Semikon Diodatransistor1

KARAKTERISTIK DAN
PENGGUNAAN
KOMPONEN DIODA dan
TRANSISTOR
Untuk Sekolah Menengah Kejuruan
Bidang Keahlian : Teknik Elektro
Program Keahlian : Elektronika Komunikasi
Berdasarkan Kurikulum SMK yang
Disempurnakan
(Kurikulum SMK Edisi 1999)
Penyusun :
Drs. Herry Sudjendro
Editor :
Drs. Asmuniv
DIREKTORAT JENDERAL PENDIDIKAN DASAR DAN MENENGAH
PUSAT PENGEMBANGAN PENATARAN GURU TEKNOLOGI
VOCATIONAL EDUCATION DEVELOPMENT CENTER
JL. Teluk Mandar, Arjosari, Tromol Pos 5 Malang, 65102, Telp. (0341) 491239, Fax. (0341) 491342
El ekt roni ka Komuni kasi
KATA PENGANTAR
Modul ini diterbitkan untuk menjadi bahan ajar pada SMK Bidang Keahlian Teknik
Mesin, memenuhi tuntutan pelaksanaan Kurikulum SMK yang disempurnakan
(Kurikulum SMK edisi 1999).
Nilai kegunaan modul ini terletak pada pemakaiannya, karena itu kepada semua
organisasi dan manajemen Pendidikan Menengah Kejuruan, diharapkan dapat
berusahan untuk mengoptimalkan pemakaian modul ini.
Dalam pemakaian modul ini, tetap diharapkan berpegang kepada azas
keluwesan, asas kesesuaian dan asas keterlaksanaan sesuai dengan karakteristik
kurikulum SMK yang disempurnakan.
Direktorat Pendidikan Menengah Kejuruan menyampaikan terima kasih dan
penghargaan kepada semua pihak yang telah berperan serta dalam penulisan
naskah bahan ajar ini.
Jakarta, Agustus 2000
Direktur
Pendidikan Menengah Kejuruan
Dr. Ir. Gatot Hari Priowiryanto
NIP 130675814
Karakteristik dan Penggunaan Komponen Dioda dan Transistor i
PROFIL KOMPETENSI TAMATAN TINGKAT II
PROGRAM KEAHLIAN TEKNIK LAS
D.
Menguasai alat
ukur listrik dan
elektronika
D1.
Mengidentifikasi
dan
mengklasifikasi
peralatan ukur
listrik
D2.
Menguasai
karakteristik
macam-macam
alat ukur listrik
D3.
Menginterpretasik
an buku petunjuk
pemakaian alat
ukur listrik
D4.
Menggunakan
Alat Ukur Listrik
dan Elektronika
D5.
Merawat dan
memperbaiki alat
ukur listrik
E.
Menguasai
konsep dasar
teknik listrik dan
elektronika
E1.
Menguasai dasar
elektrostatika
dan kemagnetan
E2.
Menguasai dasar
akumulator
E3.
Menguasai
komponen pasif
E4.
Menguasai
hukum
kelistrikan/rangka
ian DC dan AC
E5.
Menguasai
dasar-dasar
mesin listrik
AC/DC
E6.
Menguasai teori
atom dan molekul
E7.
Menguasai sifat
dan macam
bahan
penghantar dan
isolator
E8.
Menguasai
karakteristik dan
penggunaan
komponen semi
konduktor
F.
Menguasai dasar
teknik digital dan
aplikasi
sederhana
F1.
Menguasai
Konversi
bilangan
F2.
Menguasai
gerbang-gerbang
dasar
F3.
Menguasai Flip-
Flop
F4.
Menguasai
aritmatika logik
Karakteristik dan Penggunaan Komponen Dioda dan Transistor ii
DAFTAR ISI
KATA PENGANTAR .. i
PROFIL KOMPETENSI TAMATAN TINGKAT II PROGRAM
KEAHLIAN ELEKTRONIKA KOMUNIKASI ..
