusnya berturut-turut menunjukkan besar nilai satuan, dan gelang terakhir adalah
faktor pengalinya.
Misalnya resistor dengan gelang kuning, violet, merah dan emas. Gelang
berwarna emas adalah gelang toleransi. Dengan demikian urutan warna gelang resitor
ini adalah, gelang pertama berwarna kuning, gelang kedua berwana violet dan gelang ke
tiga berwarna merah. Gelang ke empat tentu saja yang berwarna emas dan ini adalah
gelang toleransi.
Dari tabel-1 diketahui jika gelang toleransi berwarna emas, berarti resitor ini
memiliki toleransi 5%. Nilai resistansisnya dihitung sesuai dengan urutan warnanya.
Pertama yang dilakukan adalah menentukan nilai satuan dari resistor ini. Karena resitor
ini resistor 5% (yang biasanya memiliki tiga gelang selain gelang toleransi), maka nilai
satuannya ditentukan oleh gelang pertama dan gelang kedua. Masih dari tabel-1
diketahui gelang kuning nilainya = 4 dan gelang violet nilainya = 7. Jadi gelang pertama
dan kedua atau kuning dan violet berurutan, nilai satuannya adalah 47. Gelang ketiga
adalah faktor pengali, dan jika warna gelangnya merah berarti faktor pengalinya adalah
100. Sehingga dengan ini diketahui nilai resistansi resistor tsb adalah nilai satuan x
faktor pengali atau 47 x 100 = 4,7 K dan toleransinya adalah 5%.
Spesifikasi lain yang perlu diperhatikan dalam memilih resitor pada suatu
rancangan selain besar resistansi adalah besar watt-nya. Karena resistor bekerja dengan
dialiri arus listrik, maka akan terjadi disipasi daya berupa panas sebesar P = I2.R watt.
Semakin besar ukuran fisik suatu resistor dapat menunjukkan semakin besar
kemampuan disipasi daya resistor tersebut.
Tegangan
Resistansi
tinggi
Resistansi
Rendah
Arus
Gambar 1-1. Hukum Resistansi
Cincin 1
Cincin 2 Cincin 3 Cincin 4
Cincin 5
Cincin-Cincin
Warna 1, 2, 3
Hitam
0
Coklat
1
Merah
2
Jingga
3
Kuning
4
Hijau
5
Biru
6
Ungu
7
Abu-Abu
8
Putih
9
2
Cincin-Cincin
Warna 4
Dikalikan Dengan
Perak
0,01
Emas
0,1
Hitam
1
Coklat 10
Merah 100
Jingga 1000
Kuning 10000
Hijau
100000
Biru
1000000
5
Cincin-Cincin
Warna 5
Toleransi
Coklat
1%
Merah
2%
Emas
5%
Perak
10%
Kosong
20%
1000000 2%
258 M 2%
Gambar 1-2. Kode Warna Resistor
1.3. P.T.C (Positive Temperature Coefficient)
Gambar
Resistansi
disamping
memperlihatkan
bagaimana resistansi sebuah konduktor logam,

(mis : tembaga) berubah-ubah menurut suhu.
Karena resistansi dari bahan bertambah besar
seiring dengan kenaikan suhu, karakteristik
Suhu
Gambar 1-3. PTC
semacam
ini
dikatakan
sebagai
memiliki
koefisien suhu positif (positive temperature

coefficient/PTC), tapi tidak semua bahan karbon
memiliki karakteristik seperti PTC. Resistansi dari bahan konduktor akan mengecil
dengan kenaikan suhu dan karenanya disebut koefisien suhu negatif (negative
temperature coefficient/NTC).
Resistansi dari suatu konduktor pada suhu t diberikan oleh persamaan :
R t R 0 (1 t t 2 t 3 )
. (a)
dimana : , , = konstanta
R0
= resistansi pada 00 C
Koefisien-koefisen , , biasanya cukup kecil dan pada umumnya pemakaian

suhu dengan kisaran 00C 1000C, sehingga dapat diaproksimasikan karakteristiknya
sebagai suatu hukum garis lurus seperti pada gambar dibawah ini :
Resistansi
Sedangkan persamaan (a) dapat disederhanakan

Rt
menjadi :
R t R 0 (1 t ) ................. (b)
R0
dimana :
= koefisien suhu
Suhu
00C
t0C
Gambar 1-3. Karakteristik PTC

1.4. TERMISTOR (NTC Dan PTC)
Pada resistor-resistor konvensional ada kalanya kita membutuhkan resistansi
yang tetap tidak berubah pada kisaran suhu yang lebar (dengan kata lain harus nol).
Sebaliknya terdapat aplikasi-aplikasi dimana kita dapat memanfaatkan efek variasi
resistansi untuk mendeteksi perubahan suhu. Komponen yang memungkinkan untuk
melakukan hal ini dikenal dengan sebagai : Termistor. Resistansi suatu termistor
berubah-ubah seiring dengan berubahnya suhu. Tersedia dua jenis yaitu : PTC dan
Resistansi
NTC.
atau
0
-t C
-t0C
Suhu
Gambar 1-4. Karakteristik, Simbol dan Gambar NTC
Termistor NTC yang tipikal memiliki resistansi yang berubah-ubah mulai dari beberapa
ratus atau beberapa ribu ohm pada 250C hingga beberapa puluh atau beberapa ratus ohm
pada 1000C
Termistor PTC umumnya memiliki karakteristik resistansi suhu yang tetap
berbentuk datar (biasanya pada suhu sekitar 100 ) untuk kisaran 0 0C hingga sekitar
750C. Diatas kisaran ini dan pada suhu kritis (biasanya pada kisaran 80 0C hingga
1200C) resistansi termistor melonjak sangat cepat hingga mencapai bahkan melampaui
Resistansi
nilai 10 k .
+t C
Suhu
Gambar 1-5. Karakteristik, Simbol dan Bentuk PTC
Termistor PTC biasanya digunakan untuk proteksi arus lebih. Pada kondisi
terdapat gangguan arus akan melampaui nilai ambang batas dengan selisih yg besar
sehingga termistor mulai mengalami pemanasan diri, resistansi akan naik dengan cepat.
Nilai-nilai yang tipikal dari arus ambang dan arus jatuh masing-masing adalah 200 mA
dan 8 mA untuk alat yang memiliki resistansi nominal sebesar 25 pada suhu 250C.
1.5. Resistor Peka Cahaya (LDR)
Resistor peka cahaya /LDR (Light Dependent Resistor) memanfaatkan bahan
semikon-duktor yang karakteristik listriknya berubah-ubah sesuai dengan cahaya yang
diterima. Dua jenis bahan semikonduktor yang digunakan dalam pembuatan LDR
adalah Kadnium Sulfida (CdS) dan Kadnium Selenida (CdSe). Bahan-bahan ini paling
sensitif terhadap cahaya dalam spektrum tampak, dengan puncaknya 0,6 mikrometer
untuk CdS dan 0,75 mikrometer untuk CdSe.
Resistansi
Intensitas Cahaya
Gambar 1-6. Karakteristik dan Simbol LDR
1.6. Resistor Peka Tegangan (VDR)
Resistansi dari suatu resistor peka tegangan (voltage dependent resistor/VDR)
jatuh dengan sangat cepat ketika tegangan yang bekerja padanya melampaui suatu
tegangan nominal, baik ke arah membesar ataupun mengecil. Dalam operasi normal,
arus yang mengalir melalui VDR dapat diabaikan besarnya, tetapi ketika resistansinya
jatuh, arus akan menjadi besar dan energi dalam jumlah yang signifikan akan terserap.
Arus
atau
Tegangan
Gambar 1-7. Karakteristik dan Simbol VDR
Prinsip Dasar Dan Spesifikasi Elektriknya
2.1. Pendahuluan
Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan listrik.
Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu
bahan dielektrik.
Dielektrik
Elektroda
Elektroda
Gambar 2-1 : Prinsip Dasar Kapasitor

Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum, keramik,
gelas dan lain-lain. Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik, maka muatanmuatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat
yang sama muatan-muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi. Muatan
positif tidak dapat mengalir menuju ujung kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif
tidak bisa menuju ke ujung kutup positif, karena terpisah oleh bahan dielektrik yang
non-konduktif. Muatan elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujungujung kakinya. Di alam bebas, phenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya
muatan-muatan positif dan negatif di awan.
2.2. Kapasitansi
Kapasitansi didefenisikan sebagai kemampuan dari suatu kapasitor untuk dapat
menampung muatan elektron. Coulombs pada abad 18 menghitung bahwa 1 Coulomb
= 6.25 x 1018 elektron. Kemudian Michael Faraday membuat postulat bahwa sebuah
kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika dengan tegangan 1 volt dapat
memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs. Dengan rumus dapat ditulis :
Q = C.V
................................(2.1)
dimana : Q = muatan elektron dalam C (coulombs)

C = nilai kapasitansi dalam F (farads)

V = besar tegangan dalam V (volt)
Dalam praktek pembuatan kapasitor, kapasitansi dihitung dengan mengetahui
luas area plat metal (A), jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik) dan konstanta
(k) bahan dielektrik.
Dengan rumusan dapat ditulis sebagai berikut :
C = (8.85 x 10-12) (k A/t)
................................(2.2)
Berikut adalah tabel contoh konstanta (k) dari beberapa bahan dielektrik yang
disederhanakan :
Tabel 2-1
Konstanta K Bahan Dielektrik
Udara vakum
k=1
Aluminium oksida
k=8
Keramik
k = 100 - 1000
Gelas
k=8
Polyethylene
k=3
Untuk rangkaian elektronik praktis, satuan farads adalah sangat besar sekali.
Umumnya kapasitor yang ada di pasar memiliki satuan uF (10-6 F), nF (10-9 F) dan pF
(10-12 F). Konversi satuan penting diketahui untuk memudahkan membaca besaran
sebuah kapasitor. Misalnya 0,047uF dapat juga dibaca sebagai 47nF, atau contoh lain
0,1nF sama dengan 100pF.
2.3. Jenis-Jenis Kapasitansi
Kapasitor terdiri dari beberapa tipe, tergantung dari bahan dielektriknya. Untuk
lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian, yaitu kapasitor electrostatic, electrolytic
dan electrochemical.
2.3.1. Kapasitor Electrostatic
Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan
dielektrik dari keramik, film dan mika. Keramik dan mika adalah bahan yang popular
serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil. Tersedia dari besaran
pF sampai beberapa uF, yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan
frekuensi tinggi. Termasuk kelompok bahan dielektrik film adalah bahan-bahan
material seperti polyester (polyethylene terephthalate) atau dikenal dengan sebutan
mylar), polystyrene, polyprophylene, polycarbonate, metalized paper dan lainnya.

Mylar, MKM, MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk
kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film. Umumnya kapasitor kelompok ini adalah
non-polar.
2.3.2. Kapasitor Electrolytic
Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan
dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. Umumnya kapasitor yang termasuk
kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan - di badannya. Mengapa
kapasitor ini dapat memiliki polaritas, adalah karena proses pembuatannya
menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutup positif anoda dan kutup negatif
katoda.
Telah lama diketahui beberapa metal seperti tantalum, aluminium, magnesium,
titanium, niobium, zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga
membentuk lapisan metal-oksida (oxide film). Lapisan oksidasi ini terbentuk melalui
proses elektrolisa, seperti pada proses penyepuhan emas. Elektroda metal yang dicelup
kedalam larutan electrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan positif (anoda) dan
larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). Oksigen pada larutan electrolyte
terlepas & mengoksidai permukaan plat metal. Contohnya, jika digunakan Alumunium,
maka akan terbentuk lapisan Aluminium-oksida (Al2O3) pada permukaannya.
Lapisan Oksidasi
Anoda
Metal
Katoda
Larutan Electrolyte
Gambar 2-1 : Kapasitor Elco

Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda), lapisan-metal-oksida dan
electrolyte(katoda) membentuk kapasitor. Dalam hal ini lapisan-metal-oksida sebagai
dielektrik. Dari rumus (2.2) diketahui besar kapasitansi berbanding terbalik dengan tebal
dielektrik. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis, sehingga dengan demikian dapat dibuat
kapasitor yang kapasitansinya cukup besar.
Karena alasan ekonomis dan praktis, umumnya
bahan metal yang banyak
digunakan adalah aluminium dan tantalum. Bahan yang paling banyak dan murah
adalah Aluminium. Untuk mendapatkan permukaan yang luas, bahan plat Aluminium
ini biasanya digulung radial. Sehingga dengan cara itu dapat diperoleh kapasitor yang
kapasitansinya besar. Contoh : 100F, 470F, 4700F dan lain-lain, yang sering juga
disebut : Kapasitor Elco.
Bahan electrolyte pada kapasitor Tantalum ada yang cair tetapi ada juga yang
padat. Disebut electrolyte padat, tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit yang menjadi
elektroda negatifnya, melainkan bahan lain yaitu manganese-dioksida.
Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa memiliki kapasitansi yang besar namun
menjadi lebih ramping dan mungil. Selain itu karena seluruhnya padat, maka waktu
kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Kapasitor tipe ini juga memiliki arus
bocor yang sangat kecil, jadi dapat dipahami mengapa kapasitor Tantalum menjadi
relatif mahal.
2.3.3. Kapasitor Electrochemical
Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. Termasuk kapasitor
jenis ini adalah batere dan accu. Pada kenyataanya batere dan accu adalah kapasitor
yang sangat baik, karena memiliki kapasitansi yang besar dan arus bocor (leakage
current) yang sangat kecil. Tipe kapasitor jenis ini juga masih dalam pengembangan
untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan ringan, misalnya untuk
applikasi mobil elektrik dan telepon selular.
2.4. Macam dan Penggunaan Kapasitor
Kapasitor merupakan komponen pasif elektronika yang sering dipakai didalam
merancang suatu sistem yang berfungsi untuk mengeblok arus DC, Filter, dan
penyimpan energi listrik. Didalamnya 2 buah pelat elektroda yang saling berhadapan
dan dipisahkan oleh sebuah insulator. Sedangkan bahan yang digunakan sebagai
insulator dinamakan dielektrik. Ketika kapasitor diberikan tegangan DC maka energi
listrik disimpan pada tiap elektrodanya. Selama kapasitor melakukan pengisian, arus
mengalir. Aliran arus tersebut akan berhenti bila kapasitor telah penuh. Yang
membedakan tiap - tiap kapasitor adalah dielektriknya. Berikut ini adalah jenis jenis
kapasitor yang banyak dijual dipasaran.
2.4.1. Electrolytic Capacitor

Elektroda dari kapasitor ini terbuat dari alumunium yang menggunakan
membran oksidasi yang tipis. Karakteristik utama dari Electrolytic Capacitor adalah
perbedaan polaritas pada kedua kakinya. Dari karakteristik tersebut kita harus berhati
hati di dalam pemasangannya pada rangkaian,
jangan
sampai
terbalik.
Bila
polaritasnya
terbalik maka akan menjadi rusak bahkan

MELEDAK. Biasanya jenis kapasitor ini
digunakan pada rangkaian power supply, low
pass filter , rangkaian pewaktu. Kapasitor ini
tidak bisa digunakan pada rangkaian frekuensi
tinggi. Biasanya tegangan kerja dari kapasitor
dihitung dengan cara mengalikan tegangan catu daya dengan 2. Misalnya kapasitor akan
diberikan catu daya dengan tegangan 5 Volt, berarti kapasitor yang dipilih harus
memiliki tegangan kerja minimum 2 x 5 = 10 Volt.
2.4.2. Tantalum Capacitor
Merupakan jenis electrolytic capacitor yang elektrodanya terbuat dari material
tantalum. Komponen ini memiliki polaritas, cara membedakannya dengan mencari
tanda + yang ada pada tubuh kapasitor, tanda ini menyatakan bahwa pin dibawahnya
memiliki polaritas positif. Diharapkan berhati hati di
dalam pemasangan komponen karena tidak boleh terbalik.
Karakteristik temperatur dan frekuensi lebih bagus daripada
electrolytic capacitor yang terbuat dari bahan alumunium
dan
kebanyakan
menggunakan
digunakan
sinyal
analog.
untuk
sistem
yang
Contoh
aplikasi
yang
menggunakan kapasitor jenis ini adalah noise limiter,

coupling capacitor dan rangkaian filter.
2.4.3. Ceramic Capacitor

Kapasitor menggunakan bahan titanium acid
barium untuk dielektriknya. Karena tidak dikonstruksi
seperti koil maka komponen ini dapat digunakan pada
rangkaian frekuensi tinggi. Biasanya digunakan untuk
melewatkan sinyal frekuensi tinggi menuju ke ground.
Kapasitor ini tidak baik
digunakan untuk rangkaian analog, karena dapat mengubah bentuk sinyal. Jenis ini
tidak mempunyai polaritas dan hanya tersedia dengan nilai kapasitor yang sangat kecil
dibandingkan dengan kedua kapasitor diatas. Dan mempunyai tegangan hingga 15 kV
DC.
2.4.4. Multilayer Ceramic Capacitor (MLCC)
Bahan material untuk kapasitor ini sama dengan jenis kapasitor keramik,
bedanya
terdapat
menyusun die
pada
lek
jumlah
lapisan
yang
triknya. Pada jenis ini
dielektriknya disusun dengan banyak lapisan atau

biasany a disebut dengan layer dengan ketebalan 10
s/d 20 m dan pelat elektrodanya dibuat dari logam

yang murni. Selain itu ukurannya kecil dan memiliki
karakteristik suhu yang lebih bagus daripada
kapasitor keramik. Biasanya jenis ini baik digunakan
untuk aplikasi atau melewatkan frekuensi tinggi
menuju tanah.
2.4.5. Polyester Film Capacitor
Dielektrik dari kapasitor ini terbuat dari polyester film. Mempunyai karakteristik
suhu yang lebih bagus dari semua jenis kapasitor di atas. Dapat digunakan untuk
frekuensi tinggi. Biasanya jenis ini digunakan
untuk rangkaian yang menggunak an frekue nsi
tinggi, dan rangkaian analog. Kapasitor ini
biasanya disebut mylar dan mempunyai toleransi
sebesar 5% sampai 10%.
2.4.6. Polypropylene Capacitor

