Dioda akan mengalirkan arus maju (konduksi) jika diberi bias maju (forward), apa

itu bias maju??? bias maju yaitu pada saat anoda pada dioda mendapat
tegangan positip dan katoda pada dioda mendapat tegangan negatip.
Sebaliknya jika diberi bias mundur (reverse), diode tidak mengalirkan arus
karena mempunyai resistansi tinggi. Agara lebih jelas lihatlah gambar grafik
karakteristik dioda dibawah ini
Dioda semi konduktor adalah peralatan elektronika yang terdiri dari pertemuan
semi konduktor tipe P dan tipe N. Elektroda yang dihubungkan dengan tipe P
disebut Anoda, sedangkan yang dihubungkan dengan tipe N adalah katoda.
Dioda dapat berfungsi sebagai saklar elektronik karena dioda akan melewatkan
arus bila anoda (A) diberi kutub positip dan katoda (K) diberi kutup negatip, dan
tidak akan melewatkan arus apabila keadaan sebaliknya.
Tegangan knee Adalah Tegangan pada saat arus mulai naik secara cepat pada
saat dioda berada pada daerah maju, tegangan ini sama dengan tegangan
penghalang.
Break down voltage atau jatuh tegangan dioda adalah nilai tegangan minimal pada dioda
untuk dapat mengalirkan arus listrik.
Sebuah dioda tidak berfungsi sebagaimana layaknya sebuah resistor, yang dengan
mudah dapat mengalirkan arus listrik yang dibebankan kepadanya. Dioda memiliki jatuh
tegangan, apabila nilai tegangan yang diberikan kurang dari break down voltage, maka
dioda tidak akan mengalirkan arus listrik.
Sebuah dioda yang diberi bias maju, memiliki jatuh tegangan sekitar 0,7 V. Dengan

dioda diberikan tegangan kurang dari 0, 7 V, maka

dioda tidak akan mengalirkan arus listrik. Dan tegangan 0,7 V tersebut, akan
kata lain, jika sebuah

menjadi tegangan tetap dioda (VD) di dalam rangkaian.

Pendahuluan
Dioda atau dioda semikonduktor (setengah penghantar) adalah
komponen elektronika terbuat dari bahan yang bersifat antara isolator dan
penghantar (konduktor). Bahan semi konduktor yang paling banyak digunakan di
bidang elektronika yaitu germanium (Ge) dan silikon (Si). Diantara kedua jenis
konduktor tersebut yang paling banyak digunakan adalah bahan silikon, karena
bahan silikon lebih tahan terhadap panas dibandingkan dengan bahan
germanium. Sifat-sifat dari bahan semikonduktor dapat diuraikan berdasarkan
teori atom yang sederhana. Setiap atom memiliki inti atom (nucleus) dan
elektron yang mengelilingi inti atom, dimana elektron ini bermuatan negatif dan
inti atom sendiri terdiri dari proton yang bermuatan negatif atau netral demikian
juga atom silikon, atom silicon mempunyai inti atom dan elektron yang
mengelilingi inti atomnya dengan jumlah lintasan tertentu (gambar 1.1).lintasan
pertama paling dekat dengan inti atom dikatakan lengkap apabila terdiri dari dua
elektron, lintasan kedua akan lengkap apabila terdiri dari 18 elektron dan

seterusnya,dimana jumlah elektron yang bergerak melalui lintasannya berlaku

rumus : 2n2.
Jika pada lintasan paling luar suatu atom mempunyai elektron yang tidak
lengkap, elektron-elektron paling luar ini disebut elektron valensi. Dan sifat atom
ini ditentukan oleh keadaan elektron valensinya tersebut.
Apabila pada lintasan paling luar atom tidak terisi lengkap elektronelektron, seperti halnya didalam bahan semikonduktor, maka atom-atom akan
saling berkombinasi dan bergabung sedemikian rupa secara kimia dan
menjadikan elektron pada lintasan paling luar saling mengisi sehingga membuat
keadaan atom stabil. Setiap elektron terikat pada selnya dengan adanya gaya
keseimbangan antara gaya sentrifugal yang arahnya keluar dengan gaya tarik
dari inti atom.
(+)
(-)

