TUGAS BESAR 2 PERKULIAHAN

DASAR
ELEKTRONIKA
Judul Tugas
Tugas 2.
Abstrak
Jenis Tugas
Individu

Nama Mahasiswa & NIM

1. Muhamad Jamal (41421110028)

Capaian Pembelajaran (CPMK)

Durasi/Tempo (Minggu)
DIBERIKAN 09 APRIL 2022
DIKUMPULKAN SAMPAI DENGAN 16 APRIL 2022

Penilaian
Bobot Persentase Tugas
XX% [Diisi bobot asesmen tugas dari total keseluruhan asesmen]

Instruksi Pengumpulan Tugas • Gunakan Satuan Internasional (SI)

• Semua bukti yang bukan dokumen pribadi harus disertakan sitasi di dalam teks kemudian ditampilkan eferensinya.
Gunakan metode APA untuk menulis referensi.
• Instruksi tambahan ditulis di sini

Pernyataan
Saya/ kami yang bertanda tangan di bawah ini memahami bahwa saya/ kami telah membaca dan setuju untuk mematuhi peraturan UMB
tentang plagiarisme dan penjiplakan dan kebijakan dan prosedur di Program Studi. Saya/ kami menyetujui proses pengecekan laporan
sehingga tidak ada unsur plagiarisme atau penjiplakan akademik.

Tanda tangan Tanda tangan Tanda tangan Tanda tangan

................................... ................................... ................................... ...................................

Muhamad Jamal Muhamad Jamal Muhamad Jamal Muhamad Jamal

Fakultas Program Studi Disusun Oleh

 Teknik Teknik Elektro Fina Supegina, ST,MT

Capaian Pembelajaran (CPMK):

1. Mampu memahami dasar-dasar dan konfigurasi sistem kontrol
2. Mampu membuat model matematik sistem dinamik
3. Mampu menganalisis respon transien, kesalahan keadaan tunak dan menguji kestabilan
sistem
4. Mampu merancang sistem kontrol dengan metode tempat kedudukan akar
5. Mampu mengaplikasikan kontrol PID (Proportional Integral Derivative) untuk memperbaiki
kinerja sistem kontrol
Komponen Penilaian Nilai Maksimal Nilai Diberikan

Pengumpulan Total Total

Tanda tangan Tanggal 100 XX

Apakah ada penambahan waktu? Pengurangan keterlambatan Pengurangan: Nilai Akhir:

Kesepakatan pengumpulan: pengumpulan:

Tanda tangan

Koordinator Mata Kuliah/ Kelompok Bidang

Ilmu : Ya / Tidak

Bagian ini digunakan untuk memberi umpan balik atau informasi lain:
 KRITERIA DAN SKALA PENILAIAN
PROGRAM PASCASARJANA

No Nilai Skala Kriteria

Istimewa. Laporan yang komprehensif, menunjukkan

orisinalitas dan pemahaman mendalam terhadap konteks
dan topik yang ditanyakan. Justifikasi didasarkan pada
1 A 85 – 100 analisis yang tajam, interpretasi data serta evaluasi
pengambilan keputusan yang kesimpulan yang baik.
Struktur tulisan disusun dengan sangat baik disertai bukti
dan penggunaan sumber literatur/sitasi yang tepat.
Cukup istimewa. Laporan menunjukkan pemahaman dan
penguasaan yang mendalam terhadap konteks dan
orisinalitas yang dapat dipertanggungjawabkan. Penjelasan
2 A- 80 - 84,99 dan uraian mengandung daya analisis yang relevan.
Kesimpulan sebagian besar diperoleh dari hasil evaluasi dan
sumber bacaan. Struktur tulisan dan penggunaan sitasi yang
baik.
Sangat baik. Menunjukkan pemahaman yang sangat baik
sesuai topik yang ditanyakan. Logika pengambilan
3 B+ 75 - 79,99 keputusan ditulis dengan baik, orisinalitas muatan sebagian
besar didasarkan dari uraian penulis. Alur dan struktur
penulisan baik, serta tingkat komprehensif yang cukup.

Baik. Menunjukkan pemahaman yang baik terhadap topik.

Penjelasan dan pembahasan ditulis dengan baik. Muatan
4 B 70 - 74,99 laporan menampilkan uraian dari sumber literatur dan
bacaan yang relevan, argumen ditulis ringkas. Bukti
pendukung (gambar, diagram, tabel) sesuai.

