Register
Cache
Main Memory
Disc Cache
Magnetic Disc
Static RAM :
1. Terbuat dari sistem transistor bipolar
2. Memerlukan daya operasional yang relatif besar
3. Tidak memerlukan rangkaian Refresh, karena sifat dari transistor.
4. Kerapatan perkeping IC yang sedikit ( kecil ), Kapasitasnya Kecil
5. Harga per byte-nya relatif lebih mahal
6. Kecepatan Akses Sangat Data tinggi
7. Effisien untuk sistem sistem kecil dan sistem yang memerlukan kece
patan pemrosesan yang tinggi.
Memori Internal
Struktur Dasar sebuah SRAM (= Static RAM)
Memori Internal
DRAM (Dynamic RAM) :
1. Strukturnya dibangun dari komponen Capacitor
2. Memerlukan daya operasional yang relatif kecil
3. Kerapatan perkeping IC yang besar, shg kapasitasnya sangat besar
4. Memerlukan rangkaian untuk “Refresh Cycle”
5. Harga lebih murah
6. Effisien untuk sistem sistem besar
7. Kecepatan akses data yang relatif lambat dibanding SRAM
Catatan:
-“Refresh Cycle” diperlukan disini karena sifat memory berbahan dasar
Capacitor cenderung selalu mengalami kebocoran muatan listrik pada sel-
memori, sehingga kalau tidak di- refresh maka data yg disimpan dalam sel-
memori akan hilang
- Adanya proses Refresh inilah yang merupakan salah satu faktor kenapa jenis
memori DRAM memiliki kecepatan akses data yg relatif lambat.
Memori Internal
SRAM (= Dynamic RAM)
Keterangan:
1. Address Line untuk pengalamatan Sel
Memori
2. Storage Capacitor untuk menyimpan
muatan listrik yg tidak lain adalah data
itu sendiri.
3. Transistor digunakan sebagai
“Switch” untuk mengisi datake
storage capacitor.
Memori Internal
Organisasi sebuah Memori DDRAM 16 MBit
2. 1 bit/chip memiliki 16 lots dengan bit ke 1 dari setiap word berada pada
chip 1
Sebelum operasi dari sistem komputer diaktifkan maka isi dari ROM akan di-
load terlebih dahulu ke dalam RAM POST ( Power On Self Test )
Keluarga ROM :
1. ROM (Read Only Memory )
2. EPROM ( Erasable Programmable Read Only Memory )
3. EEPROM ( Electrically Erasable Programmable Read Only Memory )
4. Flash ROM / Flash Memory
Memori Internal
SEL MEMORI
1. Elemen terkecil dari memori disebut Memory Cell (= sel memori)
2. Elemen Memori mampu menyimpan 1 bit data , yaitu bit “1” atau bit “0”
3. Elemen memori dibangun dari sebuah “Flip Flop” yang tak lain merupakan
sebuah bistable multivibrator.
4. Elemen memori berifat Read / Write , artinya data di dalam elemen memori
tersebut bisa dibaca , dan sebaliknya kedalam elemen memori tersebut bisa
di simpan sebuah data baru.
Suatu error correction dapat dibuat untuk menjaga agar validasi dari data yang
dibaca maupun ditulis adalah absah.
Sistem error correction pada RAM biasanya menggunakan Hamming Code
dengan tujuan jika terjadi kesalahan data pada satu bitnya maka dapat dikoreksi
oleh sistem.