=
=

Inti Atom
Elektron

Atom silicon dengan distribusi muatannya

Semakin dekat lintasan elektron dengan intinya, maka semakin kuat
ikatan inti atom dengan dengan elektron pada lintasan tersebut. Akan tetapi bagi
elektron yang memiliki jarak terjauh dari inti atom, ikatan antara inti atom
dengan elektronnya pun menjadi paling lemah. Oleh karena itu pada temperatur
kamar, elektron-elektron yang memiliki ikatan paling lemah tadi terlepas dari
ikatannya dan dapat berpindah dari aton yang satu ke atom yang lainnya (untuk
bahan suatu konduktor/penghantar). Elektron-elektron yang berpindah tersebut
dinamakan free electron (elektron bebas) dan dengan pengaruh perbedaan
potensial yang kecil pada Sebuah bahan konduktor, maka elektron bebas tadi
akan ditarik menuju potensial positif sehingga akan terjadi arus elektron, yang
menimbulkan terjadinya arus listrik.
Akan tetapi pada sebuah isolator, elektron-elektron valensi terikat sangat
kuat dengan intinya sehingga tidak terdapat elektron bebas. Oleh karena itu,

dengan pemberian perbedaan potensial yang kecil pada bahan isolator, tidak
akan ada elektron bebas menuju potensial positif, dan arus elektronpun tidak
akan terjadi, artinya akan sulit untuk menghantar arus listrik pada bahan isolator
tersebut. Namun pada perbedaan potensial yang sangat tinggi, maka akan
terjadi pelepasan elektron-elektron secara paksa dari intinya menuju potensial
positif dan menghasilkan arus elektron yang sangat kecil.
Di dalam bahan semikonduktor seperti halnya atom silicon memiliki tiga
buah llintasan elektron seperti pada gambar 1.1. banyaknya elektron-elektron
yang berada pada kulit terluar suatu atom, menentukan valensi dari atom
tersebut,. Dan elektron-elekton paling luar dinamakan elektron valensi.
Bila atom silicon digambarkan menurut elektron valensinya, maka
gambarnya dapat dilihat seperti di bawah ini.

Atom silicon dengan elektron valensinya

Karena muatan atom yang netral selalu sebesar 0, maka muatan inti
atom sebesar +4 yang diimbangi dengan muatan dari elektron sejumlah 4 buah,
juga sebagai elektron valensi yang mengelilingi intinya tadi. Bahan setengah
penghantar ini merupakan suatu kristal seperti gambar 1.3

Keterangan gambar :
(+)

= inti atom

(-)

= elektron valensi

= ikatan kovalensi

Gambar kristal dengan 2 dimensi

Bahan kristal tersebut ikatan valensinya tidak begitu kuat satu sama lain
sehingga dengan pemberian panas, terjadi energi yang cukup untuk
memutuskan ikatan kovalensinya tadi. Dengan terputusnya ikatan kovalensi
akibat pengaruh agitasi thermis (pemberian panas) tadi, maka elektron-elektron
bebas sebagai penghantar. Bahan-bahan yang seperti ini disebut bahan
semikonduktor (setengah penghantar).
Pada bahan kristal tadi, selain panas photon pun dapat memberikan
energi yang cukup untuk memutuskan ikatan kovalensi di dalam suatu bahan
semikonduktor.
Apabila suatu photon mempunyai energi yang cukup, dan mengenai
suatu elektron valensi, maka photon tersebut dapat melepaskan satu ikatan
kovalen dan membebaskan satu elektron, sehingga terdapat satu tempat yang
kosong pada tempat elektron yang baru dilepaskan tadi. Tempat kosong itu
dinamakan hole dan dia bebas bergerak di dalam struktur kristal tersebut. Hole
ini mempunyai muatan positif yang sama besar dengan muatan negatif elektron.
Proses terbentuknya elektron bebas dan hole tersebut dinamakan
generasi (generation) dan sebaliknya, jika suatu hole diisi oleh elektron bebas
dinamakan rekombinasi (recombination) seperti yang terlihat pada gambar 1.4
berikut.