ii
PENDAHULUAN vii
TUJUAN UMUM PEMBELAJARAN viii
PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL . ix
Kegiatan Belajar 1 1
DIODA 1
1. Tujuan Khusus Pembelajaran 1
2. Uraian Materi 1
2.1. Dasar pembentukan Dioda 1
2.2. Sifat dasar dari Dioda 1
2.3. Contoh Penggunaan 2
2.4. Harga Batas 2
2.5. Sifat Listrik Dari Dioda 3
2.6. Contoh Penggunaan Dioda 6
3. Lampiran 11
4. Lembar Evaluasi 12
5. Lembar Jawaban 13
DIODA ZENER 15
2. Uraian Materi 15
2.1. Dasar Pembentukan dioda zener 15
2.2. Bahan Dasar Dioda Zener 15
2.3. Dasar Pembentukan Junction pn 16
2.4. Potensial Barier 17
2.5. Sifat Dasar Dioda Zener 19
2.6. Harga Batas Dioda Zener 22
2.7. Sifat Listrik Dioda Zener 24
2.8. Penggunaan Dioda Zener 28
3. Lampiran 36
TRANSISTOR BIPOLAR 44
Karakteristik dan Penggunaan Komponen Dioda dan Transistor iii
2. Uraian Materi 44
2.1. Pembentukan Transistor Bipolar 44
2.2. Sifat Dasar Transistor 46
2.3. Harga Batas Transistor 49
2.4. Sifat Listrik Transistor Bipolar 57
2.5. Hubungan Dasar Transistor 64
2.6. Contoh Penggunaan Transistor 79
3. Lampiran 74
Pengukuran Kurva Sifat Dasar Dioda 82
2. Alat dan Bahan 82
3. Waktu 82
4. Keselamatan Kerja 83
5. Informasi 83
6. Lembar Kerja 83
Praktik Penyearah Setengah Gelombang dan Gelombang Penuh 93
3. Waktu 94
5. Informasi 94
6. Lembar Kerja 95
Praktik Pengukuran Kurva Karakteristik Dioda Zener 108
3. Waktu 109
5. Informasi 109
6. Lembar Kerja 110
Karakteristik dan Penggunaan Komponen Dioda dan Transistor iv
Praktik Pengukuran Kurva Karakteristik Transistor Bipolar 119
3. Waktu 120
5. Informasi 120
6. Lembar Kerja 121
Pengukuran Kurva Karakteristik Transistor Bipolar Dengan
Menggunakan CRO
131
3. Waktu 131
5. Informasi 133
6. Lembar Kerja 134
UMPAN BALIK 143
DAFTARA PUSTAKA 144
Karakteristik dan Penggunaan Komponen Dioda dan Transistor v
PENDAHULUAN
Untuk memenuhi kebutuhan implementasi kurikulum SMK edisi tahun 1999, maka
perlu adanya modul yang relevan untuk membantu guru dalam mempersiapkan
materi pembelajaran kepada siswa.
Diharapkan dengan adanya modul yang dipakai sebagai acuan para guru di SMK ,
akan tercapai keseragaman dalam mengimplementasikan / menjabarkan
kurikulum edisi 1999. Dengan demikian akan tercapai kompetensi standard yang
seragam di seluruh Indonesia.
Modul ini merupakan landasan teori dan praktik tentang pembentukan. sifat
dasar, harga batas,karakteristik serta penggunaan dari komponen semikonduktor
yang terdiri dari dioda, dioda zener serta transistor.
Semoga modul ini bermanfaat, dan sesuai dengan tuntutan para guru SMK
Penulis
Herry Sudjendro
Karakteristik dan Penggunaan Komponen Dioda dan Transistor vi
TUJUAN UMUM PEMBELAJARAN
Diharapkan setelah mempelajari modul ini pemakai mampu memahami:
1. dasar pembentukan dari dioda, dioda zener dan transistor
2. sifat dasar dioda, dioda zener dan transistor
3. harga batas dioda, dioda zener dan transistor
4. sifat listrik dioda, dioda zener dan transistor
5. penggunaan dioda, dioda zener dan transistor
6. hubungan dasar transistor
Karakteristik dan Penggunaan Komponen Dioda dan Transistor vii
PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL
Modul ini berisikan teori dan praktik tentang Dioda, Dioda Zener maupun
Transistor.
Setiap pembahasan praktik bisa memanfaatkan trainer yang mudah
penggunaannya, namun tidak menutup kemungkinan untuk menggunakan papan
percobaan lain yang relevan.
