MEMORI INTERNAL

Nelly Khairani Daulay M.kom

Memori Internal
Hirarki Memori

Register

Cache

MainMemory

DiscCache

MagneticDisc

MagneticTape OpticalDisc
Memori Internal
Karakteristik Hirarki Memori
Semakin Kebawah maka segitiga hirarki memiliki sifat:
1. 1.Semakin Kebawah , Semakin Murah Harga per-BIT-nya
a. Register merupakan jenis memori paling mahal
b. Magnetic Tape dan CD-ROM paling murah

2. 2.Semakin Kebawah , Semakin Besar Ukuran Kapasitasnya

a. Register ukuran kapasitasnya sangat kecil yaitu dalam: 8bit…128bit
b. Magnetic Tape , CD, DVD-ROM dalam Giga Byte

3. 3.Semakin Kebawah , Semakin Lambat Akses Datanya.

a. Register sangat cepat akses datanya
b. Tape Magnetic sangat lambat akses datanya.

4. 4.Semakin Kebawah , Akses CPU semakin Jarang

a. Register hampir setiap saat diakses CPU
b. Magnetic Tape , CD-ROM sangat jarang diakses CPU
Memori Internal
Memori pada sistem komputer dapat dibedakan menjadi :
1. Main Memory, disebut juga Internal Memory , contoh: RAM)
2. Secondary Memory ,disebut juga External Memory, contoh HardDisk, RAID, Magnetic Tape
dsb.)

Berdasarkan Lokasinya , ada 3 jenis memori

• Processor Memory (contoh: register)
• Main Memory (contoh: RAM)
• External Memory (contoh: Hard Disk,RAID,CD-ROM)

Berdasarkan Fisik , ada 3 Jenis Memori

1. Semiconductor Memory contoh: RAM, ROM, EEPROM, FLASH
2. Magnetic Memory contoh: Hard Disk ,Disket, Magnetic Tape
3. Optical Memory contoh: Hard Disk ,Disket, Magnetic Tape contoh: CD/R , CD/RW
Memori Internal
3. Metoda Random Access
•-Akses Data dilakukan dengan bantuan rangkaian Address Decoder
•-Address Decoder akan menghasilkan alamat data yang akan diakses
•-Akses Data Cepat , lebih cepat daripada Direct Access
•-Contoh: RAM (= random access memory)

4. Metoda Associative Access

•-Akses Data dilakukan dengan cara “compare” , yaitu membandingkan
“isi” data yang dicari dengan “key”-nya, bukan berdasarkan alamat data
•-Jika “matched” maka data yang dicari ditemukan.
•-Akses Data sangat Cepat , contoh: Cache Memory
Memori Internal
Karakteristik Fisik dari Memori
1. Volatile > < Non-Volatile

Volatile : - Listrik mati, Data hilang

-Penyimpanan dalam memori jenis ini tidak-permanent
-Contoh: RAM (EDO-RAM, SDRAM, DDRAM)

Non-Volatile : -Listrik Mati, Data Tidak Hilang

-Penyimpanan dalam memori jenis ini bersifat-permanen
-Contoh: EPROM, EEPROM, Flash Memory
Memori Internal
2. Erasable > < Non-Erasable
Data dapat dihapus , untuk kemudian bisa diisi ulang
Contoh:
1. EPROM (= Erasable Programmable Read Only Memory) dihapus dgn sinar Ultra Violet
2. EEPROM (=Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) dihapus dgn listrik
3. FLASH Memory dihapus dgn listrik

Non Erasable : Data tidak dapat lagi dihapus , media ini “mono-use”
sekali pakai , Salah isi data, berarti harus dibuang, ganti media yg baru
lagi Contoh: ROM (Read Only Memory) , PROM (Programmable ROM)
Memori Internal
•Random Access Memory (RAM)
• Merupakan memory Baca/Tulis (R/W) dimana isi dari RAM dapat diupdate
setiap saat dan bersifat volatile serta digunakan data / instruksi selama
pemrosesan berlangsung.
•Berdasarkan Struktur Komponen-nya ada 2 jenis RAM
1. SRAM (Static RAM) ,struktur terbuat dari komponen Transistor Bipolar
2. DRAM (Dynamic RAM ,struktur terbuat dari komponen Capacitor)

•Static RAM :
1. Terbuat dari sistem transistor bipolar
2. Memerlukan daya operasional yang relatif besar
3. Tidak memerlukan rangkaian Refresh, karena sifat dari transistor.
4. Kerapatan perkeping IC yang sedikit ( kecil ), Kapasitasnya Kecil
5. Harga per byte-nya relatif lebih mahal
6. Kecepatan Akses Sangat Data tinggi
7. Effisien untuk sistem sistem kecil dan sistem yang memerlukan kecepatan
pemrosesan yang tinggi.
Memori Internal
Struktur Dasar sebuah SRAM (= Static RAM)
Memori Internal
DRAM (Dynamic RAM) :
1. Strukturnya dibangun dari komponen Capacitor
2. Memerlukan daya operasional yang relatif kecil
3. Kerapatan perkeping IC yang besar, shg kapasitasnya sangat besar
4. Memerlukan rangkaian untuk “Refresh Cycle”
5. Harga lebih murah
6. Effisien untuk sistem sistem besar
7. Kecepatan akses data yang relatif lambat dibanding SRAM

