LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA INDUSTRI

D-3 METROLOGI DAN INSTRUMENTASI

KARAKTERISTIK DIODA DAN

LED

NAMA : EDENIA APRILIANI SINULINGGA

NIM 212411039
KELOMPOK III
GELOMBANG :A
ASISTEN : SULTHON MUHAMMAD FITRAH

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

DEPARTEMEN D-3 METROLOGI DAN
INSTRUMENTASI FAKULTAS VOKASI
UNIVERSITAS SUMATERA UTARA
2023
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
DASAR

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Dioda merupakan alat dengan dua terminal dan terbentuk dari dua jenis semikonduktor
(silikon jenis dan jenis p) yang tersambung. Alat ini mampu dialiri oleh arus secara
relektif mudah dalam satu arah, tetapi amatsukar dalam arah kebalikannya. Oleh karena
dioda tersebut nonlinear, maka persamaan diatas merupakan persamaan nonlinear dan
dapat diselesaikan secara grafis dengan dasar titik demi titik. Dengan demikian, rankaian
ini dapat didekati dengan dua rangkaian linear, yang biasanya yang cukup memadai.
Salah satu penyajian rangkaian digunakan untuk kasus yang diodenya mendapat bias
maju, sedangkan yang lain untuk kasus yang diodenya mendapat bias balik. Bila diode
ideal, maka kedua rankaian tersebut sederhana. Beberapa diode, khususnya yang dipakai
dalam suplai daya “yang dihaluskan” , hanya dibutuhkan untuk melewatkan arus selama
jangka waktu yang singkat dalam tiap siklus. Arus selama jangka waktu yang singkat
dalam tiap siklus. Filter penghalus digunakan untuk menghaluskan suplai a.c. yang
diperbaiki ke suatu gelombang kecil. Walaupun pada sebelumnya sudah ada dioda
kristal (semikonduktor) yang dikembangkan oleh para peneliti asal Jerman yaitu Karl
Ferdinan Braun pada tahun 1874, dan dioda termionik pada tahun 1873 yang telah
dikembangkan lagi prinsip kerjanya oleh Frederic Gutherie. Adapun sebuah simbol dioda
yaitu terdapat sebuah panah yang dilengkapi garis melintang di ujung panah tersebut.
Maksud dari panah disini yakni bahwa dia adalah kaki positif (+) sedangkan pada garis
melintang diibaratkan kaki negatif (-).LED merupakan keluarga Dioda yang terbuat dari
bahan semikonduktor. Mari kita bahas lebih dalam tentang Dioda dan LED dibawah ini.

1.2 Tujuan Percobaan

1. Untuk mengambil kesimpulan yang didapat dari tegangan yang diperoleh

daripercobaan
2. Untuk mengetahui karakteristik statik dioda
3. Untuk mengetahui penyusunan dasar dioda
4. Untuk mengetahui jenis-jenis dioda
5. Untuk mengetahui aplikasi dioda
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
BAB II