Kapasitor ini memiliki nilai toleransi yang lebih tinggi dari polyester film
capacitor. Pada umumnya nilai kapasitansi dari k
omponen ini tidak akan berubah apabila dirancang
disuatu sistem dimana frekuensi yang melaluin ya lebih
kecil atau sama dengan 100KHz. Pada gambar disamping ditunjukkan kapasitor
polypropylene dengan toleransi 1%.
2.4.7. Kapasitor Mika
Jenis ini menggunakan mika sebagai bahan dielektriknya. Kapasitor mika
mempunyai tingkat kestabilan yang bagus, karena temperatur koefisiennya rendah.
Karena
frekuensi
karakteristiknya
sangat
bagus, biasanya kapasitor ini digunakan untuk

rangkaian resonansi, filter untuk frekuensi
tinggi dan rangkaian yang menggunakan
tegangan tinggi misalnya: radio pemancar yang
menggunakan tabung transistor. Kapasitor mika tidak mempunyai nilai kapasitansi
yang tinggi, dan harganya relatif mahal.
2.4.8. Polystyrene Film Capacitor
Dielektrik dari kapasitor ini menggunakan polystyrene film . Tipe ini tidak bisa
digunakan untuk aplikasi yang menggunakan
frekuensi tinggi, karena konstruksinya yang sama
seperti kapasitor elektrolit yaitu seperti koil.
Kapasitor ini baik untuk aplikasi pewaktu dan
filter
yang menggunakan
frekuensi beberapa
ratus KHz. Komponen ini mempunyai 2 warna untuk elektrodanya, yaitu: merah dan
abu abu. Untuk yang merah elektrodanya terbuat dari tembaga sedangkan warna abu
abu terbuat dari kertas alumunium.
2.4.9. Electric Double Capacitor (Super Capacitor)
Jenis kapasitor ini bahan dielektriknya sama dengan kapasitor elektrolit. Tetapi
bedanya adalah ukuran kapasitornya lebih besar
dibandingkan kapasitor elektrolit yang
telah
dijelaskan di atas. Biasanya mempunyai satuan

F. Gambar
bentuk fisiknya dapat dilihat di
samping,
pada gambar tersebut
kapasitornya memiliki ukuran 0.22F.

Kapasitor ini biasanya digunakan
untuk rangkaian power supply.
2.4.10. Kondensator Kertas

Kondensator kertas ini sering disebut juga kondensator padder. Misal pada radio
dipasang seri dari spul osilator ke variabel condensator. Nilai kapasitas yang dipakai
pada sirkuit oscilator antara lain :
Kapasitas 200 pF - 500 pF untuk daerah
gelombang menengah (Medium Wave / MW) =
190 mt - 500 mt.
Kapasitas 1.000 pF - 2.200 pF untuk daerah
gelombang pendek (Short Wave / SW) SW 1 = 40
meter - 130 meter.
Kapasitas 2.700 pF - 6.800 pF untuk daerah gelombang SW 1, 2, 3 dan 4, = 13
meter - 49 meter
Nilai kapasitasnya ada yang tertulis langsung ada juga ada pula yang memakai
kode warna.
2.4.11. Trimmer Capacitor
Kapasitor jenis ini menggunakan keramik atau plastik sebagai bahan
dielektriknya. Nilai dari kapasitor dapat diubah ubah dengan cara memutar sekrup
yang
berada
diatasnya.
Didalam
pemutaran
diharapkan
menggunakan obeng yang khusus, agar tidak menimbulkan efek

kapasitansi antara obeng dengan tangan.
Trimmer Capacitor dipasang paralel dengan variabel
kondensator berfungsi untuk menepatkan pemilihan gelombang
frekuensi tersebut. Kondensator trimer mempunyai kapasitas
dibawah 100 pF (pikoFarad).
Tabel 2-2
Nilai Kondensator Kertas
Warna Nomor Faktor Perkalian Toleransi Voltage maksimum
Hitam
20%
Coklat
101
100V
Merah
102
250V
Jingga
103
250V
Kuning
104
400V
Hijau
105
400V
Biru
630V
Ungu
630V
Abu-abu
630V
Putih
10%
630V
2.5. Membaca Kapasitansi

Pada kapasitor yang berukuran besar, nilai kapasitansi umumnya ditulis dg
angka yang jelas. Lengkap dengan nilai tegangan maksimum dan polaritasnya.
Misalnya pada kapasitor elco dg jelas tertulis kapasitansinya sebesar 22uF/25v.
Kapasitor yang ukuran fisiknya mungil dan kecil biasanya hanya bertuliskan 2
(dua) atau 3 (tiga) angka saja. Jika hanya ada dua angka satuannya adalah pF (pico
farad). Sebagai contoh, kapasitor yang bertuliskan dua angka 47, maka kapasitansi
kapasitor tersebut adalah 47 pF.
Jika ada 3 digit, angka pertama dan kedua
menunjukkan nilai nominal, sedangkan angka ke-3 adalah faktor pengali. Faktor pengali
sesuai dengan angka nominalnya, berturut-turut 1 = 10, 2 = 100, 3 = 1.000, 4 = 10.000
dan seterusnya. Misalnya pada kapasitor keramik tertulis 104, maka kapasitansinya
adalah 10 x 10.000 = 100.000pF atau = 100nF. Misalnya tertulis 222, artinya kapasitas
kapasitor tersebut adalah : 22 x 100 = 2200 pF = 2.2 nF.
Selain dari kapasitansi ada beberapa karakteristik penting lainnya yang perlu
diperhatikan. Biasanya spesifikasi karakteristik ini disajikan oleh pabrik pembuat
didalam datasheet. Berikut ini adalah beberapa spesifikasi penting tersebut.
2.5.1. Tegangan Kerja (working voltage)
Tegangan kerja adalah tegangan maksimum yang diijinkan sehingga kapasitor

masih dapat bekerja dengan baik. Para elektro-mania barangkali pernah mengalami
kapasitor yang meledak karena kelebihan tegangan. Misalnya kapasitor 10F 25V,
maka tegangan yang bisa diberikan tidak boleh melebihi 25 volt dc. Umumnya
kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar bekerja
pada tegangan AC.
2.5.2. Temperatur Kerja
Kapasitor masih memenuhi spesifikasinya jika bekerja pada suhu yang sesuai.
Pabrikan pembuat kapasitor umumnya membuat kapasitor yang mengacu pada standar
popular. Ada 4 standar popular yang biasanya tertera di badan kapasitor seperti COG
(ultra stable), X7R (stable) serta Z5U dan Y5V (general purpose). Secara lengkap
kode-kode tersebut disajikan pada table berikut :
Tabel 2-3
Kode Karakteristik Kapasitor Kelas I
Koefisien Suhu
Simbol
PPM per
Co
Faktor Pengali
Toleransi Koefisien
Koefisien Suhu
Suhu
Simbol
Pengali
Simbol
PPM per
Co
0.0
-1
+/-30
0.3
-10
+/-60
0.9
-100
+/-120
1.0
-1000
+/-250
1.5
-10000
+/-500
ppm = part per million
Tabel 2-4
Kode Karakteristik Kapasitor Kelas II Dan III
Suhu Kerja
Suhu Kerja
Minimum
Maksimum
Toleransi Kapasitansi
Simbol
Co
Simbol
Co
Simbol
Persen
+10
+45
+/- 1.0%
-30
+65
+/- 1.5%
-55
+85
+/- 2.2%
+105
+/- 3.3%
+125
+/- 4.7%
+150
+/- 7.5%
+200
+/- 10.0%
+/- 15.0%
+/- 22.0%
+22% / -33%
+22% / -56%
+22% / -82%
2.5.3. Toleransi
Seperti komponen lainnya, besar kapasitansi nominal ada toleransinya. Tabel
diatas menyajikan nilai toleransi dengan kode-kode angka atau huruf tertentu. Dengan
table di atas pemakai dapat dengan mudah mengetahui toleransi kapasitor yang biasanya
tertera menyertai nilai nominal kapasitor. Misalnya jika tertulis 104 X7R, maka
kapasitasinya adalah 100nF dengan toleransi 15%.
Sekaligus diketahui juga bahwa suhu kerja yang direkomendasikan adalah antara
o
-55C sampai +125Co (lihat tabel kode karakteristik).
2.5.4. Insulation Resistance (IR)

Walaupun bahan dielektrik merupakan bahan yang non-konduktor, namun tetap
saja ada arus yang dapat melewatinya. Artinya, bahan dielektrik juga memiliki
resistansi. walaupun nilainya sangat besar sekali. Phenomena ini dinamakan arus bocor
DCL (DC Leakage Current) dan resistansi dielektrik ini dinamakan Insulation
Resistance (IR). Untuk menjelaskan ini, berikut (gambar 2.2.) adalah model rangkaian
kapasitor
IR
ESR
IR
ESR
Gambar 2-2 : Model Kapasitor

Keterangan :
C
= Capacitance
ESR
= Equivalent Series Resistance
= Inductance
IR
= Insulation Resistance
Jika tidak diberi beban, semestinya kapasitor dapat menyimpan muatan selama-
lamanya. Namun dari model di atas, diketahui ada resitansi dielektrik IR(Insulation
Resistance) yang paralel terhadap kapasitor. Insulation resistance (IR) ini sangat besar
(MOhm). Konsekuensinya tentu saja arus bocor (DCL) sangat kecil (uA).
Untuk
mendapatkan kapasitansi yang besar diperlukan permukaan elektroda yang luas, tetapi
ini akan menyebabkan resistansi dielektrik makin kecil. Karena besar IR selalu
berbanding terbalik dengan kapasitansi (C), karakteristik resistansi dielektrik ini biasa
juga disajikan dengan besaran RC (IR x C) yang satuannya ohm-farads atau megaohmmicro farads.
2.5.5. Dissipation Factor (DF) dan Impedansi (Z)
Dissipation Factor adalah besar persentasi rugi-rugi (losses) kapasitansi jika
kapasitor bekerja pada aplikasi frekuensi. Besaran ini menjadi faktor yang
diperhitungkan misalnya pada aplikasi motor phasa, rangkaian ballast, tuner dll. Dari
model rangkaian kapasitor digambarkan adanya resistansi seri (ESR) dan induktansi
(L). Pabrik pembuat biasanya menyertakan data DF dalam persen. Rugi-rugi (losses)
itu didefenisikan sebagai ESR yang besarnya adalah persentasi dari impedansi kapasitor
Xc.(gambar 2.3 dan 2.4). Secara matematis di tulis sebagai berikut :
Gambar 2-3. Faktor Diagram Kapasitor
Dari penjelasan di atas dapat dihitung besar total impedansi (Z total) kapasitor :
Gambar 2-4. Faktor Diagram Ztotal
Karakteristik respons frekuensi sangat perlu diperhitungkan terutama jika kapasitor

bekerja pada frekuensi tinggi.
Telah dijelaskan terdahulu bahwa satuan kapasitansi adalah farad (F) sehingga
apabila bila sebuah kapasitor dikatakan memiliki 1 F, jika arus sebesar 1 A mengalir di
dalamnya ketika tegangan yang berubah-ubah dengan kecepatan 1V/s diberikan pada
kapasitor tersebut.
Arus yang mengalir di dalam sebuah kapasitor karenanya akan sebanding

dengan hasil kali kapasitansi (C) dengan kecepatan perubahan tegangan yang diberikan,
maka :
i = C x (kecepatan perubahan tegangan)
Kecepatan perubahan tegangan seringkali direpresentasikan oleh persamaan dv/dt,
dimana dv adalah perubahan tegangan yang sangat kecil dan dt adalah perubahan waktu
yang sangat kecil, maka :
iC
dv
dt
1
i dt , dimana i dt q
C
Sedangkan : Q = C.V
Konstanta kesebandingan C menyatakan sifat penyimpanan muatan dari elemen tersebut
dan dinamakan : Kapasitans Elemen
Contoh :
Sebuah tegangan berubah dengan kecepatan tetap dari 10 V hingga 50 V dalam periode
waktu 0,1 s, jika tegangan ini diberikan kepada sebuah kapasitor sebesar 22 F.
Tentukanlah arus yang akan mengalir.
Jawab :
Arus yang mengalir akan diberikan oleh :

i = C x (kecepatan perubahan tegangan), sehingga :
i C.
perubahan tegangan
50 10
22.10 6 x
8,8.10 3 8,8 mA
waktu
0,1
2.5.6. Penyimpanan Energi

Energi yang tersimpan dalam suatu kapasitor berbanding lurus dengan hasil kali
dari kapasitansi dengan kwadrat dari beda potensial.
Daya dari sebuah kapasitans adalah :
P V.I V.C
dv
.........watt
dt
dan tenaganya adalah :
W pdt C.V
dv
1
.dt C.Vdv Cdv 2 CV 2 .......joule
dt
2
Pada proses mengisi dan mengeluarkan muatan listrik, kondensator mengalami

perlawanan dari sifat kondensator itu sendiri. Perlawanan kondensator disebut :
Reaktansi Kapasitif (XC)
XC
1
.. satuan
2f .c
sehingga :
-
Makin tinggi frekwensi, makin kecil XC
Makin besar C, makin kecil XC
Kondensator mempunyai tahanan yang tergantung dari frekwensi dan kapasitas

kondensator
+Q
Va
Vb
+
+
+
+
+
+
-Q
Q
Vab
Gambar 2-5 : Dua Lempeng Plat

Intensitas listrik antara sepasang plat paralel dalam ruang hampa adalah :
1
, maka beda potensial antara plat adalah :
o
Vab E.L
Q.L
, sehingga kapasitansi kapasitor plat paralel dalam ruang hampa
o .A
adalah :
Q
Q
Vab Q.L
o .A
Q.
o .A o .A
Q.L
L
o .A
L
dimana :
A
C
L
= luas permukaan plat

= nilai kapasitansi
= jarak pemisah antara kedua plat
= permitivitas ruang hampa (8,854.10-12)
Untuk meningkatkan kapasitansi suatu kapasitor, banyak komponen praktis

memanfaatkan beberapa plat, dengan demikian kapasitansi yang diberikan adalah :
o (n 1).A
L
dimana : n = jumlah plat yang digunakan.
Contoh :
Sebuah kapasitor terdiri dari enam plat yang masing-masing luas permukaannya 20 cm2
dipisahkan oleh sebuah dielektrik dan ketebalan 0,2mm. Tentukanlah kapasitansi dari
kapasitor tersebut.4
Jawab :
o (n 1).A
L
8,854.10 12 (6 1).20.10 4
0,2.10
442,7 pF
2.5.7. Kapasitansi Seri

a
+Q ++ ++
Vab=V
C1
-Q__ __
c
+Q ++ ++
-Q
__ __
C2
Q
C1
Vac=V1
Vac V1
Vbc=V1
1
1
Vab V1 V2 Q
C1 C 2
V 1
1
Q C1 C 2 1 1 1
C C1 C 2
Q C.V
, Vbc V2
Q
C2
Gambar 2-6 : Rumus Kapasitansi Seri

Contoh :
Dikt : gambar diatas, misalkan C1 = 6F, C2 = 3F, Vab = 18V, Berapakah Vac dan Vab ?
Jawab :
1 1 1
C 2F
C 6 3
Muatan Q = C.V = 2.18 = 36C
Vac V1
Q 36
Q 36
6Volt , Vbc V2
12Volt
C1 6
C2 3
2.5.8. Kapasitansi Paralel

Beda potensial Vab=V adalah sama
Q1 ++ ++
Vab = V
C1
Q1
__ __
untuk keduanya, maka :
Q2 ++ ++
Q2
__ __
C2
Q1 = C1.V dan Q2 = C2 .V
Muatan total Q yang diberikan
sumber adalah :
Q = Q1+ Q2 = V(C1+ C2)
dan :
C1 C 2
V
C C1 C 2
Q
V
Contoh :
Gambar dibawah ini hitung x bila Ceq = 10 F
Jawab :
n
5F
B
10F
20F
1
1 1

C eq n 20
1 1 1

n 20F
10 n 20
5F + 10F + x = 20F
x=5F
3.1. Pendahuluan
Masih ingat aturan tangan kanan pada pelajaran fisika ? Ini cara yang efektif
untuk mengetahui arah medan listrik terhadap arus listrik. Jika seutas kawat tembaga
diberi aliran listrik, maka di sekeliling kawat tembaga akan terbentuk medan listrik.
Dengan aturan tangan kanan dapat diketahui arah medan listrik terhadap arah arus
listrik. Caranya sederhana yaitu dengan mengacungkan jari jempol tangan kanan
sedangkan keempat jari lain menggenggam. Arah jempol adalah arah arus dan arah ke
empat jari lain adalah arah medan listrik yang mengitarinya.
Gambar 3-1 : Kaidah Tangan Kanan

Tentu masih ingat juga percobaan dua utas kawat tembaga paralel yang
keduanya diberi arus listrik. Jika arah arusnya berlawanan, kedua kawat tembaga
tersebut saling menjauh. Tetapi jika arah arusnya sama ternyata keduanya berdekatan
saling tarik-menarik. Hal ini terjadi karena adanya induksi medan listrik. Dikenal medan
listrik dengan simbol B dan satuannya Tesla (T). Besar akumulasi medan listrik B pada
suatu luas area A tertentu difenisikan sebagai besar magnetic flux. Simbol yang biasa
digunakan untuk menunjukkan besar magnetic flux ini adalah dan satuannya Weber
(Wb = T.m2). Secara matematis medan flux besarnya adalah :
= B.A
Lalu bagaimana jika kawat tembaga itu dililitkan membentuk koil atau
kumparan. Jika kumparan tersebut dialiri listrik maka tiap lilitan akan saling
menginduksi satu dengan yang lainnya. Medan listrik yang terbentuk akan segaris dan
saling menguatkan. Komponen yang seperti inilah yang dikenal dengan induktor
selenoid. Dari buku fisika dan teori medan yang ada, dibuktikan bahwa induktor adalah
komponen yang dapat menyimpan energi magnetik. Energi ini direpresentasikan dengan
adanya tegangan emf (electromotive force) jika induktor dialiri listrik.
Secara matematis tegangan emf ditulis :
......................... (3.2)
Jika dibandingkan dengan rumus hukum Ohm V = I.R, maka kelihatan ada
kesamaan rumus. Jika R disebut resistansi dari resistor dan V adalah besar tegangan
jepit jika resistor dialiri listrik sebesar I. Maka L adalah induktansi dari induktor dan E
adalah tegangan yang timbul jika induktor dilairi listrik. Tegangan emf di sini adalah
respon terhadap perubahan arus fungsi dari waktu terlihat dari rumus di/dt. Sedangkan
bilangan negatif sesuai dengan hukum Lenz yang mengatakan efek induksi cenderung
melawan perubahan yang menyebabkannya. Hubungan antara emf dan arus inilah yang
disebut dengan induktansi, dan satuan yang digunakan adalah (H) Henry. Induktor
disebut self-induced.
Arus listrik yang melewati kabel, jalur-jalur PCB dalam suatu rangkaian
berpotensi untuk menghasilkan medan induksi. Ini yang sering menjadi pertimbangan
dalam mendesain PCB supaya bebas dari efek induktansi terutama jika multilayer.
Tegangan emf akan menjadi penting saat perubahan arusnya fluktuatif. Efek emf
menjadi signifikan pada sebuah induktor, karena perubahan arus yang melewati tiap
lilitan akan saling menginduksi. Ini yang dimaksud dengan self-induced. Secara
matematis induktansi pada suatu induktor dengan jumlah lilitan sebanyak N adalah
akumulasi flux magnet untuk tiap arus yang melewatinya, sehingga :
.................................................. (3.3)
Gambar 3-2 : Induktor Selenoida