(-) Elektron bebas

bebas
(a) Proses generasi
rekombinasi

(-) Elektron
(b) Proses

Proses generasi dan rekombinasi

Bahan semikonduktor di atas tadi disebut bahan semikonduktor murni
(semikonduktor intrinsik).
Pada prakteknya bahan semikonduktor ini biasanya terbuat dari bahan
setengah penghantar dengan pengotoran bahan lain. Bahan pengotor
(Impuritas) ini adalah atom yang mempunyai valensi 5 dan 3 seperti phosfor,
antimon, arsenikum yang mempunyai valensi 5 sedangkan atom yang
mempunyai valensi 3 adalah boron, alliminium, gallium, indium.
Jika sejumlah kecil unsur yang mempunyai lima elektron valensi
dimasukkan ke dalam bahan semikonduktor seperti silikon atau germanium
dengan derajat kemurnian yang tinggi maka, atom impuritas tidak akan dapat
melakukan ikatan yang sempurna sebab empat dari kelima elektron valensinya
akan masuk ke dalam ikatan-ikatan dengan germanium, tetapi elektron yang
kelima akan tetap tertinggal/tidak terikat dalam ikatan kovalensi di dalam kristal
tersebut, dan pada saat tertentu turut serta melangsungkan proses konduksi.
Jadi disini kondisi dilakukan oleh muatan negatif atau impuritas/pengotor tadi
disebut atom donor, yang menyediakan elektron.
Adapun bentuk dari hasil pencampuran atom impuritas tersebut dengan
bahan semikonduktor tadi, dapat dilukiskan seperti gambar di bawah ini.

Semikonduktor jenis N
Lain halnya apabila silikon atau germanium yang mempunyai valensi
empat dicampur dengan atom indium yang memiliki valensi tiga, maka atom
impuritas tidak akan dapat melekukan ikatan yang sempurna sebab akan
terdapat satu tempat kosong pada ikatan kovalensi. Tempat kosong tersebut
dinamakan hole. Hole ini bebas bergerak di dalam kristal dan akan mengambil
bagian dalam proses konduksi sebagai muatan positif. Bahan seperti ini
dinamakan semikonduktor jenis P dan atom impuritasnya disebut sebagai
acceptor (akseptor) dan digambarkan sebagai berikut.

Semikonduktor jenis P
Konduksi oleh hole atau elektron dalam bahan-bahan semikonduktor P
atau semikonduktor N dapat dijelaskan dengan jalur energi dalam kristal.
Dimana pada jalur energi yang rendah ketiadaan beberapa elektron dalam ikatan

kovalensi pada bahan P akan menimbulkan tingkatan-tingkatan tak penuh (tak

terisi). Karena jalurnya tidak penuh, maka jalur ini dapat dipandang sebagai jalur
konduksi yang memberi kemungkinan elektron pindah dari hole ke hole atau
dengan kata lain hole dapat berpindah dari atom satu ke atom yang lainnya
dalam satu kristal tersebut.
Demikian pula bahan N dimana elektron yang lebih atau elektron bebas
dari atom donor mempunyai energi yang cukup tinggi sehingga dapat berpindah
ke jalur koduksi yang beresensi lebih tinggi untuk memungkinkan
berlangsungnya konduksi oleh elektron atau jenis N.
1.

PN Junction

Kristal tunggal dapat dibentuk dengan menghubungkan dua daerah P dan N

seperti diperlihatkan pada gambar di bawah ini.

