Anda di halaman 1dari 22

PHOTODETECTOR NOISE

Ref : Keiser

1
Noise Detektor Foto
S Daya sinyal dr arus foto
--- = ------------------------------------------------------------------
N Daya noise detektor foto + daya noise penguat
Sumber noise di penerima meningkat dr noise detektor foto
akibat dr sifat alami proses konversi photon-elektron dan
noise termal di sirkit penguat.

Utk mendapatkan S/N tinggi :


(a) Detektor foto harus memiliki efisiensi kuantum yg
tinggi utk membangkitkan sinyal besar.
(b) Noise detektor foto dan penguat harus sekecil
mungkin.

Sensitivitas detektor foto : daya optis minimal yg dpt


dideteksi.
2
Sumber Noise

(a) Model sederhana penerima detektor foto.


(b) Sirkit ekivalen

Rs : tahanan seri kecil (Rs << RL) Î dlm praktek diabaikan


Cd : kapasitansi total (junction + wadah)
RL : tahanan bias atau beban
Ca : kapasitansi input penguat
Ra : tahanan input penguat
3
Arus foto primer dibangkitkan :
ηq
i ph (t ) = P (t )
hf
P(t) : Daya optis sinyal bermodulasi

Arus foto primer terdiri dr arus dc Ip, arus foto rata2


berasal dr daya sinyal dan komponen sinyal ip(t).
Utk dioda pin arus sinyal mean square :

is2 = i p2 (t )
Utk dioda avalanche arus sinyal mean square :

is2 = i p2 (t ) M 2
4
Utk sinyal input bervariasi sinusoida dgn indeks
modulasi m, komponen sinyal :

m2 2
i (t )
2
p = Ip
2
m : indeks modulasi

Noise detektor foto tanpa internal gain :


(a) Quantum/shot noise Î sifat alami statistik
(b) Durk current Î tdk ada cahaya datang
(c) Surface leakage current Î kerusakan permukaan

5
Arus noise kuantum mean square :

iQ2 = 2qI p BM 2 F (M )

B : Lebar pita
F(M) : noise figure
F(M) = Mx , 0 ≤ x ≤ 1,0, tergantung bahan
Detektor pin Î M = 1, Î F(M) = 1

Arus bulk dark mean square :

2
iDB = 2qI D BM 2 F (M )
ID : arus bulk dark detektor primer (tanpa perkalian)

6
Surface leakage current (surface dark current) mean square:

i 2
DS = 2qI L B
IL : arus bocor permukaan

Arus noise detektor foto total mean square :

iN2 = iQ2 + iDB


2
+ iDS
2

iN2 = 2q(I P + I D )BM 2 F (M ) + 2qI L B


Utk penyederhanaan Ra >> RL Î kontribusi tahanan beban
detektor foto :
4 k BT
i 2
T = B
RL
kB : kontanta Boltzman
7
Perbandingan arus dark dioda foto Si, Ge, GaAs dan InGaAs
sbg fungsi normalisasi teg bias.
8
Perbandingan sinyal thd noise

S i p2 M 2
=
N 2q (I P + I D )BM 2 F (M ) + 2qI L B + 4k BTB / RL

Pin Î noise termal dominan


APD Î noise detektor dominan
F(M) : fungsi M, S : fungsi M2, noise kuantum dan arus dark :
fungsi M2F(M) Î ada harga S/N optimum.

M optimum :
x+2 2qI L + 4k BT / RL
=
xq(I p + I D )
M opt

9
Contoh
Dioda foto pin GaAs memiliki parameter pd panj gel 1300 nm :
ID = 4 nA, η = 0,65, RL = 1000 Ohm dan IL diabaikan.
Daya optis datang 300 nW, lebar pita penerima 20 MHz, T =300o
K.
Hitunglah :
(a) Arus foto primer
(b) Noise2 di penerima.
(c) S/N jika m = 0,8

10
Waktu Respon Detektor

Depletion layer photocurrent

Skema tegangan mundur dioda foto pin

11
Kondisi steady state rapat arus total mengalir
melalui lapisan deplesi tegangan mundur :

J tot = J dr + J diff
Jdr : rapat arus drift dihasilkan oleh carrier yg dibangkitkan
dlm daerah deplesi
Jdiff : rapat arus difusi timbul dr carrier yg dihasilkan diluar
daerah deplesi dlm semikonduktor (daerah n dan p) dan
berdifusi kedalam junction teg mundur.

Rapat arus drift :


J dr =
Ip
A
(
= qφ0 1 − e −α x w )
P0 (1 − R f )
φ0 =
Ahf
A : luas dioda foto
Φ0 : photon flux datang per satuan luas 12
Permukaan lapisan p dioda foto pin umumnya tipis.
Arus difusi akan ditentukan oleh difusi hole dr bulk daerah n.
Difusi hole dapat dihitung dr :

∂ 2 pn pn − pn 0
Dp − + G(x ) = 0
∂x 2
τp
G ( x ) = φ0α s e −α x x
Dp : koefisien difusi
Pn : konsentrasi hole di bahan tipe-n
tp : excess hole life time
Pn0 : rapat hole kondisi seimbang/equilibrium
G(x) : laju pembangkitan elektron-hole

13
Shg rapat arus difusi :

α s Lp −α w Dp
J diff = qφ0 e s
+ qpn 0
1 + α s Lp Lp

Rapat arus total mengalir melalui lapisan


deplesi tegangan mundur :

⎛ e −α s w ⎞ Dp
J tot ⎜
= qφ 0 1 − ⎟ + qpn 0
⎜ ⎟
1 + α s Lp ⎠ Lp

Pn0 umumnya kecil shg arus foto yg dibangkitkan total


sebanding dgn photon flux Φ0
14
Waktu Respon

• Faktor waktu respon dioda foto :


– Waktu transit carrier foto di daerah deplesi
– Waktu difusi carrier fotoyg dibangkitkan diluar daerah
deplesi
– Konstanta waktu RC dioda foto dan sirkit yg berkaitan
• Parameter yg berpengaruh thd faktor tsb :
– Koefisien absorbsi αs
– Lebar daerah deplesi w
– Kapasitansi junction dan dioda foto
– Kapasitansi penguat
– Tahanan beban detektor
– Tahanan masukan penguat
– Tahanan seri penguat

15
Respon dioda foto thd pulsa masukan optis

16
Waktu respon suatu dioda foto yg tidak dideplesi penuh

17
Respon pulsa dioda foto dr berbagai parameter detektor

18
Variasi faktor noise electron excess sbg fungsi dr penguatan
elektron utk berbagai harga perbandingan laju ionisasi efektif keff
19
Pengaruh Suhu pd Penguatan APD

Mekanisme penguatan APD sangat sensitif thd suhu krn


ketergantungan laju ionisasi elektron dan hole.
Ketergantungan tsb sangat kritis pd teg bias tinggi.

1
M =
1 − (V / VB )
n

V = Va − I M RM
VB (T ) = VB (T0 )[1 + a(T − T0 )]
n(T ) = n(T0 )[1 + b(T − T0 )]
20
VB : Teg breakdown saat M menjadi tak hingga
n : tgt material, nilai 2,5 – 7
Va : teg bias mundur detektor
IM : arus foto multiplied
RM : tahanan seri foto dioda dan beban detektor
a, b : konstanta, positip utk RAPD dan ditentukan dr grafik
percobaan penguatan thd suhu.

21
Pengaruh suhu terhadap penguatan APD silikon pd 825 nm

22