Fungsi utama dari induktor di dalam suatu rangkaian adalah untuk melawan
fluktuasi arus yang melewatinya. Aplikasinya pada rangkaian D.C salah satunya adalah
untuk menghasilkan tegangan dc yang konstan terhadap fluktuasi beban arus. Pada
aplikasi rangkaian ac, salah satu gunanya adalah bisa untuk meredam perubahan
fluktuasi arus yang tidak dinginkan. Akan lebih banyak lagi fungsi dari induktor yang
bisa diaplikasikan pada rangkaian filter, tuner dan sebagainya.
Dari pemahaman fisika, elektron yang bergerak akan menimbulkan medan
elektrik di sekitarnya. Dari bentuk kumparan, persegi empat, setengah lingkaran
ataupun lingkaran penuh, jika dialiri listrik akan menghasilkan medan listrik yang
berbeda. Penampang induktor biasanya berbentuk lingkaran, sehingga diketahui besar
medan listrik di titik tengah lingkaran adalah :
........................ (3.4)
Jika dikembangkan, n adalah jumlah lilitan N relatif terhadap panjang induktor l. Secara
matematis lilitan permeternya dapat ditulis :
n=
........................ (3.5)
Kemudian i adalah besar arus melewati induktor tersebut. Ada simbol

dinamakan permeability dan
yang
yang disebut permeability udara vakum. Besar
tergantung dari bahan inti (core) dr induktor. Untuk induktor tanpa inti
(air winding) = 1.
permeability
Jika rumus-rumus di atas di subsitusikan maka rumus induktansi (rumus 3.3) dapat
ditulis menjadi :
L =
0N 2A
... (3.6)
Inilah rumus untuk menghitung nilai induktansi dari sebuah induktor. Rumus ini
bisa dibolak-balik untuk menghitung jumlah lilitan induktor jika nilai induktansinya
sudah ditentukan.
Gambar 3-3 : Induktor Selenoida Dengan Inti (core)

Dimana :
L
N
A
l
: induktansi dalam H (Henry)

: permeability inti (core)
:
:
:
:
permeability udara vakum 4 x 10-7

jumlah lilitan induktor
luas penampang induktor (m2)
panjang induktor (m)
3.2. Toroid
Ada satu jenis induktor yang kita kenal dengan nama toroid. Jika biasanya
induktor berbentuk silinder memanjang, maka toroid berbentuk lingkaran. Biasanya
selalu menggunakan inti besi (core) yang juga berbentuk lingkaran seperti kue donat
(gambar 3.4).
Gambar 3-4 : Toroida

Jika jari-jari toroid adalah r, yaitu jari-jari lingkar luar dikurang jari-jari lingkar dalam,
maka panjang induktor efektif adalah kira-kira :
l=2r
. (3.7)
Dengan demikian untuk toroida, besar induktansi L adalah :
L=
0N 2A
. (3.7)
2 pr
Salah satu keuntungan induktor berbentuk toroid, didapat induktor dengan

induktansi yang lebih besar dan dimensi yang relatif lebih kecil dibandingkan dengan
induktor berbentuk silinder. Juga karena toroid umumnya menggunakan inti (core) yang
melingkar, maka medan induksinya tertutup dan relatif tidak menginduksi komponen
lain yang berdekatan di dalam satu PCB.
3.3. Ferit Dan Permeability
Besi lunak banyak digunakan sebagai inti (core) dari induktor yang disebut ferit.
Ada bermacam-macam bahan ferit yang disebut ferromagnetik. Bahan dasarnya adalah
bubuk besi oksida yang disebut juga iron powder. Ada juga ferit yang dicampur dengan
bahan bubuk lain seperti nickle, manganase, zinc (seng) dan mangnesium. Melalui
proses yang dinamakan kalsinasi yaitu dengan pemanasan tinggi dan tekanan tinggi,
bubuk campuran tersebut dibuat menjadi komposisi yang padat. Proses pembuatannya
sama seperti membuat keramik. Oleh sebab itu ferit ini sebenarnya adalah keramik.
Ferit yg sering dijumpai ada yg memiliki = 1 sampai = 15.000. Dpt
dipahami penggunaan ferit dimaksudkan untuk mendapatkan nilai induktansi yang lebih
besar relatif terhadap jumlah lilitan yang lebih sedikit serta dimensi induktor yang lebih
kecil.
Penggunaan ferit juga disesuaikan dengan frekeunsi kerjanya. Karena beberapa
ferit akan optimum jika bekerja pada selang frekuensi tertentu. Berikut ini pada tabel
3.1 adalah beberapa contoh bahan ferit yang dipasar dikenal dengan kode nomer
materialnya. Pabrik pembuat biasanya dapat memberikan data kode material, dimensi
dan permeability yang lebih detail.
Tabel 3-1
Data Material Ferit
Misalnya induktor dengan jumlah lilitan 20, berdiameter 1 cm dengan panjang 2

cm serta mengunakan inti ferit dengan = 3000. Dpt diketahui nilai induktansinya
adalah : L 5.9 mH
Selain ferit yang berbentuk silinder ada juga ferit yang berbentuk toroida.
Umumnya dipasar tersedia berbagai macam jenis dan ukuran toroida. Jika datanya
lengkap, maka kita dapat menghitung nilai induktansi dengan menggunakan rumusrumus yang ada. Karena perlu diketahui nilai permeability bahan ferit, diameter lingkar
luar, diameter lingkar dalam serta luas penampang toroida. Tetapi biasanya pabrikan
hanya membuat daftar indeks induktansi (inductance index) AL. Indeks ini dihitung
berdasarkan dimensi dan permeability ferit. Dengan data ini dapat dihitung jumlah
lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi tertentu. Seperti contoh tabel
(3.2) AL berikut ini yang satuannya H/100 lilitan.
Tabel 3-2
Induktansi Indeks AL
Rumus untuk menghitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai
induktansi yang diinginkan adalah :
(3.9)
Misalnya digunakan ferit toroida T50-1, maka dari table diketahui nilai AL = 100.
Maka untuk mendapatkan induktor sebesar 4 H diperlukan lilitan sebanyak : N
20
lilitan
Rumus ini sebenarnya diperoleh dari rumus dasar perhitungan induktansi
dimana induktansi L berbanding lurus dengan kuadrat jumlah lilitan N 2. Indeks AL
umumnya sudah baku dibuat oleh pabrikan sesuai dengan dimensi dan permeability
bahan feritnya.
Permeability bahan bisa juga diketahui dengan kode warna tertentu.
Misalnya abu-abu, hitam, merah, biru atau kuning. Sebenarnya lapisan ini bukan hanya
sekedar warna yang membedakan permeability, tetapi berfungsi juga sebagai pelapis
atau isolator. Biasanya pabrikan menjelaskan berapa nilai tegangan kerja untuk toroida
tersebut.
Contoh bahan ferit toroida di atas umumnya memiliki permeability yang kecil.
Karena bahan ferit yang demikian terbuat hanya dari bubuk besi (iron power). Banyak
juga ferit toroid dibuat dengan nilai permeability yang besar. Bahan ferit tipe ini
terbuat dari campuran bubuk besi dengan bubuk logam lain. Misalnya ferit toroida
FT50-77 memiliki indeks AL = 1100.
3.4. Pembuatan Induktor
Untuk membuat induktor biasanya tidak diperlukan kawat tembaga yang sangat
panjang. Paling yang diperlukan hanya puluhan sentimeter saja, sehingga efek resistansi
bahan kawat tembaga dapat diabaikan. Ada banyak kawat tembaga yang bisa
digunakan. Untuk pemakaian yang profesional di pasar dapat dijumpai kawat tembaga
dengan standar AWG (American Wire Gauge). Standar ini tergantung dari diameter
kawat, resistansi dan sebagainya. Misalnya kawat tembaga AWG32 berdiameter kirakira 0.3mm, AWG22 berdiameter 0.7mm ataupun AWG20 yang berdiameter kira-kira
0.8mm. Biasanya yang digunakan adalah kawat tembaga tunggal dan memiliki isolasi.
Kawat tembaga yang digunakan bisa berdiameter berapa saja, yang pasti harus
lebih kecil dibandingkan diameter penampang induktor. Terkadang pada prakteknya
untuk membuat induktor sendiri harus coba-coba dan toleransi induktansinya cukup
besar. Untuk mendapatkan nilai induktansi yang akurat ada efek kapasitif dan resistif
yang harus diperhitungkan. Karena ternyata arus yang melewati kawat tembaga hanya
dipermukaan saja. Ini yang dikenal dengan istilah ekef kulit (skin effect). Ada satu tip
untuk membuat induktor yang baik, terutama induktor berbentuk silinder.
Untuk memperoleh nilai Q yang optimal panjang induktor sebaiknya tidak
lebih dari 2 kali diameter penampangnya. Untuk toroid usahakan lilitannya merata dan
rapat.
4.1. STRUKTUR ATOM

BOHR mengidealkan ATOM.
Pada dasarnya BOHR mengatakan bahwa :
Inti dikelilingi oleh elektron-elektron yang mengorbit (gb.4-1)
Inti atom mempunyai muatan positif dan menarik elektron
Elektron dalam gerakannya akan jatuh dlm inti bila tanpa gaya centrifugal
Makin dekat elektron pada inti atom, ia harus bergerak lebih cepat untuk
mengimbangi penarikan inti
Gambar 4-1. Model Bohr
14P
(a)
Atom Silikon (2-8-4)
32P
(b)
Atom Germanium (2-8-18-
4)
Gambar 4-2. Gambar Atom Dalam 2 Dimensi
Atom Silikon (gb.4.2a) mempunyai 14 proton dalam intinya yang terbagi atas :
2 elektron bergerakpada orbit pertama
8 elektron pada orbit kedua
4 elektron pada orbit terluar atau orbit valensi

Ke 14 elektron tersebut berputar menetralkan muatan dari inti atom sehingga dari luar
atom (secara listrik) adalah netral.
Atom Germanium (gb.4.2b) mempunyai 32 elektron dalam intinya yg terbagi atas :
2 elektron bergerak pada orbit pertama
8 elektron pada orbit kedua
18 elektron pada orbit ketiga
4 elektron pada orbit terluar atau orbit valensi
Atom Silikon dan Germanium disebut sebagai elemen teravalent
Didalam Fisika Modern dikatakan bahwa hanya ukuran orbit-orbit tertentu yang
diizinkan, misalkan :
Orbit terkecil dalam atom Hidrogen mempunyai jari-jari : r1 = 0,53.10-10 m
Orbit terbesar dalam atom Hidrogen mempunyai jari-jari : r2 = 2,12.10-10 m
Maka semua jari-jari antara r1 dan r2 terlarang, karena elektron tidak dapat tetap dalam
orbit stabil.
Karena bersifat sebagai gelombang, elektron hanya dapat cocok ke dalam orbit
dimana sekelilingnya sama dengan panjang gelombang elektron atau beberapa
kelipatannya. (Panjang gelombang adalah jarak yang ditempuh gelombang dalam 1
perioda).
4.2. Level Energi
Orbit ketiga
Orbit kedua
Orbit kesatu
R3
R2
R3
Level energi ketiga
R2
Level energi kedua
R1
Level energi kesatu
R1
Pusat Inti
Inti
Gambar 4-3. Level Energi
Energi diperlukan untuk memindahkan elektron dari orbit yang kecil ke orbit yg
lebih besar, dikarenakan untuk mengatasi penarikan oleh inti. Oleh sebab itu makin
besar orbit elektron, makin besar energi potensialnya berkenaan dg inti. Makin tinggi
level energi, makin besar energi elektron dan makin besar orbitnya.
Jika ada energi luar seperti panas, cahaya atau radiasi lainnya menumbuk
atom, ini akan dapat mengangkat elektron ke level energi yang lebih tinggi (orbit yang
lebih besar), dengan demikian diperoleh atom sedang dlm keadaan eksitasi. Keadaan ini
tidak bertahan lama, krn elektron segera jatuh kembali ke level energi semula. Pada saat
elektron jatuh, akan memberikan kembali energi yang diperoleh kedalam bentuk panas,
cahaya atau radiasi lainnya.
Energi
Energi
Energi
Gambar 4-4. Level Energi

Jika energi luar mengangkat elektron valensi ke level yang lebih tinggi, elektron
yang keluar akan meninggalkan lubang dalam orbit terluar, sehingga lubang ini disebut :
HOLE, sedangkan gaya saling memegang dari atom merupakan ikatan kovalen.
4.3. Pita Energi (Energy Bands)
Setiap elektron mempunyai kedudukan yg berbeda di dalam kristal, tidak ada
dua elektron terlihat benar-benar mempunyai pattern muatan sekelilingnya yang sama.
oleh sebab itu orbit tiap elektron berbeda.
r3
Pita Valensi
r2
Pita Kedua
r1
Pita Pertama
Gambar 4-5. Pita Energi

Gambar 4.5 menunjukkan pita energi pada kristal silikon pada suhu nol mutlak
o
(-273 C). Semua elektron yang bergerak dalam orbit pertama mempunyai level energi
yang sedikit berbeda, karena tidak ada dua yang benar-benar terlihat mempunyai
lingkungan muatan yang sama.
Karena ada bermilyard-milyard elektron orbit pertama, level energi yang sedikit
berbeda tsb membentuk kelompok atau pita. Demikian juga bermilyard-milyard orbit
kedua, semua dengan level energi yang sedikit berbeda, membentuk pita energi kedua.
4.4. Kristal Silikon Pada Suhu Nol Mutlak
Energi
Logam
Logam
Silikon Murni
(a)
r4
Pita Konduksi
r3
Pita Valensi
r2
Pita Kedua
r1
Pita Pertama
(b)
Gambar 4-6. Silikon Pada Suhu Nol Mutlak

Pada gambar 4.6.a menunjukkan sebatang silikon dengan logam pada bagian
ujung-ujungnya. Tegangan luar membentuk medan listrik antara ujung-ujung kristal.
Pada suhu nol mutlak, elektron tidak dapat bergerak melalui kristal, semua elektron
dipegang kuat oleh atom-atom Silikon. Oleh sebab itu kristal silikon berlaku sebagai
isolator sempurna.
Pada gambar 4.6.b, tiga pita pertama terisi dan elektron tidak dapat bergerak
dengan mudah dalam pita-pita ini, tetapi diatas pita valensi terdapat pita konduksi
(conduction band). Pita ini mewakili kelompok jari-jari berikutnya yg lebih besar yang
memenuhi keadaan gelombang partikel dari elektron. Orbit-orbit dalam pita konduksi
sangat besar sehingga penarikan inti diabaikan. Dengan perkataan lain, jika elektron
dapat diangkat ke dalam pita konduksi, ini sebenarnya bebas untuk bergerak dari satu
atom ke atom lainnya, sehingga elektron-elektron dalam pita konduksi kerap kali
disebut elektron bebas.
Pada suhu nol mutlak, pita konduksi kosong, ini berarti tak ada elektron yang
mempunyai cukup energi untuk bergerak dalam orbit pita konduksi.
4.5. Kristal Silikon Diatas Suhu Nol Mutlak

Energi
Gerakan elektron
(a)
r4
Pita Konduksi
r3
Pita Valensi
r2
Pita Kedua
r1
Pita Pertama
(b)
Gambar 4-7. Silikon Diatas Suhu Nol Mutlak

Apabila suhu dinaikkan diatas nol mutlak, maka energi panas yang datang akan
memutuskan beberapa ikatan kovalen, energi ini akan memukul elektron valensi ke
dalam pita konduksi. Dengan cara ini diperoleh elektron pita konduksi dalam jumlah
terbatas yg dilambangkan dengan tanda negatif pada gambar 4.7.a. Dibawah pengaruh
medan listrik, elektron bebas ini bergerak kekiri dan menghasilkan arus.
Pada gambar 4.7.b energi panas telah mengangkat beberapa elektron ke dalam
pita konduksi dimana elektron dapat bergerak dalam orbit dengan jari-jari yang lebih
besar dari sebelumnya. Setiap kali elektron menembus ke dalam pita konduksi akan
dihasilkan hole dalam pita valensi.
Makin tinggi suhu, makin besar jumlah elektron yang terlempar ke dalam pita
konduksi dan makin besar arus. Pada suhu ruang (25oC), arus terlalu kecil untuk
digunakan pada aplikasi umumnya. Pada suhu ini sepotong silikon tidak merupakan
isolator maupun konduktor yg baik, sehingga dapat disebut sebagai : Semikonduktor .
Untuk kristal Germanium pada suhu ruang mempunyai elektron bebas yang lebih
banyak dari pada kristal silikon.
4.6. Doping
Kristal Silikon murni dinamakan : semikonduktor intrinsik, dimana jumlah hole
dan elektron bebas adalah sama. Doping berarti penambahan atom-atom pada kristal
untuk menambah jumlah elektron bebas maupun hole. Jika kristal sudah didoping
disebut : semikonduktor ekstrinsik.
4.6.1. Semikonduktor Type N
Atom yang bervalensi 4 (Ge dan Si) didoping dengan atom yang bervalensi 5 atau
atom pentavalent (arsenikum, phospor, antimon) akan terjadi kelebihan elektron yg
merupakan elektron bebas. Dg memanaskan suhu yg tinggi maka akan terjadi
penyesuaian diri dari dua atom yang berbeda valensi, sehingga akan terbentuk sebagai
semikonduktor jenis-N dimana elektron sebagai pembawa mayoritas dan hole sebagai
pembawa minoritas. Atom pentavalent kerapkali disebut atom donor, karena menghasilkan elektron pita konduksi.
Elektron lebih
Atom
Silikon
Atom
Silikon
Atom
Penta
valent
Atom
Silikon
Atom
Silikon
Gambar 4-8. Semikonduktor Type-N
4.6.2. Semikonduktor Type P

Atom bervalensi 4 (Ge dan Si) didoping dg atom yang bervalensi 3 atau atom
trivalent (Indium, alumunium, galium) akan terjadi kekurangan elektron hingga akan
memunculkan sebuah hole. Hole ini akan menarik sebuah elektron dr atom yg
berdekatan, begitu seterusnya. Dengan memanaskan suhu yg tinggi, maka akan terjadi
penyesuaian diri dr tiap atom dan membentuk pola kristal type-P, dimana hole sebagai
pembawa mayoritas dan elektron sebagai pembawa minoritas. Atom trivalent juga
dikenal sebagai atom akseptor, karena tiap hole dapat menerima elektron.
HOLE
Atom
Silikon
Atom
Silikon
Atom
Trivalent
Atom
Silikon
Atom
Silikon
Gambar 4-9 : Semikonduktor Type-P
5. 1. Pendahuluan
Dioda termasuk komponen elektronika yang terbuat dari bahan semikonduktor.
Beranjak dari penemuan dioda, para ahli menemukan juga komponen turunan lainnya
yg unik.
Dioda memiliki fungsi yang unik yaitu hanya dapat mengalirkan arus satu arah
saja. Struktur dioda tidak lain adalah sambungan semikonduktor P dan N. Satu sisi
adalah semikonduktor dengan tipe P dan satu sisinya yang lain adalah tipe N. Dengan
struktur demikian arus hanya akan dapat mengalir dari sisi P menuju sisi N.
5. 2. Sambungan dan Bias Pada Dioda
Gambar 5.1 adalah ilustrasi di atas menunjukkan sambungan P-N dengan sedikit
porsi kecil yang disebut lapisan deplesi (deplection layer), dimana terdapat
keseimbangan hole dan elektron. Seperti yang sudah diketahui, pada sisi P banyak
terbentuk hole-hole yang siap menerima elektron sedangkan di sisi N banyak terdapat
elektron-elektron yg siap untuk bebas.
Pada gambar 5.2, jika diberi bias positif, dengan arti kata memberi tegangan
potensial sisi P lebih besar dari sisi N, maka elektron dari sisi N dengan serta merta
akan tergerak untuk mengisi hole di sisi P. Tentu kalau elektron mengisi hole disisi P,
maka akan terbentuk hole pada sisi N karena ditinggal elektron. Ini disebut aliran hole
dari P menuju N. Kalau mengunakan terminologi arus listrik, maka dikatakan terjadi
aliran listrik dari sisi P ke sisi N.
Gambar 5-1. Simbol Dan Struktur Dioda
Gambar 5-2. Dioda Dengan Bias Maju