Trainer ini dilengkapi dengan terminal sederhana sehingga memudahkan untuk
perbaikan.
Dengan model trainer yang mudah dibuat, diharapkan para guru bisa
memperbanyak jumlah trainer, sehingga mencukupi kebutuhan siswa pada
proses pembelajaran.
Modul ini sangat memungkinkan untuk belajar mandiri.
Karakteristik dan Penggunaan Komponen Dioda dan Transistor viii
Kegiatan Belajar 1
DIODA
1. Tujuan Khusus Pembelajaran
Setelah mempelajari modul ini diharapkan pemakai dapat :
Memahami dasar pembentukan dioda
Memahami sifat dasar dioda
Memahami harga batas dioda
Memahami sifat listrik dioda
Memahami penggunaan dioda
2. Uraian Materi
2.1 Dasar Pembentukan Dioda
M a t e r i a l P M a t e r i a l N
G a m b a r D i o d a
S e b e l u m D i f u s i
+ + + + +
+ + + + +
+ + + + +
_ _ _ _ _
_ _ _ _ _
_ _ _ _ _
+ + + + _
+ + + + _
+ + + + _
+ _ _ _ _
+ _ _ _ _
+ _ _ _ _
L a p i s a n P e n g o s o n g a n
A n o d a K a t o d a A n o d a K a t o d a
Gambar 1 Simbol Dioda
2.2 Sifat dasar dari dioda
Adapun sifat dasar dari Dioda adalah menyearahkan arus satu periode saja
(lihat gambar di bawah ini)
Karakteristik dan Penggunaan Komponen Dioda dan Transistor 1
A K
+
_
+
_
A K
+
_
+
_
I n p u t
I n p u t
O u t p u t
O u t p u t
D i o d a
D i o d a
Gb.2 Sifat dasar dioda
2.3 Contoh Penggunaan
1 Untuk Pengaman Polaritas.
+
_ _
+
D i o d a
P e n e r i m a
R a d i o
Gb.3 Pengaman Polaritas
2 Untuk Penyearah. (gb.2)
2.4 Harga Batas
Yang dimaksud dengan harga batas dari dioda adalah batas kemampuan
maksimal dari suatu dioda baik arus maupun tegangannya.
Contoh : Dioda 1N4001
Dengan melihat data book dari dioda maka harga batas tegangan dan arus dapat
diketahui.
Harga batas arus = 1 Ampere
Harga batas tegangan = 50 Volt
Contoh Penerapannya :
Misalnya untuk peralatan / pesawat elektronika yang membutuhkan arus dibawah
1 Amper dengan tegangan dibawah 50 V maka dioda penyearah yang digunakan
cukup dengan memakai dioda dengan type 1N 4001.
Untuk lebih jelasnya lihat gambar berikut ini :
C
Gb.4. Penyearah dioda dengan beban.
maka diodanya (D1,D2,D3,D4) cukup menggunakan dioda dengan type 1N 4001
sebanyak 4 buah. (lihat tabel pada lampiran)
2.5 Sifat Listrik dari Dioda
V
A +
-
Gambar 5. rangkaian dioda catu maju (forward bias)
b i a s
B
Gambar 6. kurva sifat listrik (karakteristik) dioda catu maju (forward
bias)
+
-
Gambar 7. rangkaian dioda catu mundur (reverse bias)
Gambar 8. Kurva sifat listrik ( karakteristik ) dioda dicatu mundur ( reverse
bias )
Gambar.9. Karakteristik dioda
2.6. Contoh Penggunaan Dioda
2.6.1. Sebagai Penyearah Setengah Gelombang Dengan Beban Tahanan
+
_
Penyearah setengah gelombang
dengan beban tahanan
Gambar 10. Prinsip Kerja Penyearah Setengah Gelombang
Jika A positip ( + ), B negatip ( - ), maka dioda konduksi 1 bekerja , sehingga
arus akan mengalir menuju RL dan kembali ke trafo.
Saat A negatip ( - ), B positip ( + ), maka dioda tidak konduksi/tidak bekerja
sehingga arus tidak mengalir.
