MAKALAH

THIN FILM TRANSISTOR (TFT)

Disusun Oleh :

Nabillah Fa’diyyah Zahra

140310190063

Makalah ini diajukan untuk memenuhi Ujian Tengah Semester Mata Kuliah Teknologi
Optoelektronika

FAKULTAS MATEMATIKA DAN IPA

UNIVERSITAS PADJADJARAN

SUMEDANG

2021
I. PENDAHULUAN

1.1 Definisi Transistor

Transistor yaitu komponen aktif elektronika yang susunannya terdiri atas lapisan-
lapisan material semikonduktor. Transistor ini dapat digunakan untuk mengatur aliran arus
atau tegangan dan dapat pula bertindak sebagai saklar atau gerbang untuk rangkaian
elektronik. Istilah transistor berasal dari kata “transistor” dan “resistor”. Transfer memiliki
arti pemindahan dan resistor berarti hambatan listrik atau penghambat. Sehingga transistor
dapat didefinisikan sebagai perpindahan bahan hambatan menjadi penghantar pada kondisi
tertentu.Transistor merupakan alat semikonduktor yang berguna untuk penguat,pemutus
,penyambung arus(switching),modulasi sinyal,dan juga sebagai stabilisasi tegangan.
Transistor juga dapat berguna sebagai keran listrik,dimana berdasarkan arus masukannya
atau arus inputnya(BJT) maupun tegangan masukannya atau inputnya (FET)
memungkinkan pengaliran dari listrik dari sirkuit listriknya yang akurat sekali. Transistor
memiliki tiga terminal yairu basis(B),emitor (E),dan kolektor (C).

 Emitor (pemancar) = pembawa muatan

 Kolektor yang juga disebut (pengumpul) = pembawa muatan dari emitor
yang ditampung kolektor
 Basis yang juga disebut (dasar) = elektroda untuk pengendali
Pada rangkaian analog , berguna sebagai penguat,jadi bisa dikatakan transistor
erupakan komponen yang penting di dunia elektronik modern saat ini. Pada rangkaian
digital ,transistor dapat digunakan sebagai saklar yang mempunyai kecepatan tinggi.

Gambar 1. Transistor
1.2 Sejarah Perkembangan Transistor

Sebelum munculnya transistor, insinyur-insinyur produk mempergunakan tabung

vakum dan saklar elektromekanik untuk rangkaian listrik. Tabung yang belum ideal atau
bahkan jauh dari ideal . Para insinyur tersebut harus menjalankan pemanasan sebelum
bekerja yang terkadang menimbulkan panas berlebihan atau over heat, maka tabung
vakum tersebut tidak bisa diandalkan karena selain menghasilkan panas berlebihan juga
karena menggunakan terlalu banyak energi. Namun spade tahun-tahun setelah perang
dunia ke-II para ilmuwan terus mencari alternative dari tabung vakum.

Transistor merupakan komponen elektronika aktif yang susunannya terdiri atas

lapisan-lapisan material semikonduktor. Transistor ini dapat digunakan untuk mengatur
aliran arus atau tegangan dan dapat pula bertindak sebagai saklar atau gerbang untuk
rangkaian elektronik. Istilah transistor berasal dari kata transfer dan resistor. Transfer
memiliki arti pemindahan dan resistor berarti hambatan listrik atau penghambat. Sehingga
transistor dapat didefinisikan sebagai perpindahan bahan hambatan menjadi penghantar
pada kondisi tertentu. Transistor pertama kali ditemukan pada akhir tahun 1947 oleh tiga
fisikawan asal Amerika Serikat yang bernama John Bardeen, Walter Brattain, dan William
Shockley. ketiga fisikawan tersebut menemukan transistor jenis bipolar. Atas
penemuannya, ketiga fisikawan tersebut mendapatkan Hadiah Nobel Fisika pada tahun
1956. Pada tahun 1925 di Kanada, fisikawan Jerman yaitu Julius Edgar Lilienfeld sudah
mempatenkan Transistor jenis Field Effect Transistor. Namun hasil penelitian baik dalam
bentuk tulisan maupun perangkat prototype-nya tidak pernah dipublikasikan. Kemudian
pada 1932 di Eropa, Oskar Heil mendaftarkan paten yang hampir sama. Dengan penemuan-
penemuan tersebut, perangkat-perangkat elektronik berukuran besar pada masanya dapat
dikemas secara lebih ringkas dan portable.

Transistor ada pada saat itu membuat perangkat-perangkat elektronika yang

asalnya berukuran lebih besar itu bisa dirancang menjadi perangkat dengan rangkaian yang
lebih kecil ,maka bisa dibawa kemanapun seperti hanya laptop,smarthphone ,ponsel,dan
lainnya.
 Gambar 2. John Bardeen ,Walter Brattain, dan William Shockley

Gambar 3. Transistor berbahan silicon

Lalu ada transistor berbahan silicon yang dikembangkan pertama kali ditemukan
pada 26 Januari 1954 oleh Morris Tanenbaum dan terdapat transistor komersil yang
dikembangkan pada tahun 1954 oleh Gordon .Sejarah dari transistor tidak lepas dari
berbagai pengembangan-pengembangan dengan tujuan untuk menjadi lebih
 efisienn,efektif baik berupa pemanfaatan dan bentuknya.Maka sampai sekarang kita bisa
termukan jenis-jenis dari transistor seperti transistor Bipolar,FET dan lain-lain. Dan yang
sering digunakan pada rangkaian biasanya BJT,JFET ,dan MOSFET.