Pada gambar 5.3, jika sebaliknya apakah yang terjadi jika polaritas tegangan
dibalik yaitu dengan memberikan bias negatif (reverse bias). Dalam hal ini, sisi N
mendapat polaritas tegangan lebih besar dari sisi P.
Gambar 5-3. Dioda Dengan Bias Negatif

Tentu tidak akan terjadi perpindahan elektron atau aliran hole dari P ke N
maupun sebaliknya. Karena baik hole dan elektron masing-masing tertarik ke arah
kutup berlawanan. Bahkan lapisan depleksi (deplection layer) semakin besar dan
menghalangi terjadinya arus. Demikian bagaimana dioda hanya dapat mengalirkan arus
satu arah saja. Dengan tegangan bias maju yang kecil saja dioda sudah menjadi
konduktor. Tidak serta merta diatas 0 volt, tetapi memang tegangan beberapa volt diatas
nol baru bisa terjadi konduksi. Ini disebabkan karena adanya dinding depleksi
(deplection layer). Untuk dioda yang terbuat dari bahan Silikon tegangan konduksi
adalah diatas 0,7 volt. Kira-kira 0,2 volt batas minimum untuk dioda yang terbuat dari
bahan Germanium.
Gambar 5-4. Grafik Arus Dioda

Sebaliknya untuk bias negatif dioda tidak dapat mengalirkan arus, namun
memang ada batasnya. Sampai beberapa puluh bahkan ratusan volt baru terjadi
breakdown, dimana dioda tidak lagi dapat menahan aliran elektron yang terbentuk di
lapisan deplesi.
Potensial bias negatif atau mundur dapat ditingkatkan hingga mencapai tegangan
break-down negatif yang sesuai dengan rating dioda tertentu. Tegangan breakdown
negatif biasanya jauh lebih tinggi dari nilai ambang tegangan maju. Sebuah dioda yang
tipikal memiliki nilai ambang tegangan maju sebesar 0,7 Volt dan tegangan breakdown
negatif sebesar 200 Volt. Jika nilai yang kedua dilampaui, dioda akan mengalami
kerusakan. Perlu juga diperhatikan, apabila dioda dirancang sebagai rectifier, produsen
seringkali mencantumkan nilai PIV (Peak inverse voltage atau tegangan balik puncak).
5.3. Jenis-Jenis Dioda
Dioda seringkali dikelompokkan menjadi dua, yaitu : jenis sinyal dan jenis
rectifier.
Untuk jenis sinyal membutuhkan karakteristik bias maju yang konsisten dengan
jatuh tegangan maju yang rendah.
Untuk jenis rectrifier harus mampu menangani tegangan balik yang tinggi dan arus
maju yang besar, konsistensi karakteristik berada pada urutan kedua.
Tabel 5-1
Karakteristik Beberapa Jenis Umum Dioda Semikonduktor
Jenis
Dioda
Bahan
PIV
IF
maks
IR
maks
Aplikasi
1N148
1N914
AA113
OA47
OA91
1N4001
1N5404
BY127
5.3.1.
Silikon
Silikon
Germanium
Germanium
Germanium
Silikon
Silikon
Silikon
100 Volt
100 Volt
60 Volt
25 Volt
115 Volt
50 Volt
400 Volt
1250 Volt
75 mA
75 mA
10 mA
110 mA
50 mA
1 Amp
3 Amp
1 Amp
25 nA
25 nA
200 A
100 A
275 A
10 A
10 A
10 A
Serba guna
Serba guna
Detektor RF
Detektor Sinyal
Serba guna
Rectifier teg. rendah
Rectifier teg. tinggi
Rectifier teg. tinggi
Dioda Varaktor (Varicap)
Dari sifat dioda yang ada memungkinkan dioda untuk digunakan sebagai kapasitor
yang dikendalikan oleh tegangan. Dioda yang secara khusus dibuat untuk
memanfaatkan efek ini (yang menghasilkan perubahan kapasitansi yang relatif besar
untuk perubahan tegangan yang kecil pada tegangan mundur/reverse) dikenal sebagai
dioda kapasitansi variabel atau varaktor. Dioda jenis ini digunakan (seringkali
berpasangan) untuk penala (tuning) pada pesawat penerima dan televisi, karakteristik
umum dari dioda varaktor ini dapat dilihat pada gambar 5.5.
Kapasitansi (pF)
Anoda
80
40
20
10
Katoda
5
0
-2
-4
-6
-8
-10
Tegangan Mundur (V)
Gambar 5-5 : Karakteristik dan Simbol dari Dioda Varaktor

5.3.2. Zener
Phenomena tegangan breakdown dioda ini mengilhami pembuatan komponen
elektronika lainnya yang dinamakan zener (gb.5.6). Sebenarnya tidak ada perbedaan
sruktur dasar dari zener, melainkan mirip dengan dioda. Tetapi dengan memberi jumlah
doping yang lebih banyak pada sambungan P dan N, ternyata tegangan breakdown
dioda dapat makin cepat tercapai. Jika pada dioda biasanya baru terjadi breakdown
pada tegangan ratusan volt, pada zener bisa terjadi pada angka puluhan dan satuan volt.
Di datasheet ada zener yang memiliki tegangan V Z sebesar 1.5 volt, 3.5 volt dan
sebagainya.
Gambar 5-6. Simbol Zener

Ini adalah karakteristik zener yang unik. Jika dioda bekerja pada bias maju maka
zener biasanya berguna pada bias negatif (reverse bias). Sifat semacam ini menjadikan
dioda zener ideal untuk digunakan sebagai pengatur tegangan dengan memberikan
tegangan reverse melampaui tegangan breakdown zener, sehingga berlaku sebagai
tegangan konstan.
Tabel 5-2
Pengkodean Dioda
A
B
C
D
Huruf Pertama
Huruf Kedua
Huruf Ketiga
Bahan Semikonduktor
Aplikasi
Arti
Germanium
Silikon
Arsenida, gallium
Fotodioda
A
B
E
P
Q
T
Y
Z
Dioda serba guna

Dioda varaktor
Dioda tunel
Fotodioda
Dioda Pemancar
Cahaya
Rectifier terkendali
Rectifier Daya
Dioda Zener
Dalam dioda untuk aplikasi2

khusus,
huruf
ketiga
umumnya tidak memiliki
arti yang penting.
Dioda Zener memiliki sebuah huruf tambahan (muncul setelah angka) yang
menandakan toleransi dari tegangan zener :
A = 1%
B = 2%
C = 5%
D = 10%
Contoh :
AA113
artinya diaoda Germanium serba guna
BB105
artinya dioda Silikon Varaktor
BZY88C4V7 artinya dioda Zener Silikon dengan toleransi 5% dan tegangan

zener 4,7V
5.3.3. LED
LED adalah singkatan dari Light Emiting Dioda (gb.5.7), merupakan komponen
yang dapat mengeluarkan emisi cahaya.LED merupakan produk temuan lain setelah
dioda. Strukturnya juga sama dengan dioda, tetapi
belakangan ditemukan bahwa elektron yang menerjang
sambungan P-N juga melepaskan energi berupa energi
panas dan energi cahaya. LED dibuat agar lebih efisien
jika mengeluarkan cahaya. Untuk mendapatkan emisi
cahaya pada semikonduktor, doping yang pakai adalah
Gambar 5-7. Simbol LED galium, arsenic dan phosporus. Jenis
doping
yang
berbeda menghasilkan warna cahaya yang berbeda pula. Pada saat ini warna-warna
cahaya LED yang banyak ada adalah warna merah, kuning dan hijau. Pada dasarnya
semua warna bisa dihasilkan, namun akan menjadi sangat mahal dan tidak efisien.
Dalam memilih LED selain warna, perlu diperhatikan tegangan kerja, arus maksimum
dan disipasi daya-nya. Rumah (chasing) LED dan bentuknya juga bermacam-macam,
ada yang persegi empat, bulat dan lonjong. Sudut penglihatan bagi LED bundar
umumnya berada dalam daerah 200 hingga 400, sedangkan untuk jenis persegi panjang
mencapai sekitar 1000.
Gambar 5-8. LED Array
Gambar 5-9. Pemasangan LED
Tegangan kerja dari LED adalah sekitar 1,6 V dan mengkonsumsi arus sebesar
10 mA. LED dapat dihubungkan baik dengan sumber listrik DC maupun AC, dimana
bila dihubungkan dengan sumber listrik AC, ia akan berkedip ( kecepatan kedip
bergantung frekwensi sumber ). Agar LED dapat dihubungkan dengan sumber listrik
sebesar 12 V, pd rangkaiannya harus dipasang sebuah resistor secara seri. LED banyak
digunakan sebagai lampu indikator pada sirkuit elektronika, karena hanya mengkonsumsi daya yang kecil sehingga tidak mengganggu kerja sistem.
Untuk membatasi arus maju LED pada nilai yang sesuai, umumnya perlu
menambahkan sebuah resistor tetap yang dihubungkan secara seri dengan indikator
LED. Nilai resistor dapat dihitung dengan rumus :
V VF
I
dimana : VF = jatuh tegangan maju yang dihasilkan LED

V = tegangan catu
Prinsip Kerja Catu Daya Linear
6.1. Umum
Perangkat elektronika pada umumnya dicatu oleh suplai arus searah DC (direct
current) yang stabil agar didapat hasil yang baik. Baterai atau accu adalah sumber catu
daya DC yang paling baik. Namun untuk aplikasi yang membutuhkan catu daya lebih
besar, sumber dari baterai tidak cukup. Sumber catu daya yang besar adalah sumber
bolak-balik AC (alternating current) dari pembangkit tenaga listrik. Untuk itu
diperlukan suatu perangkat catu daya yang dapat mengubah arus AC menjadi DC. Pada
bab ini akan dibahas prinsip rangkaian catu daya (power supply) linier mulai dari
rangkaian penyearah yang paling sederhana sampai pada catu daya yang teregulasi.
6.2. Penyearah (Rectifier)
Prinsip penyearah (rectifier) yang paling sederhana ditunjukkan pada gambar
6.1 berikut ini. Transformator diperlukan untuk menurunkan tegangan AC dari jala-jala
listrik pada kumparan primernya menjadi tegangan AC yang lebih kecil pada kumparan
sekundernya.
D1
VAC
R1
T1
Gambar 6-1. Rangkaian Penyearah Sederhana
Pada rangkaian ini, dioda berperan untuk hanya meneruskan tegangan positif ke
beban RL. Ini yang disebut dengan penyearah setengah gelombang (half wave). Untuk
mendapatkan penyearah gelombang penuh (full wave) diperlukan transformator dengan
center tap (CT) seperti pada gambar 6.2.
D1
R1
VAC
T1
D2
Gambar 6-2. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh

Tegangan positif phasa yang pertama diteruskan oleh D1 sedangkan phasa yang
berikutnya dilewatkan melalui D2 ke beban R1 dengan CT transformator sebagai
common ground. Dengan demikian beban R1 mendapat suplai tegangan gelombang
penuh seperti gambar di atas. Untuk beberapa aplikasi seperti misalnya untuk mencatu
motor dc yang kecil atau lampu pijar dc, bentuk tegangan seperti ini sudah cukup
memadai. Walaupun terlihat di sini tegangan ripple dari kedua rangkaian di atas masih
sangat besar.
1N4001
D1
VAC
C1
R1
T1
Gambar 6-3 : Rangkaian Penyearah Setengah Gelombang Dg Filter
C
Gambar 6.3 adalah rangkaian penyearah setengah gelombang dengan filter
kapasitor C yang paralel terhadap beban R. Ternyata dengan filter ini bentuk gelombang
tegangan keluarnya bisa menjadi rata.
Gambar 6.4 menunjukkan bentuk keluaran tegangan DC dari rangkaian
penyearah setengah gelombang dengan filter kapasitor. Garis b-c kira-kira adalah garis
lurus dengan kemiringan tertentu, dimana pada keadaan ini arus untuk beban R1 dicatu
oleh tegangan kapasitor. Sebenarnya garis b-c bukanlah garis lurus tetapi eksponensial
sesuai dengan sifat pengosongan kapasitor.
Vout
VM
b
Vr
VDC
VL
c
a
t
T
Tp
Gambar 6-4. Bentuk Gelombang Dengan Filter Kapasitor
Kemiringan kurva b-c tergantung dari besar arus I yang mengalir ke beban R.
Jika arus I = 0 (tidak ada beban) maka kurva b-c akan membentuk garis horizontal.
Namun jika beban arus semakin besar, kemiringan kurva b-c akan semakin tajam.
Tegangan yang keluar akan berbentuk gigi gergaji dengan tegangan ripple yang
besarnya adalah :
Vr = VM -VL
....... (6.1)
dan tegangan dc ke beban adalah :

Vdc = VM + Vr/2
............ (6.2)
Rangkaian penyearah yang baik adalah rangkaian yang memiliki tegangan ripple
paling kecil. VL adalah tegangan discharge atau pengosongan kapasitor C, sehingga
dapat ditulis :
VL = VM e -T/RC
........... (6.3)
Jika persamaan (3) disubsitusi ke rumus (6.1), maka diperoleh :

Vr = VM (1 - e -T/RC)
.... (6.4)
Jika T << RC, dapat ditulis :

e -T/RC = 1 - T/RC
........ (6.5)
sehingga jika ini disubsitusi ke rumus (6.4) dapat diperoleh persamaan yang lebih
sederhana :
.... (6.6)
Vr = VM(T/RC)
VM/R tidak lain adalah beban I, sehingga dengan ini terlihat hubungan antara
beban arus I dan nilai kapasitor C terhadap tegangan ripple Vr. Perhitungan ini efektif
untuk mendapatkan nilai tengangan ripple yang diinginkan.
.... (6.7)
Vr = I .T/C
Rumus ini mengatakan, jika arus beban I semakin besar, maka tegangan ripple
akan semakin besar. Sebaliknya jika kapasitansi C semakin besar, tegangan ripple akan
semakin kecil.
Untuk penyederhanaan biasanya dianggap T=Tp, yaitu periode satu gelombang
sinus dari jala-jala listrik yang frekuensinya 50Hz atau 60Hz. Jika frekuensi jala-jala
listrik 50Hz, maka T = Tp = 1/f = 1/50 = 0,02 det. Ini berlaku untuk penyearah setengah
gelombang. Untuk penyearah gelombang penuh, tentu saja fekuensi gelombangnya dua
kali lipat, sehingga T = 1/2 Tp = 0,01 det.
Penyearah gelombang penuh dengan filter C dapat dibuat dengan menambahkan
kapasitor pada rangkaian gambar 2. Bisa juga dengan menggunakan transformator yang
tanpa CT, tetapi dengan merangkai 4 dioda seperti pada gambar 6.5 berikut ini.
Diode Bridge
VAC
T1
C1
R1
D4
D1
D2
D3
Gambar 6-5. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh Dengan Filter
Pada setengah siklus positif, titik A akan lebih positif terhadap titik B, dalam
kondisi ini diode D1 dan D2 akan menghantar sementara D3 dan D4 tidak menghantar.
Sebaliknya pada setengah siklus negatif, titik B menjadi positif terhadap titik A, dalam
kondisi ini D3 dan D4 akan menghantar, sedangkan D1 dan D2 tidak menghantar.
Sebagai contoh, kita mendisain rangkaian penyearah gelombang penuh dari catu
jala-jala listrik 220V/50Hz untuk mensuplai beban sebesar 0,5 A. Berapa nilai kapasitor
yang diperlukan sehingga rangkaian ini memiliki tegangan ripple yang tidak lebih dari
0,75 Vpp. Jika rumus (7) dibolak-balik maka diperoleh :
C = I.T/Vr = (0,5) (0,01)/0,75 = 6600 uF.
Gambar 6-6. Aliran Arus Pada Setengah Siklus Positif
Gambar 6-7. Aliran Arus Pada Setengah Siklus Negatif

6.3. Regulator Tegangan
Sebuah pengatur (regulator) tegangan sederhana dapat dilihat pada gambar 6.8.
RS
VIN
D1
Output
teregulasi = VZ
RL
Gambar 6-8. Regulator Tegangan Shunt Dioda Zener

RS disertakan untuk membatasi arus zener pada nilai aman ketika beban
dilepaskan dari sambungan. Ketika beban RL disambung, arus zener (IZ) akan jatuh
karena arus dibelokkan ke arah resistansi beban. Tegangan output V 0 akan tetap sama
dengan tegangan zener hingga pengaturan berhenti pada titik dimana pembagi tegangan
yang dibentuk oleh RS dan RL menghasilkan tegangan output yang lebih rendah dari VZ.
Rasio RS thd RL menjadi sangat penting.
Pada titik dimana rangkaian mulai berhenti melakukan pengaturan :
VZ VIN
RL
R L RS
sehingga nilai maksimum bagi RS dapat dihitung dari :
R S maks R L IN 1
VZ
Daya yang terdisipasi pada dioda zener adalah PZ I Z .VZ , sehingga nilai minimum
bagi RS dapat ditentukan dari kondisi tanpa beban pada saat :
R S min
sehingga : R S min
VIN VZ VIN VZ
PZmaks
IZ
VZ
(VIN VZ ).VZ
PZmaks
(VIN .VZ ) VZ2
PZmaks
dimana PZmaks adalah rating disipasi daya maksimum bagi dioda zener.
7.1. Pendahuluan
Apabila kita mendoping semikonduktor untuk mendapatkan kristal NPN atau
kristal PNP , maka kristal ini disebut Transistor Junction. Daerah N mempunyai
banyak sekali elektron pita konduksi dan daerah P mempunyai banyak sekali hole.
Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu

membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut
disebut emitor, basis dan kolektor. Basis selalu berada di tengah, di antara emitor dan
kolektor. Transistor ini disebut Transistor Bipolar (bi = 2 dan polar = kutup), karena
struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif
mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. Adalah William Schockley pada
tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar.
7.2. Pengertian Secara Elektronik
Transistor adalah suatu konduktor yang dibuat dari pertemuan P dan N . Pada
Transistor terdapat 3 buah terminal yaitu : EMITOR, BASIS dan KOLEKTOR.
Transistor seakan-akan dibentuk dari penggabungan dua buah dioda. Dioda satu dengan
yang lain saling digabungkan dengan cara menyambungkan salah satu dioda yang
senama. Dengan cara penggabungan seperti ini dapat diperoleh dua buah dioda sehingga
menghasilkan transistor PNP (gb.7.1b) dan NPN (gb.7.1c). Untuk bentuk fisiknya dapat
dilihat pada gambar 7.1a.
Gambar 7-1a. Bentuk Fisik Transistor PNP dan NPN
Kolektor
Basis
B
Basis
B
E Emitor
E Emitor
Kolektor
B
E
C +
B
PNP
NPN
E ++
(b)
(c)
Gambar 7-1. Transistor PNP dan NPN
Anak panah di dalam simbol transistor memberi banyak t :