Dioda Grown Junction

Kedua daerah ini dapat dibentuk dalam kristal dengan hasil penumbuhan
(grown crystal) yaitu dengan memasukkan impuritas N ke dalam cairan dari
mana kristal ditumbuhkan yang secara cepat dengan memasukkan impuritas P
yang cukup banyak untuk mengalahkan pengaruh impuritas N dan akan
menghasilkan konduksi P. Dengan demikian maka, sekarang terjadi junction
antara P dan N yang kita sebut dengan nama Dioda grown junction.
PN Junction ini dapat juga dihasilkan dengan cara melelehkan bahan
impuritas P pada kepingan bahan yang tipis atau mengendapkan uap bahan P di
atas kepingan N tadi. Dengan mengawasi dan mengatur secara cermat proses
pengerjaannya maka peralihan dari daerah N ke P dapat dibuat dengan tiba-tiba
seperti terlihat hasilnya pada gambar berikut.

Dioda fused Junction

Cara lain dalam pembentukan PN junction ini dapat dijelaaskan seperti uraian
di bawah ini.
Sebelum dilakukan penyambungan, pada bahan N akan terdapat banyak
elektron bebas yang mempunyai energi tinggi dan sedikit hole intrinsiknya,
sedangkan pada bahan P terdapat banyak hole dan sedikit elektron intrinsiknya
(akibat pembentukan pasangan oleh energi thermis).

Bahan N dan bahan P sebelum dipertemukan.

Pada saat kedua permukaan bahan P dan N dipertemukan secara baik,
maka akan terjadi difusi muatan menyebrangi bidang batas permukaannya.
Artinya, untuk sementara gerakan-gerakan muatannya masih simpang siur
secara sembarang dari bahan N, yaitu elektron bergerak menuju bahan P.
Jadi di bawah pergerakan sembarang, akan terjadi total difusimuaatan
yang melintasi bidang batas permukaannya tadi. Hal ini akan menempatkan
lebih banyak elektron atau muatan negatif pada sisi bidang batas bahan P, dan
mengakibatkan kekurangan elektron pada sisi bidang batas bahan N atau
muatan positif pada sisi bahan N.

Bahan N dan bahan P setelah dipertemukan.

Atau setelah ada bidang batasnya.
Dengan demikian terjadilah tegangan melintang pada daerah
pengosongan muatan, pada sisi bahan P negatif terhadap sisi bahan N.
Dalam hal ini, dengan adanya tegangan akan segera mengakibatkan
komponen arus mengalir ke satu arah. Karena di daerah junction yang terisolir
tidak ada arus total yang mengalir. Oleh kaarena itu dapat kita simpulkan bahwa
arus difusi akibbat distribusi kembali muatan adalah sama besar, tetapi
berlawanan arah dengan arus pergeseran ke satu arah akibat tegangan barrier.
Juga dapat disimpulkan bahwa PN Junction mempunyai sifat menyearahkan.
Jika pada junction dipasangkan tegangan luar dengan apa yang dinamakan
reverse bias voltage seperti gambar 1.11, dengan daerah P negatif, maka
pembawa-pembawa muatan mayoritas pada masing-masing sisi akan di dorong
lebih jauh ke arah luar junction. Dengan kata lain lapisan barrier akan menjadi
lebih tebal. Yang masih tertinggal di daerah pengosongan hanyalah beberapa
pembawa muatan minoritas saja yang timbul akibat pengaruh thermisyang
merupakan penyebab timbulnya arus bocor i0 yang relatif kecil. Dengan
demikian, dioda junction merupakan tahanan yang tinggi pada pemberian
reverse bias voltage.
Jadi dapat disimpulkan bahwa jika dioda junction diberi reverse bias voltage
(tegangan panjar dengan arah berlawanan) maka dioda junction merupakan
tahanan tinggi sehingga arus listrik tidak dapat melaluinya.