Jenis transistor dibagi dua yaitu :

1.2.1 Transistor FET (Field Effect Transistor)
FET terdiri atas dua tipe, yaitu JFET (junction Field Effect Transistor) dan
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Struktu dari FET ini
terdiri atas bahan semikonduktor tipe p dan tipe n. FET memiliki 3 terminal yaitu gate,
source dan drain. Didalam FET, sebuah dioda dibentuk oleh terminal gate dengan kanal
materi semikonduktor diantara terminal source dan terminal drain. (Sutono, 2017)

Gambar 4. FET

1.2.2 Transistor BJT (Bipolar)

Transistor jenis BJT ini dikelompokan menjadi dua jenis, yaitu jenis P-N-P dan
jenis N-P-N. Sesuai namanya Transistor jenis ini memiliki tiga terminal yaitu base (B),
collector (C), dan emitter (E). Tingkat doping pada terminal ini berbeda beda, mulai dari
yang rendah ke yang tinggi yaitu, Base lalu collector dan yang paling tinggi adalah
emitter. Semakin rendah tingkat bahan maka akan semalin kecil pula konduktivitasnya
yang dikarenakan oleh jumlah pembawa mayoritasnya (hole untuk bahan p dan elektron
untuk bahan n). Ukuran base jauh lebih tipis jika dibandingkan dengan collector dan
emitter. Terdapat tanda panah pada kaki emitter yang berfungsi untuk mengetahui arah
 arus konvensional. Tanda panah akan menuju keluar pada jenis transistor N-P-N dan
akan menuju kedalam pada jenis transistor P-N-P. (Surjono, 2011)
Jenis-jenis transistor BJT:
BJT terdiri dari dua jenis : Transistor NPN dan Transistor PNP. Tiga terminal transistor
tersebut diantaranya adalah terminal Basis(B), Kolektor(K) dan Emitor(E).

Gambar 5. BJT

1.3 Thin Film Transistor Dan Mengapa TFT Sangat Penting Dalam Perkembangan
Piranti Optoelektronika Saat Ini Seperti Dalam Teknologi Display?

TFT atau thin film transistor adaah perangkat semikonduktor yang berfungsi untuk
mengubah dan memperkuat sinyal eletronik. TFT ini merupakan jenis umum dari LCD
yang terdapat pada hp, komputer, laptop dan lain sebagainya. Jenis layar dari TFT memiliki
kualitas seperti pada gambar dan resolusi yang lebih baik jika dibandingkan dengan
generasi layar sebelumnya. TFT tidak hanya digunakan pada LCD saja melainkan dalam
pemasangan dioda pemancar cahaya organik atau OLED, sensor sensor pada cahaya,
pemindai gambar, dan sebagainya. TFT ini merupakan jenis khusus dari transistor efek
medan atau sering kita sebut sebagai FET. Bahan yang paling umum digunakan untuk
membuat TFT adalah silikon. Pada satu pixel terdapat satu hingga 4 transistor. Karena
transistor berukuran kecil, maka jumlah uatan yang dibutuhkan untuk mengendalikannya
juga kecil sehingga pengambilan ulang layar bisa sangat cepat. (Fianti, 2017)
Layar LCD TFT dan alasan Mengapa Harus Menggunakannya Dalam Teknologi Display.
 Penggunaan dari layar LCD TFT (thin film transistor)ini sudah mendapatkan reaksi yang
baik dan popularitas selama bertahun-tahun ,dengan munculnya teknologi yang tinggi
berupa komputer ,laptop,televisi,smartphone dan gadget lainnya. Modulasi dari LCD TFT
menggunakan teknologi kompleks dan canggih yang memungkinkannya memberikan
pencahayaan homogen pada layar, membuat kualitas gambar menjadi lebih baik. Selain
pengguna gadget, bisnis dan perusahaan juga bisa memanfaatkan teknologi yang dapat
membantu produktivitas ini.
Berikut adalah alasan utama menggunakan LCD TFT :
 Penghematan Pada Ruangan
Monitor LCD TFT tidak terlalu besar. Maka dapat dengan mudah dibawa dan
dipindahkan. Dan bahkan bisa dipasang dinding. Artinya, tidak menempati banyak ruang,
memungkinkan untuk memanfaatkannya dan mengaturnya.
 Konsumsi Energi Yang Rendah
Dapat menghemat uang untuk tagihan listrik dengan layar LCD TFT .Dikarenakan
menggunakan jutaan piksel yang memberikan penerangan yang akurat dengan lebih
sedikit listrik, ini lebih hemat energi daripada monitor CRT. Ini mengkonsumsi energi
78% lebih sedikit. Mengingat hal ini, perusahaan dapat memanfaatkan sumber daya
mereka dengan lebih baik.
 Kualitas Gambar Lebih Tinggi
Visual yang dihasilkan oleh layar LCD TFT lebih tajam daripada monitor CRT. Setiap
piksel dalam LCD TFT aktif, mencegah kedipan dan distorsi. Ini berarti Anda bisa
mendapatkan gambaran yang lebih jelas, yang diperlukan untuk bekerja. Gambar yang
buram di layar dapat memengaruhi produktivitas seseorang. Ini juga bagus untuk
membantu menghindari sakit kepala, kelelahan mata, dan mual yang disebabkan oleh
terlalu banyak paparan komputer yang menghasilkan gambar berkualitas rendah.
 Mempunyai Dua Kegunaan
Kemampuan beradaptasi adalah alasan mengapa desainer grafis dan web lebih memilih
layar LCD TFT. Teknologi tersebut cocok dengan konfigurasi monitor ganda. Artinya,
komputer yang mumpuni dapat memiliki dua monitor yang dapat Anda gunakan secara
bersamaan. Ini dapat membantu mempercepat pekerjaan Anda karena Anda tidak harus
 beralih antar-jendela di satu layar. Anda dapat melihat dan mengerjakan dokumen utama
di satu layar dan menggunakan layar lainnya untuk tugas lainnya.