LANDASAN TEORI

Dioda solid-state adalah elemen paling mendasar yang digunakan dalam elektronik
modern, dan tersedia dalam berbagai bentuk, termasuk detektor sinyal, penyearah, dioda
'referensi tegangan' zener, dioda generator kebisingan, dioda varicap 'kapasitansi variabel',
dioda peka cahaya (fotodioda), dan dioda pemancar cahaya (LED). Bab pembukaan ini
membahas karakteristik dasar perangkat ini dan menunjukkan berbagai cara menggunakan
dioda dan penyearah standar. Dioda solid-state adalah perangkat dua terminal yang dengan
mudah melewatkan arus dalam satu arah, tetapi memblokirnya di arah lain. Adapun simbol
konvensional dan b struktur dasar dioda 'dioda sambungan padat-padat modern; itu terbentuk
dari satu persimpangan p n, dan terminal 'p' dikenal sebagai anoda dan terminal 'n' sebagai
katoda. Sirkuit dioda dasar 3600 mV dalam jenis silikon. Ketika dioda dioperasikan melebihi
nilai lututnya, peningkatan kecil pada V, menyebabkan peningkatan besar pada Is, misalnya
pada perangkat impedansi dinamis maju (Z) berbanding terbalik dengan tegangan yang
diberikan. (2) Z dari dioda silikon memiliki nilai tipikal (dalam ohm) 25 / I, di mana I diukur
dalam miliampere; yaitu Z, = 25 ohm pada 1 mA, 2,5 ohm pada 10 mA, dan 0,25 ohm pada
100 mA. Z, dari dioda germanium lebih besar dari pada jenis silikon; akibatnya, V-nya
biasanya melebihi tipe silikon pada nilai If yang lebih besar dari beberapa puluh miliampere.
(3) Ketika dioda dibiaskan terbalik dengan jumlah yang lebih besar dari 1 V atau lebih, ia
melewati arus bocor balik (I) yang hampir berbanding lurus dengan nilai tegangan balik (V).
Pada suhu ruangan normal I, nilai diukur dalam mikroampere di perangkat germanium dan di
nanoampere dalam jenis silikon. I, sangat bergantung pada suhu, dan biasanya berlipat ganda
untuk setiap kenaikan suhu persimpangan 8 ° C. Karena nilai tegangan lututnya yang rendah,
dioda germanium digunakan hampir secara eksklusif dalam aplikasi 'deteksi sinyal' tingkat
rendah. Sebagian besar dioda persimpangan adalah jenis silikon, dan dapat digunakan dalam
banyak aplikasi tujuan umum; dioda yang memiliki tegangan balik tinggi dan peringkat arus
maju, menurut konvensi, biasanya disebut 'penyearah'. Karakteristik dioda khusus Dioda
silikon biasa memiliki beberapa karakteristik khusus tambahan dari yang telah dijelaskan;
yang paling penting diilustrasikan. Jika dioda silikon semakin bias balik, suatu titik akhirnya
tercapai di mana arus balik tiba-tiba mulai meningkat, dan setiap peningkatan lebih lanjut
dalam V, menyebabkan kenaikan tajam pada I, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 1.4.
Tegangan di mana aksi ini terjadi dikenal sebagai avalanche atau nilai "zener" dari perangkat,
dan ditentukan dengan sangat tajam. Beberapa dioda silikon dibuat secara khusus untuk
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
Terakhir, satu jenis perangkat sambungan p-n penting lainnya adalah dioda Schottky. Perangkat
ini menggunakan simbol dioda standar, tetapi menawarkan aksi peralihan yang sangat cepat
dan mengembangkan tegangan maju yang hampir setengah dari dioda silikon konvensional.
Dioda Schottky dapat digunakan untuk menggantikan dioda germanium dalam banyak
aplikasi 'detektor sinyal', dan dapat beroperasi pada frekuensi hingga puluhan atau ratusan
gigahertz. Aplikasi paling sederhana dari dioda adalah sebagai penyearah setengah
gelombang, menunjukkan rangkaian yang digerakkan oleh transformator jenis ini (dengan
tegangan masukan dioda (Vin) yang ditentukan dalam volt r.m.s.)), bersama dengan bentuk
gelombang keluaran yang relevan. Perhatikan bahwa jika rangkaian ini digunakan dengan
beban kapasitif murni, ia bertindak sebagai detektor tegangan puncak dan output (Vpk) sama
dengan 1,41, ia bertindak sebagai penyearah sederhana dan memberikan output r.m.s 0,5 x
Vin; jika digunakan dengan beban kapasitif yang dibebani resistif (seperti dalam aplikasi catu
daya sederhana) outputnya 'beriak' dan memiliki r.m.s.
Nilai di suatu tempat di antara dua ekstrem ini. Dalam rangkaian yang dibebani
kapasitif, dioda membutuhkan peringkat tegangan balik puncak setidaknya 2,82 x Vin; jika
digunakan pembebanan resistif murni, peringkat dapat dikurangi menjadi 1,41 x Vin.
Perhatikan bahwa jika rangkaian ini digunakan untuk memberi daya pada beban resistif
murni, rangkaian hanya akan mengonsumsi seperempat daya maksimum, karena daya
sebanding dengan kuadrat r.m.s. tegangan; sangat sedikit beban yang sebenarnya murni
resistif, menunjukkan bagaimana rangkaian penyearah setengah gelombang dasar dapat
diadaptasi untuk memberikan kontrol daya dua tingkat pada lampu, bor listrik, dan besi solder
yang dioperasikan dari a.c. saluran listrik. Perhatikan di masing-masing sirkuit ini bahwa
r.m.s. Vin, tetapi jika digunakan dengan beban resistif murni.