Untuk Transistor PNP
- Basis harus negatif terhadap emiter atau kurang positif terhadap emiter.
- Emiter harus positif terhadap kolektor. Arus mengalir dari + ke -.
Untuk Transistor NPN

- Basis harus positif terhadap emiter atau kurang negatif terhadap emiter.
- Kolektor harus positif terhadap emiter.
TIGA DAERAH DOPING
Basis
Emiter
(a)
Basis
Kolektor
Emiter
Kolektor
(b)
Gambar 7-2. Tiga Daerah Transistor

Transistor pada gambar 7.2.a mempunyai dua junction, yang satu adalah antara
Emiter dan Basis, dan yang lain antara Basis dan Kolektor. Karenanya transistor seperti
dua dioda. Dioda sebelah kiri disebut sebagai Dioda Basis-Emiter atau singkatnya
Dioda Emiter, sedangkan sebelah kanan adalah Dioda Basis-Kolektor atau Dioda
Kolektor.
Sedangkan kemungkinan yang lain adalah : Transistor PNP adalah komplemen
dari transistor NPN, yang berarti pada transistor PNP diperlukan arus dan tegangan
yang berlawanan.
Akan dijelaskan kemudian, transistor adalah komponen yang bekerja sebagai
sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah
inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor
bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja
pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih
digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik,
namun konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik
yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.
7.3. Bias DC
Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan
penggabungan 2 buah dioda. Emitor-Basis adalah satu junction dan Basis-Kolektor
junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir jika diberi bias positif,
yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward
bias). Pada Gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini (gb.7.3), junction basis-emiter
diberi bias positif sedangkan basis-colector mendapat bias negatif (reverse bias).
+
C
B
+
B
p
Ib
Ie
I cbo
C
Ic
Gambar 7-3. Arus Elektron Transistor NPN

Karena basis-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron
mengalir dari emiter menuju basis. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab
mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak
menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju
basis seperti pada dioda. Tetapi karena lebar basis yang sangat tipis, hanya sebagian
elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada basis. Sebagian besar akan
menembus lapisan basis menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda
digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar
basis harus sangat tipis sehingga dapat dilewati oleh elektron.
Jika misalnya tegangan basis-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan
terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' basis diberi
bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding
dengan besar arus bias basis yang diberikan. Dengan kata lain, arus basis mengatur
banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Ini yang dinamakan
efek penguatan transistor, karena arus basis yang kecil menghasilkan arus emitorkolektor yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi tidak benar, karena
dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus
yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat diartikan bahwa
basis mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off).
Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan
bias seperti pada Gambar (gb.7.4) berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus
adalah arus hole.
E
+
B
n
Ib
V EE
V CC
Gambar 7-4. Arus Hole Transistor PNP

Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut
adalah terminologi parameter transistor (gb 7.5). Dalam hal ini arah arus adalah dari
potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.
Gambar 7-5. Arus Potensial

Keterangan :
IC
: arus kolektor
IE
: arus emitor
VB
: tegangan basis
VCC
: tegangan pada kolektor
VEE
: tegangan pada emitor
ICBO
: arus basis-kolektor/arus bocor
IB
VC
VE
VCE
VBE
VCB
: arus basis
: tegangan kolektor
: tegangan emitor
: tegangan jepit kolektor-emitor
: tegangan jepit basis-emitor
: tegangan jepit kolektor-basis
Perlu diingat, walaupun tidak ada perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan
kolektor, namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik.
E
Gambar 7-6. Penampang Transistor Bipolar

Dari satu bahan silikon (monolitic) (gb.7.6), emitor dibuat terlebih dahulu,
kemudian basis dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. Terkadang
dibuat juga efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada
arah yang dikehendaki.
Bagian penting berikutnya adalah bagaimana caranya memberi arus bias yang
tepat sehingga transistor dapat bekerja optimal.
7.3.1. Arus bias
Ada tiga cara yang umum untuk memberi arus bias pada transistor, yaitu
rangkaian CE (Common Emitter), CC (Common Collector) dan CB (Common Basis).
Namun akan lebih detail dijelaskan bias transistor rangkaian CE. Dengan menganalisa
rangkaian CE akan dapat diketahui beberapa parameter penting dan berguna terutama
untuk memilih transistor yang tepat untuk aplikasi tertentu.
7.3.2. Arus Emiter
Dari hukum Kirchhoff diketahui bahwa jumlah arus yang masuk kesatu titik
akan sama jumlahnya dengan arus yang keluar (gb.7.7). Jika teorema tersebut
diaplikasikan pada transistor, maka hukum itu menjelaskan hubungan :
IE = IC + IB
........(7.1)
Gambar 7-7. Arus Emitor

Persamaan (7.1) tersebut mengatakan arus emiter IE adalah jumlah dari arus
kolektor IC dengan arus basis IB. Karena arus IB sangat kecil sekali atau disebutkan IB
<< IC, maka dapat di nyatakan :
IE = IC
..........(7.2)
Alpha ( )
Pada tabel data transistor (databook) sering dijumpai spesikikasi
dc (alpha dc) yang
tidak lain adalah :
dc = IC/IE
..........(7.3)
Defenisinya adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor. Karena besar arus
kolektor umumnya hampir sama dengan besar arus emiter maka idealnya besar
adalah = 1 (satu). Namun umumnya transistor yang ada memiliki
dc
dc kurang lebih
antara 0,95 sampai 0,99.
Beta ( )
Beta didefenisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis.
= IC/IB
Dengan kata lain,
......... (7.4)
adalah
parameter yang menunjukkan kemampuan
penguatan arus (current gain) dari suatu transistor. Parameter ini ada tertera di databook
transistor dan sangat membantu para perancang rangkaian elektronika dalam
merencanakan rangkaiannya.
Misalnya jika suatu transistor diketahui besar
=250 dan diinginkan arus kolektor
sebesar 10 mA, maka berapakah arus bias basis yang diperlukan?.

Jawab :
IB = IC/ = 10mA/250 = 40 uA
Misalnya arus yang terjadi pada kolektor transistor yang memiliki
= 200 jika
diberi arus bias basis sebesar 0.1mA, berapakah IC :

Jawab :
IC =
x IB = 200 x 0.1mA = 20 mA
Dari rumusan ini lebih terlihat defenisi penguatan arus transistor, yaitu arus basis yang
kecil menjadi arus kolektor yang lebih besar.
7.4. Common Emitter (CE)

Rangkaian CE adalah rangkaian yang paling sering digunakan untuk berbagai
aplikasi yang mengunakan transistor. Dinamakan rangkaian CE, sebab titik ground atau
titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik emiter.
Gambar 7-8. Rangkaian C-E

Ada beberapa notasi yang sering digunakan untuk mununjukkan besar tegangan
pada suatu titik maupun antar titik. Notasi dengan 1 subscript adalah untuk
menunjukkan besar tegangan pada satu titik, misalnya : VC = tegangan kolektor, VB =
tegangan basis dan VE = tegangan emiter.
Ada juga notasi dengan 2 subscript yang dipakai untuk menunjukkan besar
tegangan antar 2 titik, yang disebut juga dengan tegangan jepit. Diantaranya adalah :
VCE = tegangan jepit kolektor- emitor
VBE = tegangan jepit basis - emitor
VCB = tegangan jepit kolektor - basis
Notasi seperti VBB, VCC, VEE berturut-turut adalah besar sumber tegangan yang masuk
ke titik basis, kolektor dan emitor.
7.5. Kurva Basis
Hubungan antara IB dan VBE (gb.7.9) akan berupa kurva dioda. Karena memang
telah diketahui bahwa junction basis-emitor tidak lain adalah sebuah dioda. Jika hukum
Ohm diterapkan pada loop basis diketahui adalah :
IB = (VBB - VBE) / RB
......... (7.5)
VBE adalah tegangan jepit dioda junction basis-emitor. Arus hanya akan mengalir jika
tegangan antara basis-emitor lebih besar dari VBE. Sehingga arus IB mulai aktif mengalir
pada saat nilai VBE tertentu.
IC
0,7
VBE
Gambar 7-9. Kurva IC -VBE

Besar VBE umumnya tercantum di dalam databook, tapi untuk penyederhanaan
umumnya diketahui VBE = 0.7 volt untuk transistor silikon dan VBE = 0.3 volt untuk
transistor germanium. Nilai ideal VBE = 0 volt. Dari sini akan sangat mudah
mengetahui arus IB dan arus IC dari rangkaian 01 berikut ini, jika diketahui besar
200. Yang digunakan adalah transistor yang dibuat dari bahan silikon.
Rangkaian-01
Rangkaian - 01
IB = (VBB - VBE) / RB
= (2V 0,7V) / 100 K = 13 uA
Dengan
IC =
= 200, maka arus kolektor adalah :
IB = 200 x 13uA = 2,6 mA
7.6. Kurva Kolektor

Sekarang ditinjau bagaimana hubungan antara arus basis IB, arus kolektor IC dan
tegangan kolektor-emiter VCE. Dengan mengunakan rangkaian-01, tegangan VBB dan
VCC dapat diatur untuk memperoleh plot garis-garis kurva kolektor. Pada gambar
berikut telah diplot beberapa kurva kolektor arus IC terhadap VCE dimana arus IB dibuat
konstan.
Saturasi
IC
Cut off
Aktif
Breakdown
IB = 50 A
4
IB = 40A
3
IB = 30A
2
IB = 20A
1
IB = 10A
40 V
1V
VCE
Gambar 7-10. Kurva Kolektor

Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja
transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif
dan seterusnya daerah breakdown.
Ad.1. Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus I C
konstan terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya
tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear
region).
Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop
kolektor (rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan :
VCE = VCC - ICRC
................. (7.6)
Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :

PD = VCE.IC
................. (7.7)
Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan

kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya. Dissipasi daya ini berupa panas
yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power
sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax. Spesifikasi ini menunjukkan
temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal.
Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya P Dmax, maka transistor dapat
rusak atau terbakar.
Ad.2. Daerah Saturasi

Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt
(transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-basis yang mana tegangan VCE
belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron.
Ad.3. Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE
tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor
berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON).
Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0
yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.
+5V
IHIGH = 400 A
VCE
Gambar 7-11. Rangkaian Driver Led

Misalkan pada gambar 7.11 driver LED diatas, transistor yang digunakan adalah
transistor dengan
=50.
Penyalaan LED diatur oleh sebuah gerbang logika (logic
gate) dengan arus output high = 400 A dan diketahui tegangan forward LED, V LED =
2.4 volt. Berapakah seharusnya resistansi RL yang dipakai ?.
Jawab :
IC = .IB = 50 . 400 A = 20 mA
Arus sebesar ini cukup untuk menyalakan LED pada saat transistor cut-off. Tegangan
VCE pada saat cut-off idealnya = 0, dan aproksimasi ini sudah cukup untuk rangkaian
ini.
RL = (VCC - VLED - VCE) / IC
= (5 - 2.4 - 0)V / 20 mA
= 2.6V / 20 mA = 130 Ohm
Ad.4. Daerah Breakdown

Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40V, arus IC menanjak
naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown.
Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat merusak
transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan V CEmax yang
diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi. VCEmax pada databook transistor selalu
dicantumkan juga.
7.7. Memberi Potensial Pada Transistor
RC
IC
RB
VCC
VBB
Gambar 7-12. Potensial Pada Transistor

Bila VBE = 0, maka tidak ada arus IB, arus IC juga tidak ada, transistor OFF
Bila VBE terdapat tegangan maju antara Basis Emitor, maka mengalir arus basis, I B,
dan IC ada maka transistor ON.
Semakin besar VBE, maka IC akan semakin besar.
Parameter yang penting bagi transistor adalah penguatan arus DC, yang dikenal
dengan penguatan arus statis, yaitu
dc atau hFE
Bila transistor menghantar, akan terjadi pembagian tegangan, yaitu : V CC = VRC +

VCE
Apabila IC dinaikkan maka tegangan pada RC akan naik pula, sehingga didapat :
Bahwa jika VRC naik maka tegangan VCE menjadi turun.
Arus yang mengalir ditimbulkan terutama oleh baterai V CC. Arus itu masuk ke
Emitor, keluar dari kolektor dan kembali ke baterai VCC.
Arus basis ditimbulkan oleh baterai VBB, masuk ke Emitor, keluar dari basis dan
kembali ke baterai VBB.
7.8. Jenis Konfigurasi Pada Transistor
Konfigurasi Common Emitor (Sekutu Emitor)

+ VCC
VBC
RC
RB
C
B
VO
Vi
Gambar 7-13. Konfigurasi Common Emitor

Karena Emitornya dihubungkan ke tanah, penguat ini kadang-kadang disebut
Penguat Emitor ditanahkan. Sebuah sinyal gelom-bang kecil diumpankan pada basis
yg mengakibatkan adanya perubahan pada arus basis karena adanya . Arus kolektor
berbentuk gelombang sinus yang diperkuat pada frekwensi yang sama mengalir melalui
resistansi kolektor dan menghasilkan tegangan keluar yang diperkuat.
Karena adanya ayunan AC pada kolektor, tegangan keluar berayun sinusoidal
keatas dan kebawah. Selama setengah siklus tegangan masuk positif arus basis naik
yang mengakibatkan arus kolektor juga naik. Hal ini menimbulkan penurunan tegangan
yang lebih besar, melalui tahanan kolektor sehingga tegangan kolektor turun dan kita
memperoleh setengah siklus negatif yang pertama pada tegangan keluar. Sebaliknya
pada setengah siklus tegangan masuk negatif, arus kolektor lebih sedikit mengalir dan
penurunan tegangan melalui tahanan kolektor berkurang. Dengan demikian tegangan
kolektor naik dan diperoleh setengah siklus positif pada tegangan keluar.
Sehingga dapat disimpulkan bahwa dengan penguat Common Emitor diperoleh
penguatan tegangan dan arus yang besar. Sinyal yang keluar berbeda fase 180o
dengan sinyal masuk.
Konfigurasi Common Colector (Sekutu Kolektor)

+ VCC
VBC
RB
C
B
E
Vi
RE
VO
Gambar 7-14. Konfigurasi Common Colector

Gambar 7.14 menunjukkan suatu rangkaian yang disebut kolektor bersama.
Karena RC nol, maka colector berada pada keadaan AC ground. Hal itu menyebabkan
rangkaian tersebut dikenal sebagai penguat grounded colector .Jika tegangan DC VIN
diberikan pada basis, maka tegangan DC VOUT muncul pada tahanan emitor.
Rangkaian tersebut disebut juga pengikut emitor karena tegangan emitor DC
mengikuti tegangan basis DC.
Jika VIN bertambah maka VOUT juga bertambah. Sinyal masuk dan sinyal keluar
setara dan sefase. Pada sebagian besar rangkaian pengikut emitor dibuat sehingga
penguatan tegangan mendekati waktu.
Karena penguatan tegangan mendekati 1 (satu), maka tegangan keluaran hampir
sama dengan tegangan masukan. Jika pada masukan diberikan suatu gelombang sinus
murni, maka pada keluaran akan diperoleh juga gelombang sinus murni yang sama.
Dengan penguat sekutu kolektor dapat diperoleh penguatan arus yang besar.
Penguatan arus pada penguat Common Colektor sama dengan penguatan arus pada
penguat Common Emitor. Perbedaan besar antara penguat Common Colektor dengan
penguat Common Emitor adalah keluaran impedansi yang sangat rendah.
Konfigurasi Common Basis (Sekutu Basis)

+ VCC
RC
RB
E
Vi
RE
VO
Gambar 7-15. Konfigurasi Common Basis

Gambar 7.15 menunjukkan rangkaian penguat basis. Karena basis ditanahkan,
rangkaian ini juga disebut penguat basis yang ditanahkan. Sinyal masukan dibe-rikan
pada emitor dan sinyal ke-luaran diambil dari kolektor. Tegangan keluaran sefase
dengan tegangan masukannya. Penguatan tegangan pada penguat Common Basis sama
dengan penguatan tegangan pd penguat Common Emitor. Perbedaan besar antara
penguat Common basis dengan penguat Common Emitor adalah masukan impedansi
yang sangat rendah.
Dengan penguat Common Basis dapat diperoleh penguatan tegangan yang besar.
Penguatan arus mendekati satu dan sinyal keluaran sefase dengan sinyal masukan.
7.9. Rangkaian Yang Distabilkan
CARA I :
Pada rangkaian yang tidak distabilkan, diperlukan mengganti transistor dengan
yang benar-benar sama, jika berlainan maka kondisi kerja transistor akan berubah.
Untuk memperoleh transistor yang benar-benar sama sulit. Kesulitan itu dapat diatasi
dengan rangkaian transistor yang distabilkan.
Nilai dari sebenarnya bergantung juga pada suhu, apabila rangkaian transistor
tidak distabilkan maka perubahan suhu akan mengubah nilai . Perubahan ini dapat
membuat sinyal keluaran menjadi cacat. Guna memperoleh stabilitas pada rangkaian
dapat ditambahkan sebuah resistor dalam rangkaian emitor (gb 7.16), proses stabilitas
akan terjadi sebagai berikut :
+VCC
RC
RB
C
B
CK
CK
RE
VRE
Gambar 7-16. Rangkaian Penstabil
Apabila kuat arus IC cenderung naik, maka naik pula tegangan pada RE.
Kenaikkan tegangan pada RE membuat potensial di terminal atas RE bertambah
positif.
Emitor bertambah positif, sehingga tegangan muka basis emitor mengecil.