II. PRINSIP KERJA TFT

Gambar 6. Layar Kristal Cair TFT

TFT adalah layar Kristal cair matriks aktif yang teknisnya digerakkan oleh metod
e “matriks aktif “. Metodenya yaitu menggunakan teknologi film tipis untuk membuat ele
ktroda transistor,dan menggunakan metode pemindaian untuk “ menarik secara aktif “ unt
uk :actively pull” atau “ menarik secara aktif” untuk membuka setiap titik tampilan di lay
ar. Ketika sumber cahaya diiradiasi,sumber cahaya mula-mula menembus ke atas melalui
pelat polarisasi yang lebih rendah ,dan cahaya ditranmisikan oleh molekul cairan kristal l
alu tujuan tampialn tercapai dengan melindungi dan mentransmisikan cahaya.

Saat ini banyak dari ponsel layar warna atau smarthphone mendukung 6.5532 tam
pilan warna,bahkan ada beberapa yang mendukung 160.000 tampilan warna. Keunggulan
kontras yang tinggi dan kaya akan warna dari TFT saat ini sangat penting. Komponen uta
ma dari TFT tipe layar cairan kristal (TFT -type liquid crystal display )meliputi : tabung f
louresen(fluorescent tubes),pelat pemandu cahaya(light guide plates),pelat polarisasi(pola
rizing plates),pelat filter(filter plates),substrat kaca(glass substrates),film pelurusan(align
ment films),bahan kristal cair(liquid crystal materials),transistor mode tipis(thin-mode tra
nsistors),dan lain-lain.Dibandingkan dengan STN,TFT mempunyai saturasi warna yang sa
ngat baik ,kemampuan kontras dan reduksi yang sangat tinggi ,namun kerugiannya adalah
mengkonsumsi lebih banyak daya dan juga lebih mahal.

Bagaimana TFT bekerja ?

Untuk memahami prinsip keja dari TFT, kita harus terlebih dahulu memahami car
a kerja dari LCD, dikarenakan keduanya saling berkaitan satu sama lain. Terdapat dua jen
is LCD, yaitu matriks aktif dan matriks pasif. Layar terdiri atas pixel yang dapat memanc
arkan cahaya. Setiap pixel mempunyai satu hingga empat transistor. yang mencakup kapa
sitor yang akan memberikan kemampuan pada masing masing sup pixel untuk mempertah
ankan muatannya. Sehingga, tampilan pada LCD TFT menjadi lebih responsif. Prinsipnya
ketika "tirai" dibuka, maka cahaya akan masuk dan cahaya tidak akan masuk ketika ditutu
p. Pixel ini terbagi menjadi 3 bagian yaitu ada yang berwarna merah, hijau, dan biru. Uku
ran pixel dapat menentukan kualitas dari gambar yang akan dihasikan. Semakin kecil uku
rannya, maka semakin bagus juga gambar yang akan dihasilkan. Seperti namanya LCD (li
quid Crystal Display) menggunakan kristal cair untuk memanipulasi cahaya. Karakteristik
kristal cair diaplikasikan pada teknologi ini, yaitu krital cair akan mencair jika dipanaskan
dan mengkristal jika didinginkan. LCD TFT yang berwarna mempunyai transistor yang te
rdiri dari film tipis silikon amorft yang diletakan pada atas kaca yang berfungsi sebagai ka
tup katrol.Katup katrol ini akan memberikan tegangan yang telah ditentukan pada kristal c
air untuk setiap sub pixel. Sehingga, layar LCD TFT disebut sebagai matriks aktif. Jika ti
dak ada tegangan, struktur molekul akan berada di kondisi normal dan diputar 90°. Hal in
i menyebabkan cahaya yang dipancarkan oleh backlight dapat melewati struktur alat. Sed
angkan, jika diberikan tegangan dan medan listrik akan terbentuk sehingga kristal cair dip
utarkan secara vertikal hingga sejajar. Cahaya yang telah terpolasirasi akan diserap dan te
rpolarisasi kembali oleh karena itu cahaya tidak dapat meninggalkan tampilan TFT dalam
posisi ini.