Rangkaian dioda dasar 15 Dua hal penting yang harus diperhatikan tentang rangkaian yang
tampaknya sederhana ini. Pertama, keluaran puncaknya (idealnya) sama dengan nilai puncak
ke puncak bentuk gelombang masukan; dengan demikian, jika input berayun secara simetris
tentang titik tegangan nol (seperti yang ditunjukkan), nilai output puncak adalah dua kali lipat
dari input. Poin kedua adalah bahwa rangkaian kurang dari ideal karena output sebenarnya
dijepit ke titik yang diimbangi dari nol dengan jumlah yang sama dengan nilai V dioda
(sekitar 600 mV dalam jenis silikon), seperti yang diilustrasikan di sini. dan banyak diagram
lainnya di bab ini. Walaupun menunjukkan apa yang terjadi pada rangkaian ini ketikaresistor
10k dihubungkan ke D, dan input diumpankan dengan gelombang persegi 1 kHz (= periode 1
ms) yang baik dari sumber impedansi rendah. Dalam hal ini C-R, membentuk jaringan
didalam diferensiator, dengan konstanta waktu sama dengan dengan hasil C-R, jika hasil kali
ini sangat panjang (100 ms) relatif terhadap periode bentuk gelombang (1ms), rangkaian
bertindak seperti tipe dioda penjepit sederhana . Jika produk C-R sangat pendek (10 us)
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
relatif terhadap periode gelombang 1 ms, bagaimanapun jaringan CR mengubah tepi naik dan
gelombang persegi menjadi 'lonjakan' positif dan negatif (masing-masing dengan amplitudo
puncak sama dengan puncak- nilai input ke puncak) masing-masing, dan D, kemudian secara
efektif menghilangkan (membedakan) satu atau lainnya dari lonjakan ini. Dua yang terakhir
ini berguna dalam mendeteksi tepi depan atau tepi belakang dari persegi atau bentuk
gelombang pulsa, dan umumnya dikenal sebagai rangkaian dioda diferensiator / diskriminator.
Dalam rangkaian penjepit biasa, dioda menjepit salah satu tepi bentuk gelombang ke titik
referensi tegangan-nol. Namun rangkaian dasar dapat digunakan untuk menjepit tepi bentuk
gelombang ke tegangan referensi selain nol dengan hanya mengikat sisi 'rendah' dioda ke
tegangan bias yang sesuai. Sirkuit semacam itu dikenal sebagai tipe dioda penjepit bias, dan
variasi dari ini (dengan produk C-R yang sangat panjang) menunjukkan rangkaian dioda
penjepit bias menggunakan titik penjepit +2 V dan dioda 'keluaran negatif' (seperti dalam Figu
bahwa (idealnya) keluaran berayun dari +2 ke -8 V ketika diumpankan dari puncak 10 V- ke
input puncak. Kemudian pada titik bias +5 V digunakan, keluaran akan berayun antara +5 dan
+15 V yang menunjukkan rangkaian menggunakan pasangan penjepit dioda. Jelas, bentuk
gelombang tidak dapat dijepit ke dua tegangan yang berbeda pada saat yang sama, jadi dalam
rangkaian ini, satu dioda berfungsi secara efektif sebagai 1.20b. (Marston, 1991)
Terlepas dari banyak asumsi yang digunakan untuk mendapatkan ungkapan ini, ekspresi ini
sangat informatif karena menangkap esensi dari dioda: karakteristik asimetris, dengan arus
bias balik yang kecil dan arus bias maju yang meningkat secara eksponensial dengan
tegangan. Untuk mendapatkan 'rasa' untuk besarnya massa jenis arus, pertimbangkan dioda
np dengan Np 10 cm-3 dan N4 = 107 cm. Untuk mengevaluasi difusivitas, gunakan untuk
mobilitas dan bentuk ekuilibrium dekat relasi Einstein. Untuk mendapatkan panjang difusi
pembawa minoritas, gunakan L = Dr setelah mengevaluasi masa hidup pembawa minoritas
dari (3.21). Untuk mendapatkan konsentrasi pembawa minoritas, gunakan setelah
menggantikan n. Masukkan angkanya ke dalam (6.37), dan Anda akan menemukan bahwa
rapat arus bias balik adalah 1,7 pA cm 2, dan didominasi oleh komponen elektron. Untuk
dioda ini, (6.6) menginformasikan bahwa V = 0.96 V. Untuk bias maju -0.8VJ adalah 11.4A
cm. Itu cukup asimetri karena derivasi dioda ideal juga berguna karena menyoroti
ketergantungan posisi elektron dan kontribusi lubang terhadap rapat arus total JT. Di
Gambar 6.8 mengilustrasikan situasi steady-state untuk rangkaian loop tunggal di mana dioda
Karena setiap elektron tingkat energi tidak tepat sama, maka tingkat energi jutaan elektron itu
sangat panjang sehingga semua pembawa yang diinjeksikan dari kontak bergabung kembali
dalam semikonduktor massal. Beberapa fitur dioda praktis, dan keadaan di mana mereka
beroperasi, tidak konsisten dengan perilaku dioda ideal, seperti yang sekarang kami tunjukkan
secara singkat. Wilayah kuasi-netral seringkali pendek, jadi tidak semua pembawa minoritas.
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
Ini sangat panjang sehingga semua pembawa yang diinjeksikan dari kontak bergabung
kembali dalam semikonduktor massal. Beberapa fitur dioda praktis, dan keadaan di mana
mereka beroperasi, tidak konsisten dengan perilaku dioda ideal, seperti yang sekarang kami
tunjukkan secara singkat. • Wilayah kuasi-netral seringkali pendek, jadi tidak semua pembawa
minoritas yang diinjeksi bergabung kembali sebelum mencapai kontak. Kondisi batas yang
sesuai harus digunakan, dan kepadatan arus saturasi akan berbeda dari kasus ideal.
Contohnya ada di sel surya ialah untuk arus yang sangat tinggi, level kuasi-Fermi di wilayah
muatan ruang dapat menyimpang secara signifikan dari nilai konstan. Ini akan membatalkan
penggunaan Shockley's Law of the Junction untuk mendapatkan konsentrasi pembawa
minoritas di -xdn dan xdp. Arus tinggi juga dapat berarti injeksi tingkat tinggi dari operator
minoritas. Sehingga kemungkinan hilangnya netralitas muatan di beberapa bagian
sebelumnya. daerah kuasi-netral. Hal ini mengarah ke medan lokal di luar daerah penipisan,
dalam hal ini tidak semua tegangan V yang diterapkan akan muncul di persimpangan. Hal ini
dapatdirepresentasikan dalam persamaan dioda dengan mengganti Va dengan Va / y, dimana
y> 1 dikenal sebagai faktor idealitas dioda. Jadi pada bias tinggi, arus dioda masih meningkat
secara eksponensial, tetapi ketergantungan pada bias lebih lemah. Kami menghadapi situasi
ini pada transistor bipolar daya tinggi. Pada bias rendah, mungkin tepat untuk memasukkan
arus karena rekombinasi elektron dan lubang di wilayah muatan ruang angkasa. Mekanisme
rekombinasi ini biasanya menghasilkan nilai rapat arus saturasi yang lebih besar dari Joo, dan
ke nilai y2 [3]. (Pulfrey, 2010)

