PERCOBAAN EFEK HALL

Muh. Shadiq K, Darlina, Rezky Amaliah, Wahdini Ramli

Laboratorium Fisika Modern
Jurusan Fisika FMIPA UNM
Jalan Dg. Tata Raya, Makassar, 90223
Abstrak
Telah dilakukan praktikum mengenai Efek Hall yang bertujuan untuk menentukan
hubungan antara arus Hall IH dan tegangan Hall UH, menentukan sensitivitas elemen Hall KH dari
bahan semikonduktor GaAs, serta menentukan kurva magnetisasi bahan baja silikon dengan
elemen Hall. Percobaan ini dilakukan berdasarkan prinsip gaya Lorentz, medan magnet yang
arahnya tegak lurus dengan arus listrik tersebut sehingga akan terbentuk beda potensial diantara
pelat semikonduktor yang disebut teganganl Hall. Pada percobaan ini diperoleh bahwa semakin
besar arus Hall maka tegangan Hall juga akan semakin besar, dan nilai dari koefisien Hall (

R H ) sebesar

|1,926 0,003|105

m
T . Adapun nilai sensitivitas elemen Hall (KH) yang

diperoleh berbanding terbalik dengan medan magnet dengan nilai untuk IM = 50 mA sebesar

|1,4 0,1| 103 V/AT, untuk IM = 60 mA sebesar |1,0 0,1| 103 V/AT, untuk IM = 70 mA
|0,70 0,07| 103 V/AT, untuk IM = 80 mA sebesar |0,54 0,06| 103 V/AT, untuk IM = 90
mA sebesar

|0,41 0,04| 103 V/AT, dan untuk IM = 100 mA |0,34 0 , 04| 103 V/AT. Dari

grafik hubungan antara arus magnetisasi (I M) dan medan magnet (B) diperoleh hubungan antara
arus magnetik dan medan magnetik adalah linier artinya semakin besar arus magnetisasinya
maka medan magnetnya juga semakin besar.
Kata Kunci: Efek Hall, Arus Hall, Tegangan Hall, Arus Magnetisasi, Medan Magnetisasi
PENDAHULUAN
Efek hall memperagakan adanya gaya pada
muatan bergerak dalam suatu konduktor yang
berada dalam medan magnet. Kawat berarus
listrik yang terletak dalam medan magnet dengan
arah tegak lurus dengan arah arus maka kawat
akan mengalami gaya magnetik sehingga
menyebabkan kawat melengkung.
Fenomena efek hall tidak hanya dapat terjadi
pada material logm, tetapi juga pada material
semikonduktor. Sebagaimana diketahui bahwa
pembawa muatan bebas pada material
semikonduktor adalah elektron dan hole. Jika
pembawa muatan bebasnya adalah hole, maka
polaritas tegangan hall berlawanan dengan
polaritas tegangan pada logam.
Efek
hall
merupakan peristiwa
membeloknya
arus
listrik
dalam pelat
konduktor karena adanya pengaruh medan
magnet. Peristiwa ini pertama kali ditemukan
oleh ilmuwan bernama Dr Edwin Herbert Hall
pada tahun 1879. Hall menalar bahwa jika arus

dipengaruhi oleh medan magnet maka seharusnya

terdapat sebuah situasi tekanan. Listrik mengalir
ke arah salah satu sisi kawat penghantar. Setelah
melakukan
eksperimen
berkali-kali
dan
mengalami kegagalan berulang-ulang, Hall
akhirnya menemukan bahwa sebuah medan
magnet akan mengubah arah garis ekuipotensial
sebuah konduktor yang menghantarkan arus. Efek
ini teramati sebagai sebuah tegangan (disebut
tegangan Hall) yang arahnya tegak lurus terhadap
arus dalam konduktor. Hall melakukan
eksperimennya dengan meletakkan sebuah
lembaran emas tipis di atas sebuah pelat kaca
kemudian merekat lembaran emas tersebut pada
titik-titik yang terletak dibagian panjang lembaran
emas itu.
Adapun dalam percobaan eksperimen efek
Hall ini, material yang digunakan ialah material
semikonduktor yakni GaAS. GaAs umumnya
digunakan karena memiliki kepekaan yang tinggi,
rentang linear yang lebar, dan koefesien suhu
yanng rendah. Tujuan dilakukannya praktikum
1