Cukup baik. Laporan menunjukkan pemahaman cukup baik,

didasarkan pada uraian dan pembahasan yang deskriptif dan
cukup mendalam. Kompleksitas dan orisinalitas isi laporan
5 B- 65 - 69,99
sebagian besar bersumber dari bacaan dan materi ajar.
Penggunaan bukti yang mendukung pembahasan cukup
memadai. Konsistensi format dan gramatikal cukup baik.

Cukup. Laporan menunjukkan pemahaman mendasar

terhadap konteks. Uraian dan penjelasan bersifat deskriptif
6 C 60- 64,99 dan tidak mendalam. Alur dan struktur laporan tidak
diorganisasi dengan baik. Logika pengambilan keputusan
kurang didukung oleh analisis yang sesuai. Terdapat bukti
(gambar, diagram, tabel) yang kurang relevan.
TUGAS BESAR 2 DASAR ELEKTRONIKA

Bagian 1 (60%)

Pilihlah 6 dari 10 soal dibawah ini :

1. Jelaskan cara analisa rangkaian Transistor dasar ? (10 %)

2. Jelaskan cara kerja Transistor sebagai gerbang logika digital ? (10 %)

3. Jelaskan cara kerja Transistor sebagai rangkaian penguat ? (10%)

4. Jelaskan cara kerja Transistor sebagai saklar ? (10 %)

5. Jelaskan Karakteristik Transistor ? (10 %)

6. Jelaskan perbedaan antara Transistor Bipolar Juction Transistor (BJT) dengan

Transistor Field Effect Transistor (FET)? (10 %)

7. Jelaskan perbedaan antara Transistor PNP dengan Transistor NPN ? (10%)

8. Jelaskan Rangkaian pembagi tegangan pada transistor PNP ? (10 %)

9. Sebutkan 5 perbedaan antara Transistor FET dengan Transistor BJT ? (10 %)

10. Sebutkan 5 rangkaian yang memanfaatkan karakteristik yang menguntungkan dari

JFET ? (10 %)

Bagian 2 (40%)

Sebuah rangkaian transistor tampak pada gambar di

samping dimana RB = 300 Kohm, RC = 4 Kohm, VBB = 10
volt dan VCC = 12 volt. Carilah arus-arus yang terdapat
pada rangkaian tersebut! Sebelumnya, tentukan terlebih
dahulu daerah kerja transistor dan gambarkan pula garis
bebannya! Diketahui bahwa VBE adalah 0.2 volt dan β =
200.
 KERTAS KERJA UJIAN
Semester : Gasal / Genap / Pendek*) Tahun Akademik : . . .

Nomor Induk Mahasiswa 41421110028 Nomor Ujian : Paraf Mahasiswa

Nama Muhamad Jamal

Fakultas / Program
Teknik / Teknik Elektro Paraf Pengawas
Studi
Mata Kuliah Dasar Elektronika
Nilai Ujian (00-
Dosen Fina Supegina ST. MT
100)
Waktu Hari Tanggal Jam Ruang
Pelaksanaan Ujian Sabtu 12/11/2022 07:00
2. Transistor sebagai gerbang logika digital
Kerja transistor sebagai saklar menjadi prinsip yang diimplementasikan dalam bentuk
harga-harga digital. Dimana, harga digital hanya mengenal 2 (dua) keadaan, yaitu keadaan
nol (low) dan keadaan satu (high). Rangkaian inverter (NOT) menjadi salah satu rangkaian
menggunakan prinsip logika digital.

Jika tegangan input, Vi, adalah nol (atau biasa disebut kondisi low) maka transistor
sedang berada pada daerah potong, dengan arus kolektor, Ic = 0. Sehingga, tegangan pada
Vo = Voc (atau biasa disebut kondisi high). Sebaliknya jika tegangan input, Vi, misalnya
mendekati Voc (disebut dengan kondisi high), maka transistor didorong untuk menuju
daerah saturasi dan mengakibatkan teganan Vo sama dengan VCE(sat) (atau biasa disebut
kondisi low).

vi Vo

0 LOW VCC HIGH

VCC HIGH 0 LOW

Rangkaian fundamental ini dapat dijadikan sebagai operasi logika lainnya, seperti
NAND.

