PHOTODETECTOR NOISE

Ref : Keiser

Fakultas Teknik Elektro 1

 Noise Detektor Foto
S Daya sinyal dr arus foto
--- = ------------------------------------------------------------------
N Daya noise detektor foto + daya noise penguat
Sumber noise di penerima meningkat dr noise detektor foto
akibat dr sifat alami proses konversi photon-elektron dan
noise termal di sirkit penguat.

Utk mendapatkan S/N tinggi :

(a) Detektor foto harus memiliki efisiensi kuantum yg
tinggi utk membangkitkan sinyal besar.
(b) Noise detektor foto dan penguat harus sekecil
mungkin.

Sensitivitas detektor foto : daya optis minimal yg dpt

dideteksi.
Fakultas Teknik Elektro 2
 Sumber Noise

(a) Model sederhana penerima detektor foto.

(b) Sirkit ekivalen

Rs : tahanan seri kecil (Rs << RL)  dlm praktek diabaikan

Cd : kapasitansi total (junction + wadah)
RL : tahanan bias atau beban
Ca : kapasitansi input penguat
Ra : tahanan input penguat
Fakultas Teknik Elektro 3
Arus foto primer dibangkitkan :
q
i ph (t )  P(t )
hf
P(t) : Daya optis sinyal bermodulasi

Arus foto primer terdiri dr arus dc Ip, arus foto rata2

berasal dr daya sinyal dan komponen sinyal ip(t).
Utk dioda pin arus sinyal mean square :

is2  i p2 t 
Utk dioda avalanche arus sinyal mean square :

is2  i p2 t  M 2
Fakultas Teknik Elektro 4
 Utk sinyal input bervariasi sinusoida dgn indeks
modulasi m, komponen sinyal :

m2 2
i t 
2
p  Ip
2
m : indeks modulasi

Noise detektor foto tanpa internal gain :

(a) Quantum/shot noise  sifat alami statistik
(b) Durk current  tdk ada cahaya datang
(c) Surface leakage current  kerusakan permukaan

Fakultas Teknik Elektro 5

Arus noise kuantum mean square :

iQ2  2qI p BM 2 F M 

B : Lebar pita
F(M) : noise figure
F(M) = Mx , 0 ≤ x ≤ 1,0, tergantung bahan
Detektor pin  M = 1,  F(M) = 1

Arus bulk dark mean square :

2
iDB  2qI D BM 2 F M 
ID : arus bulk dark detektor primer (tanpa perkalian)

Fakultas Teknik Elektro 6

Surface leakage current (surface dark current) mean square:

i 2
DS  2qI L B
IL : arus bocor permukaan

Arus noise detektor foto total mean square :

iN2  iQ2  iDB

2
 iDS
2

iN2  2qI P  I D BM 2 F M   2qI L B

Utk penyederhanaan Ra >> RL  kontribusi tahanan beban
detektor foto :
4 k BT
i2
T  B
RL
kB : kontanta Boltzman
Fakultas Teknik Elektro 7
Perbandingan arus dark dioda foto Si, Ge, GaAs dan InGaAs
sbg fungsi normalisasi teg bias.
Fakultas Teknik Elektro 8
 Perbandingan sinyal thd noise

S i p2 (t ) M 2

N 2qI P  I D BM 2 F M   2qI L B  4k BTB / RL

Pin  noise termal dominan

APD  noise detektor dominan
F(M) : fungsi M, S : fungsi M2, noise kuantum dan arus dark :
fungsi M2F(M)  ada harga S/N optimum.