dengan alat efek Hall ini yaitu menentukan

hubungan antara arus Hall IH dengan tegangan
Hall UH, menentukann sensitivitas elemen Hall K H
dari bahan semikonduktor GaAs, dan menentukan
kurva magnetisasi bahan baja silikon dengan
elemen Hall.
DASAR TEORI
Efek Hall ialah peristiwa mengalirnya arus
listrik (I) pada sebuah bahan logam dan logam
tersebut memiliki medan magnet (B) yang tegak
lurus dengan arus sehingga pembawa muatan yang
bergerak pada logam tersebut akan mengalami
pembelokan oleh karena medan magnet. Peristiwa
tersebut akan mengakibatkan penumpukan muatan
pada sisi-sisi logam setelah beberapa saat.
Penumpukan muatan menyebabkan sisi logam
menjadi lebih elektropositif ataupun elektonegatif,
bergantung pada pembawa muatan (Ilham, dkk,
2013).
Ada dua mekanisme yang menyebabkan arus
mengalir. Pertama arus megalir disebabkan oleh
perpindahannya partikel bermuatan karena adanya
medan listrik. Arus ini disebut arus hanyut atau
arus drift. Kedua karena adanya perbedaan
konsentrasi pembawa muatan antara dua titik
dalam bahan (Rio,dkk, 2001)
Sebuah plat logam dengan tebal w dan luas
penampang A diletakkan dalam medan magnet
homogen B, seperti ditunjukkan gambar dibawah
ini.

Gambar 1. dasar skema

konsentrasi elektron pada efek hall

pengukuran

Arus listrik dilewatkan melalui plat ke arah

sumbu x positif akibat medan listrik eksternal
yang dikerahkan oleh sumber tegangan. Muatan
negatif (dalam logam) bergerak dengan kecepatan
vx akan mengalami defleksi akibat gaya Lorentz
yang dialaminya. Akibatnya muatan-muatan
negatif akan terakumulasi pada bagian atas plat,
sedangkan pada bagian bawah terakumulasi
muatan positif. Penimbunan muatan pada masingmasing plat akan menimbulkan medan listrik

internal. Timbulnya medan listrik internal dan

proses inilah yang disebut denga efek hall. Medan
listrik internal yang timbul disebut dengan medan
hall, dan tegangan yang timbul antar sisi-sisi plat
disebut dengan tegangan hall (Griffth, 1982).
Besarnya beda potensial (tegangan Hall) U H
dinyatakan dalam persamaan berikut:

U H =I H K H B
KH =

1
nqd

sehingga;

U H=

IB
nqd

dimana:

K H = sensitivitas elemen Hall

I = Arus yang mengalir

n= densitas muatan
d= tebal pelat penghantar
(Subaer & A.Momang, 2015).
Adapun RH (konstanta Hall) dapat diketahui
melalui persamaan berikut.

RH=

1
pq

Koefisien Hall dapat memberi informasi

tentang karakteristik dan sifat bahan (elemen
Hall).
METODE PERCOBAAN
Alat yang digunakan dalam percobaan ini
yaitu satu set alat efek Hall produksi Lamda
Scientific. Dalam percobaan kali ini terdapat 3
kegiatan yang dilakukan yakni kegiatan I,
menentukan hubungan antara IH dan UH. Kegiatan
II, menentukan sensitivitas KH dari elemen Hall
GaAs. Dan kegiatan III, menentukan kurva
magnetisasi bahan baja silikon dengan elemen
Hall.
Sebelum melakukan pengukuran pada setiap
kegiatan praktikum, hendaknya memeriksa
terlebih dahulu seluruh komponen alat efek Hall
dengan baik seperti terlihat pada gambar 2 dan 3
berikut.

