Bab 9

Respons Frekuensi

Model Transistor
pada Frekuensi
Tinggi

Efek Kapasitansi
Parasitik Transistor

Sifat kapasitif muncul pada semua terminal

yang bertetangga

Efek Kapasitansi
Parasitik Transistor

Besaran Efek Kapasitif Gate

1.

Daerah trioda

2.

Saturasi

3.

1
C gs C gd WLCox
2

Cut-of

2
C gs WLCox
3
C gd 0
C gs C gd 0
C gb WLCox

4.

Overlap Gate-Source dan Gate-drain

Cov WLov Cox

Efek Kapasitansi
Parasitik Transistor

Besaran Efek Kapasitif Junction

C sb

Csb 0
V
1 SB
V0

Cdb

Cdb 0
V
1 DB
V0

dimana Csb0 dan Cdb0 adalah kapasitansi

junction tanpa bias dan V0 dan tegangan
built-in junction (0,6-0,8V)

Model Ekivalen Sinyal

Kecil

Lengkap

Source-Body terhubung singkat

Model Ekivalen Sinyal

Kecil

Bila Cdb diabaikan

Frekuensi Penguatan
Satu

Definisi frekuensi transisi fT: frekuensi saat penguatan

arus hubung singkat konfigurasi CS bernilai satu

I o g mVgs sC gdVgs
I o g mVgs
Vgs

Ii
s C gs C gd

Io
gm

I i s C gs C gd

Io
gm

1
Ii
jT C gs C gd

gm
C gs C gd

fT

gm
2 C gs C gd

Model MOSFET
Frekuensi Tinggi
g m nCox

ro

W
VOV k n VOV
L

g m 2 nCox

VA
ID

1
I D

W
ID
L

g m kn I D
gm

2I D
VOV

2
C gs WLCox WLov Cox
3
C gd WLov Cox

Csb

Csb 0
V
1 SB
V0

Cdb

Cdb 0
V
1 DB
V0

fT

gm
2 C gs C gd

Kapasitansi Parasitik
BJT

Kapasitansi Difusi Cde

Cde F

IC
VT

Kapasitansi Junction Base-Emitter Cje

C je 2C je 0

Kapasitansi Junction Base-Collector C

C

C 0

V
1 CB
V0

Model Hibrida-

C Cde C je
C C jc

Frekuensi Transisi
V I b r || C || C

h fe

Ib
1
sC sC
r

I c g m sC V

g m sC
Ic
gm
g m r

1
1
Ib
sC sC
sC sC 1 s C C r
r
r
h fe

0
1 s C C r

1
C C r

Frekuensi Transisi

h fe

GBW T 0

gm
C C

fT

0
1 s C C r

gm
2 C C

Kebergantungan fT
pada Bias

Model BJT Frekuensi

Tinggi
gm

C C

IC
VT

gm
2fT

C 0

V
1 CB
V0

C Cde C je

ro

VA
IC

0
gm

Cde F g m

C je 2C je 0