Kejadian ini berulang/muncul lagi terus-menerus sehingga bentuk
gelombangnya dapat digambarkan sebagai berikut :
+
_ _ _
+ +
Gb.11. gelombang sinus dan pengaruh terhadap konduktansi dioda
2.6.2. Sebagai Penyearah Gelombang Penuh Dengan Dua Dioda
A
D 1
R L
I F 1
U i n
+
_
U 1
U 2
D 2
I F 2
U L
B
C
Rangkaian penyearah gelombang penuh
dengan dua dioda
Gambar 12 Penyearah gelombang penuh
Prinsip Kerja Dari Penyearah Gelombang Penuh Dua Dioda Dengan Beban
Tahanan.
Perlu diketahui bahwa untuk rangkaian penyearah gelombang penuh dua dioda
diperlukan transformator yang mempunyai CT (Center Tap). Gelombang sinyal
pada titik A selalu berbeda phasa 180 terhadap titik C sedangkan titik B sebagai
nolnya.
Jika titik A positip ( + ), titik C negatip ( - ), maka D1 akan konduksi kemudian arus
IF1, akan mengalir menuju RL dan kembali ke trafo (titik B).
Jika titik C positip ( + ), titik A negatip ( - ), maka D2 akan konduksi kemudian arus
IF2 akan mengalir menuju RL dan kembali ke trafo (titik B). Kejadian ini akan
selalu berulang dan gelombang/sinyalnya dapat digambarkan sebagai berikut :
t i t i k A t t
D 1 k o n d u k s i
t i t i k C t
+
_ _
+
+
+
_ _
D 1
D 2 t
D 2 k o n d u k s i
t
D 1 D 1 D 2 D 2
S e h i n g g a U L g a b u n g a n D 1 d a n D 2
Gambar 13. gelombang sinus dan hasil penyearah gelombang penuh
2.6.3. Sebagai Penyearah Gelombang Penuh Dengan Sistim Bridge (empat
Dioda)
A
B
U o u t
U i n
D 4 D 1
D 2
D 3
R L
I L
U R L
Gambar 14. Gambar rangkaian penyearah gelombang penuh sistim bridge
Prinsip Kerja Penyearah Gelombang Penuh Sistim Bridge :
Jika A positip ( + ), B negatip ( - ), maka D1 konduksi arus I akan mengalir menuju
RL dan D3 menuju titik B.
Saat B positip ( + ), A negatip ( - ), maka D2 konduksi arus I akan
mengalir.menuju RL dan D4 menuju titik B.
Kejadian ini berulang secara kontinyu sehingga gelombang sinyalnya dapat
digambarkan sebagai berikut :
t t
D 1 , D 3 k o n d u k s i
t
+
_ _
+
+
+
_ _
D 1 , D 3 O N
D 2 , D 4 O N t
D 2 , D 4 k o n d u k s i
t
D 1 D 1 D 2 D 2
S e h i n g g a U L g a b u n g a n D 1 , D 3 , D 2 d a n D 4
Gambar 15. gelombang sinus dan penyearahan gelombang penuh (sistem
jembatan)
2.6.4. Sebagai Pengganda Tegangan
U i n
C 1
D 1
D 2
C 2 R L
U L
+
_
A
B
Gambar 16. Pengganda Tegangan
Prinsip Kerja Pengganda Tegangan
Jika titik B positip ( + ), maka D1 konduksi (ON), C1 akan termuati sampai U
maksimum, pada siklus berikutnya. Titik A positip maka D2 konduksi (ON)
sehingga C2 akan termuati sampai 2.U maksimum atau U.L = 2.U maksimum.
Gambar 17. Gelombang
Output sebagai berikut :
2 U m
3. Lampiran
Diodes, Power Rectifier
Type See Construction
Peak Inverse
Voltage (PIV)
Max.
Rect.
Maxsimum Forward
Voltage Drop
Maxsimum Reverse
Current
Cuse Lead
Note
(V)
Current
(A)
(V) at Ampere (uA) at Volts
Outline Info.