Kerja rangkaian logika NAND tersebut dapat disimpulkan dalam bentuk table, yang disebut
dengan table kebenaran (Truth Table)
V1 V2 V0

0 LOW 0 LOW VCC HIGH

0 LOW VCC HIGH 0 LOW

VCC HIGH 0 LOW 0 LOW

 VCC HIGH VCC HIGH 0 LOW

4. Transistor sebagai saklar

Memanfaatkan kondisi jenuh dan cut-off suatu transistor, dimana kedua kondisi ini
bisa diperoleh dengan pengaturan besarnya arus yang melalui basis transistor diberi arus
cukup besar sehingga transistor mengalami jenuh dan berfungsi seperti saklar yang tertutup.
Sendagkan kondisi cut-off diperoleh jika arus basis dilalui oleh arus yang sangat kecil atau
mendekati nol ampere, sehingga transistor bekerja seperti saklar yang terbuka.

Pada rangkaian transistor sederhana di atas, terdapat satu buah lampu yang kita
ibaratkan sebagai sebuah beban. Satu buah transistor NPN yang nantinya akan
menggantikan fungsi kerja suatu saklar. Satu buah potensio meter digunakan untuk
melakukan analisa pada kondisi arus berbasis yang berbeda beda dengan melakukan
variasi kondisi dari potensio tersebut.
Pada saat potensio meter kita putar pada kondisi dimana arus basis akan menjadi
besar, maka kolektor dan emitor transistor tersebut akan bekerja seperti kawat yang
terhubung. Sehingga pada kondisi ini lampu akan menyala. Sesuai pengalaman yang pasti
pada transistor bahan silikon, tegangan Vbe (tegangan basis emitor) tidak kurang dari 0,7
volt. Tapi salah satu hal penting yang harus anda ketahui adalah jangan terlalu besar
memberikan arus pada basis, karena akan berakibat kerusakan pada transistor. Gunakan
tahanan basis (resistor yang dipasang pada basis) sebagai pencegah arus berlebih pada
saat potensio resistasinya nol ohm. Karena jika potensio kita putar hingga pada kondisi
resistansinya nol ohm, maka sama saja kita menghubungkan basis transistor dengan supply
9 volt langsung. Kondisi ini pasti akan mengakibatkan kerusakan pada transistor.
Jika potensio meter tersebut di atas kita putar pada kondisi resistansi sangat besar
(misal : maks 100 Kohm), maka arus yang akan melalui basis akan sangat kecil atau
dengan kata lain tegangan yang akan jatuh pada basis dan emitor akan sangat kecil
(dibawah 0,7 volt bahkan mendekati 0 volt), pada kondisi ini transistor akan berada pada
kondisi cut-off, kondisi dimana kolektor dan emitor bagai saklar yang terbuka. Jadi pada
kondisi ini beban lampu tidak akan mendapatkan supply listrik sehingga tidak akan menyala.
Lihat pada gambar di atas, saya berikan contoh dua saklar yang berada sejajar dengan
transistor. Saklar SW1(kondisi terbuka) itu sama halnya jika transistor mengalami cut-off.
Sedangkan saklar SW2 (tertutup) sama halnya dengan transistor pada kondisi jenuh.

5. Karakteristik transistor
Penggunaan fungsi dari sebuah transistor dapat dengan memanfaatkan karakteristik
dari masing-masing daerah kerja sebuah transistor. Selain itu, dengan karakteristik
transistor juga bisa digunakan untuk menganalisa arus dan teganan transistor.
Karakteristik dari masing masing daerah operasi transistor diringkas menjadi :
1. Daerah potong atau cutoff
Dioda emitter diberi prategangan mundur yang mengakibatkan tidak terjadi
pergerakan electron yang menjadi arus basis, IB = 0. Serta pada kolektro, IC = 0
atau bisa juga disebut ICEO (Arus kolektor ke Emiter dengan harga arus basis yaitu
0).
2. Daerah Saturasi
Pada daerah ini Dioda Emiter diberi prategangan maju yang menyebabkan atis
kolektor, IC akan meraih harga maksimum, dengan tidak bergantung pada arus
basis, IB, dan βdc. Hal tersebut membuat transistor menjadi komponen yang tidak
bisa dikontrol. Maka dari itu, untuk menjauhkan daerah ini, Dioda Kolektor wajib
 diberi prategangan mundur dengan tegangan yang melebihi VC(sat), atau yang bisa
disebut tegangan yang mengakibatkan Dioda Kolektor saturas.
3. Daerah Aktif
Pada daerah ini Dioda Emiter diberi prategangan maju sementara diode kolektor
diberi prategangan mundur yang akan mengakibatkan sifat-sifat sebagai berikut.

Atau

Seperti yang dijelaskan yang dijelaskan sebelumnya, transistor menjadi komponen

yang dapat dikontrol.
4. Daerah Breakdown
Sementara pada daerah ini, Dioda Kolektor mempunyai prategangan mundur yang
melebihi tegangannya breakdown yang mana tegangan kolektor ke emitter Ketika
arus basis adalah nol. Hingga arus kolektor, IC, melebihi cara dibolehkan. Serta
transistor bisa menjadi rusak.