Dioda merupakan komponen elektronika non-linier yang sederhana. Struktur dasar dioda
berupa bahan semikonduktor tipe P yang disambung dengan bahan jenis N. Pada ujung bahan
tipe P dijadikan terminal Anoda (A) dan ujung lainnya katoda (K), sehingga dua terminal
inilah yang menyiratkan nama dioda. Operasi dioda ditentukan oleh polaritas relatif kaki
Anoda terhadap kaki Katoda. Pada bab ini akan dibahas prinsip kerja dan dioda. Definisi
dioda terdiri atas kurva maju dan kurva mundur. Pada bias maju arus arus dengan besar se-
dangkan pada bias mundur yang mengalir hanya arus bocor kecil. Operasi semua komponen
benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET, serta Op-Amp atau rangkaian
terpadu lainnya (solid state) berdasarkan sifat-sifat semikon- duktor. Secura umum
semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara sifat-sifat
konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator tidak mudah berubah
oleh temperaturpenganuh, cahaya atau medan magnit, tetapi pada semikon- duktor sifat-sifat
tersebut sangat sensitif. Elemen dari suatu bahan yang memiliki sifat-sifat kimia dan fisika
yang sama adalahatom. Suatu atom terdiri atas tiga partikel dasar, yaitu: neutron, proton, dan
elektron. Dalam struktur atom, proton dan neutron membentuk inti atom yang bermuatan
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
negatip anggap inti. Elektron-eiektron ini tersusun berlapis-lapis. Struktur atom dengan model
Bohr dari bahan semikonduktor yang paling umum digunakan, silikon dan germanium. Bila
atom-atom tunggal dalam suatu bahan saling antar (dalam kenyatannya memang demikian)
schingga membentuk suatu kisi-kisi kristal, maka atom-atom akan memiliki ikatan kovalen.
Karena setiap elektron tingkat energi tidak tepat sama, maka tingkat energi jutaan elektron
valensi dari suatu bahan akan mem- bentuk rentang energi atau yang disebut dengan pita
energi valensi atau pita valensi. Gambar 1.4 menunjukkan diagram pita energi dari bahan
isolator, semikonduktor dan konduktor. Suatu energi bila diberikan kepada elektron valensi,
maka elektron tersebut akan keluar. Karena klektron valensi terletak pada orbit terluar dari
struktur atom, modul elektronika akan meloncat ke daerah pita konduksi. Pita konduksi
merupakan tingkat energi dimana elektron lepas dari ikatan inti atom atau elektron bebas.
Jarak antara antara pita valensi dan pita konduksi disebut dengan pita celah atau daerah
terlarang. Seberapa besar perbedaan energi misalnya (energi jarak) antara pita valensi dan
kon- duksi pita pada suatu bahan akan menentukan apakah bahan tersebut termasuk isolator,
semikon- duktor atau konduktor. Eg adalah energi yang diperlukan oleh clektron valensi
untuk berpin- dah dari pita valensi ke pita konduksi. Misalnya dinyatakan dalam satuan eV
(volt klektron). Se- makin besar misalnya. Semakin besar energi yang dibutuhkan elektron
valensi untuk berpindah ke pita konduksi. Pada bahan-bahan isolator jarak antara pita valensi
dan pita konduksi (daerah terla- rang) sangat jauh. Pada suhu ruang hanya ada sedikit sekali
(atau tidak ada) elektron valensi yang sampai keluar ke pita konduksi. Schingga pada bahan-
bahan ini tidak memungkinkan aliran arus listrik. Diperlukan Misalnya paling tidak 5 eV
untuk mengeluarkan elektron valensi ke pita konduksi. Apabila bahan semikonduktor intrinsik
(murni) diberi (didoping) dengan bahan bervensi lain maka diperoleh semikonduktor
ekstrinsik. Pada bahan semikonduktor intrinsik, jumlah elektron bebas dan holenya adalah
sama. Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat rendah. karena terbatasnya jumlah