1N3211
1N3212
1N3213
1N3214
1N3611
4
4
4
4
-
Si
Si
Si
Si
Si
300
400
500
600
200
20
20
20
2-
1
1.2
1.2
1.2
1.2
1.1
20
20
20
20
2
1mA
1mA
1mA
1mA
1
300
400
500
600
200
-
-
-
-
-
105
105
105
105
104
1N3612
1N3613
1N3614
1N3670A
1N3671A
-
-
-
4
4
Si Junction
Si
Si
Si
Si
400
600
800
700
800
1
1
1
12
12
1-1
1-1
1-1
0.55
0.55
2
2
2
12
12
1
1
1
900
800
400
600
800
700
800
-
-
-
D0-4
DO-4
104
104
104
105
105
1N3672A
1N3673A
1N3675
1N3766
1N3767
4
4
-
-
-
Si
Si
Si
Si
Si
900
1000
700
800
900
12
12
35
35
35
0.55
0.55
1.8
1.8
1.8
12
12
35
35
35
700
600
5mA
4mA
3mA
900
1000
700
800
900
D0-4
DO-4
D0-5
DO-5
D0-5
105
105
105
105
105
1N3768
1N3879
1N3879R
1N3880
1N3880R
-
-
-
-
-
Si
Si
Si
Si
Si
1000
50
50
100
100
35
6
6
6
6
1-8
1-4
1-4
1-4
1-4
35
6
6
6
6
2mA
3mA
3mA
3mA
3mA
1000
50
50
100
100
D0-5
D0-4
DO-4
D0-4
DO-4
105
105
106
105
106
1N3881
1N3881R
1N3882
1N3882R
1N3883
-
-
-
-
-
Si
Si
Si
Si
Si
200
200
300
300
400
6
6
6
6
6
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
6
6
6
6
6
3mA
3mA
3mA
3mA
3mA
200
200
300
300
400
D0-4
DO-4
D0-4
DO-4
DO-4
105
106
105
106
105
1N3883R
1N3889
1N3889R
1N3890
1N3890R
-
-
-
-
-
Si
Si
Si
Si
Si
400
50
50
100
100
6
12
12
12
12
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
6
12
12
12
12
3mA
3mA
3mA
3mA
3mA
400
50
50
100
100
DO-4
D0-5
DO-5
D0-5
D0-5
106
105
106
105
106
1N3891
1N3891R
1N3892
1N3892R
1N3893
-
-
-
-
-
Si
Si
Si
Si
Si
200
200
300
300
400
12
12
12
12
12
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
12
12
12
12
12
3mA
3mA
3mA
3mA
3mA
200
200
300
300
400
DO-5
D0-5
DO-5
D0-5
D0-5
105
106
105
106
105
1N3893R
1N3899
1N3899R
1N3900
1N3900R
-
-
-
-
-
Si
Si
Si
Si
Si
400
50
50
100
100
12
20
20
20
20
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
12
20
20
20
20
3mA
6mA
6mA
6mA
6mA
400
50
50
100
100
DO-5
D0-5
DO-5
D0-5
D0-5
106
105
106
105
106
1N3901
1N3901R
1N3902
1N3902R
1N3903
-
-
-
-
-
Si
Si
Si
Si
Si
200
200
300
300
400
20
20
20
20
20
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
20
20
20
20
20
6mA
6mA
6mA
6mA
6mA
200
200
300
300
400
DO-5
D0-5
DO-5
D0-5
D0-5
105
106
105
106
105
1N3903R
1N3909
1N3909R
1N3910
1N3910R
-
-
-
-
-
Si
Si
Si
Si
Si
400
50
50
100
100
20
30
30
30
30
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
20
30
30
30
30
6mA
10mA
10mA
10mA
10mA
400
50
50
100
100
DO-5
D0-5
DO-5
D0-5
D0-5
106
105
106
105
106
1N3911
1N3911R
1N3912
1N3912R
1N3913
-
-
-
-
-
Si
Si
Si
Si
Si
200
200
300
300
400
30
30
30
30
30
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
30
30
30
30
30
10mA
10mA
10mA
10mA
10mA
200
200
300
300
400
DO-5
D0-5
DO-5
D0-5
D0-5
106
105
106
105
106
1N3913R
1N4001
1N4002
1N4003
1N4004
-
-
-
-
-
Si
Si Junction
Si
Si
Si
400
50
100
200
400
30
1
1
1
1
1-4
1-1
1-1
1-1
1-1
30
1
1
1
1
10mA
5
5
5
5
400
50
100
200
400
DO-5
D0-15
DO-15
D0-15
D0-15
106
104
104
104
104
1N4005
1N4006
1N4007
1N4245
1N4246
-
-
-
-
-
Si Junction
Si
Si
Si
Si
600
800
1000
200
400
1
1
1
1
1
1-1
1-1
1-1
1-1
1-1
1
1
1
1
1
5
5
5
1
1
600
800
1000
200
400
DO-15
D0-15
D0-15
-
-
104
104
104
104
104
