MEMORIES
OVERVIEW OF MEMORY
Tiga Karakteristik Penting dari Memori Semikonduktor:
1) Massa jenis
Jumlah data yang dapat disimpan oleh memori
2) Non Volatilitas
Kemampuan penyimpanan data jika daya terputus ( memori dapat lebih efisien
dalam mengakses data baik dalam penyimpanan maupun pencarian data)
3) Read / write capability
Kemampuan untuk memperbarui
Jenis RAM:
a) SRAM (static random-access memory)
Menyimpan data dalam sel seperti flip-flop dan juga semikonduktor yang terbuat
dari semacam semikonduktor yang tidak memerlukan kapasitor dan tidak
memerlukan penyegaran secara berkala sehingga lebih cepat
b) DRAM (dynamic random-access memory)
Merupakan memori semikonduktor yang memerlukan kapasitor sebagai
tumpuan untuk menyegarkan data yang ada di dalamnya. Selain itu juga mudah
menguap
RAM
• Unit memori menyimpan informasi biner dalam kelompok kata-kata yang disebut bit.
1 byte = 8 bit
1 kata = 2 byte
• Komunikasi antara memori dan lingkungannya dicapai melalui jalur input dan output
data, jalur pemilihan alamat, dan jalur kontrol yang menentukan arah transfer.
Isi memori
• Setiap kata dalam memori diberi nomor identifikasi, disebut alamat, mulai dari 0
hingga 2k-1, di mana kis nomor baris alamat.
• Jumlah kata dalam memori dengan salah satu huruf K=210, M=220, or G=230. 64K =
216 2M = 221 4G = 232
Jenis memori
a) Dalam random-access memory
Lokasi kata dapat dipisahkan dalam ruang, dengan setiap kata menempati satu
lokasi tertentu.
Waktu akses selalu berbeda
b) Dalam sequential-access memory
Informasi yang disimpan di beberapa media tidak dapat langsung diakses, tetapi
hanya tersedia dalam interval waktu tertentu. Contohnya disk magnetik atau unit
tape
Waktu yang diperlukan untuk mengakses sebuah kata tergantung pada posisi
kata tersebut sehubungan dengan posisi reading head; oleh karena itu, waktu
akses bervariasi.
• SRAM pada dasarnya terdiri dari kait internal yang menyimpan informasi biner.
• Informasi yang disimpan tetap valid selama daya dialirkan ke unit.
• SRAM lebih mudah digunakan dan memiliki siklus baca dan tulis yang lebih pendek.
• Kepadatan rendah, kapasitas rendah, biaya tinggi, kecepatan tinggi, konsumsi daya
tinggi.
Types of memories
• Unit memori yang kehilangan informasi yang tersimpan saat daya dimatikan
dikatakan tidak stabil.
• Statis dan dinamis, termasuk dalam kategori ini karena sel biner membutuhkan daya
eksternal untuk menjaga informasi yang disimpan.
• Memori nonvolatile, seperti disk magnetis, ROM, menyimpan informasi yang
disimpan setelah daya dilepas.
RAM 4X4
• Ada kebutuhan sirkuit decoding untuk memilih kata memori yang ditentukan oleh
alamat input.
• Selama operasi pembacaan, empat bit dari kata yang dipilih menuju gerbang OR
terminal keluaran.
• Selama operasi tulis, data yang tersedia di baris masukan ditransfer ke empat sel
biner dari kata yang dipilih.
• Memori dengan 2k kata dari n bit per kata membutuhkan k baris alamat yang masuk
ke decoder kx2k.
2. READ-ONLY MEMORY(ROM)
Karakteristik ROM:
• Memory tidak hilang saat power dimatikan
• Data disimpan secara permanen
• Data yang disimpan dalam ROM dapat “dibaca” kapan saja
• ROM tidak dapat diprogram ulang
• Kepadatan tinggi
Nama : Siti Nur Azizah
NRP : 02311940000039 / ELKA D
Read-Only Memory
• Diagram blok dari ROM ditunjukkan di bawah ini. Ini terdiri dari masukan alamat k
dan keluaran data n.
• Jumlah kata dalam ROM ditentukan dari fakta bahwa k baris masukan alamat
diperlukan untuk menentukan 2k kata.
Pembangunan ROM
• Setiap keluaran decoder mewakili alamat memori.
• Setiap gerbang OR harus dianggap memiliki 32 input.
Jenis ROM
Jalur yang diperlukan dalam ROM dapat diprogram dalam empat cara berbeda.
1. Mask Programming: proses fabrikasi
2. Read-only memory atau PROM: sekring putus
3. PROM atau EPROM yang dapat dihapus: ditempatkan di bawah sinar ultraviolet
khusus selama jangka waktu tertentu akan menghapus pola di ROM.
4. PROM yang dapat dihapus secara elektrik (EEPROM): dihapus dengan sinyal listrik
alih-alih sinar ultraviolet.
PLD kombinasional
Nama : Siti Nur Azizah
NRP : 02311940000039 / ELKA D
• PLD kombinasional adalah sirkuit terintegrasi dengan gerbang yang dapat diprogram
dibagi menjadi array AND dan array OR untuk memberikan jumlah AND-OR dari
implementasi produk.
• PROM: tetap AND array yang dibangun sebagai decoder dan OR array yang dapat
diprogram.
• PAL: array AND yang dapat diprogram dan array OR tetap.
• PLA: kedua array AND dan OR dapat diprogram.
c. Flash Memory
Dalam sistem dapat ditulis ulang (baca / tulis)
Sangat bisa diandalkan
Konsumsi daya rendah
Kepadatan tinggi
MEMORY PACKAGING
DIP (dual in-line package)
SIP (single in-line package)
ZIP (zig-zag in-line package)
SIMM (single in-line memory module)
Memory cards
3) Perangkat Semikonduktor
Flash EEPROM semikonduktor