pembawa muatan bebas yakni hole maupun clektron tersebut. Jika bahan silikon didoping
dengan bahan ketidak murnian (impuritas) bervalensi lima (penta-valens), maka diperoleh
semikonduktor tipe n. Bahan depan yang bervalensi lima ini misalnya antimoni, arsenik, dan
pospor. Struktur kisi-kisi kristal bahan sitikon tipe n dapat dilihat pada gambar 1.5. Karena
atom antimoni (Sb) bervalensi lima, maka empat elektron valensi menda- patkan hubungan
ikatan kovalen dengan atom silikon sedangkan elektron valensi yang kelima tidak
mendapatkan pasangan. Oleh kurena itu ikatan elektron kelima ini dengan inti menjadi lemah
dan mudah menjadi elektron bebas. Karena setiap atom dopan ini menyumbang beberapa
elektron, maka atom yang bervalensi limadisebut dengan donor atom. Dan elektron "bebas"
sumbangan dari atom dopan inipun dapat diatur atau konsentrasinya. Karena pada ujung
anoda (A) yang berupa bahan yang diberi tegangan negatip, maka hole-hole (pembawa arus)
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
akan tertarik ke kutup negatip baterai menjauhi persambun-gan. Demikian juga karena ujung
katoda (K) yang berupa bahan yang diberi tegangan positip, maka elektron-elektron
(pembawa arus) akan tertarik ke kutup positip baterai menjauhi persambungan. Schingga
daerah pengosongan semakin lebar, dan arus yang dis- ebabkan oleh pembawa arus tidak ada.
Sedangkan pembawa berita minoritas yang herupa elektron (pada bahan tipe p) dan hole (pada
bahan tipe n) akan berkombinasi schingga arus jenuh mundur (arus saturasi balik) atau Is.
Arus ini dikatakan jenuh karena dengan cepat mencapai harga maksi- mum tanpa terkuat
tegangan baterai. Besamya arus ini, suhu. Temperatur yang semakin tinggi, semakin besar
harga Is. Pada suhu ruang, besarannya adalah da- lam skala mikro-amper untuk dioda
germanium, dan dalam skala nano-amper untuk dioda si-likon.
Hubungan antara arus yang mengalir melalui dioda dengan tegangan VA-K dapat dilihat pada
kurva yang mengalir melalui dioda yang kemudian menunjukan dua macam kurva, yakni
dioda germanium (Ge) dan dioda silikon (Si). Pada saat dioda diberi bias maju, yakni bila VA-
K positip, maka arus ID akan naik dengan cepat setelah VA-K mencapai tegangan cut-in (Vy).
Tegangan cut-in (Vy) ini ki- ra-kira sebesar 0,2 Volt untuk dioda germanium dan 0,6 Volt
untuk dioda silikon. Dengan mempersembahkan tegangan baterai ini, maka potensi
penghalang (potensi penghalang) pada persambungan akan teratasi, sehingga arus dioda mulai
mengalir dengan cepat. Bagian kiri bawah dari grafik pada gambar 1.14 merupakan kurva
yang berada dioda saat mendapatkan bias mundur. Disini juga terdapat dua kurva, yaitu untuk
dioda germanium dan silikon. Besarnya arus jenuh mundur (arus saturasi balik) Adalah untuk
dioda germa- nium adalah dalam orde mikro amper dalam contoh ini adalah I uA. Sedangkan
untuk dioda silikon Is adalah dalam orde nano amper dalam hal ini adalah 10 nA. Apabila
tegangan VA-K yang berpolaritas negatip tersebut dinaikkan terus, maka sinyal saat akan
mencapai tegangan patah (break-down) dimana arus akan naik dengan tiba- tiba. Pada saat
mencapai tegangan break-down ini, pembawa minoritas dipercepat hingga mencapai
kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom. Sensor elektron
ini juga dipercepat untuk membebaskan schingga arusnya yang lainnya semakin besar.
Tegangan break-down ini selalu dihindari karena dioda bisa rusak. (Surjono, 2007)
Dioda merupakan salah satu jenis komponen aktif yang berfungsi sebagai komponen
penyearah. Dioda disusun menggunakan semikonduktor jenis kutub positif (+) dan
