RESUME CHAPTER 5

INTERNAL MEMORY

Disusun Oleh:

Haris Muhajir Al Fatih

190411100094

PROGRAM STUDI TEKNIK INFORMATIKA

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS TRUNOJOYO MADURA
2020
 Daftar Isi

Daftar Isi....................................................................................................................................................1
1. Semiconduktor Main Memory..........................................................................................................2
Type of Semiconduktor Main Memory................................................................................................2
2. Error Correction................................................................................................................................4
3. Advance DRAM Organization..........................................................................................................4
A.SDRAM (Synchronous DRAM)......................................................................................................4
B. RDRAM (Rambus DRAM).............................................................................................................4
C. CDRAM (Cache DRAM)................................................................................................................5

Internal Memory| 1
1. Semiconduktor Main Memory
Tabel Jenis Memori Semikonduktor Utama

Elemen dasar dari memori semikonduktor adalah memori sel. Sel memori
memiliki sifat – sifat tertentu:
1. Mampu merepresentasikan bilangan biner 1 dan 0 dengan menggunakan dua
stable state.
2. Sanggup untuk ditulisi(paling tidak sekali), untuk mengeset statenya. Sanggup
untuk dibaca untuk mendeteksi kondisi statenya.
Type of Semiconduktor Main Memory
1. RAM (Random Access Memory)
RAM merupakan memori semikonduktor yang memiliki fungsi menyimpan data atau
intruksi sementara atau biasa disebut volatile yaitu data / intruksi akan hilang ketika
komputer mati. Teknologi RAM dibedakan menjadi dinamik dan statik. Struktur RAM
dapat dibagi menjadi 4 bagian, yaitu:
 Input Area, digunakan untuk menampung input yang dimasukkan lewat alat
input.
 Program Area, digunakan untuk menyimpan semua instruksi-instruksi program
yang akan diproses.
 Working Area, digunakan untuk menyimpan data yang akan diolah dan hasil dari
pengolahan.
 Output Area, digunakan untuk menampung hasil akhir dari pengolahan data
yang akan ditampilkan ke alat output.
2. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Disebut dynamic, karena hanya menampung data dalam periode waktu yang singkat
dan harus di-refresh secara periodik.
3. SRAM (Static Random Access Memory)
Secara internal, setiap sel yang menyimpan n bit data memiliki 4n buah transistor yang
menyusun beberapa buah rangkaian Flip-Flop. Dengan karakteristik rangkaian Flip-

Internal Memory| 2
 Flop ini, data yang disimpan hanyalah berupa Hidup (High state) atau Mati (Low
state) yang ditentukan oleh keadaan suatu transistor.
4. ROM (Read Only Memory)
ROM dapat menyimpan data secara permanenanya dan hanya bisa dibaca. Namun, dua
masalah yang terdapat pada ROM adalah langkah penyisipan data memerlukan biaya
tetap yang tinggi dan tidak boleh terjadi kesalahan (error).
5. PROM ( Progammable Read Only Memory)
Bersifat non volatile dan hanya bias ditulisi sekali saja. Prosesnya adalah PROM
awalnya terhubung (status=on, 1). Programmer akan memutuskan hubungan tersebut
dengan mengirimkan voltase tinggi pada kolom yamg tepat. Proses ini disebut
“burning”.
6. EPROM (Erasable Progammable Read Only Memory)
Dapat dibaca secara optis dan ditulisi secara elektris. Sebelum operasi write, seluruh
sel penyimpanan harus dihapus menggunakan radiasi sinar ultra-violet terhadap keping
paket.
7. EEPROM (Electrycally Erasable Progammable Read Only Memory)
Dapat ditulisi kapan saja tanpa menghapus isi sebelumnya. Operasi write memerlukan
waktu lebih lama dibanding operasi read. Gabungan sifat kelebihan non-volatilitas dan
fleksibilitas untuk update dengan menggunakan bus control, alamat dan saluran data.
8. Flash Memory
Menggunakan kilatan cahaya untuk melakukan operasi baca tulis. Penggunaan flash
memory mereduksi ukuran ROM, akses kecepatan penulisan dan hapus data dengan
sangat cepat dan yang terpenting membutuhkan konsumsi daya yang sangat kecil.
9. Chip Logic
Sama seperti IC, memori semikonduktor juga terdiri dari berbagai chip. Chip tersebut
berisi sel memori dan fungsi logika. Hal ini bertujuan untuk membuat memori
semikonduktor dapat membaca / menulis data pada satu waktu.
10. Chip Packaging
Merupakan lapisan luar pembentuk fisik dari masing-masing memory chip. Paling
sering digunakan, khususnya pada modul memory DDR adalah TSOP (Thin Small
Outline Package). Pada RDRAM dan DDR2 menggunakan CSP (Chip Scale Package).
Beberapa chip untuk modul memory terdahulu menggunakan DIP (Dual In-Line
Package) dan SOJ (Small Outline J-lead).
11. Module Organization
Modul dalam memori semikonduktor digunakan utuk mengatur jalannya paket data /
intruksi.
12. Interleaved Memory
Sebuah tempat untuk mengatur bank memori yang terdiri dari kumpulan chip memori
DRAM untuk melakukan proses membaca, menulis.