1N4247
1N4248
1N4249
1N4383
1N4384
-
-
-
-
-
Si
Si
Si
Si
Si
600
800
1000
200
400
1
1
1
30
30
1.2
1.2
1.2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10
10
600
800
1000
200
400
-
-
-
DO-41
DO-41
104
104
104
104
104
4. Lembar Evaluasi
1. Gambarkan dasar pembentukan dari Dioda
2. Terangkan proses dasar pembentukan Dioda
3. Gambarkan simbol dari Dioda.
4. Terangkan sifat dasar dari Dioda !
5. Berilah ( 2 buah ) contoh penggunaan sifat dasar dari Dioda !
6. Apa yang dimaksud dengan harga batas dari dioda ?.
7. Sebutkan 2 macam harga batas yang terdapat pada dioda !.
8. Sebutkan harga batas dari dioda dengan type 1N 4002 !.
5. Lembar Jawaban
1. Gambar Dasar Pembentukan Dioda
+ + + + +
+ + + + +
+ + + + +
_ _ _ _ _
_ _ _ _ _
_ _ _ _ _
+ + + + _
+ + + + _
+ + + + _
+ _ _ _ _
+ _ _ _ _
+ _ _ _ _
2. Dasar Pembentukan Dioda adalah
Jika material P dan material N dihubungkan/disusun sedemikian rupa maka akan
terjadilah hubungan PN junction dan lahirlah komponen aktif yang mempunyai
dua elektroda yang diberi nama Dioda.
3. Gambar simbol dari Dioda
A n o d a K a t o d a A n o d a K a t o d a
4. Sifat dasar Dioda menyearahkan arus hanya satu periode saja.
A K
+
_
+
_
A K
+
_
+
_
I n p u t
I n p u t
O u t p u t
O u t p u t
D i o d a
D i o d a
5. Contoh Penggunaan.
+
_ _
+
D i o d a
P e n e r i m a
R a d i o
2 2 0 V
D
C 6 V
+
_
6. Yang dimaksud harga batas dari dioda adalah batas kemampuan maksimum
dari dioda baik arus maupun tegangannya.
7.1. Harga batas arus dalam satuan Amper
7.2. Harga batas tegangan dalam satuan Volt
8.1. Harga batas arus 1N 4002 = 1 Amper
8.2. Harga batas tegangan 1N 4002 = 100 Volt
Kegiatan Belajar 2
DIODA ZENER
Setelah membaca modul ini diharapkan pemakai dapat:
Memahami dasar pembentukan dioda zener
Memahami sifat dasar dioda zener
Memahami harga batas dioda zener
Memahami sifat listrik dioda zener
Memahami penggunaan dioda zener

2. Uraian Materi
2.1. Dasar pembentukan dioda zener
Semua dioda prinsip kerjanya adalah sebagai peyearah, tetapi karena proses
pembuatan, bahan dan penerapannya yang berbeda beda, maka nama-
namanya juga berbeda.
Secara garis besar komponen elektronika yang terbuat dari bahan semi
konduktor adalah ringkas (kecil-kecil atau sangat kecil). Maka hampir-hampir kita
tidak bisa membedakan satu sama lainnya. Hal ini sangat penting untuk
mengetahui kode-kode atau tanda-tanda komponen tersebut.
2.2. Bahan Dasar Dioda Zener
Bahan dasar pembutan komponen dioda zener adalah silikon yang mempunyai
sifat lebih tahan panas, oleh karena itu sering digunakan untuk komponen-
komponen elektronika yang berdaya tinggi. Elektron-elektron yang terletak pada
orbit paling luar (lintasan valensi) sangat kuat terikat dengan intinya (proton)
sehingga sama sekali tidak mungkin elektron-elektron tersebut melepaskan diri
dari intinya.
2.3. Dasar Pembentukan Junction pn
Pembentukan dioda bisa dilaksanakan dengan cara point kontak dan junction.
Namun dalam pembahasan ini fokus pembahasan materi diarahkan pada cara
junction.