semikonduktor jenis N atau kutub negatif (-). Dioda disusun menggunakan semikonduktor
jenis silikon dan jenis germanium. Karena dioda termasuk komponen aktif, arus listrik yang
mengalir dari sambungan P ke sambungan N akan dilewatkan jika tegangan listrik yang
dilewatkan pada dioda berbahan silikon minimal 0,7 volt, dan pada dioda berbahan
germanium minimal kira-kira 0,3 volt. Dioda Penyearah Jika arah arus listrik sama dengan
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
Arah dioda, yaitu dari potensi tinggi ke potensial rendah, dan nilai tegangannya lebih besar lah
dari tegangan minimum dioda, arus akan dilewatkan. Jika dipasang berkebalikan dengan arah
arus listrik, dioda berfungsi untuk menghambat arus listrik yang lewat. memiliki kapasitas
batas. Oleh karena itu, jika beda tegangan di sambungan N jauh lebih besar tegangan di
sambungan P puluhan atau ratusan volt, kemungkinan dioda akan rusak karena tidak mampu
menahan aliran arus listrik yang terlalu besar.
Pada dioda penyearah hanya terdapat satu variabel nilai, yaitu arus (ampere). Arus
besar pada dioda menyatakan arus maksimum yang dapat disaring oleh dioda. Dioda zener
hampir sama dengan dioda biasa. Pada dioda biasa, kerusakan dapat terjadi pada saat
tegangan mencapai ratusan volt. Sedangkan pada dioda zener, kerusakan dapat terjadi pada
tegangan. puluhan atau satuan volt. Dioda biasa bekerja pada bias maju, sedangkan dioda
zener bekerja pada bias mundur. Pada robot, dioda berfungsi untuk menghambat arus balik
pada motor DC yang dapat mengganggu kinerja rangkaian elektronik. Arus besar yang
digunakan dioda yang digunakan pada arus besar motor DC.
Berikut adalah tip yang memilih dioda dalam proses pembuatan robot. Pilih jenis
dioda yang tepat sesuai dengan kebutuhan robot. Sesuaikan nilai arus dioda dengan besar
nilai yang mengalir pada rangkaian. Misalnya arus yang mengalir pada rangkaian bernilai 2
ampere, gunakan dioda dengan arus 2 ampere atau lebih. Perhatikan kutub positif dan kutub
negatif dioda. Pastikan arah dioda tidak terbalik. N dan P pada transistor jenis ini
menunjukkan pembawa berita yang berpengaruh pada daerah yang berbeda pada transistor.
Transistor NPN terdiridariselapis semikonduktor tipe Pdiantara dualapis semikonduktor tipe
N. Arus kecil yang memasuki basis pada moda tunggal emitor dikuatkan dari keluaran
kolektor. Dengan kata lain, transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi tegangan
emiter. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emiter. Cara kerja LED hanya akan
memancarkan cahaya apabila dialiri tegangan maju (bias forward) dari Anoda menuju ke
Katoda. LED terdiri dari sebuah chip semikonduktor yang di doping sehingga menciptakan
junction P dan N. Yang dimaksud dengan proses doping dalam semikonduktor adalah proses
untuk menambahkan ketidakmurnian (impurity) pada semikonduktor yang murni sehingga
menghasilkan karakteristik kelistrikan yang diinginkan. Ketika LED dialiri tegangan maju
atau bias forward yaitu dari Anoda (P) menuju ke Katoda (K), Kelebihan Elektron pada N-
Type material akan berpindah ke wilayah yang kelebihan Hole (lubang) yaitu wilayah yang
bermuatan positif (P-Type material). Saat Elektron berjumpa dengan Hole akan melepaskan
photon dan memancarkan cahaya monokromatik (satu warna). Masing-masing Warna LED
(Light Emitting Diode) memerlukan tegangan maju (Forward Bias) untuk dapat
menyalakannya. Tegangan Maju untuk LED tersebut tergolong rendah sehingga memerlukan
sebuah Resistor untuk membatasi Arus dan Tegangannya. (Winarmo, 2011)
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
BAB III