Tegangan basis emitor yang mengecil memperkecil arus IC. Dengan demikian IC
yang hendak naik dapat dicegah dengan adanya RE.
Pemasangan RE akan mengecilkan sinyal keluaran, hal ini dapat diatasi dengan
memberikan kondensator pada RE.
CARA II :
+VCC
RC
CK
RB
C
B
CK
Cara ini disebut sebagai self bias, sebab potensial yang diperlukan untuk basis
dapat diperoleh dengan sendirinya. Potensial untuk basis tidak diambil dari terminal
baterai VCC melainkan diambil dari kolektor. Jika transistor menjadi panas maka IC
condong akan naik. IC akan menaikkan tegangan diantara terminal R C karenanya

turunlah tegangan kolektor emitor.
Karena VCE turun, turun pula tegangan basis, sebab tegangan untuk basis
diambil dari kolektor. Tegangan basis akan menurunkan arus basis IB = VCE/RB.
Penurunan IB ini menunda kenaikkan IC. Dengan cara ini kenaikkan IC dapat dicegah, sehingga
operasi transistor menjadi mantap.
7.10. Garis Beban Dc

Harga-harga VCC dan RC merupakan tetapan-tetapan bagi rangkaian tertentu.
Oleh sebab itu persamaan VCE = VCC ICRC merupakan persaman linier dalam dua
variabel (VCE dan IC). Bila dilukiskan dalam bentuk grafik, persamaan ini menghasilkan
suatu garis lurus.
Contoh : Apabila suatu rangkaian mempunyai tegangan catu kolektor 10 V dan
hambatan kolektor 1k, maka dengan persamaan diatas akan diperoleh :
VCE = 10 1000 IC
Bila Ic = 0 mA, maka : VCE = 10 1000 . 0 = 10
Bila Ic = 1 mA, maka : VCE = 10 1000 . 0,001 = 9
Jika hasil tersebut dipakai untuk melukiskan hubungan antara V CE dan Ic, maka
hasilnya adalah grafik linier seperti pada gambar 7.17. Gambar semacam ini disebut :
Garis Beban DC, karena garis ini merupakan tempat kedudukan semua titik operasi DC
dari transistor pada hambatan beban tertentu (dalam hal ini 1k).
Ic (mA)
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1 2 3 4 5 6 7 8
9 10 11
VCE (Volt)
Gambar 7-17. Garis Beban DC
Dalam rangkaian kolektor, sumber tegangan VCC membias reverse dioda

kolektor melalui RC. Dengan hukum Kirchoff, seperti pd persamaan (7.6) didapat VCE =
VCC IC.RC. Dalam rangkaian yang diberikan, VCC dan RC adalah konstan sedangkan
VCE dan IC adalah variabel. Dengan menyusun kembali persamaan (7.6) dihasilkan :
IC
VC E VC C
RC RC
Ic (mA)
VC C
RC
Titik Penjenuhan / Saturation
IB = 60 A
6
5
Q1
4
Q
3
2
Cutoff /Titik sumbat
1
IB = 0 A
Q2
VCE
12
VCC
Gambar 7-18. Kurva Garis Beban DC
6
Dalam merancang suatu penguat perlu digunakan yang dinamakan Garis Beban,
krn garis beban ini menyatakan semua titik operasi yang mungkin. Perpotongan dari
garis beban dengan arus basis adalah titik operasi dari pd transistor. Perpotongan
vertikal adalah pada VCC/RC. Perpotongan horizontal adalah VCC.
Titik dimana garis beban memotong kurva IB = 0 disebut Cutoff, sehingga VCE =
VCC = 12 Volt dan IC = 0, maka titik Q berada di Q2.
Titik dimana perpotongan garis beban dan kurva I B saturasi disebut :
Penjenuhan, dimana IB = Ibsat dan IC adalah maksimum, maka titik Q berada di Q1 ini
adalah harga maksimum yang dapat dihasilkan oleh rangkaian.
Semua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari
transistor. Dalam daerah aktif, dioda emitor dibias forward dan dioda kolektor dibias
reverse. Pada umumnya seorang perancang akan memilih komponen yang menghasil-
kan titik operasi disekitar titik tengah dari garis beban DC. Titik ini disebut sebagai titik
tenang (quiescent), karena operasi pada titik ini berlangsung tanpa sinyal masukan AC.
7.11. Prategangan Pembagi Tegangan (Voltage Diveder)
+ VCC
Pada gambar 7.19 disamping, adalah bias yg

paling banyak dipakai dalam rangkaian. Nama
R1
RC
pembagi tegangan berasal dari pembagi tegangan

yang dibentuk oleh R1 dan R2. Tegangan pada R2
membias forward dioda emitor, sedangkan VCC
VCE
membias reverse dioda kolektor. Disini arus basis

kecil sekali dibandingkan dengan arus dlm R 1 dan
R2
RE
R2, sehingga
VE
dengan
menggunakan teorema
pembagi tegangan untuk mendapatkan tegangan
0V
pada R2, adalah :
Gambar 7-19
Bias Pembagi Tegangan
V2
R2
.VCC dimana hukum Kirchhoff memberikan :
R1 R2
Ve V2 VBE
Ini menyatakan tegangan pada resistor emitor sama dengan tegangan pada R 2 dikurangi
dengan jatuh tegangan VBE, sehingga :
IE
V2 VBE
RE
Untuk tegangan kolektor ke tanah VC sama dengan tegangan catu dikurangi jatuh
tegangan pada resistor kolektor, maka : VC VCC I C .RC
sedangkan tegangan emitor ke tanah adalah : V E I E .RE , dengan menganggap
bahwa I C I E , maka tegangan kolektor ke emitor adalah :
VCE VC V E VCC I C RC I E RE
VCC I C ( RC RE )
Rangkaian transistor yang linier adalah rangkaian yang selalu beroperasi dalam
daerah aktif dan tidak pernah dipaksa memasuki daerah jenuh/saturasi. Dalam operasi
linier ini, lazimnya sumber DC akan mengatur kedudukan Q disekitar pertengahan garis
beban.
IC
VCC
RC RE
Q
VCC
VCE
Gambar 7-20. Garis Beban DC Untuk Voltage Diveder
7.12. Bias Emiter

+ VCC
+ VCC
VCC
RC
RC
RC
Pertanahan
RB
RE
VEE
RB
RB
RE
RE
VEE
VEE
(a)
(b)
IE
(c)
Gambar 7-21. Bias Emiter

Gambar 17.a menunjukkan bias emiter yang umumnya jika terdapat catu yang
terbagi (split supply). Nama bias emiter digunakan karena catu negatif V EE membias
forward diode emiter melalui resistor RE. Seperti biasa, catu VCC membias reverse diode
kolektor. Sedangkan gambar 17.b adalah cara yang disederhanakan untuk menggambar
rangkaian.
7.12.1. Arus Emiter

Kunci untuk menganalisa rangkaian bias emiter yang tipikal adalah : tegangan
dari emiter ke tanah lebih kecil dari pada 1 Volt. Karena V EE jauh lebih besar dari pada
1 Volt, kita dapat memperlakukan ujung atas dari R E sebagai pentanahan pendekatan.
Gambar 17.c menekankan bahwa karena pentanahan sebenarnya semua tegangan catu
VEE muncul pada RE, oleh karena itu :
IE
V EE
RE
7.12.2. Besaran-besaran lain

Biasanya untuk pendekatan, IC sama dengan IE, karena emiter bekerja seperti
sebuah titik tanah, tegangan emiter sama dengan catu data V CC dikurangi dengan jatuh
tegangan pada resistor kolektor, maka : VCE VCC I C RC
Jika transistor dijenuhkan, maka terminal kolektor-emiter secara ideal bekerja
terhubung singkat dan jumlah dari tegangan catu muncul pada R E dan RC, karena itu
maka arus maksimum yang mungkin adalah :
IC(sat)
VCC VEE
RC RE
7.12.3. Kapasitor Kopling dan Bypass

Pada umumnya kapasitor dalam rangkaian transistor adalah kapasitor kopling
dan bypass. Kapasitor kopling melewatkan sinyal AC dari satu titik yang tidak
ditanahkan ke titik yang tidak ditanahkan lainnya.
A
DC terbuka
A
B
dan
VTH
AC hubung singkat
(a)
(b)
Gambar 7-22. Kapasitor Kopling

Dalam gambar 7.22a, tegangan AC pada titik A juga muncul pada titik B. Agar
hal ini tidak terjadi, maka resistansi kapasitif X C harus kecil sekali dibandingkan dengan
resistansi tersebut. Dalam gambar 7.22a rangkaian sebelah kiri titik A mungkin sebuah
sumber AC tunggal dan resistor atau rangkaian ekivalen Thevenin dari suatu rangkaian
yang rumit. Demikian juga resistansi R L mungkin sebuah resistor tunggal atau yang
lainnya, yang penting kita tahu bahwa arus AC mengalir melalui resistansi total R TH +
RL. Seperti kita tahu dari teori rangkaian dasar, bahwa arus AC dalam rangkaian RC
loop tunggal sama dengan :
V
R
2
X C2
dimana : R = RTH + RL
....................(7.8)
Arus AC maksimum mengalir jika XC jauh lebih besar dari R. Dengan perkataan lain,
kapasitor mengkopel sinyal dengan tepat dari A ke B jika : X C R .
7.12.4. Ukuran Kapasitor
Ukuran darti kapasitor tergantung pada frekwensi terendah yang dicoba untuk
mengkopelnya karena XC bertambah jika frekwensi berkurang. Dengan menggunakan
aturan rule berikut :
T RC (pada frekwensi yang sangat rendah)
....................(7.9)
Diman : T adalah perioda, yaitu : 1/F

Contoh :
Bila kita akan mengkopel frekwensi dari 20 Hz sampai 50 HZ ke dalam sebuah penguat,
maka frekwensi terendah 20 Hz mempunyai perioda T 1 f 1 20 0 ,05 s . Jika
resistansi total dalam sebuah rangkaian loop tunggal (gb 7.22a) adalah 10 k, maka
kapasitor kopling harus memenuhi :
T RC
0 ,05 10 4 .C
0 ,05
C 4 5 F
10
Sehingga dapat dikatakan bahwa kapasitansi ukuran ini akan melakukan tuga
mengkopel dengan baik semua frekwensi diatas 20 Hz. Atau aturan lain yang digunakan
secara luas adalah menjaga XC lebih kecil dari sepersepuluh R.
Secara ideal kapasitor tampak terbuka untuk arus DC. Karena alasan ini dapat
dipikirkan sebuah kapasitor kopling seperti pada gambar 7.22b. Kapasitor bekerja
seperti sebuah saklar yang terbuka terhadap arus DC, tetapi dihubung singkat terhadap
arus AC. Kerja yang berbda ini memungkinkan didapatkan sinyal AC dari satu tingkat
ke tingkat lainnya tanpa mengganggu pembiasan DC dari tiap tingkat.
7.12.5. Pentanahan AC
Kapasitor bypass serupa dengan kapasitor kopling, bedanya pada kapasitor
bypass mengkopel titik yang tidak ke titik yang ditanahkan serpeti pada gambar 7.23a.
VTH dan RTH mungkin sebuah sumber tunggal dan resistor atau mungkin sebuah
rangkaian Thevenin. Bagi kapasitor, hal ini tak jadi soal dan hanya melihat resistansi
total RTH.
RTH
VTH
XC
RTH
Teg. AC nol
VTH
Bypass
(a)
Pentanahan
AC
XC
(b)
Gambar 7-23. Kapasitor Bypass

Dalam gambar 7.23b kapasitor secara ideal bagi sinyal AC tampak seperti
hubung singkat, karena itu, titik A dihubung singkat ke tanah sepanjang yang
menyangkut sinyal AC. Inilah sebabnya dinamakan titik A sebagai hubung singkat AC.
Kapasitor bypass tidak akan mengangu tegangan DC pada titik A karena kapasitor
terbuka terhadap arus DC, tetapi kapasitor bypass secara otomatis membuat titik A
menjadi sebuah titik hubung tanah AC.
Dalam jangkauan (range) frekwensi normal dari sebuah penguat, semua
kapasitor kopling dan bypass tampak seperti hubung singkat AC. Karena alasan ini,
maka semua kapasitor didekati sebagai rangkaian terbuka untuk DC dan hubung singkat
AC.
Contoh Soal :
Sinyal input dalam gambar 7.24a mempunyai frekwensi 10 Hz dan 50 Hz, agar kapasitor kopling bekerja dengan tepat, berapa nilai yang seharusnya ?
C
6 k
10 Hz to 50kHz
VTH
2 k
3 k
Theveninkan
24 k
12 k
8 k
Paralelkan
(a)
(b)
Gambar 7-24
Jawab :
RTH
6.3
24.12 288
2k dan R P
8k
6 3
24 12 36
Resistansi total dalam loop = 2k + 8k = 10k

Frekwensi terendah adalah 10 Hz, mempunyai perioda T 1
10
0,1s , oleh
karena itu kapasitor kopling harus memenuhi :
T RC
0,01 10 4 C
C
0,01
10 4
10 F
7.12.6. Teorema Superposisi Untuk Rangkaian AC-DC

Dalam sebuah penguat transistor, sumber DC menaikkan arus dan tegangan DC.
Sumber DC menimbulkan fluktuasi dalam arus dan tegangan transistor. Cara yang
paling sederhana untuk menganalisa kerja dari rangkaian transistor adalah membagi
analisa menjadi dua bagian, yaitu : ANALISA DC dan ANALISA AC. Dengan perkataan lain kita adpat menganalisa rangkaian transistor dengan menggunakan Teorema
Superposisi dalam suatu cara yang khusus.
Ad.a. Rangkaian Ekivalen AC dan DC
Kurangi semua sumber AC menjadi nol, buka semua kapasitor. Rangkaian yang
tinggal adalah semua hal yang menyangkut arus dan tegangan DC, karena itu
rangkaian ini dinamakan : rangkaian ekivalen DC. Dengan menggunakan
rangkaian ini dapat menghitung apapun mengenai arus dan tegangan.
Kurangi semua sumber DC menjadi nol, hubung singkat semua kapasitor kopling
dan bypass. Rangkaian yang tinggal adalah semua hal yang menyangkut arus dan
tegangan AC, karena itu rangkaian ini dinamakan : rangkaian ekivalen AC. Dengan
menggunakan rangkaian ini dapat menghitung apapun mengenai arus dan tegangan.
Arus total dalam suatu cabang adalah jumlah dari arus DC dan AC yang melalui
cabang tersebut. Dan tegangan total pada suatu cabang adalah jumlah dari tegangan
DC dan AC pada cabang tersebut.
+ VCC
+ VCC
R1
RS
R1
RC
Kopling
RC
IE
RL
Kopling
RE
R2
RE
R2
Bypass
(a)
(b)
RS
ie
R1
RC
RL
R2
Pentanahan AC
(c)
Gambar 7-25. Teorema Superposisi

Pertama pada gambar 7.25a adalah cara menggunakan teorema superposisi pada
penguat transistor. Pertama kurangi semua sumber AC menjadi nol dan buka semua
kapasitor. Semua yang tinggal adalah rangkaian dalam gb 7.25b, ini adalah rangkaian
ekivalen DC yang menyangkut arus dan tegangan DC.
Kedua kurangi semua sumber DC sampai nol dan hubung singkat semua
kapasitor kopling dan bypass, yang tertinggal adalah rangkaian ekivalen AC seperti
pada gb. 7.25c. Yang terutam adalah mengurangi sumber tegangan menjadi nol sama
dengan menghubung singkatkan. Inilah sebabnya R 1 dan RC dihubung singkat ke
pentanahan AC melalui sumber VCC, juga kapasitor bypass menempatkan emiter pada
pentanahan AC.
8.1. Pendahuluan
Thyristor berakar kata dari bahasa Yunani yang berarti pintu' dan singkatan
dari Thyratron dan Transistor. Dinamakan demikian barangkali karena sifat dari
komponen ini yang mirip dengan pintu yang dapat dibuka dan ditutup untuk
melewatkan arus listrik. Ada beberapa komponen yang termasuk thyristor antara lain :
PUT (programmable uni-junction transistor), UJT (uni-junction transistor ), GTO
(gate turn off switch), photo SCR dan sebagainya. Berikut ini, akan dijelaskan adalah
komponen-komponen thyristor yang dikenal dengan sebutan SCR (silicon controlled
rectifier), TRIAC dan DIAC, dan bagaimana prinsip kerja serta aplikasinya.
8.2. Struktur Thyristor
Ciri-ciri utama dari sebuah thyristor adalah komponen yang terbuat dari bahan
semiconductor silicon. Walaupun bahannya sama, tetapi struktur P-N junction yang
dimilikinya lebih kompleks dibanding transistor bipolar atau MOS. Komponen thyristor
lebih banyak digunakan sebagai saklar (switch) dari pada sebagai penguat arus atau
tegangan seperti halnya transistor.
Gambar 8-1. Struktur Thyristor

Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layer PNPN seperti yang ditunjukkan
pada gambar 8-1a. Jika dipilah, struktur ini dapat dilihat sebagai dua buah struktur
junction PNP dan NPN yang tersambung di tengah seperti pada gambar 8-1b. Ini tidak
lain adalah dua buah transistor PNP dan NPN yang tersambung pada masing-masing
kolektor dan basis. Jika divisualisasikan sebagai transistor Q1 dan Q2, maka struktur
thyristor ini dapat diperlihatkan seperti pada gambar 8-2 yang berikut ini.
A
e
Q1
c
c
b
Q2
e
K
Gambar 8-2. Visualisasi Dengan Transistor

Terlihat di sini kolektor transistor Q1 tersambung pada basis transistor Q2 dan
sebaliknya kolektor transistor Q2 tersambung pada basis transistor Q1.
Rangkaian
transistor yang demikian menunjukkan adanya loop penguatan arus di bagian tengah.
Dimana diketahui bahwa Ic =
Ib,
yaitu arus kolektor adalah penguatan dari arus
basis.
Jika misalnya ada arus sebesar Ib yang mengalir pada basis transistor Q2, maka
akan ada arus Ic yang mengalir pada kolektor Q2. Arus kolektor ini merupakan arus
basis Ib pada transistor Q1, sehingga akan muncul penguatan pada pada arus kolektor
transistor Q1. Arus kolektor transistor Q1 tidak lain adalah arus basis bagi transistor Q2.
Demikian seterusnya sehingga makin lama sambungan PN dari thyristor ini di bagian
tengah akan mengecil dan hilang, sehingga yang tertinggal hanyalah lapisan P dan N
dibagian luar.
Jika keadaan ini tercapai, maka struktur yang demikian tidak lain adalah struktur
dioda PN (anoda-katoda) yang sudah dikenal. Pada saat yang demikian, disebut bahwa
thyristor dalam keadaan ON dan dapat mengalirkan arus dari anoda menuju katoda
seperti layaknya sebuah dioda.
P
N
P
N
Gambar 8-3. Thyristor Diberi Tegangan