Pengertian junction (pertemuan) adalah daerah dimana tipe p dan tipe n
bertemu, dan dioda junction adalah nama lain untuk kristal pn (kata dioda adalah
pendekan dari dua elektroda dimana di berarti dua). Untuk lebih jelasnya lihat
gambar dibawah ini.
p
n
+ + + +
+ + + +
+ + + +
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
Gambar 18. pembentukan zener dioda
Sisi p mempunyai banyak hole dan sisi n banyak elektron pita konduksi. Agar
tidak membingungkan, pembawa minoritas tidak ditunjukkan, tetapi camkanlah
bahwa ada beberapa elektron pita konduksi pada sisi p dan sedikit hole pada
sisi n.
Elektron pada sisi n cenderung untuk berdifusi kesegala arah, beberapa berdifusi
melalui junction. Jika elektron masuk daerah p, ia akan merupakan pembawa
minoritas, dengan banyaknya hole disekitarnya, pembawa minoritas ini
mempunyai umur hidup yang singkat, segera setelah memasuki daerah p,
elektron akan jatuh kedalam hole. Jika ini terjadi, hole lenyap dan elektron pita
konduksi menjadi elektron valensi. Setiap kali elektron berdifusi melalui junction
ia menciptakan sepasang ion, untuk lebih jelasnya lihat gambar dibawah ini :
p
n
+ + +
+ + +
+ + +
_ _ _
_ _ _
_ _ _
_
_
_
+
+
+
Gambar 19. junction zener dioda
Tanda positip berlingkaran menandakan ion positip dan taanda negatip
berlingkaran menandakan ion negatip. Ion tetap dalam struktur kristal karena
ikatan kovalen dan tidak dapat berkeliling seperti elektron pita konduksi ataupun
hole. Tiap pasang ion positip dan negatip disebut dipole, penciptaan dipole
berarti satu elektron pita konduksi dan satu hole telah dikeluarkan dari sirkulasi.
Jika terbentuk sejumlah dipole, daerah dekat junction dikosongkan dari muatan-
muatan yang bergerak, kita sebut daerah yang kosong muatan ini dengan
lapisan pengosongan (depletion layer).
2.4. Potensial Barier
Tiap dipole mempunyai medan listrik, anak panah menunjukkan arah gaya pada
muatan positip. Oleh sebab itu jika elektron memasuki lapisan pengosongan,
medan mencoba mendorong elektron kembali kedalam daerah n. Kekuatan
medan bertambah dengan berpindahnya tiap elektron sampai akhirnya medan
menghentikan difusi elektron yang melewati junction.
Untuk pendekatan kedua kita perlu memasukkan pembawa minoritas. Ingat sisi p
mempunyai beberapa elektron pita konduksi yang dihasilkan secara thermal.
Mereka yang didalam pengosongan didorong oleh medan kedalam daerah n. Hal
ini sedikit mengurangi kekuatan medan dan membiarkan beberapa pembawa
mayoritas berdifusi dari kanan kakiri untuk mengembalikan medan pada
kekuatannya semula.
Inilah gambaran terakhir dari kesamaan pada junction :
_
_
_
+
+
+
Gambar 20. junction zener dioda
Beberapa pembawa minoritas bergeser melewati junction, mereka akan
mengurangi medan yang menerimanya.
Beberapa pembawa mayoritas berdifusi melewati junction dan mengembalikan
medan pada harga semula.
Adanya medan diantara ion adalah ekuivalen dengan perbedaan potensial yang
disebut potensial barier, potensial barier kira-kira sama dengan 0,3 V untuk
germanium dan 0,7 V untuk silikon.
A K A K
Gb.21a Simbol Gb.21b. Contoh Konstruksi
A K
+
_
Gb.21c. Cara pemberian tegangan
2.5. Sifat Dasar Dioda Zener
Dioda zener berbeda dengan dioda penyearah, dioda zener dirancang untuk
beroperasi dengan tegangan muka terbalik (reverse bias) pada tegangan
tembusnya,biasa disebut break down diode
Jadi katoda-katoda selalu diberi tegangan yang lebih positif terhadap anoda
dengan mengatur tingkat dopping, pabrik dapat menghasilkan dioda zener
dengan tegangan break down kira-kira dari 2V sampai 200V.