METODOLOGI PERCOBAAN

3.1 Peralatan Dan Komponen

3.1.1 Peralatan dan Fungsi

1. Multimeter
Fungsi : untuk mengukur teganngan masuk Vin/Vdd
untuk mengukur tegangan keluaran Vout/Vbc& Vab.
2. Protoboard
Fungsi : sebagai tempat untuk merangkai rangkaian sementara.
3. Baterai ( 9 Volt)
Fungsi : sebagai sumber teganngan DC.
3.1.2 Komponen dan Fungsi
1. Dioda IN4007(1buah)
Fungsi : sebagai penyearah arus
2. LED
Fungsi : sebagai penyearah arus dan indikator

3.2 Prosedur Percobaan

1. Disiapkan peralatan dan komponen yang akan digunakan

2. Dirangkai diode dan LED yang digunakan pada protoboard
3. Dihubungkan catudaya(baterai) pada komponen diode dan LED
4. Dihubungkan kutub (+) multimeter pada anoda dan kutub (-) pada katoda untuk
mengukur tegangan pada diode dan LED
5. Dilihat multimeter untuk mengukur tegangan diode dan LED
6. Dicatat hasil pengukurannya
7. Dilakukan peercobaan 1-6 dengan mengunakan diode dan LED yang berbeda
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
BAB IV

HASIL DAN ANALISA

4.1 Data Percobaan

0,1 0,1 0,3 0,4 0,5 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0
IF
(mA)
VF (V)
2,21 2,25 2,27 2,29 2,31 2,39 2,48 2,56 2,62 2,67 2,70
=
LED
VF (V)
0,45 0,47 0,49 0,51 0,52 0,55 0,59 0,61 0,62 0,63 0,64
=
Si

Medan, 03 Mei 2023

Asisten Praktikan

(Sulthon Muhammad Fitrah) (Elyana Simarmata)

 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
4.2 Analisa Data
1. Tentukan tegangan ambang LED dan dioda Si berdasarkan
data Jawab :
 Tegangan ambang LED ( 𝑉̅ F ( LED ) ) = 1,67 V

 Tegangan ambang dioda Si ( 𝑉̅ F ( Si ) ) = 0,54 V

2. Gambar grafik IF -vs- VF untuk LED dan dioda Si

 Grafik IF -vs- VF untuk LED

 Grafik IF -vs- VF untuk Si

3. Karakteristik LED dan dioda Si berdasarkan grafik adalah bahwa nilai V F

semakin bertambah seiring dengan pertambahan arus baik itu pada LED
maupun pada dioda Si. Nilai tegangan pada LED lebih besar daripada nilai
tegangan pada dioda Si.
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
BAB V