Jadi kesimpulannya,panel TFT - LCD adalah layar transmisif: piksel tidak menyala sendiri.
Faktanya, di pelat belakang terdapat lampu latar “backlight” yang menerangi lapisan yang
berisi cairan kristal. Sel LC bertindak seperti daun jendela untuk cahaya yang datang dari
lampu latar.Ketika tidak ada tegangan yang diterapkan ke sel LC: cahaya terpolarisasi
memasuki sel LC dan molekul LC memutar rencana polarisasi cahaya untuk melewati
polarizer kedua di pelat depan (polarizer 1 dan 2 memiliki perbedaan 90 ° rencana
orientasi). Faktanya, ketika kristal cair nematik bengkok disuperposisikan pada lapisan
yang berbeda, sedikit penyimpangan dalam orientasi LC akan terjadi antara dua lapisan
berikutnya (itulah mengapa disebut LC nematik "bengkok"). Jadi dari sisi belakang sel LC
ke sisi depan, orientasi molekul berubah dari 90 °. Meskipun pola polarisasi cahaya akan
mengikuti orientasi molekul LC, polarisasi cahaya juga akan berputar 90 °. Di sisi lain,
ketika tegangan diterapkan ke lapisan LC, orientasi molekul LC mengikuti orientasi medan
listrik. Akibatnya mereka tidak lagi memutar rencana polarisasi cahaya dengan jumlah
yang sesuai yang dibutuhkan untuk melewati polarizer depan. Akibatnya cahaya tidak bisa
melewati polarizer depan dan piksel tampak gelap.Layar TFT-LCD adalah struktur seperti
sandwich. Dari pelat belakang ke pelat depan kami memiliki: lampu belakang (tabung
pelepasan) yang menerangi polarizer pertama. Kemudian kami memiliki sel LC yang
dipenjara di antara dua lapisan konduktor di ITO. Permukaan belakang ITO dibagi menjadi
titik-titik konduksi dan masing-masing digerakkan oleh transistor film tipis.

Substrat pada TFT memiliki peran utama sebagai pemberi dukungan mekanis pada
struktur perangkat dan hal tersebut tidak mengganggu karakteristik kelistrikan
transistor. Struktur jenis ini memiliki kegunaan utama sebagai sakelar elektronik, memiliki
arus antara dua elektroda (drain dan source) yang dikendalikan oleh tegangan yang
diterapkan ke gate elektroda yang dipisahkan dari elektroda drain dan source oleh lapisan
dielektrik yang terisolasi. Idealnya, arus yang mengalir melalui elektroda gate (𝐼𝑔 ) harus
sangat kecil sehingga nilainya dapat diabaikan ketika dibandingkan dengan arus antara
drain dan source (𝐼𝐷𝑆 ), dan dapat divariasikan beberapa kali lipat dengan cara
memvariasikan nilai tegangan gate (𝑉𝑔 ). Arus drain-source mengalir dalam bidang arah
film, tegak lurus dengan tegangan gate, dan juga bergantung pada tegangan drain-source
(𝑉𝐷𝑆 ). Drain-source elektroda biasanya dibentuk oleh dua garis logam paralel panjang yang
dipisahkan oleh jarak 𝐿. Jarak tersebut dikenal sebagai panjang saluran. Sedangkan lebar
saluran (𝑤) merupakan jarak yang tumpang tindih dari drain dan source elektroda di bidang
film.
 Gambar 7. Most common electrode configuration for thin-film transistors: (a) top-gate,
bottom-contact; (b) top-gate, top-contact; (c) bottom-gate, top-contact and (d) bottom-gate,
bottom-contact.
Thin-Film Transistor dapat dibangun dengan berbagai cara, yaitu dengan empat struktur dasar
yang berbeda seperti yang digambarkan pada Gambar 7, posisi elektroda relatif terhadap
lapisan semikonduktor aktif. Dalam konfigurasi top-gate, bottom-contact (TGBC) ( Gambar
7 a), drain dan source elektroda dapat diendapkan dengan fotolitografi lift-off atau penguapan
termal shadow mask langsung ke substrat. Serta lapisan isolasi harus diendapkan ke lapisan
semikonduktor.
Kemudian pada Gambar 7 b) terdapat konfigurasi top-gate, top-contact yang tidak jauh
berbeda dengan konfigurasi TGBC, bahkan memiliki batasan yang sama mengenai deposisi
lapisan dielektrik. Hanya saja, pada konfigurasi ini drain dan source elektroda disimpan ke
lapisan semikonduktor. Pada Gambar 7 c) terdapat konfigurasi bottom-gate yang memiliki
tiga tahapan umum yaitu substrat, elektroda gate dan lapisan dielektrik. Akan sangat mudah
ketika hanya lapisan aktif semikonduktor yang diubah. Namun, struktur ini tidak sesuai untuk
digunakan pada lapisan dielektrik yang tidak mendukung suhu yang lebih tinggi dari suhu
pengendapan lapisan semikonduktor atau tidak tahan terhadap pelarut yang digunakan untuk
mengendapkan lapisan aktif.
Kinerja listrik thin-film transistor dapat dievaluasi oleh dua kurva karakteristik arus-tegangan,
yaitu, kurva output dan kurva transfer. Kurva output ditentukan oleh arus drain-source (𝐼𝐷𝑆 )
versus tegangan drain-source (𝑉𝐷𝑆 ) pada nilai konstan yang berbeda dari tegangan gate (𝑉𝑔 ),
sedangkan kurva transfer diperoleh dengan mengukur arus drain-source (𝐼𝐷𝑆 ) versus tegangan
gate (𝑉𝑔 ) pada nilai konstan yang berbeda dari tegangan drain-source (𝑉𝐷𝑆 ). Dalam
konfigurasi TFT, konduktansi saluran antara drain dan source elektroda tergantung pada
jumlah pembawa muatan bebas pada saluran transistor, yang dapat dikontrol dengan
penerapan tegangan bias pada elektroda gate.
Jika material semikonduktor yang digunakan adalah tipe-n, elektron bebas akan terakumulasi
di sebelah antarmuka semikonduktor/dielektrik ketika tegangan positif diterapkan pada
elektroda gate dan meningkatkan konduktansi saluran. Semakin tinggi bias gerbang positif,
maka semakin konduktif saluran transistor. Sedangkan, untuk bias gerbang negatif, elektron
bebas ditolak dari antarmuka semikonduktor/dielektrik, sehingga akan mengurangi kerapatan
pembawa muatan bebas di saluran transistor (rezim penipisan) dan mengakibatkan
berkurangnya konduktansi saluran dan arus saluran menjadi negative 𝑉𝑔 bahkan nilainya
hampir dapat diabaikan jika dibandingkan dengan arus untuk positif 𝑉𝑔 . Untuk semikonduktor
tipe-p, mayoritas pembawa muatan bebas adalah hole dan transistor berada dalam rezim
akumulasi (saluran konduktif) ketika bias negatif diterapkan ke elektroda gerbang dan berada
dalam rezim penipisan (saluran resistif) ketika bias positif diterapkan ke elektroda gerbang.
Ketergantungan nilai 𝐼𝐷𝑆 pada 𝑉𝐷𝑆 rendah, dapat dikatakan linier, karena, nilai 𝑉𝑔 jauh lebih
tinggi dari 𝑉𝐷𝑆 dan dengan tidak adanya muatan tetap yang cacat pada antarmuka
semikonduktor / dielektrik, distribusi saluran mayoritas pembawa muatan bebas hampir
seragam. Seiring dengan meningkatnya nilai 𝑉𝐷𝑆 , nilai 𝐼𝐷𝑆 akan mulai menyimpang dari
perilaku linier karena muatan di dekat elektroda saluran dikurangi potensial
semikonduktor. Pada tegangan drain-source tertentu, akumulasi muatan di sebelah elektroda
saluran berkurang mendekati nol, atau dinamakan titik pinch-off. Namun, tegangan pada titik
pinch-off tetap hampir konstan. Sehingga ketika tegangan melebihi pembentukan titik pinch-
off (𝑉𝑠𝑎𝑡 )diterapkan, jumlah muatan yang sampai pada titik tersebut tetap sama meskipun ada
pengurangan pada panjang saluran efektif. Dapat disimpulkan bahwa pada saat 𝑉𝐷𝑆 lebih
tinggi dari 𝑉𝑠𝑎𝑡 , arus saluran mencapai rezim saturasi.
 Gambar 8. Characteristic curves of TFTs (a) output curves with characteristic linear and
1⁄
saturation regions; (b) transfer curve and 𝐼 2 versus 𝑉𝑔 (linear scale) extrapolation of
𝑉𝑡ℎ and slope for saturation mobility determination;.
Arus drain-source dalam rezim linier dapat ditentukan dengan persamaan :
𝑤𝜇𝐶𝑜𝑥 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷𝑆,𝑙𝑖𝑛 = (𝑉𝑔 − 𝑉𝑡ℎ − ) 𝑉𝐷𝑆 untuk 𝑉𝐷𝑆 ≪ (𝑉𝑔 − 𝑉𝑡ℎ ) ...................................... (1)
𝐿 2

