APLIKASI

FISIKA
KUANTUM
NADIYA SYAHPITRI (4192421025) PSPF C 2019

Start!
 A. Mikroskop Emisi Medan

Mikroskop emisi medan dikembangkan oleh Erwin

Mueller pada tahun 1936. Konstruksi mikroskop emisi
medan (FEM: Field Emission Microscope) jari-jari r dan
sebuah layar fluoresensi dengan jari-jari R.

Back Agenda Next

 B. Scanning Tunneling Microscope (STM)
Gerd Binning dan Heinrich Roher pada tahun 1982 mengembangkan peralatan
STM yang dapat digunakan untuk mengobservasi permukaan material dalam
skala atomic. Kelebihan instrument ini beda tegangan yang diberikan cukup kecil,
yakni dalam orde mV sampai beberapa volt.

Peralatan STM dapat digunakan untuk mengamati struktur

permukaan zat padat dengan resolusi yang lebih besar
daripada peralatan Scanning Electron Microscopy (SEM).
Peralatan STM memiliki sebuah ujung logam yang
didekatkan pada permukaan material padat yang akan
diobservasi.

Back Agenda Next

Back Agenda Next
Besarnya arus penerobosan bergantung pada beda tegangan
antara probe dan sampel (V), jarak antara probe dengan
sampel (d), dan fungsi kerja atau energi penghalang (ϕ).
Besar arus penerobosan adalah :

Back Agenda Next

C. Laser dari Bahan Struktur Hetero Semikonduktor

Struktur hetero (heterostructures)

semikonduktor banyak digunakan dalam
Berdasarkan bentuk potensial pada
piranti elektronika modern. Struktur hetero
persambugan material, struktur hetero
yang pertama dikembangkan adalah lapisan dikelompokkan dalam tiga jenis, yaitu:
GaAs dengan ketebalan sekitar 5 dan 50 nm
yang dilapisi lapisan secara bergantian.
Jika sambungan hetero tersebut diberi bias maju, pembawa
muatasn akan terkurung didaerah yang semoit dan populasi
inversi akan terbentuk pada tingkat arus yang lebih rendah.
Pada sambungan GaAs-AlGaAs hanya sedikit perbedaan
indeks bias, sehingga kerapatan arus ambang menjadi
berkurang dan menguntungkan bagi operasi piranti laser.

Back Agenda Next

D. Laser Kaskade Kuantum
(Quantum Cascade Laser)

Laser kaskade kuantum (quantum cascade laser) dikembangkan

untuk menghasilkan sinar laser dengan energy foton yang
rendah, yakni berkaitan dengan panjang gelombang inframerah.
Laser kaskade kuantum (QCL) tidak memanfaatkan proses
emisi cahaya dari proses rekombinasi electron dan hole dari
pita konduksi ke pita valensi, namun hanya menggunakan
electron-elektron pada pita konduksi saja.
 Pada desain QCL ini, sebuah
elektron dapat memancarkan
beberapa foton karena
adanya struktur kaskade.

Back Agenda Next

E. Laser Dari Material Dengan Struktur
Butiran Kuantum (Quantum Dots)

Piranti laser menggunakan struktur butiran kuantum pertama kali

didemonstrasikan oleh Ledentsop bersarna titnnva pada talum 1994. Pada
tahun 2004, telah dapat dikembangkan laser butiran kuantum (quantum dots
laser) yang tidak bergantung pada suhu. Hal ini mengatasi permasalahan
ketergantungan laser pada suhu yang terjadi pada piranti yang menggunakan
bahan semikonduktor konvensional.

Back Agenda Next

Butiran kuantum hampir tidak mengalami dispersi keadaan elektronik
karena tingkatan-tingkatan energinya tidak bergantung pada
momentum. Energi butiran kuantum juga konstan sehingga proses
rekombinasi Auger dapat diminimalkan. Perlu diketahui bahwa
terjadinya proses rekombinasi Auger menjadi kendala utama dalam
kinerja laser inframerah dari bahan semikonduktor dengan suhu
operasi yang tinggi.

Salah satu desain laser butiran kuantum yang telah difabrikasi

diilustrasikan pada Gambar 11.15.
F. Detektor Inframerah Dari Struktur Butiran
Kuantum (QD) Dan Sumur Kuantum (QW)
Pada saat ini, telah dikembangkan detector dengan mode
pengumpulan listrik secara vertical yang menggunakan
struktur sumur kuantum (quantum well) atau quantum
dot. Detektor tersebut memiliki tingkat arus gelap yang
sangat keed akibat terjadinya efek pengurungan kuantum
(quantum confinement) pada pembawa muatan. Namun,
pengurungan kuantum tersebut memberikan pengaruh
negatif terhadap arus cahaya.
OUR TASKS
Piranti Minority Elecron Unipolar Photodetector (ME-UP) merupakan
pengembangan detektor fotokonduktor dengan menggunakan struktur M sebagai
struktur penghalang, seperti diilustrasikan dalam gambar berikut.

Back Agenda Next

 Struktur pita energy dari lapisan bahan
AISb/GaSb/InAs/GaSb/AlSb membentuk
huruf M, seperti ditunjukkan pada gambar
berikut.

Pada gambar ditunjukkan bahwa bahan AISb memiliki celah pita energi
yang lebih besar sehingga posisi pita konduksinya jauh lebih tinggi dari pada
bahan GaSb, sedangkan pita valensinya sedikit dari pada bahan InAs. Struktur
pita tersebut menyebabkan bahan AISb dapat dimanfaatkan sebagai lapisan
penghalang electron pada pita konduksi dan lapisan penghalang hole pada pita
valensi. Mekanisme ini bermanfaat dalam mengurangi kemungkinan
penerobosan (tunnelling) dalam derah inframerah gelombang Panjang.
 Struktur pita energy dari lapisan bahan
AISb/GaSb/InAs/GaSb/AlSb membentuk huruf
M, seperti ditunjukkan pada gambar berikut.

Pada gambar ditunjukkan bahwa bahan AISb memiliki celah pita energi yang lebih besar sehingga
posisi pita konduksinya jauh lebih tinggi dari pada bahan GaSb, sedangkan pita valensinya sedikit dari
pada bahan InAs. Struktur pita tersebut menyebabkan bahan AISb dapat dimanfaatkan sebagai lapisan
penghalang electron pada pita konduksi dan lapisan penghalang hole pada pita valensi. Mekanisme ini
bermanfaat dalam mengurangi kemungkinan penerobosan (tunnelling) dalam derah inframerah
gelombang Panjang.
Thank You
Back Agenda Next