Bagaimana kalau pada thyristor ini kita beri beban lampu dc dan diberi suplai
tegangan dari nol sampai tegangan tertentu seperti pada gambar 8-3. Apa yang terjadi
pada lampu ketika tegangan dinaikkan dari nol?, lampu akan tetap padam karena lapisan
N-P yang ada ditengah akan mendapatkan reverse-bias (teori dioda). Pada saat ini
disebut thyristor dalam keadaan OFF karena tidak ada arus yang bisa mengalir atau
sangat kecil sekali. Arus tidak dapat mengalir sampai pada suatu tegangan reverse-bias
tertentu yang menyebabkan sambungan NP ini jenuh dan hilang. Tegangan ini disebut
tegangan breakdown dan pada saat itu arus mulai dapat mengalir melewati thyristor
sebagaimana dioda umumnya. Pada thyristor tegangan ini dis : tegangan breakover Vbo.
8.3. SCR (Silicon Controlled Rectifier)
Telah dibahas, bahwa untuk membuat thyristor menjadi ON adalah dengan
memberi arus trigger lapisan P yang dekat dengan katoda. Yaitu dengan membuat kaki
gate pada thyristor PNPN seperti pada gambar 8-4a. Karena letaknya yang dekat dengan
katoda, bisa juga pin gate ini disebut pin gate katoda (cathode gate). Beginilah SCR
dibuat dan simbol SCR digambarkan seperti gambar-4b. SCR dalam banyak literatur
disebut Thyristor saja.
Gambar 8-4. Bentuk Fisik, Simbol dan Struktur SCR

Melalui kaki (pin) gate tersebut memungkinkan komponen ini di trigger menjadi
ON, yaitu dengan memberi arus gate. Ternyata dengan memberi arus gate Ig yang
semakin besar dapat menurunkan tegangan breakover (Vbo) sebuah SCR. Dimana
tegangan ini adalah tegangan minimum yang diperlukan SCR untuk menjadi ON.
Sampai pada suatu besar arus gate tertentu, ternyata akan sangat mudah membuat SCR
menjadi ON. Bahkan dengan tegangan forward yang kecil sekalipun. Misalnya 1 volt
saja atau lebih kecil lagi. Kurva tegangan dan arus dari sebuah SCR adalah seperti yang
ada pada gambar 8-5 yang berikut ini.
IT
Teg. Breakdown balik
IL
IH
I G3 I G2 IG1
IG=0
VAK
Vb3 Vb2 Vb1 VBO
Gambar 8-5. Karakteristik Kurva I-V SCR
Pada gambar tertera tegangan breakover Vbo, yang jika tegangan forward SCR
mencapai titik ini, maka SCR akan ON. Lebih penting lagi adalah arus I g yang dapat
menyebabkan tegangan Vbo turun menjadi lebih kecil. Pada gambar ditunjukkan
beberapa arus Ig dan korelasinya terhadap tegangan breakover. Pada datasheet SCR,
arus trigger gate ini sering ditulis dengan notasi IGT (gate trigger current). Pada gambar
ada ditunjukkan juga arus Ih yaitu arus holding yang mempertahankan SCR tetap ON.
Jadi agar SCR tetap ON maka arus forward dari anoda menuju katoda harus berada di
atas parameter ini.
Sejauh ini yang dikemukakan adalah bagaimana membuat SCR menjadi ON.
Pada kenyataannya, sekali SCR mencapai keadaan ON maka selamanya akan ON,
walaupun tegangan gate dilepas atau di short ke katoda. Satu-satunya cara untuk
membuat SCR menjadi OFF adalah dengan membuat arus anoda-katoda turun dibawah
arus Ih (holding current). Pada gambar 8-5 kurva I-V SCR, jika arus forward berada
dibawah titik Ih, maka SCR kembali pada keadaan OFF. Berapa besar arus holding ini,
umumnya ada di dalam datasheet SCR.
Cara membuat SCR menjadi OFF tersebut adalah sama saja dengan menurunkan
tegangan anoda-katoda ke titik nol. Karena inilah SCR atau thyristor pada umumnya
tidak cocok digunakan untuk aplikasi DC. Komponen ini lebih banyak digunakan untuk
aplikasi-aplikasi tegangan AC, dimana SCR bisa OFF pada saat gelombang tegangan
AC berada di titik nol.
Ada satu parameter penting lain dari SCR, yaitu VGT. Parameter ini adalah
tegangan trigger pada gate yang menyebabkan SCR ON. Kalau dilihat dari model
thyristor pada gambar 8-2, tegangan ini adalah tegangan Vbe pada transistor Q2. VGT
seperti halnya Vbe, besarnya kira-kira 0.7 volt. Seperti contoh rangkaian gambar-6
berikut ini sebuah SCR diketahui memiliki IGT = 10 mA dan VGT = 0.7 volt. Maka dapat
dihitung tegangan Vin yang diperlukan agar SCR ini ON adalah sebesar :
Vin = Vr + VGT = IGT (R) + VGT = 4.9 volt
VSS
LOAD
VIN
IGT
SCR
VGT
Gambar 8-6. Rangkaian SCR

8.4. TRIAC (Triode Alternating Current)

Boleh dikatakan SCR adalah thyristor yang uni-directional, karena ketika ON
hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda menuju katoda. Struktur
TRIAC sebenarnya adalah sama dengan dua buah SCR yang arahnya bolak-balik dan
kedua gate-nya disatukan. Simbol TRIAC ditunjukkan pada gambar 8-7. TRIAC biasa
juga disebut thyristor bi-directional.
Anoda
Gate
Katoda
Gambar 8-7. Simbol dan bentuk Fisik TRIAC

TRIAC bekerja mirip seperti SCR yang paralel bolak-balik, sehingga dapat
melewatkan arus dua arah.
Pada datasheet akan lebih detail diberikan besar parameter-parameter seperti
Vbo dan -Vbo, lalu IGT dan -IGT, Ih serta -Ih dan sebagainya. Umumnya besar parameter
ini simetris antara yang plus dan yang minus. Dalam perhitungan desain, bisa dianggap
parameter ini simetris sehingga lebih mudah di hitung.
8.5. DIAC (Diode Alternating Current)
Kalau dilihat strukturnya seperti gambar 8-8a, DIAC bukanlah termasuk
keluarga thyristor, namun prisip kerjanya membuat ia digolongkan sebagai thyristor.
DIAC dibuat dengan struktur PNP mirip seperti transistor. Lapisan N pada transistor
dibuat sangat tipis sehingga elektron dengan mudah dapat menyeberang menembus
lapisan ini. Sedangkan pada DIAC, lapisan N di buat cukup tebal sehingga elektron
cukup sulit untuk menembusnya. Struktur DIAC yang demikian dapat juga dipandang
sebagai dua buah dioda PN dan NP, sehingga dalam beberapa literatur DIAC
digolongkan sebagai dioda.
Sukar dilewati oleh arus dua arah, DIAC memang dimaksudkan untuk tujuan ini.
Hanya dengan tegangan breakdown tertentu barulah DIAC dapat menghantarkan arus.
Gambar 8-8. Struktur Dan Simbol DIAC

Arus yang dihantarkan tentu saja bisa bolak-balik dari anoda menuju katoda dan
sebaliknya. Kurva karakteristik DIAC sama seperti TRIAC, tetapi yang hanya perlu
diketahui adalah berapa tegangan breakdown-nya.
Simbol dari DIAC adalah seperti yang ditunjukkan pada gambar 8-8b. DIAC
umumnya dipakai sebagai pemicu TRIAC agar ON pada tegangan input tertentu yang
relatif tinggi. Contohnya adalah aplikasi dimmer lampu yang berikut pada gambar 8-9.
LAMPU 220 V
Vac
10 K
IGT
VGT
C
VBO
Gambar 8-9. Rangkaian Dimmer

Jika diketahui IGT dari TRIAC pada rangkaian di atas 10 mA dan VGT = 0.7 volt.
Yang digunakan adalah sebuah DIAC dengan Vbo = 20 V, maka dapat dihitung TRIAC
akan ON pada tegangan : V = IGT (R) + Vbo + VGT = 120,7 V
Pada rangkaian dimmer, resistor R biasanya diganti dengan rangkaian seri
resistor dan potensiometer. Di sini kapasitor C bersama rangkaian R digunakan untuk
menggeser phasa tegangan VAC. Lampu dapat diatur menyala redup dan terang,
tergantung pada saat kapan TRIAC di picu.
9.1. Pendahuluan
Transistor efek medan (FET / Field Effect Transistor) adalah alat semikonduktor yang operasinya bergantung pada pengendalian arus oleh medan listrik yang
dihasilkan lewat aplikasi suatu tegangan input ke terminal gerbang. Medan listrik ini
mengontrol lebar saluran tempat terjadinya konduksi antara jalur pembuangan dan
sumber. FET merupakan transistor kutub tunggal, dimana untuk bekerjanya dia hanya
memerlukan pembawa mayoritas.
Ada dua type transistor efek medan, yaitu :
JFET (Junction Field Effect Transistor)

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
9.2. J F E T (Junction Field Effect Transistor)
Terbuat dari bahan semikonduktor P dan N, mempunyai 3 buah kaki, yaitu ;
Drain /pembuangan /penguras / cerat = D

Gate / gerbang / pintu / kanal = G
Source / sumber = S
Drain
n
n
Gerbang
VDD
Gerbang
Gerbang
Source
Gambar 9-1
(a). Bagian dari JFET
(b). JFET gerbang Ganda
(c). JFET gerbang tunggal
Pada gambar 9.1.a menunjukkan bagian dari suatu JFET. Ujung yang bawah
disebut sumber (source) dan ujung yang atas disebut drain (drain), potongan
semikonduktor antara sumber dan drain merupakan kanal (channel), dalam gambar
9.1.a digunakan bahanN pembawa mayoritasnya adalah elektron pita konduksi.
Dengan melekatkan dua daerah p pada sisi kanal, akan diperoleh JFET kanal-n
seperti pada gambar 9.1.b. Tiap-tiap daerah-p disebut sebuag gerbang (gate). Jika
pembuat menghubung-kan suatu kawat luar yang terpisah ke tiap gerbang, maka disebut
sebuah JFET gerbang ganda.
Suatu JFET gerbang tunggal hanya mempunyai satu kawat penghubung gerbang
luar seperti ditunjukkan pada gambar 1.c. Jika menggunakan simbol ini, perlu diingat
bahwa kedua daerah-p mempunyai potensial yang sama karena dihubungkan dibagian
dalam.
Tabel 9-1
Perbedaan Jfet Dan Transistor Bipolar
JFET
TRANSISTOR BIPOLAR
1. Gerbang dibias reverse

2. Tegangan input mengendalikan arus
output
3. Resistansi input secara ideal mendekati
4. Kurang peka thd perubahan tegangan
input
5. Penguatan tegangan kecil
1.
2.
3.
4.
5.
Basis dibias forward

Iin mengendalikan Iout
Rin sampai m
Peka terhadap perubahan Vin
Penguatan lebih besar dari JFET
9.2.1. Pembiasan Jfet

D
Drain
n
ID
n
Gate
VGG
hampa udara/
lapisan defleksi
VDD
VGG
VDD
n
S
Source
Gambar 9-2
(a). Bias Normal JFET / Bias Negatif
(b). Lapisan Pengosongan
Gambar 9.2.a menunjukkan polaritas normal untuk bias suatu JFET kanal-n.
Caranya adalah menggunakan tegangan negatif antara gerbang dan sumber, ini disebut :
membias reverse/bias negatif. Dari gambar 9.2.b, elektron yang mengalir dari source
menuju drain harus melewati lapisan deplesi. Di sini lapisan deplesi berfungsi semacan
keran air. Banyaknya elektron yang mengalir dari source menuju drain tergantung dari
ketebalan lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa menyempit, melebar atau membuka
tergantung dari tegangan gate terhadap source.
Jika gate semakin negatif terhadap source, maka lapisan deplesi akan semakin
menebal. Lapisan deplesi bisa saja menutup seluruh kanal transistor bahkan dapat
menyentuh drain dan source. Ketika keadaan ini terjadi, tidak ada arus yang dapat
mengalir atau sangat kecil sekali. Jadi jika tegangan gate semakin negatif terhadap
source (tegangan bias negatif) maka semakin kecil arus yang bisa melewati kanal drain
dan source.
Karena gerbang dibias reverse, arus yang mengalir dalam penghubung gerbang
hanyalah suatu arus yang kecil yang dapat diabaikan. Untuk pendekatan pertama, arus
gerbang adalah nol. Nama efek medan dihubungkan dengan lapisan-lapisan
pengosongan disekitar tiap sambungan p-n. Pada gambar 9.2.b menunjukkan lapisanlapisan pengosongan tersebut. Arus dari sumber (source) ke drain (drain) harus mengalir
melalui kanal sempit antara lapisan-lapisan pengosongan. Ukuran dari lapisan-lapisan
pengosongan tersebut menentukan lebar dari saluran konduksi. Makin negatif tegangan
gerbang (gate semakin negatif terhadap source), saluran konduksi menjadi semakin
sempit, karena lapisan-lapisan pengosongan satu sama lain menjadi lebih dekat. Jadi
jika tegangan gate semakin negatif terhadap source maka semakin kecil arus yang bisa
melewati kanal drain dan source.
Dengan perkataan lain tegangan gerbang
mengendalikan arus antara sourse dan drain. Makin negatif tegangan gerbang, arusnya
makin kecil.
Atau dengan perkataan lain pada gambar 9.2.b, pada pertemuan ini
terjadi lapisan hampa, lapisan ini merintangi arus yang melalui kanal dengan
mengurangi lebar efektif kanal sehingga akan menaikkan resistansi kanal. Lapisan
hampa ini dapat dilebarkan, sehingga merintangi arus lebih besar, shg dengan
mengubah tegangan VGG pada gerbang, arus ID dapat diubah-ubah.
Jika misalnya tegangan gate dari nilai negatif perlahanlahan dinaikkan sampai
sama dengan tegangan Source (gb.9.2b). Ternyata lapisan deplesi mengecil hingga
sampai suatu saat terdapat celah sempit. Arus elektron mulai mengalir melalui celah
sempit ini dan terjadilah konduksi Drain dan Source. Arus yang terjadi pada keadaan ini
adalah arus maksimum yang dapat mengalir berapapun tegangan drain terhadap source.
Hal ini karena celah lapisan deplesi sudah maksimum tidak bisa lebih lebar lagi.
Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi positif, karena kalau nilainya positif maka
gate-source tidak lain hanya sebagai dioda. Karena tegangan bias yang negatif, maka
arus gate yang disebut IG akan sangat kecil sekali.
Dapat dimengerti resistansi input (input impedance) gate akan sangat besar.
Impedansi input transistor FET umumnya bisa mencapai satuan M. Sebuah transistor
JFET diketahui arus gate 2 nA pada saat tegangan reverse gate 4 V, maka dari hukum
Ohm dapat dihitung resistansi input transistor ini adalah : Rin = 4V/2nA = 2000 M
9.2.2. Simbol Skematis
D
D
p
n
Gerbang
Gerbang
n
p
(a)
(b)
Gambar 9-3. JFET Kanal-n dan JFET Kanal-p

Gambar 9.3.a menunjukkan simbol skematis untuk suatu JFET kanal-n. Pada
banyak JFET, sumber (source) dan drain dapat dipertukarkan, disini kita dapat
menggunakan salah satu ujung sebagai source atau drain, dengan alasan ini simbol
JFET pada gambar 9.3.a adalah simetris, titik gate pada titik tengah kanal.
Pada gambar 9.3.b menunjukkan JFET kanal-p dan simbol skematis JFET kanalp saling melengkapi dengan JFET kanal-n. Karena struktur yang sama, terminal drain
dan source untuk aplikasi frekuensi rendah dapat dibolak balik. Namun biasanya tidak
demikian untuk aplikasi frekuensi tinggi. Umumnya JFET untuk aplikasi frekuensi
tinggi memperhitungkan kapasitansi bahan antara gate dg drain dan juga antara gate
dengan source. Dalam pembuatan JFET, umumnya ada perbedaan kapasitansi gate
terhadap drain dan antara gate dengan source.
9.2.3. KURVA DRAIN JFET

ID
IDSS
IDSS
VDS
Gerbang dihubung singkat
VP
Daerah aktif
VDS
VP
V DS (max)
Gambar 9-4
(a) Tegangan Gerbang nol / Hubung Singkat
(b) Arus drain gerbang hubung singkat
(c) Tegangan Pinchoff
Gambar 9.4.a menunjukkan suatu JFET dengan tegangan bias normal. Arus
konvensional akan mengalir melalui kanal dari drain ke source.
Seperti telah diketahui bahwa untuk operasi normal gerbang dibias reverse.
Disini ada kasus khusus dari tegangan gerbang nol. Dengan perkataan lain kita dapat
mengurangi VGS menjadi nol seperti pada gambar 9.4.a, kasus ini disebut kondisi
gerbang dihubung singkat.
Gambar 9.4.b adalah grafik dari arus drain terhadap tegangan drain untuk
kondisi gerbang yang dihubung singkat, dapat dilihat similaritas dengan kurva suatu
kolektor. Arus drain mula-mula naik dengan cepat, tetapi kemudian mendatar. Dalam
daerah antara Vp dan VDS(maks) arus drain hampir konstan.
Jika tegangan drain terlalu besar, JFET breakdown seperti ditunjukkan pada
gambar 4.b. Dalam daerah ini JFET bekerja sebagai sumber arus, sehingga :
Vp VDS VDS (maks)

9.2.4. Tegangan Pinchoff
Tegangan Pinchoff (Vp) adalah tegangan drain dimana diatas tegangan ini arus
drain menjadi konstan. Arus ID maksimum ini di sebut IDSS yang berarti arus drainsource jika gate dihubung singkat (shorted gate). Ini adalah arus maksimum yang bisa
dihasilkan oleh suatu transistor JFET dan karakteristik IDSS ini tercantum di
datasheet. Jika tegangan drain sama dengan Vp, kanal menjadi sempit dan lapisanlapisan pengosongan hampir menyentuh seperti ditunjukkan pada gambar 9.4.c. Saluran
kecil
antara
lapisan-lapisan
pengosongan
cenderung
untuk
membatasi
arus.
Penambahan lebih lanjut dalam tegangan drain hanya akan mengakibatkan sedikit
penambahan dalam arus drain, inilah sebabnya arus drain dalam daerah aktif hampir
konstan (gambar 9.4.b).
JFET berlaku sebagai sumber arus konstan sampai pada tengangan tertentu yang
disebut VDS(max). Tegangan maksimum ini disebut breakdown voltage dimana arus tibatiba menjadi tidak terhingga. Tentu transistor tidaklah dimaksudkan untuk bekerja
sampai daerah breakdown. Daerah antara VP dan VDS(max) disebut daerah active (active
region). Sedangkan 0 volt sampai tegangan Vp disebut daerah Ohmic (Ohmic region).
9.2.5. Daerah Ohmic
Pada tegangan VDS antara 0 volt sampai tegangan pinchoff VP = 4 volt, arus ID
menaik dengan kemiringan yang tetap. Daerah ini disebut daerah Ohmic. Tentu sudah
maklum bahwa daerah Ohmic ini tidak lain adalah resistansi drain-source dan termasuk
celah kanal diantara lapisan deplesi. Ketika bekerja pada daerah ohmic, JFET berlaku
seperti resistor dan dapat diketahui besar resistansinya adalah : RDS = Vp/IDSS.
RDS disebut ohmic resistance, sebagai contoh di dataseet diketahui VP = 4V dan
IDSS = 10 mA, maka dapat diketahui : RDS = 4V/10mA = 400 Ohm
9.2.6. Tegangan Cutoff Gate
ID
VP
10 mA
VGS = 0
VGS = - 1
5,62 mA
VGS = - 2
2,5 mA
V GS = - 4
VGS = - 3
0,625 mA
4
15
30
VDS
Gambar 9-5. Kurva Drain IDS Terhadap VDS