Dengan 𝜇 merupakan mobilitas pembawa muatan, 𝐶𝑜𝑥 merupakan kapasitansi per satuan luas
𝑘𝜀0⁄
lapisan gate dielektrik (𝐶𝑜𝑥 = 𝐶⁄𝐴 = 𝑑 ), dimana 𝜀0 adalah permitivitas vakum, 𝑘 adalah
konstanta dielektrik dari lapisan isolasi dan 𝑑 adalah ketebalannya.
Kemudian 𝑉𝑡ℎ adalah ambang tegangan, yaitu tegangan yang terkait dengan adanya perangkap
bermuatan pada interface semikonduktor / dielektrik dan perbedaan fungsi kerja antara
semikonduktor dan bahan dielektrik, yang diperlukan untuk mencapai kondisi pita datar pada
saluran transistor.
Arus saluran dalam rezim saturasi, dapat ditentukan dengan persamaan :
𝑤𝜇𝐶𝑜𝑥 2
𝐼𝐷𝑆,𝑠𝑎𝑡 = (𝑉𝑔 − 𝑉𝑡ℎ ) untuk 𝑉𝐷𝑆 ≫ (𝑉𝑔 − 𝑉𝑡ℎ ) ..................................................... (2)
𝐿

Dari persamaan di atas, berarti bahwa akar kuadrat dari arus saluran bergantung secara linier
1⁄
pada tegangan gate. Akibatnya, sebuah plot dari (𝐼𝐷𝑆 ) 2 versus 𝑉𝑔 (kurva dengan warna biru
pada Gambar 2.2 b ) dapat memberikan garis lurus yang memotong absis di 𝑉𝑡ℎ dan
kemiringan yang menghasilkan transistor transkonduktansi, 𝑔𝑚 :
𝜕√𝐼
𝑔𝑚 = [ 𝜕𝑉 𝐷] ....................................................................................................... (3)
𝑔
𝑉𝐷𝑆 =𝑐𝑡𝑒

Menggabungkan dengan persamaan. (2) , mobilitas pembawa dalam rezim saturasi dapat
dihitung dengan persamaan:
 2
𝜕√𝐼𝐷
2𝐿( )
𝜕𝑉𝑔
𝜇𝑠𝑎𝑡 = .............................................................................................................. (4)
𝑤𝐶𝑜𝑥

Meskipun mobilitas pembawa dalam TFT dapat diperoleh dalam kondisi yang berbeda, rezim
saturasi sangat penting pada operasi transistor, mobilitas saturasi dan 𝑉𝑡ℎ digunakan sebagai
salah satu parameter yang relevan mengevaluasi kinerja transistor.
Karena TFT juga dapat digunakan sebagai sakelar elektronik, maka parameter kelistrikan lain
yang berkenaan dengan kapasitas pensaklaran juga digunakan untuk mengevaluasi kinerja
transistor, seperti:
𝐼
(1) Rasio atau perbandingan 𝑜𝑛/𝑜𝑓𝑓 ( 𝑜𝑛⁄𝐼 )
𝑜𝑓𝑓