Gambar 2. Foto alat efek Hall

Gambar 3. Diagram rangkaian listrik alat efek

Hall
Setelah itu melakukan pengukuran
pada kegiatan I, II, dan III. Pada kgiatan
I yang dilakukan adalah mengetahui
secara pasti bhwa perangkat efek Hall
telah terhubung ke sumber teganan
PLN. Memastikan seluruh display menunjukkan
angka 0.Selanjutnya mengatur arus magnetisasi
elektromagnet IM (arus ini merupakan variabel
yang dikontrol) yang akan digunakan pada
praktikum ini yaitu sebesar 50 mA. Usahakan
untuk tidak melewati batas yang telah ditentukan.
Ini dimaksudkan agar tidak terjadi kerusakan
pada alat. Mengatur arus yang dialirkan ke
elemen Hall (arus Hall) dengan memutar perlahan
tombol Hall Current Adj mulai dari 0,5 mA, 1,0
mA, 1,5 mA, 2,0 mA dan 2,5 mA.Percobaan ini
dilakukan harus dengan pengawasan asisten
karena arus ini tidak boleh melewati 5 mA karena
akan menyebabkan elemen Hall terbakar.Setelah
semuanya diatur, gunakanlah alat secara hati-hati
untuk mengukur besarnya tegangan Hall yang
diperoleh dengan menekan secara bolak balik
reverse switch pada panel UH. Kemudian
mencatat hasil pengamatan pada tabel
pengamatan. Memplot UH IH, dan memastikan
hubungan linier antara keduanya.
Pada kegiatan II yang dilakukan pertamatama
adalah
mempelajari
bagaimana
menggunakan
sebuah
Teslameter
untuk
mengukur kuat medan magnet. Perlu diketahui

Probe Teslameter sangat rapuh oleh karena

ituperlu sangat berhati-hati. Mengatur dan
mempertahankan arus Hall IH pada nilai 1.00
mA. Kemudian mengatur arus magnetisasi IM
melalui tombol Current Adj dimulai pada nilai
50 mA, 60 mA, 70 mA, 80 mA, 90 mA, dan 100
mA. Pada setiap nilai IM , mencatat kuat medan
magnetik B dengan Teslameter serta tegangan.
Hall UH pada sampel. Untuk menghilangkan efek
samping saat pengukuran tegangan Hall U H,
kedua saklar toggle sebaiknya digunakan untuk
membalik polaritas secara berurutan dan data
yang diperoleh sebaiknya
dirata-ratakan.
Selanjutnya hasil pengamatan ditulis pada tabel
pengamatan Selanjutnya menghitung sensitivitas
elemen Hall dengan menggunakan persamaan 5.
Pada kegiatan III, elemen Hall akan
digunakan untuk mengukur kuat medan magnet B
di celah elektromagnetik. Langkah pertama yang
dilakukan adalah megatur arus Hall I H pada nilai
1 mA sambil merubah arus eksitasi I M mulai dari
50-100 mA dengan tahap kenaikan 10 mA.
Kemudian pada setiap nilai IM, mencatatlah
tegangan Hall voltage UH. Diketahui, untuk
mengeliminasi efek samping gunakan kedua
saklar toggle pada table pengamatan.Selanjutnya
menghitung kuat medan magnet B untuk setiap
nilai IM dengan persamaan (5). Menggunakan
nilai KH yang diperoleh pada pengukuran
kegiatan II dan yang terakhir memplot kurva B-IM
curve. Selanjutnya mencatat hasil pengamatan
pada tabel pengamatan.
HASIL PERCOBAAN dan ANALISIS DATA
Hasil Pengamatan
Kegiatan 1.Menentukan hubungan
antara arus Hall (IH) dengan
tegangan Hall(UH).
d = 0,02 m = 2 x 10-8m
IM = 50 110-3 A
Tabel 1. Hubungan Antara Arus Hall (IH) dengan
Tegangan Hall (UH) dan Kuat Medan
Magnet (B)
N
IH(10-3A)
UH(10-3V)
B(10-3T)
o
1

|0,5 0,1|

|33,4 0,1|

|36,9 0,1|

|1,0 0,1|

|50,7 0,1|

|36,9 0,1|

|1,5 0,1|

|66,4 0,1|

|36,9 0,1|

|2,0 0,1|

|85,8 0,1|

|36,9 0,1|
3

|2,5 0,1|

|104,7 0,1|

|36,9 0,1|

Kegiatan 2. Menetukan sensitivitas elemen Hall

(KH) dari bahan semikonduktor GaAs
IH = 1,0 0,110-3 A
Tabel 2. Hubungan Antara Arus Magnetisasi (IM)
dengan Tegangan Hall (IH) dan Kuat
Medan Magnet (B).
No
IM(10-3A)
UH(10-3V)
B(10-3T)