M optimum :
x2 2qI L  4k BT / RL

xq I p  I D 
M opt

Fakultas Teknik Elektro 9

 Contoh
Dioda foto pin GaAs memiliki parameter pd panj gel 1300 nm :
ID = 4 nA, η = 0,65, RL = 1000 Ohm dan IL diabaikan.
Daya optis datang 300 nW, lebar pita penerima 20 MHz, T =300o
K.
Hitunglah :
(a) Arus foto primer
(b) Noise2 di penerima.
(c) S/N jika m = 0,8

APD dgn parameter tsb, utk x = 0,5

Hitunglah :
(a) Mopt
(b) Arus (foto primer) multiplikasi
(c) Noise2 di penerima
(d) S/Nmaks Fakultas Teknik Elektro 10
 Waktu Respon Detektor

Depletion layer photocurrent

Skema tegangan mundur dioda foto pin

Fakultas Teknik Elektro 11

Kondisi steady state rapat arus total mengalir
melalui lapisan deplesi tegangan mundur :

J tot  J dr  J diff
Jdr : rapat arus drift dihasilkan oleh carrier yg dibangkitkan
dlm daerah deplesi
Jdiff : rapat arus difusi timbul dr carrier yg dihasilkan diluar
daerah deplesi dlm semikonduktor (daerah n dan p) dan
berdifusi kedalam junction teg mundur.

Rapat arus drift :

J dr 
Ip
A

 q0 1  e  s w 
P0 1  R f 
0 
Ahf
A : luas dioda foto
Φ0 : photon flux datangFakultas
per satuan luas
Teknik Elektro 12
Permukaan lapisan p dioda foto pin umumnya tipis.
Arus difusi akan ditentukan oleh difusi hole dr bulk daerah n.
Difusi hole dapat dihitung dr :

 2 pn pn  pn 0
Dp   Gx   0
x 2
p
G x   0 s e  s x
Dp : koefisien difusi
Pn : konsentrasi hole di bahan tipe-n
tp : excess hole life time
Pn0 : rapat hole kondisi seimbang/equilibrium
G(x) : laju pembangkitan elektron-hole

Fakultas Teknik Elektro 13

 Shg rapat arus difusi :

 s Lp  w Dp
J diff  q0 e  qpn 0s

1   s Lp Lp

Rapat arus total mengalir melalui lapisan

deplesi tegangan mundur :

 e  s w  Dp
J tot 
 q0 1    qpn 0
 
1   s Lp  Lp


Pn0 umumnya kecil shg arus foto yg dibangkitkan total

sebanding dgn photon flux Φ0
Fakultas Teknik Elektro 14
 Waktu Respon

• Faktor waktu respon dioda foto :

– Waktu transit carrier foto di daerah deplesi
– Waktu difusi carrier fotoyg dibangkitkan diluar daerah
deplesi
– Konstanta waktu RC dioda foto dan sirkit yg berkaitan
• Parameter yg berpengaruh thd faktor tsb :
– Koefisien absorbsi αs
– Lebar daerah deplesi w
– Kapasitansi junction dan dioda foto
– Kapasitansi penguat
– Tahanan beban detektor
– Tahanan masukan penguat
– Tahanan seri penguat
Fakultas Teknik Elektro 15
Respon dioda foto thd pulsa masukan optis

Fakultas Teknik Elektro 16

Waktu respon suatu dioda foto yg tidak dideplesi penuh

Fakultas Teknik Elektro 17

Respon pulsa dioda foto dr berbagai parameter detektor

Fakultas Teknik Elektro 18

Variasi faktor noise electron excess sbg fungsi dr penguatan
elektron utk berbagai harga perbandingan laju ionisasi efektif keff
Fakultas Teknik Elektro 19
Pengaruh Suhu pd Penguatan APD

Mekanisme penguatan APD sangat sensitif thd suhu krn

ketergantungan laju ionisasi elektron dan hole.
Ketergantungan tsb sangat kritis pd teg bias tinggi.

1
M 
1  V / VB 
n

V  Va  I M RM
VB T   VB T0 1  aT  T0 
nT   nT0 1  bT  T0 
Fakultas Teknik Elektro 20
VB : Teg breakdown saat M menjadi tak hingga
n : tgt material, nilai 2,5 – 7
Va : teg bias mundur detektor
IM : arus foto multiplied
RM : tahanan seri foto dioda dan beban detektor
a, b : konstanta, positip utk RAPD dan ditentukan dr grafik
percobaan penguatan thd suhu.

Fakultas Teknik Elektro 21

Pengaruh suhu terhadap penguatan APD silikon pd 825 nm

Fakultas Teknik Elektro 22