Rasio 𝑜𝑛/𝑜𝑓𝑓 ini ditunjukkan pada kurva transfer Gambar 2.2 b , mewakili rasio antara
arus saluran ketika transistor dalam mode konduksi (𝐼𝑜𝑛 ) dan saat dimatikan (𝐼𝑜𝑓𝑓 ). Sejak
nilai ideal 𝐼𝑜𝑓𝑓 mencapai minimal (untuk menghindari konsumsi daya saat tidak
𝐼𝑜𝑛
beroperasi), rasio ⁄𝐼 harus setinggi mungkin. Nilai rasio 𝑜𝑛/𝑜𝑓𝑓 yang baik adalah
𝑜𝑓𝑓

di atas 105 − 106 .

(2) Tegangan onset (𝑉𝑜𝑛 )
Tegangan awal didefinisikan sebagai tegangan gate yang diperlukan untuk sakelar
transistor dari keadaan off ke on dan dapat langsung ditentukan dari kurva transfer
pada Gambar 2.2 b.
(3) Ayunan subthreshold (𝑆𝑆).
Tegangan subthreshold (yang diukur dalam volt / dekade) dapat ditentukan dengan
persamaan:
𝜕𝑉𝑔
𝑆𝑆 = [𝜕 log(𝐼 ] ............................................................................................ (5)
𝐷𝑆 ) 𝑚𝑖𝑛

Selain dari persamaan di atas, nilai ayunan subthreshold juga dapat ditentukan dari data
kurva transfer. Hal tersebut memberikan informasi tentang seberapa banyak tegangan
gerbang yang dibutuhkan untuk membuat arus sumber-drain meningkat dengan faktor 10.
Sehingga, semakin rendah nilai tersebut, maka kinerja transistor akan semakin baik.
Pada TFT LCD, masing-masing pixel dikontrol oleh satu hingga empat transistor, sehingga
sering disebut active-matrix TFT. Setiap pixel memiliki kemampuan untuk memancarkan
warna yang sesuai dengan bantuan backlight berupa lampu flourescent atau LED warna putih.
Masing-masing pixel terdiri atas 3 sub-pixel dengan warna-warna primer yaitu merah, hijau
dan biru. Menurut teori warna pigmen dari Brewster, warna primer didefinisikan sebagai
warna-warna dasar. Dan warna-warna lain dapat dihasilkan dari kombinasi warna-warna
primer. Setiap sub-pixel tersebut dikendalikan oleh sebuah TFT.

Gambar 9. Struktur Pixel LCD TFT

Warna-warna lain selain warna primer dapat dihasilkan dengan mengatur tegangan atau arus
atau bias ke setiap TFT. Pada saat tidak ada tegangan yang diterapkan ke sel liquid crystal,
cahaya akan terpolarisasi memasuki sel LC dan molekul dari LC akan memutar rencana
polarisasi cahaya untuk melewati polarizer kedua di pelat depan karena polarizer 1 dan 2
memiliki perbedaan rencana orientasi sebesar 90°. Ketika twisted-nematic liquid crystal
disuperposisikan pada lapisan yang berbeda, akan terjadi sedikit penyimpangan dalam
orientasi LC antara dua lapisan tersebut. Jadi dari sisi belakang sel LC ke sisi depan, orientasi
molekul berubah dari 90°. Meskipun pola polarisasi cahaya akan mengikuti orientasi molekul
LC, polarisasi cahaya juga akan berputar 90°.
 Gambar 10 TFT-LCD
Ketika tegangan diterapkan ke lapisan LC, orientasi molekul LC mengikuti orientasi medan
listrik. Akibatnya mereka tidak lagi memutar rencana polarisasi cahaya dengan jumlah yang
sesuai untuk melewati polarizer depan sehingga cahaya tidak bisa melewati polarizer depan
dan pixel tampak gelap.
Pada sebuah TFT LCD dari pelat belakang ke pelat depan terdapat lampu belakang (tabung
pelepasan) yang menerangi polarizer pertama. Kemudian terdapat sel LC yang terletak di
antara dua lapisan konduktor di ITO. Permukaan belakang ITO dibagi menjadi titik-titik
konduksi dan masing-masing digerakkan oleh thin-film transistor.
 Gambar 11. Struktur TFT-LCD

III. PROSPEK MASA DEPAN (FUTURE PROSPECT)TFT

1. Transistor Film Baru Untuk Detektor Sinar-X Digital Yang Dikembangkan Oleh
LG Display
 Gambar 12. Transistor Film Baru Untuk Detektor Sinar-X Digital

LG display mengatakan bahwa mereka telah mengembangkan transistor film tipis (TFT)
baru untuk detector sinar-X digital yang memungkinkan pembuatan dalam film gambar
memiliki resolusi yang tinggi,dengan demikian dapat mengurangi paparan radiasi. Pada
pengaplikasiannya TFT dalam detector sinar –X digital berguna atau digunakan untuk
mengubah gambar sinar-X menjadi file yang bersifat digital. Versi lama TFT untuk
detector di pasaran rata-rata menggunakan silikon amorf yang mempunyai kekurangan
rentan terhadap kebidingan dan mempunyai tingkat pergerakan electron yang
lambat.Sedangkan TFT terbaru menggunakan oksida, dengan kelebihan noise berkurang
sepersepuluh dan pergerakan electron seratus kali lebih cepat. Hal tersebut memungkinkan
untuk pembuatan film gambar dengan resolusi yan tinggi dan video berkecepatan tinggi.
Jadi,detector sinar-X yan baru akan dapat digunakan atau dapat dioperasikan. TFT yang
baru juga mengurangi paparan dari radiasi detector lebih dari 50 % dan meningkatkan
kinerja dari perangkat sinar-X portable keluaran rendah yang digunakan di luar ruangan.