Dari contoh kurva drain di atas terlihat beberapa garis-garis kurva untuk
beberapa tegangan VGS yang berbeda. Pertama adalah kurva paling atas dimana IDSS
=10 mA dan kondisi ini tercapai jika VGS = 0 dan perhatikan juga tegangan pinchoff VP
= 4V. Kemudian kurva berikutnya adalah VGS = -1V lalu VGS = -2V dan seterusnya.
Jika VGS semakin kecil terlihat arus ID juga semakin kecil.
Perhatikan kurva yang paling bawah dimana VGS = - 4V. Pada kurva ternyata
arus ID sangat kecil sekali dan hampir nol. Tegangan ini dinamakan tegangan cutoff
gate-source (gate source cutoff voltage) yang ditulis sebagai VGS(off). Pada saat ini
lapisan deplesi sudah bersingungan satu sama lain, sehingga arus yang bisa melewati
kecil sekali atau hampir nol.
Bukan suatu kebetulan bahwa kenyataannya bahwa VGS(off) = -4V dan VP = 4V.
Ternyata memang pada saat demikian lapisan deplesi bersentuhan atau hampir
bersentuhan.
Maka di datasheet biasanya hanya ada satu besaran yang tertera VGS(off) atau VP.
Oleh karena sudah diketahui hubungan persamaan : VGS(off) = - VP
9.2.7. Pabrikasi Jfet
Kalau sebelumnya sudah dijelaskan bagaimana struktur JFET secara teoritis,
maka gambar 9.6 berikut adalah bagaimana sebenarnya transistor JFET-n dibuat.
Gambar 9-6. Struktur Penampang JFET-n

Transistor JFET-n dibuat di atas satu lempengan semikonduktor tipe-p sebagai
subtrat (subtrate) atau dasar (base). Untuk membuat kanal n, di atas subtrat di-implant
semikonduktor tipe n yaitu dengan memberikan doping elektron. Kanal-n ini akan
menjadi drain dan source. Kemudian di atas kanal-n dibuat implant tipe-p, caranya
adalah dengan memberi doping p (hole). Implant tipe p ini yang menjadi gate. Gate dan
subtrat disambungkan secara internal.
9.3. Transistor Mosfet

Mirip seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain,
source dan gate. Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate
sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini
dinamakan metal-oxide. Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut
juga IGFET yaitu insulated-gate FET.
Ada dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-mode dan yang kedua
jenis enhancement-mode. Jenis MOSFET yang kedua adalah komponen utama dari
gerbang logika dalam bentuk IC (integrated circuit), C (micro controller) dan P
(micro processor) yang tidak lain adalah komponen utama dari komputer modern saat
ini.
9.3.1. Mosfet Depletion-Mode
Gambar 9.7 berikut menunjukkan struktur dari transistor jenis ini. Pada sebuah
kanal semikonduktor tipe n terdapat semikonduktor tipe p dengan menyisakan sedikit
celah. Dengan demikian diharapkan elektron akan mengalir dari source menuju drain
melalui celah sempit ini. Gate terbuat dari metal (seperti aluminium) dan terisolasi oleh
bahan oksida tipis SiO2 yang tidak lain adalah kaca.
Gambar 9-7. Struktur Mosfet Depletion-Mode

Semikonduktor tipe p di sini disebut subtrat p dan biasanya dihubung singkat
dengan source. Seperti pd transistor JFET lapisan deplesi mulai membuka jika VGS = 0.
Dengan menghubung singkat subtrat p dengan source diharapkan ketebalan
lapisan deplesi yang terbentuk antara subtrat dengan kanal adalah maksimum. Sehingga
ketebalan lapisan deplesi selanjutnya hanya akan ditentukan oleh tegangan gate
terhadap source. Pada gambar, lapisan deplesi yang dimaksud ditunjukkan pada daerah
yang berwarna kuning.
Semakin negatif tegangan gate terhadap source, akan semakin kecil arus drain
yang bisa lewat atau bahkan menjadi 0 pada tegangan negatif tertentu. Karena lapisan
deplesi telah menutup kanal. Selanjutnya jika tegangan gate dinaikkan sama dengan
tegangan source, arus akan mengalir. Karena lapisan deplesi muali membuka. Sampai di
sini prinsip kerja transistor MOSFET depletion-mode tidak berbeda dengan transistor
JFET.
Karena gate yang terisolasi, tegangan kerja VGS boleh positif. Jika VGS semakin
positif, arus elektron yang mengalir dapat semakin besar. Di sini letak perbedaannya
dengan JFET, transistor MOSFET depletion-mode bisa bekerja sampai tegangan gate
positif.
9.3.2. Pabrikasi Mosfet Depletion - Mode
Gambar 9-8. Penampang D-Mosfet (Depletion-Mode)

Struktur (gb.9.8) ini adalah penampang MOSFET depletion-mode yang dibuat di
atas sebuah lempengan semikonduktor tipe p. Implant semikonduktor tipe n dibuat
sedemikian rupa sehingga terdapat celah kanal tipe n. Kanal ini menghubungkan drain
dengan source dan tepat berada di bawah gate. Gate terbuat dari metal aluminium yang
diisolasi dengan lapisan SiO2 (kaca). Dalam beberapa buku, transistor MOSFET
depletion-mode disebut juga dengan nama D - MOSFET.
9.3.3. Kurva Drain Mosfet Depletion Mode
Analisa kurva drain dilakukan dengan mencoba beberapa tegangan gate VGS
konstan, lalu dibuat grafik hubungan antara arus drain ID terhadap tegangan VDS.
Gambar 9-9. Kurva Drain Transistor Mosfet Depletion-Mode

Dari kurva (gb.9.9) ini terlihat jelas bahwa transistor MOSFET depletion-mode
dapat bekerja (ON) mulai dari tegangan VGS negatif sampai positif. Terdapat dua daerah
kerja, yang pertama adalah daerah ohmic dimana resistansi drain-source adalah fungsi
dari : RDS(on) = VDS/IDS
Jika tegangan VGS tetap dan VDS terus dinaikkan, transistor selanjutnya akan
berada pada daerah saturasi. Jika keadaan ini tercapai, arus IDS adalah konstan. Tentu
saja ada tegangan VGS(max), yang diperbolehkan. Karena jika lebih dari tegangan ini
akan dapat merusak isolasi gate yang tipis alias merusak transistor itu sendiri.
9.3.4. Mosfet Enhancement- Mode
Jenis transistor MOSFET yang kedua adalah MOSFET enhancement-mode.
Transistor ini adalah evolusi jenius berikutnya setelah penemuan MOSFET depletionmode. Gate terbuat dari metal aluminium dan terisolasi oleh lapisan SiO 2 sama seperti
transistor MOSFET depletion-mode. Perbedaan struktur yang mendasar adalah, subtrat
pada transistor MOSFET enhancement-mode sekarang dibuat sampai menyentuh gate,
seperti terlihat pada gambar berikut ini. Lalu bagaimana elektron dapat mengalir ?.
Gambar 9-10. Struktur MOSFET Enhancement-Mode

Gambar 9.10 diatas ini adalah transistor MOSFET enhancement mode kanal n.
Jika tegangan gate VGS dibuat negatif, tentu saja arus elektron tidak dapat mengalir.
Juga ketika VGS=0 ternyata arus belum juga bisa mengalir, karena tidak ada lapisan
deplesi maupun celah yang bisa dialiri elektron. Satu-satunya jalan adalah dengan
memberi tegangan VGS positif. Karena subtrat terhubung dengan source, maka jika
tegangan gate positif berarti tegangan gate terhadap subtrat juga positif.
Tegangan positif ini akan menyebabkan elektron tertarik ke arah subtrat p.
Elektron-elektron akan bergabung dengan hole yang ada pada subtrat p. Karena
potensial gate lebih positif, maka elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi
subtrat yang berbatasan dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat
mengalir menuju gate karena terisolasi oleh bahan insulator SiO2 (kaca).
Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan elektron akan menyebab-kan
terbentuknya semacam lapisan n yang negatif dan seketika itulah arus drain dan source
dapat mengalir. Lapisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah inversion layer
(lapisan dengan tipe yang berbalikan). Di sini karena subtratnya tipe p, maka lapisan
inversion yg terbentuk adalah bermuatan negatif atau tipe n.
Tentu ada tegangan minimum dimana lapisan inversion n mulai terbentuk.
Tegangan minimum ini disebut tegangan threshold VGS(th). Tegangan VGS(th) oleh
pabrik pembuat tertera di dalam datasheet.
Di sini letak perbedaan utama prinsip kerja transitor MOSFET enhancementmode dibandingkan dengan JFET. Jika pada tegangan VGS = 0 , transistor JFET sudah
bekerja atau ON, maka transistor MOSFET enhancement-mode masih OFF. Dikatakan
bahwa JFET adalah
komponen normally ON dan MOSFET adalah komponen normally OFF.
9.3.5. Pabrikasi Mosfet Enhancement-Mode
Transistor MOSFET enhacement mode dalam beberapa literatur disebut juga
dengan nama E-MOSFET.
Gambar 9-11. Penampang E-MOSFET (enhancement-mode)

Gambar 9.11 diatas adalah bagaimana transistor MOSFET enhancement-mode
dibuat. Sama seperti MOSFET depletion-mode, tetapi perbedaannya disini tidak ada
kanal yang menghubungkan drain dengan source. Kanal n akan terbentuk (enhanced)
dengan memberi tegangan VGS diatas tegangan threshold tertentu. Inilah struktur
transistor yang paling banyak di terapkan dalam IC digital.
9.3.6. Kurva Drain Mosfet Enhacement-Mode
Mirip seperti kurva D-MOSFET, kurva drain transistor E-MOSFET adalah
seperti yang ditunjukkan pada gambar berikut. Namun di sini VGS semua bernilai
positif. Garis kurva paling bawah adalah garis kurva dimana transistor mulai ON.
Tegangan VGS pada garis kurva ini disebut tegangan threshold VGS(th).
Gambar 9-12. Kurva Drain E-MOSFET
Karena transistor MOSFET umumnya digunakan sebagai saklar (switch),

parameter yang penting pada transistor E-MOSFET adalah resistansi drain-source.
Biasanya yang tercantum pada datasheet adalah resistansi pada saat transistor ON.
Resistansi ini dinamakan RDS(on). Besar resistansi bervariasi mulai dari 0.3 Ohm sampai
puluhan Ohm. Untuk aplikasi power switching, semakin kecil resistansi RDS(on) maka
semakin baik transistor tersebut. Karena akan memperkecil rugi-rugi disipasi daya
dalam bentuk panas. Juga penting diketahui parameter arus drain maksimum ID(max) dan
disipasi daya maksimum PD(max).
9.3.7. Simbol Transistor Mosfet
Garis putus-putus pada simbol transistor MOSFET (gb.9.13) menunjukkan
struktur transistor yang terdiri drain, source dan subtrat serta gate yang terisolasi. Arah
panah pada subtrat menunjukkan type lapisan yang terbentuk pada subtrat ketika
transistor ON sekaligus menunjukkan type kanal transistor tersebut.
(a)
(b)
Gambar 13
Simbol MOSFET, (a) Kanal-n (b) Kanal-p
Kedua simbol di atas dapat digunakan untuk mengambarkan D-MOSFET maupun EMOSFET.
9.3.8. NMOS dan PMOS
Transistor MOSFET dalam berbagai referensi disingkat dengan nama transistor
MOS. Dua jenis tipe n atau p dibedakan dengan nama NMOS dan PMOS.
Simbol untuk menggambarkan MOS tipe depletion-mode dibedakan dengan tipe
enhancement-mode. Pembedaan ini perlu untuk rangkaian-rangkaian rumit yang terdiri
dari kedua jenis transistor tersebut.
Gambar 9-14 : Simbol transistor

(a) NMOS
(b) PMOS tipe depletion mode
Gambar 9-15 : Simbol transistor

(a) NMOS,
(b) PMOS tipe enhancement mode
Transistor MOS adalah tipe transistor yang paling banyak dipakai untuk
membuat rangkaian gerbang logika. Ratusan bahkan ribuan gerbang logika dirangkai
di dalam sebuah IC (integrated circuit) menjadi komponen yang canggih seperti
mikrokontroler dan mikroposesor. Contoh gerbang logika yang paling dasar adalah
sebuah inverter.
Gambar 9-16. Gerbang NOT Inverter MOS

Gerbang inverter MOS (gb.9.16) terdiri dari 2 buah transistor Q1 dan Q2.
Transistor Q1 adalah transistor NMOS depletion-mode yang pada rangkaian ini berlaku
sebagai beban RL untuk transistor Q2. Seperti yang sudah dimaklumi, beban RL ini tidak
lain adalah resistansi RDS(on) dari transistor Q1. Transistor Q2 adalah transistor NMOS
enhancement-mode. Di sini transistor Q2 berfungsi sebagai saklar (switch) yang bisa
membuka atau menutup (ON/OFF). Transistor ON atau OFF tergantung dari tegangan
input.
Jika tegangan input A = 0 volt (logik 0), maka saklar Q2 membuka dan tegangan
output Y = VDD (logik 1). Dan sebaliknya jika input A = VDD (logik 1) maka saklar
menutup dan tegangan output Y = 0 volt (logik 0). Inverter ini tidak lain adalah
gerbang NOT, dimana keadaan output adalah kebalikan dari input.
9.3.9. Transistor CMOS
CMOS adalah evolusi dari komponen digital yang paling banyak digunakan
karena memiliki karakteristik konsumsi daya yang sangat kecil. CMOS adalah
singkatan dari Complementary MOS, yang strukturnya terdiri dari dua jenis transistor
PMOS dan NMOS. Keduanya adalah transistor MOS tipe enhacement-mode.
Penutup
Transistor FET termasuk perangkat yang disebut voltage-controlled device yang
mana tegangan masukan (input) mengatur arus keluaran (output). Pada transistor FET,
besar tegangan gate-source (VGS) menentukan jumlah arus yang dapat mengalir antara
drain dan source.
Transistor MOSFET yang dikenal dengan sebutan transistor MOS umumnya
gampang rusak. Ada kalanya karena tegangan gate yang melebihi tegangan VGS(max).
Karena lapisan oksida yang amat tipis, transistor MOS rentan terhadap tegangan
statik (static voltage) yang bisa mencapai ribuan volt. Untuk itulah biasanya MOS
dalam bentuk transistor maupun IC selalu dikemas menggunakan anti static. Terminal
atau kaki-kakinya di hubung singkat untuk menghindari tegangan statik ini. Transistor
MOS yang mahal karena RDS(on) yang kecil, biasanya dilengkapi dengan zener
didalamnya. Zener diantara gate dan source ini berfungsi sebagai proteksi tegangan
yang berlebih. Walapun zener ini sebenarnya akan menurunkan impedansi input gate,
namun cukup seimbang antara performance dan harganya itu.
DAFTAR KEPUSTAKAAN
1. Floyd,Thomas L., Electronic Devices, Macmillan, New York, 1993.

2. Gayawad, Operasional- Amplifier Circuit And Apllication, McGrow Hill, New
Delhi, 1990.
3. Lurch, E.Norman,Fundamental Of Electrolics, John Wiley, New York, 1981.
4. Malvino, Electronic Principles, McGrow Hill, New Delhi, 1993
5. Millman Jacob, Grabel Arvin, Microelectronics, McGraw Hill, New York,
1993

2013 08 30 16 42 32 - Ronika

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Deskripsi Asli:

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

2013 08 30 16 42 32 - Ronika

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

1.1.

Tabel 1-1 : Nilai Warna Gelang

1.2. Cara Pembacaan Nilai Tahanan

Gambar 1-1. Hukum Resistansi

Cincin 2 Cincin 3 Cincin 4

bagaimana resistansi sebuah konduktor logam,

Gambar 1-3. PTC

koefisien suhu positif (positive temperature

Resistansi dari suatu konduktor pada suhu t diberikan oleh persamaan :

Koefisien-koefisen , , biasanya cukup kecil dan pada umumnya pemakaian

Sedangkan persamaan (a) dapat disederhanakan

Gambar 1-3. Karakteristik PTC

Prinsip Dasar Dan Spesifikasi Elektriknya

Gambar 2-1 : Prinsip Dasar Kapasitor

dimana : Q = muatan elektron dalam C (coulombs)

C = nilai kapasitansi dalam F (farads)

mylar), polystyrene, polyprophylene, polycarbonate, metalized paper dan lainnya.

Gambar 2-1 : Kapasitor Elco

Karena alasan ekonomis dan praktis, umumnya

bahan metal yang banyak

2.4.1. Electrolytic Capacitor

terbalik maka akan menjadi rusak bahkan

menggunakan kapasitor jenis ini adalah noise limiter,

2.4.3. Ceramic Capacitor

melewatkan sinyal frekuensi tinggi menuju ke ground.

Kapasitor ini tidak baik

triknya. Pada jenis ini

dielektriknya disusun dengan banyak lapisan atau

s/d 20 m dan pelat elektrodanya dibuat dari logam

2.4.6. Polypropylene Capacitor

bagus, biasanya kapasitor ini digunakan untuk

dijelaskan di atas. Biasanya mempunyai satuan

bentuk fisiknya dapat dilihat di

pada gambar tersebut

kapasitornya memiliki ukuran 0.22F.

2.4.10. Kondensator Kertas

menggunakan obeng yang khusus, agar tidak menimbulkan efek

2.5. Membaca Kapasitansi

Jika ada 3 digit, angka pertama dan kedua

Tegangan kerja adalah tegangan maksimum yang diijinkan sehingga kapasitor

ppm = part per million

-55C sampai +125Co (lihat tabel kode karakteristik).

2.5.4. Insulation Resistance (IR)

Gambar 2-2 : Model Kapasitor

= Equivalent Series Resistance

Gambar 2-3. Faktor Diagram Kapasitor

Gambar 2-4. Faktor Diagram Ztotal

Karakteristik respons frekuensi sangat perlu diperhitungkan terutama jika kapasitor

Arus yang mengalir di dalam sebuah kapasitor karenanya akan sebanding

Arus yang mengalir akan diberikan oleh :

2.5.6. Penyimpanan Energi

dan tenaganya adalah :

Pada proses mengisi dan mengeluarkan muatan listrik, kondensator mengalami

Makin tinggi frekwensi, makin kecil XC

Makin besar C, makin kecil XC

Kondensator mempunyai tahanan yang tergantung dari frekwensi dan kapasitas

Gambar 2-5 : Dua Lempeng Plat

= luas permukaan plat

Untuk meningkatkan kapasitansi suatu kapasitor, banyak komponen praktis

dimana : n = jumlah plat yang digunakan.

2.5.7. Kapasitansi Seri

Gambar 2-6 : Rumus Kapasitansi Seri