PN Junction diberi Reverse Bias Voltage

Jika tegangan luar dipasang dalam arah forward (Forward Bias Voltage/
tegangan arah maju) seperti pada gambar 1.12. dengan daerah P positif
pembawa-0pembawa muatan dari masing-masing sisi akan bergerak memasuki
daerah pengosongan dan menembus junction. Dalam hal ini PN Junction
mempunyai tahanan rendah sehingga timbularus yang cukup besar, yang
besarnya tergantung pada rapat pembawa, luas junction dan tegangan yang
terpasang.

PN Junction diberi forward bias

2.

Simbol dan Konstruksi Dioda

Seperti sudah dijelaskan bahwa PN Junction atau dioda junction mempunyai

muatan positif dan muatan negatif. Muatan positif tersebut dinamakan anoda
sedangkan muatan negatifnya dinamakan katoda. Oleh karena itu dioda ini
mempunyai dua elektroda yaitu anoda dan katoda, dan simbolnya seperti
gambar di bawah ini.

Simbol dioda semikonduktor

Anoda biasa disingkat dengan huruf A dan katoda disingkat dengan huruf K.
Adapun beberapa gambar fisik dioda semikonduktor ini seperti yang
diperlihatkan gambar berikut.

Adapun bentuk kontruksi sebuah dioda semikonduktordapat dilihat pada gambar

berikut.

Konstruksi Dioda Semikonduktor

Kawat pennghubung A dinamakan anoda dan kawat penghubung K dinamakan
katoda. Anoda ini bermuatan positif karena kawat penghubung A dihubungkan
dengan daerah P sedangkan kawat penghubung K bermuatan negatif karena
dihubungkan dengan daerah N. Oleh karena itu katoda sebagai sumber elektron
sedangkan anoda berfungsi sebagai penghisap/penampung elektron dari katoda.
3.

Cara Kerja Dioda Semikonduktor

Sebelumnya sudah dijelaskan bahwa pada saat dioda atau PN Junction diberi
tegangan forward bias, maka PN Junction memiliki tahanan rendah, sedangkan
jika PN Junction diberi tegangan reverse bias, maka PN Junction memiliki
tahanan yang tinggi sekali.

Dari keterangan di atas, jelaslah bagi kita bahwa dioda dapat bekerja pada saat
diberi tegangan forward bias, sedangkan pada saat diberi tegangan reverse bias,
dioda tidak bekerja dalam artian tidak menghantarkan arus listrik.
4.

Karakteristik Dioda Semikonduktor

Karakteristik dioda ini ialah grafik yang menggambarkan besarnya harga-harga

arus anoda bila besarnya harga-harga tegangan anoda diubah-ubah. Seperti kita
ketehui sebelumnya bahwa dioda (PN - Junction) diberi tegangan dengan
hubungan arah maju, maka timbul arus maju. Dan sebaliknya apabila dioda
diberi tegangan dengan hubungan arah mundur/balik maka akan timbul arus
balik yang sangat kecil, maka dari itu arus balik dianggap tidak ada.
Berarti dapat dikatakan bahwa dioda adalah tahanan satu arah, karena dioda
hanya dapat menghantarkan arus listrik dari anoda ke katoda. Dan dapat ditarik
kesimpulan bahwa cara kerja dioda adalah sebagai berikut:
a)
Bila tegangan anoda nol terhadap katoda, maka anoda tidak menghisap
elektron dari katoda. Sebenarnya ada beberapa elektron dengan kecepatan
tinggi dapat mencapai anoda, dan eloran elektron ini menghasilkan arus listrik
yang sangat kecil sekali, tidak terlihat pada ampere meter, sehingga dapat
diabaikan.
b)
Bila tegangan anoda negatif terhadap katoda (tegangan dengan hubungan
arah balik), maka akan timbul medan listrik yang arahnya menolak elektron,
sehingga dioda tidak menghantarkan arus listrik.
c)
Bila tegangan anoda positif terhadap katoda (tegangan yang diberikan
adalah arah maju), maka timbul medan listrik yang arahnya menghisap elektron,
sehingga dioda menghantarkan arus listrik.