Prospek TFT baru ini datang karena permintaan akan detector sinar-X digital yang terus
meningkat selama pandemic COVID-19 saat ini. LG Display telah memasok TFT baru ke
perusahaan solusi pencitraan diagnostik sinar-X Korea Selatan, Drtech dan juga telah
menandatangani beberapa kontrak pasokan dengan perusahaan sinar-X global.

2. Prospek dan Batasan Transistor Film Tipis Organik (OTFT)

Penerapan ,pemodelan,dan fabrikasi dari transistor organik (OT) telah mengalami

perkembangan dan kemajuan yang sangat cepat selama sepuluh tahun terakhir. Organic
Thin Film Transistors (OTFTs) menarik perhatian sekarang ini karena kegunaanya yang
cukub besar. OTFTs dapat dibuat pada suhu yang lebih rendah dan juga secara signifikan
dapat mengurangi biaya dibandingkan dengan Transistor Film Tipis Silicon Amorf
Hidrogenasi (a-Si : H TFTs). Fabrikasi dari OTFT pada suhu rendah ini memungkinkan
pemanfaatan berbagai substrat ,sehingga memungkinkan penggunaan transistor organic
 sebagai pilihan di masa depan untuk berbagai aplikasi elektronik berbiaya rendah yang
memerlukan ubstrat polimer yang flekssibel seperti RFID tags, kartu pintar,kertas
elektronik,dan active matrix flat panel displays. Meskipun teknologi OTFT berada di
ambang komersialisasi, namun masih menghadapi sejumlah tantangan yang membutuhkan
pemahaman mendasar pada fabrikasi, kimia material dan fisika perangkat untuk membuat
kemajuan yang signifikan.Struktur, Bahan dan Fabrikasi OTFT.OTFT merupakan
transistor yang terdiri dari arus film tipis yang membawa semikonduktor organik (OSC),
lapisan isolator dan tiga elektroda. Dua elektroda, sumber (S) dan drain (D) bersentuhan
langsung dengan semikonduktor organik dan yang ketiga, elektroda gerbang (G) diisolasi
dari semikonduktor dengan isolator dielektrik. Struktur perangkat tidak hanya ditentukan
oleh mode operasinya tetapi juga oleh masalah dan batasan yang timbul dari proses
pembuatannya. Pertama, perbedaan utama antara geometri MOSFET konvensional dan
OTFT adalah bahwa yang tidak memiliki terminal keempat yaitu tubuh, sehingga membuat
transistor ini bebas dari efek benda. Kedua, pada MOSFET kanal konduksi dibentuk oleh
lapisan inversi sedangkan pada OTFT dibentuk oleh lapisan akumulasi. Perkembangan
struktur yang berbeda menimbulkan motivasi untuk meningkatkan kontrol elektrostatis
gerbang (G) di atas saluran konduksi organik (seperti pentacene) serta untuk mengurangi
resistansi kontak di daerah sumber dan drain.

3. Teknologi Transistor Film Tipis — Dulu, Sekarang, dan Masa Depan

Sejarah perkembangan TFT sama tuanya seperti pada mosfet modern.