Catatan:
•-“Refresh Cycle” diperlukan disini karena sifat memory berbahan dasar
Capacitor cenderung selalu mengalami kebocoran muatan listrik pada
sel-memori, sehingga kalau tidak di- refresh maka data yg disimpan dalam
sel-memori akan hilang
•- Adanya proses Refresh inilah yang merupakan salah satu faktor kenapa jenis
memori DRAM memiliki kecepatan akses data yg relatif lambat.
Memori Internal
SRAM (= Dynamic RAM)
Keterangan:
1. Address Line untuk
pengalamatan Sel Memori
2. Storage Capacitor untuk
menyimpan muatan listrik yg
tidak lain adalah data itu sendiri.
3. Transistor digunakan sebagai
“Switch” untuk mengisi
datake storage capacitor.
Memori Internal
Organisasi sebuah Memori DDRAM 16 MBit
1. 16Mbit chip dapat disusun dari 1M x 16 bit word
2. 1 bit/chip memiliki 16 lots dengan bit ke 1 dari
setiap word berada pada chip 1
3. 16Mbit chip dapat disusun dari array: 2048 x 2048 x
4bit
4. Mengurangi jumlah addres pins
5. row address dg column address dijadikan satu
(multiplexing)
6. 11 pins untuk address (211=2048)
7. Menambah 1 pin kapasitas menjadi 4x
Memori Internal
Diagram Organisasi Memory berkapasitas 16 Mbit
Memori Internal
ROM (Read Only Memory) :
Definisi:
• ROM adalah memory yang berisi program yang bersifat tetap / tidak
berubah (non-volatile) sepanjang sistem yang digunakan
memungkinkan.

Aplikasi penting dari ROM meliputi :

1. Microprogramming
2. Library subroutine bagi fungsi – fungsi yang sering diperlukan
3. Program program sistem
4. Tabel tabel fungsi

• Sebelum operasi dari sistem komputer diaktifkan maka isi dari ROM
akan di-load terlebih dahulu ke dalam RAM → POST ( Power On Self
Test )

POST adalah sebuah program inisialisasi sistem komputer, yang

sekaligus melakukan diagnostik standar pada sistem komputer , utk
memastikan komputer beroperasi sebagai mana mestinya.
 Memori Internal
Permasalahan yang ada pada sistem ROM :
1.Langkah penyisipan data memerlukan biaya tetap yang tinggi
2.Tidak boleh terjadi kesalahan sekecil apapun. Apabila ternyata
dijumpai kesalahan pada satu bitnya maka ROM tersebut tidak
dapat digunakan.
3.Untuk mengatasi hal tersebut diatas maka dibuatlah ROM yang
dapat diprogram dan dihapus seperti halnya RAM.

Keluarga ROM :
1.ROM (Read Only Memory )
2.EPROM ( Erasable Programmable Read Only Memory )
3.EEPROM ( Electrically Erasable Programmable Read Only Memory )
4.Flash ROM / Flash Memory
 Memori Internal
SEL MEMORI
1. Elemen terkecil dari memori disebut Memory Cell (= sel memori)
2. Elemen Memori mampu menyimpan 1 bit data , yaitu bit “1” atau bit “0”
3. Elemen memori dibangun dari sebuah “Flip Flop” yang tak lain
merupakan sebuah bistable multivibrator.
4. Elemen memori berifat Read / Write , artinya data di dalam elemen memori
tersebut bisa dibaca , dan sebaliknya kedalam elemen memori tersebut
bisa di simpan sebuah data baru.

Ada 3 jenis Sinyal dalam sebuah sel memori

1. R/W signal, sebagai sinyal pengendali proses baca tulis
2. Select Signal, sebagai sinyal untuk memilih alamat sel
3. Data IN / OUT signal, yaitu merupakan data dari sel memori tersebut
Memori Internal
Error Correction pada RAM :
•Error pada memory semikonduktor dapat dikategorikan sebagai
kegagalan yang berat dan kegagalan yang ringan.
1.Kegagalan yang berat merupakan kerusakan fisik permanen
sehingga sel memory yang mengalaminya tidak dapat lagi
digunakan untuk menampung data. Memori Internal

2.Kegagalan yang ringan adalah kejadian yang random dan tidak

merusak yang mengubah iisi sebuah sel memory atau lebih,
tanpa merusak memory. Kegagalan ringan ini salah satunya
dapat disebabkan oleh masalah catu daya yang tidak stabil.

Suatu error correction dapat dibuat untuk menjaga agar validasi

dari data yang dibaca maupun ditulis adalah absah. Sistem error
correction pada RAM biasanya menggunakan Hamming Code
dengan tujuan jika terjadi kesalahan data pada satu bitnya maka
dapat dikoreksi oleh sistem.
Terima Kasih