6. Perbedaan BJT dan FET

Transistor persimpangan bipolar merupakan perangkat bipolar dalam transistor ini

terdapat aliran pembawa muatan yang mayoritas dan minoritas. Transistor efek medan
merupakan perangkat unipolar dalam transistor ini, hanya pembawa muatan mayoritas yang
mengali.Dalam banyak aplikasi FET yang dipakai dari pada transistor persimpangan
bipolar.Transistor junction bipolar terdiri 3 terminal yakni emitor, basis, dan kolektor.
Terminal ini di simbolkan dengan E, B, dan C.FET terdiri 3 terminal yakni sumber, saluran,
dan gerbang.
Terminal ini di simbolkan dengan S, D, dan G. Impedansi masukan FET lebih tinggi
dari pada transistor sambungan bipolar.Pembuatan FET bisa dilakukan dengan sangat kecil
untuk lebih efisien dalam perancangan sirkuit komersial. Pada dasarnya FET tersedia dari
ukuran kecil dan mereka memakai ruang yang rendah pada sebuah chip. Perangkat yang
lebih kecil lebih nyaman dipakai dan ramah pemakaian. BJT lebih besar ketimbang FET.
FET khususnya MOSFET harganya lebih mahal dari pada BJT.Perancang chip
terbesar seperti Intel memakai FET untuk memberi daya kepada miliaran perangkat di
seluruh dunia.Sebuah BJT membutuhkan arus yang kecil untuk menyalakan transistor.
Panas yang hilang dari bipolar menghentikan total jumlah transistor yang bisa dibuat pada
chip.BJT bertanggung jawab atas panas yang berlebih karena koefisien suhu yang negatif.
FET mempunyai koefisien suhu +Ve untuk menghentikan panas yang berlebih.BJT berlaku
bagi aplikasi arus rendah. FETS berlaku bagi aplikasi tegangan rendah.FET mempunyai
gain yang rendah sampai sedang. BJT mempunyai frekuensi max lebih tinggi dan frekuensi
cutoff yang tinggi.Dari segi bentuk seseorang yang awam perbedaan fisik antara transistor
biasa atau bjt dan fet sangat sedikit yakni sama sama mempunyai 3 kaki dan body yang
terbuat dari plastik. karena itu pening untuk membaca nomer seri dari sebuah komponen.

7. Perbedaan transistor PNP dan NPN

Transistor PNP Transistor NPN

1. Saat basis transistor PNP diberikan muatan 1. Saat basis transistor NPN diberikan muatan
negative (-) emitor akan mengalirkan muatan
arus ke kolektor.
2. Tegangan positif akan selalu tersambung
dengan kaki emitor dan teganan negative akan
tersambung dengan kaki kolektor.
3. Pada arus output transistor PNP akan
mengeluarkan arus positif pada kaki kolektor.
9. Perbedaan transistor FET dan transistor BJT
Transistor FET
1. Transistor FET mengkonversi tegangan
menjadi arus
2. Transistor FET tidak membutuhkan arus
input
3.ketika FET dalam keadaan aktif. Tegangan
gate-sourcenya melampaui suatu teganan
ambang. Tegangan gate dapat memiliki nilai
yang berada dalam kisaran antara tegangan
ambang dan tegangan sumber, Ketika FET
dalam keadaan aktif
4. FET mempunyai gain yang rendah sampai
sedang.
5. FET mempunyai koefisien suhu +ve untuk
menghentikan panas yang berlebih
positif maka kolektor akan mengalirkan muatan
arus ke emitor.
2. Teganan positif akan selalu tersambung
dengan kaki kolektor dan tegangan negative
akan tersambung dengan kaki emitor.
3. Pada arus output transistor NPN akan
mengeluarkan arus negative pada kaki kolektor
sewaktu dalam kondisi aktif.
Transistor BJT
1. Transistor BJT mengkonversi arus
menjadi arus
2. Transistor BJT membutuhkan arus input
3. Tegangan basis -emitor BJT akan selalu
mendekati nilai 0,7 V, Ketika BJT dalam
keadaan aktif, terlepas dari berapa besar
arus inputnya.
4. BJT mempunyai frekuensi max lebih tinggi
dan frekuensi cutoff yang tinggi.
5. BJT bertanggung jawab atas panas yang
berlebih karena koefisien suhu yang
negative.