NAMA : REGINA YESGIA PURBA

NIM : 4173321042

KELOMPOK : 5

KELAS : FISIKA DIK C 2017

MATKUL : PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

DIODA SEMIKONDUKTOR

Dioda Semikonduktor dibentuk dengan cara menyambungkan

semikonduktor type p dan type n. Pada saat terjadi sambungan (junction), p dan n,
hole-hole pada bahan p dan elektron-elektron pada bahan n disekitar sambungan
cenderung untuk berkombinasi. Hole dan elektron yang berkombinasi ini saling
meniadakan, sehingga pada daerah sekitar sambungan ini kosong dari pembawa
muatan dan terbentuk daerah pengosongan (deplesion region).
 Oleh karena itu, pada sisi p tinggal ion-ion akseptor yang bermuatan negatif
dan pada sisi n tinggal ion-ion donor bermuatan positif. Namun proses ini tidak
berlangsung terus, karena potensial dari ion-ion positif dan negatif ini akan
menghalanginya. Tegangan atau potensial ekivalen pada daerah pengosongan ini
disebut dengan tegangan penghalang (barrier potential).

a. Bias Mundur (Reverse Bias)

Biasa mundur adalah pemberian tegangan negatif baterai ke
terminal anoda (A) dan tegangan positif ke terminal katoda (K) dari suatu
anoda. Dengan kata lain, tegangan anoda katoda 𝑉𝐴−𝐾 adalah negatif
(𝑉𝐴−𝐾 < 0).

Karena pada ujung anoda (A) yang berupa bahan tipe p diberi
tegangan negatif, maka hole-hole (pembawa mayoritas) akan tertarik ke
kutub negatif baterai menjahui persambungan. Demikian juga pada ujung
katoda (K) yang berupa bahan tipe n diberi tegangan positif, maka
elektron-elektron (pembawa mayoritas) akan tertarik ke kutub positif
baterai menjahuhi persambungan. Sehingga daerah pengosongan semakin
lebar dan arus yang disebabkan oleh mayoritas tidak ada yang mengalir.
Sedangkan pembawa minoritas yang berupa elektron (pada bahan
tipe p) dan hole (pada bahan tipe n) akan berkombinasi sehingga mengalir
arus jenuh mundur (reverse saturation current) atau 𝐼𝑠 . Arus ini dikatakan
jenuh karena dengan cepat mencapai harga maksimum tanpa dipengaruhi
besarnya tegangan baterai. Besarnya arus ini dipengaruhi oleh temperatur.
Makin tinggi temperatur, makin besar harga 𝐼𝑠 . Pada suhu ruangan,
 besarnya 𝐼𝑠 ini dalam skala mikro-amper untuk dioda germanium dan
dalam skala nano-amper, untuk dioda silikon.

b. Bias Maju (Foward Bias)

Apabila tegangan positif baterai dihubungkan ke terminal anoda
(A) dan negatifnya ke terminal katoda (K), maka dioda tersebut
mendapatkan bias maju (forward bias). Dengan demikian 𝑉𝐴−𝐾 adalah
positif atau 𝑉𝐴−𝐾 > 0.

Dengan pemberian polaritas tegangan, yakni 𝑉𝐴−𝐾 positif, maka

pembawa mayoritas dari tipe p (hole) akan tertarik oleh kutub negatif
baterai melewati persambungan dan berkombinasi dengan elektron
(pembawa mayoritas pada tipe n). Demikian juga elektronnya akan
tertarik oleh kutub positif baterai untuk melewati persambungan. Oleh
karena itu daerah pengosongan terlihat makin menyempit pada saat dioda
diberi bias maju. Dan arus dioda yang disebabkan oleh pembawa
mayoritas akan mengalir, yaitu 𝐼𝐷 .
Sedangkan pembawa mayoritas dari bahan tipe p (elektron) dan
dari bahan tipe n (hole) akan berkombinasi dan mengahasilkan 𝐼𝑠 . Arah
𝐼𝑠 dan 𝐼𝐷 adalah berlawanan. Namun karena 𝐼𝑠 jauh lebih kecil dari pada
𝐼𝐷 , maka secara praktis besarnya arus yang mengalir pada dioda
ditentukan oleh 𝐼𝐷 .