Internal Memory| 3
2. Error Correction
Dalam melaksanakan fungsi penyimpanan, memori semikonduktor dimungkinkan
mengalami kesalahan. Diperlukan dua mekanisme untuk mengkoreksi kesalahan data
yang disimpan, yaitu:
A. Mekanisme pendeteksian kesalahan dengan menambahkan data word (D) dengan
suatu kode, biasanya bit cek paritas (C). Sehingga data yang disimpan memiliki
panjang D + C. Kesalahan akan diketahui dengan menganalisa data dan bit paritas
tersebut.
B. Mekanisme perbaikan kesalahan yang paling sederhana adalah Kode Hamming .
Metode ini diciptakan Richard Hamming di Bell Lab pada tahun 1950. Tiga lingkaran
Venn (A, B, C) saling berpotongan sehingga terdapat 7 ruang. Metode diatas adalah
koreksi kesalahan untuk word data 4 bit (D =4). (a) adalah data asli. Kemudian setiap
lingkaran harus diset bit logika 1 berjumlah genap sehingga harus ditambah bit – bit
paritas pada ruang yang kosongSeperti (b). Apabila ada kesalahan penulisan bit pada
data seperti (c) akan dapat diketahui karena lingkaran (a) dan (b) memiliki logika 1
berjumlah ganjil.
Mekanisme koreksi kesalahan akan meningkatkan realibitas bagi memori tetapi resikonya
adalah menambah kompleksitas pengolahan data. Disamping itu mekanisme koreksi
kesalahan akan menambah kapasitas memori karena adanya penambahan bit-bit cek
paritas. Jadi kapasitas penyimpanan akan berkurang karena beberapa lokasi digunakan
untuk mekanisme koreksi kesalahan.
3. Advance DRAM Organization
A. SDRAM (Synchronous DRAM)
Tidak seperti DRAM biasa, yang bersifat asinkron, SDRAM dengan mode akses
synchronous, pergerakan data masuk dan keluar DRAM akan dikontrol oleh clock
system. Processor akan meminta informasi instruksi dan alamat, yang diatur oleh
DRAM. DRAM akan merespon setelah clock cycle tertentu. Dengan demikian,
processor dapat dengan aman melakukan tugas lain sementara SDRAM memproses
request.
B. RDRAM (Rambus DRAM)
RDRAM merupakan memori yang melakukan pendekatan lebih kepada masalah
bandwidth. Rambus DRAM dikembangkan oleh RAMBUS, Inc. RDRAM memiliki
chip yang terpasang secara vertikal, dimana semua pin berada pada satu sisi. Chips
akan melakukan pertukaran data dengan processor melalui 28 jalur (kabel) yang tidak
lebih pangajng dari 12 cm. Busnya dapat menampung alamat lebih dari 320 RDRAM
chip dan dengan rata-rata kecepatan sekitar 500Mbps. Oleh karena itulah, RDRAM
memiliki kecepatan yang jauh lebih besar dibanding tipe DRAM lainnya.

C. CDRAM (Cache DRAM)

Internal Memory| 4
 Cache DRAM (CDRAM), yang dikembangkan oleh Mitsubishi,
mengintegrasikan cache SRAM kecil (16 Kb) ke sebuah chip DRAM generik. SRAM
pada CDRAM dapat digunakan dalam dua cara. pertama, dapat digunakan sebagai
cache sesungguhnya, yang terdiri dari sejumlah 64 baris bit, modus cache CDRAM
efektif untuk akses acak biasa untuk memori. SRAM pada CDRAM juga dapat
digunakan sebagai buffer untuk mendukung akses urut blok data.

Internal Memory| 5