Gambar 13.History of TFT

 Gambar 14. TFT LCD

TFT LCD memiliki banyak ruang pertumbuhan di masa depan. Kinerja LCD TFT saat ini
sudah cukup memuaskan bagi sebagian besar konsumen, namun biaya produksi dapat lebih
ditekan. Sulit untuk memprediksi di area atau produk mana TFT akan berdampak besar di
masa depan. Namun, semua perkembangan baru akan didasarkan pada karakteristik TFT.
Misalnya, TFT dapat dibuat pada berbagai jenis substrat yang rigid maupun fleksibel, dengan
kata lain tidak diperlukan single crystal wafer. Selama dapat bertahan dalam proses fabrikasi,
tidak ada batasan ukuran atau sifat material substrat dalam pembuatan TFT. Karena TFT dapat
dibuat dari berbagai macam material semikonduktor dan dielektrik dengan struktur dan bentuk
yang dapat disesuaikan. Dengan kematangan teknologi TFT di awal tahun 90-an serta
perkembangan panel datar layar LCD berwarna, TFT LCD dapat menjadi display
utama. Dengan fitur utamanya:
a. Karakteristik penggunaan yang baik
Penggunaan pada tegangan rendah, mengemudi pada tegangan rendah,tingkat keamanan
penggunaan.dan reabilitas yang dapat ditingkatkan adalah layar datar dan tipis sehingga
dapat menghemat banyak bahan baku dan penggunaan ruang. Hal tersebut akan berdampak
pada konsumsi daya rendah sehingga dapat menghemat banyak energi. Kemudian display
range dari 1 inci hingga 40 inci dapat menampilkan semua rentang aplikasi dengan
tampilan ukuran penuh, menampilkan kualitas tampilan dari grafik dari karakakter yang
monokoromatik paling sederhana hingga resolusi yang tinggi, ketepatan warna yang tinggi,
kecerahan yang tinggi, kontras tinggi, kecepatan dan respons tinggi.
b. Perlindungan lingkungan yang baik
Dengan teknologi TFT yang baru, tidak akan ada lagi radiasi dan flicker, sehingga tidak
membahayakan kesehatan pengguna.
c. Cakupan aplikasi yang luas
TFT tidak hanya dapat digunakan sebagai tampilan seluler, tetapi juga dapat digunakan
sebagai TV proyeksi layar besar.
d. TFT-LCD mudah diintegrasikan dan diperbarui
Dengan adanya TFT-LCD silikon amorf, polikristalin dan monokristalin, akan ada bahan
lain dalam pembuatan TFT di masa depan, baik substrat kaca maupun substrat plastik. TFT
dapat dibuat menjadi logika, memori, dan sirkuit I / O yang terintegrasi dengan sensor,
pencitra, display, dan lain-lain pada substrat besar.
TFT dari berbagai struktur dan bahan penyusun dapat dengan mudah dimodifikasi atau
dihubungkan ke perangkat lain untuk mendeteksi atau menghasilkan perubahan sifat kimia,
biologi, optik, magnet, radioaktif, dan lainnya melalui pengendalian pengangkutan
pembawa muatan, emisi foton, dan lain-lain. Perangkat dapat tertanam di lingkungan padat,
cair ataupun gas.
e. Fleksibel
TFT dapat dibentuk dari substrat yang dapat ditekuk, misalnya polimer atau logam. TFT
ini dapat digunakan dalam tampilan, pencitra, protesa buatan, instrumen, dan lain lain
tergantung pada aplikasi spesifik. Terdapat banyak demonstrasi bahwa TFT berhasil dibuat
pada substrat yang besar dan fleksibel melalui proses vakum maupun non-vakum. Namun,
tantangan utamanya adalah reabilitas, terutama penurunan karakteristik perangkat
sehubungan dengan kelengkungan dan frekuensi tekukan.
Dalam waktu dekat, kemajuan teknologi TFT kemungkinan masih akan didorong oleh
industri LCD. Namun, produk TFT baru di bidang elektronik fleksibel, sirkuit terintegrasi,
senso dapat direalisasikan setelah tantangan demi tantangan teratasi. Singkatnya, TFT
adalah konfigurasi transistor solid state serbaguna yang dapat diterapkan ke berbagai
produk dengan sedikit batasan pada ukuran substrat atau pilihan material.
Beberapa waktu lalu, sebuah perusahaan telah mengembangkan thin-film transistor (TFT)
baru untuk detektor sinar-X digital yang memungkinkan pembuatan film gambar resolusi
tinggi. TFT dalam detektor sinar-X digital digunakan untuk mengubah gambar sinar-X
menjadi file digital. Dengan adanya pengembangan ini, paparan radiasi dapat diminimalisir
lebih dari 50% dan meningkatkan kinerja perangkat sinar-X portabel keluaran rendah yang
digunakan di luar ruangan.
TFT versi lama masih menggunakan silikon amorf yang rentan terhadap kebisingan dan
memiliki tingkat pergerakan elektron yang lambat. Sedangkan TFT terbaru menggunakan
oksida, sehingga kemunculan noise dapat berkurang sepersepuluh dan elektron bergerak
seratus kali lebih cepat. Hal ini memungkinkan untuk pembuatan film gambar resolusi
tinggi dan video kecepatan tinggi
IV. DAFTAR PUSTAKA

Huda, A., & Yani, N. (2014). PEMANFAATAN ELEMEN PEMANAS SEBAGAI ALAT
SABLON DIGITAL DENGAN MENGGUNAKAN TIMER DAN DIDUKUNG
OLEH BAHASA PEMOGRAMAN BORLAND DELPHI 7.0. JURNAL
TEKNOLOGI INFORMASI & PENDIDIKAN, 178-179.
João P. Braga, Guilherme R. De Lima, Giovani Gozzi and Lucas Fugikawa Santos (November
5th 2018). Electrical Characterization of Thin-Film Transistors Based on Solution-
Processed Metal Oxides, Design, Simulation and Construction of Field Effect
Transistors, Dhanasekaran Vikraman and Hyun-Seok Kim, IntechOpen, DOI:
10.5772/intechopen.78221. Available from:
https://www.intechopen.com/books/design-simulation-and-construction-of-field-
effect-transistors/electrical-characterization-of-thin-film-transistors-based-on-
solution-processed-metal-oxides
Kuo, Y. (2013). Thin Film Transistor Technology—Past, Present, and Future. The
Electrochemical Society Interface, 55-60.
Saputra. M. Adrian. 2017. APLIKASI TFT LCD (THIN FILM TRANSISTOR LIQUID
CRYSTAL DISPLAY) PADA KURSI RODA ELEKTRIK BERBASIS ARDUINO
MEGA 2560. Tugas Akhir. Teknik Elektronika, Politeknik Negeri Sriwijaya,
Palembang.
Surjono, H. D. (2008). Elektronika Analog. Jember: Penerbit Cerdas Ullet Kreatif.
Sutrisno. 1986. Elektronika Teori dan Penerapannya. Bandung : ITB.

Guo, X., & all, e. (2017). Current Status and Opportunities of Organic Thin-Film Transistor
Technologies. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1-16.

Panasys. (2017, 17 Februari). Brief Introduction Of TFT. diakses pada 06 April 2021, dari
http://www.panadisplay.com/news/brief-introduction-of-tft-4364710.html