150
100

UH (10-3 V)

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

IH (10-3 A)

|50 1|

|51,1 0,1|

|36,8 0,1|

|60 1|

|42,9 0,1|

|44,0 0,1|

|70 1|

|36,1 0,1|

|51,6 0,1|

y=mx +c

|80 1|

|31,3 0,1|

|58,5 0,1|

UH = m IH + c

|90 1|

|27,2 0,1|

|66,3 0,1|

|100 1|

|24,8 0,1|

|73,1 0,1|

Grafik 1. Hubungan antara arus Hall (IH) dengan

tegangan Hall (UH)

y=35,54 x +14,89

Berdasarkan persamaan diketahui

UHd
IH B

UH

RH B
d

RH

Sehingga
m=

RH B
d

RH =

md
B

|50 1|

|51,2 0,1|

|36,3 0,1|

|60 1|

|42,6 0,1|

|44,4 0,1|

|70 1|

|36,4 0,1|

|51,3 0,1|

RH=

|80 1|

|31,9 0,1|

|58,8 0,1|

Ketidakpastian

|90 1|

|27,5 0,1|

|66,1 0,1|

|100 1|

|24,6 0,1|

|73,1 0,1|

Analisis Data
Kegiatan 1. Menentukan koefisien Hall (RH)

50
0

Kegiatan 3. Menentukan kurva magnetisasi bahan

baja silikon dengan elemen Hall
IH = 1,0 0,110-3 A
Tabel 3. Hubungan Antara Arus Magnetisasi (Im),
Tagangan Hall (UH) dan Kuat Medan
Magnet (B).
No
IM(10-3A)
UH(10-3V)
B(10-3T)

f(x) = 35.54x + 14.89

R = 1

IH

( 35,54 ) ( 2 108 m )
m
5
=1,926 x 10
3
T
36,9 x 10 T

DK =R2 x 100
DK =0,9985 x 100 =99,85
KR=100 DK

KR=100 99,85 =0,15

RH=

RH x KR
100
5

1,926 x 10
RH=

(4AB)

m
x 0,15
T

100

 R H =0,0028 x 105

m
T

|0,1046| 1,389 x 103 V/AT

= 0,1453 x 103 V/AT

m
T

RH

|1,926 0,003|10

KR

Kegiatan 2. Menghitung sensitivitas (KH) dari

elemen Hall GaAs
Analisis ketidakpastian

KH =

|d U H +|U H I

2
H

|d I H +|U

d K H dU H U H d I H U H dB I H B
=
+
+
2
2
KH
IH B
B IH
IH B UH

|
|

d K H dU H d I H dB
=
+
+
KH
UH
IH
B
K H=

|
|

U H IH B
+
+
KH
UH
IH
B

Mengukur sensitivitas

KH

Data 1 untuk IM = 50 x 10-3 A

KH =

UH
IH B

KH =

51,1 x 103 V
3
3
(1,0 x 10 A)(36,8 x 10 T )

51,1 x 103 V
36,8 x 106 AT

U H IH B
+
+
KH
UH
IH
B

0,1 0,1 0,1

+
+
|51,1
1,0 36,8|

1
H H

Tabel 4. Hubungan antara Arus magnetisasi(IM)

B2|dB dengan Tegangan Hall (UH) dan Kuat
Medan Magnet (B) serta sensitivitas
eleman Hall (KH).
IM(10-3A)

1,389 x103

UH(10-3V)

B(10-3T)