KESIMPULAN DAN SARAN

5.1 Kesimpulan
1. Kesimpulan yang didapat dari tegangan yang
diperolehdari percobaan
LED = 2,43 V
Dioda = 0,55 V
2. Karakteristik dioda adalah perilaku sebuah komponen dioda ketika dia
dialiri arus Listrik baik searah (DC) atau bolak-balik (AC). Kita bisa
memahami karakteristik tersebut secara sederhana maupun secara detail.
Karakteristik dioda yang paling dasar adalah ia akan menghantar jika
dikerjakan secara maju (forward) dan akan menghambat.
Jika dikerjakan secara terbalik (reverse). Secara sederhana kita bisa
mengamati karakteristik sebuah dioda ketika maju atau mundur dengan
indikator on/off biasa.
3. Penyusun dasar dioda yaitu Germanium (Ge) dan Silikon/Silsilum(Si)
dengan bahan dasar yang berbeda, maka tegangan maksimum yang
dimiliki juga berbeda. Silikon memiliki tegangan maksimum 0,7 v
sedangkan Ge ialah 0,3 v.
4. Jenis-jenis dioda
 Dioda Normal (Dioda PN Junction)
Dioda jenis ini merupakan dioda yang paling sering ditemui dalam
rangkaian elektronika, terutama pada rangkaian pencatu daya
(power supply) dan rangkaian frekuensi radio (RF).
 Dioda Bridge (Bridge Diode)
Dioda Bridge pada dasarnya adalah Dioda yang terdiri dari 4 dioda
normal yang umumnya digunakan sebagai penyearah gelombang
penuh dalam rangkaian PencatuDaya (Power Supply).
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
 Dioda Zener (Zener Diode)
Dioda Zener adalah jenis dioda yang dirancang khusus untuk dapat
beroperasi dirangkaian reverse bias (bias balik).
 Dioda LED (Light Emitting Diode)
Dioda LED atau Light Emitting Diode merupakan jenis dioda yang
dapat memancarkan cahaya monokromatik ketika diberikan
tegangan maju (Forward bias).
 Dioda Foto (Photodiode)
Dioda Foto atau Photodiode adalah jenis dioda yang dapat
mengubah energi cahaya menjadi arus listrik.
 Dioda Laser (Laser Diode)
Dioda laser atau laser diode adalah jenis dioda yang dapat
menghasilkan radiasi atau cahaya koheren yang dapat dilihat oleh
mata dan spektrum inframerah ketika dialiri arus listrik.
 Dioda Varactor (Varactor Diode)
Dioda Varactor atau kadang-kadang disebut juga dengan Dioda
Varicap adalah jenis dioda yang memiliki sifat kapasitas yang
berubah-ubah sesuai dengan tegangan yang diberikan.
 Dioda Tunnel (Tunnel Diode)
Dioda Tunnel atau Dioda Terowongan adalah jenis dioda yang
mampu beroperasi pada kecepatan yang sangat tinggi dan dapat
berfungsi dengan baik pada gelombangmikro (Microwave).
 Dioda Schottky (Schottky Diode)
Dioda Schottky merupakan jenis dioda dengan tegangan maju yang
lebih rendah daridioda normal pada umumnya. Pada arus rendah,
tegangan jatuh bisa berkisar diantara0,15V hingga 0,4V.
5. Aplikasi dioda pada kendaraan banyak digunakan untuk penyearahan
arus seperti pada sistem pengisaian. Fungsi dioda adalah sebagai
penyearah arus dari arus bolak-balik menjadi arus searah agar dapat
dimanfaatkan untuk mengisi baterai dan menyuplai kebutuhan arus
pada kendaraan. Fungsi lain dioda ini pada kendaraan adalah sebagai
anti shock tegangan. Contoh aplikasinya adalah pada jenis relay
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA
diberikan dioda dengan tujuan untuk mencegah terjadinya arus balik
pada rangkaian. Arus balik listrikini dapat berasal dari induksi medan
magnet yang dihasilkan oleh kumparan relay. Induksi listrik ini
biasanya lebih tinggi tegangannya dibandingkan dengan tegangan
sumber. Untuk mencegah terjadinya kerusakan akibat terjadinya
tegangan induksi ini maka pada rangkaian relay dipasangkan
rangkaian dioda.

5.2 Saran
1. Sebaiknya praktikan dapat lebih serius lagi dalam belajar
2. Sebaiknya asisten laboratorium dapat lebih menguasai materi yang
dibawakan
3. Sebaiknya laboratorium dilengkapi pendingin ruangan agar praktikan dan
asisten tidak kepanasan.
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
DAFTAR PUSTAKA

Marston, MR. 1991. Diode Transistor and FET Circuits Manual. Oxford :
NewnesPages : 2,3,6,15
Pulfrey, David. 2010. Understanding Modern Transistor and Diodes. Cambridge :
CambridgeUniversity Press
Pages : 107-108

Surjono, Herman. 2007. Elektronika : Teori dan Penerapan. Jember : Penerbit Cerdas Ulet
Kreatif
Halaman : 4,5,7,13,15

Winarmo. 2011. Bikin Robot Itu Gampang. Jakarta : Penerbit PT Kawan Pustaka

Halaman : 46-48

Medan, 10 Mei 2023

Asisten Praktikan

(Sulthon M. Fitrah) (Edenia Apriliani Sinulingga)