KH(103 V/AT)

|50 1|

|51,1 0,1| |36,8 0,1| |1,4 0,1|

|60 1|

|42,9 0,1| |44,0 0,1| |1,0 0,1|

|70 1|

|36,1 0,1| |51,6 0,1| |0 , 70 0,07|

|80 1|

|31,3 0,1| |58,5 0,1| |0,54 0,06|

|90 1|

|27,2 0,1| |66,3 0,1| |0,41 0,04|

|100 1|

|24,8 0,1| |73,1 0,1| |0,34 0,04|

Kegiatan 3. Menentuan kurva magnetisasi bahan

baja silikon dengan elemen Hall
Analisis ketidakpastian

B=

= 1,389 x 103 V/AT

K H=

x 100%

Dengan menggunakan cara yang sama dengan

diatas, maka akan diperoleh nilai sensitivitas
sesuai dengan tabel di bawah ini

| | | | | |

d K H =| I B

K H =|1,4 0,1| 103 V/AT

KH
KH
KH
dU H+
d I H+
dB
U H
I H
B
1
H

x100%

= 10,47 % (2AB)

1
K H =U H I 1
H B

d K H=

0,1453 x 103 V / AT
1,389 x 10 3 V / AT

UH
IH B

KH
KH

UH
IH K H

1
B=U H I 1
H KH

| | | | | |

d B=

B
B
B
d U H+
d I H+
dKH
U H
I H
KH

1
2
1
1
d B=|I 1
H K H |d U H +|U H I H K H |d I H +|U H I H K

V/AT

dU H U H d I H U H d K H I H K H
dB
=
+
+
2
B
I H K H K H I 2H
UH
IH K H

|
|

dB dU H d I H d K H
=
+
+
B
UH
IH
KH
B=

|
|

U H I H K H
+
+
B
UH
IH
KH

Data 1 untuk IM = 50 x 10-3 A

B 1=

|31,9 0,1| |0,54 0,06| |59 13|

|90 1|

|27,5 0,1| |0,41 0,04| |67 13|

|100 1|

|24,6 0,1| |0,34 0,04| |72 16|

0,1 0,1 0,1

+
+
51,2 1,0 1,4

IM(10-3 A)

Grafik 2. Hubungan antara arus magnetik (IM)

dengan medan mgnet (B)

-3

36,57 x 10 T

|0,1733| 36,57 x 10-3 T

B1
B1

100%

x 100%

= 17,34 % (2AB)

B 1=|37 6| 10-3 T
Dengan menggunakan cara yang sama dengan
diatas, maka akan diperoleh nilai B sesuai dengan
tabel di bawah ini
Tabel 5. Hubungan Antara Arus Magnetisasi (IM)
dengan Tegangan Hall (IH) dan Kuat
Medan Magnet (B) serta sensitivitas
elemen Hall (KH)
UH(10-3V)

40.00

40 50 60 70 80 90 100110

= 6,34 x 10-3 T

f(x) = 0.74x - 0.64

R = 1

0.00

U H IH KH
B1=
+
+
B1
UH
IH
KH

|50 1|

|80 1|

20.00

= 36,57 x 10 T

IM(10-3A)

|36,4 0,1| |0 , 70 0,07| |52 10|

B (10-3 T)

-3

6,34 x 103 T
36,57 x 103 T

|70 1|

60.00

KR

|42 9|

80.00

51,2 x 10 V
1,4 V /T

|42,6 0,1| |1,0 0,1|

Dari data diatas kemudian di plot kurva B-IM

UH
IHKH

51,2 x 103 V
B 1=
(1,0 x 103 A )(1,4 x 103 V / AT )

|60 1|

KH(103 V/AT)

|51,2 0,1| |1,4 0,1|

B(10-3T)

|37 6|

PEMBAHASAN
Percobaan efek Hall ini menggunakan prinsip
gaya Lorentz, dimana arah arus, medan magnet,
dan gayanya saling tegak lurus. jika sebuah
elemen Hall tipe P dihubungkan dengan sumber
arus, maka arus akan mengalir dari potensial tinggi
ke rendah (arus konvensional) dan arus akan
mengalir dari potensial rendah ke tinggi (arus
elektron). Ketika elemen ditambahkan dengan
medan magnet yang arahnya ke dalam bidang dan
arusnya kearah kanan maka gaya Lorentz akan
membelokkan pembawa muatan (hole) ke atas
sehingga akan muncul beda potensial, karena ada
beda potensial maka akan muncul gaya listrik.
Pembawa muatan (hole) berhenti dibelokkan
ketika gaya listrik sama besar dengan gaya lorentz.
Pada kegiatan pertama yaitu menentukan
hubungan antara arus Hall IH dan tegangan Hall
UH. Adapun variabel respon, manipulasi, dan
kontrolnya masing-masing yaitu tegangan Hall,
arus Hall, dan arus magnetisasi. Data pada
kegiatan 1 dapat dilihat bahwa hubungan arus Hall
dan tegangan Hall berbanding lurus, semakin
besar arus Hallmaka tegangan Hallnya semakin
besar pula. Berdasarkan percobaan pada kegiatan
1 diperoleh besar koefesien Hall (R H) dari grafik
6

|1,926 0,003|105

sebesar

m
T ,

dengan

kesalahan relatif sebesar 0,15%. Koefesien Hall

menandakan kuantitas-kuantitas bahan dalam hal
ini ialah bahan semikonduktor.
Pada kegiatan kedua yaitu mengukur
sensitivitas KH dari elemen Hall GaAs.
Sensitivitas bahan semikonduktor ialah kepekaan
bahan sebagai penghantar elektron. Secara umum,
semakin besar sensitivitas bahan maka semakin
baik bahan tersebut. Besar sensitivitas
semikonduktor (GaAs) yang diperoleh pada
percobaan ini yakni: untuk I M = 50 mA sebesar

|1,4 0,1|

|1,0 0,1|

103 V/AT, untuk IM = 70

|0,70 0,07|

103 V/AT, untuk IM = 80

sebesar
mA

103 V/AT, untuk IM = 60 mA

|0,54 0,06| 103 V/AT, untuk IM

= 90 mA sebesar |0,41 0,04| 103 V/AT, dan
mA sebesar

untuk IM = 100 mA

|0,34 0 , 04| 103 V/AT.

Berdasarkan data di atas, dapat dinyatakan bahwa

semakin besar sensitivitas bahan semikonduktor
maka semakin kecil arus magnetik dan kuat
medan magnet.
Pada kegiatan ketiga yaitu menentukan kurva
magnetisasi bahan baja silikon dengan elemen
Dari grafik hubungan antara arus magnetisasi (I M)
dan medan magnet (B) dapat dilihat bahwa
hubungan antara arus magnetik dan medan
magnetik adalah linier artinya semakin besar arus
magnetisasinya maka medan magnetnya juga
semakin besar.
SIMPULAN
Dari hasil percobaan yang telah
dilakukan, maka dapat disimpulkan
bahwa hubungan antara arus Hall (IH)
dan tegangan Hall (UH) adalah linier
artinya semakin besar arus Hall maka tegangan
Hall juga semakin besar. Sensitivitas elemen Hall

diperoleh melalui analisis perhitungan, adapun

nilai sensitivitas KH yang diperoleh dari analisis

|1,4 0,1|

untuk IM = 50 mA sebesar

103

V/AT, untuk IM = 60 mA sebesar |1,0 0,1|

103 V/AT, untuk IM = 70 mA
V/AT,

untuk

|0,54 0,06|

IM

|0,70 0,07| 103

80

mA

sebesar

10 V/AT, untuk IM = 90 mA

|0,41 0,04| 103 V/AT, dan untuk IM

|0,34 0 , 04|
= 100 mA
103 V/AT.
sebesar

Berdasarkan data di atas, dapat dinyatakan bahwa

semakin besar sensitivitas bahan semikonduktor
maka semakin kecil arus magnetik dan kuat
medan magnet. Dari kurva yang telah di plot
antara arus magnetik (IM) dengan kuat medan
magnet (B) terlihat bahwa arus magnetik (IM)
berbanding lurus dengan kuat medan magnet (B).
DAFTAR PUSTAKA

Griffith, D.J. 1982. Introduction to

Electrodynamics 2 Ed. Prectice Hall
Englewood Clift: New Jersey.
Ilham, M, dkk. 2013. Modul 5 Efek Hall.
Institut Teknologi Bandung Journal.
Diakses tanggal 12 Nopember 2016.
Rio, Masamori, dkk. 2001. Fisika dan
Teknologi Semikonduktor.Pradnya
Paramita: Jakarta.
Subaer dkk. 2015. Penuntun Praktikum
Ekseperimen Fisika 1. Makassar :
Unit Laboratorium Fisika Modern
Jurusan Fisika FMIPA UNM.