2.5.1. Dioda zener dalam kondisi forward bias.
Dalam kondisi forward bias dioda zener akan dibias sebagai berikut: kaki katoda
diberi tegangan lebih negatif terhadap anoda atau anoda diberi tegangan lebih
positif terhadap katoda seperti gambar berikut.
G
R X
Z D
A
K
+
_
Dalam kondisi demikian dioda zener
akan berfungsi sama halnya dioda
penyearah dan mulai aktif setelah
mencapai tegangan barier yaitu 0,7V.
Gambar 22. dioda zener dalam arah forward
Disaat kondisi demikian tahanan dioda (Rz) kecil sekali .
Sedangkan konduktansi (

I
U
) besar sekali, karena tegangan maju akan
menyempitkan depletion layer (daerah perpindahan muatan) sehingga
perlawanannya menjadi kecil dan mengakibatkan adanya aliran elektron. Untuk
lebih jelasnya lihat gambar dibawah ini.
N P
_
_
_
+
+
+
d e p l e t i o n l a y e r
G
+
_
A K
a d a a l i r a n
e l e k t r o n
Gambar 23. depletion layer pada dioda zener dalam arah forward
2.5.2. Dioda zener dalam kondisi Reverse bias.
Dalam kondisi reverse bias dioda zener kaki katoda selalu diberi tegangan yang
lebih positif terhadap anoda.
G
R X
Z D
K
A
+
_
Gambar 23. dioda zener dalam arah reverse
Jika tegangan yang dikenakan mencapai nilai breakdown, pembawa minoritas
lapisan pengosongan dipercepat sehingga mencapai kecepatan yang cukup
tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari orbit terluar. Elektron yang baru
dibebaskan kemudian dapat menambah kecepatan cukup tinggi untuk
membebaskan elektron valensi yang lain. Dengan cara ini kita memperoleh
longsoran elektron bebas. Longsoran terjadi untuk tegangan reverse yang lebih
besar dari 6V atau lebih.
Efek zener berbeda-beda bila dioda di-doping banyak, lapisan pengosongan
amat sempit. Oleh karena itu medan listrik pada lapisan pengosongan amat kuat.
Jika kuat medan mencapai kira-kira 300.000 V persentimeter, medan cukup kuat
untuk menarik elektron keluar dari orbit valensi. Penciptaan elektron bebas
dengan cara ini disebut breakdown zener.
Efek zener dominan pada tegangan breakdown kurang dari 4 V, efek longsoran
dominan pada tegangan breakdown yang lebih besar dari 6 V, dan kedua efek
tersebut ada antara 4 dan 6 V. Pada mulanya orang mengira bahwa efek zener
merupakan satu-satunya mekanisme breakdown dalam dioda. Oleh karenanya,
nama dioda zener sangat luas digunakan sebelum efek longsoran ditemukan.
Semua dioda yang dioptimumkan bekerja pada daerah breakdown oleh
karenanya tetap disebut dioda zener.
G
+
_
A K
N P
_
_
_
+
+
+
a r u s b o c o r
Gambar 24. arus bocor dioda zener pada arah reverse
Didaerah reverse mulai aktif, bila tegangan dioda (negatif) sama dengan
tegangan zener dioda,atau dapat
dikatakan bahwa didalam daerah aktif reverse (

I
U
) konduktansi besar sekali dan
sebelum aktif (

I
U
) konduktansi kecil sekali.
2.5.3. Karakteristik Dioda zener.
Jika digambarkan kurva karakteristik dioda zener dalam kondisi forward bias dan
reverse bias adalah sebagai berikut.
I f o r w a r d ( m A )
f o r w a r d ( v )
R e v e r s e ( V )
d a e r a h t e g a n g a n
l i n i e r
t e m b u s
t i t i k t e g a n g a n
I r e v e r s e
Gambar 25. Grafik Karakteristik Dioda Zener
2.6. Harga Batas Dioda Zener
Harga batas yang di maksud dalam pembahasan ini adalah suatu keterangan
tentang data-data komponen dioda zener yang harus di penuhi dan tidak boleh
dilampaui batas maximumnya dan tidak boleh berkurang jauh dari batas
minimumnya.
Adapaun harga batas tersebut memuat antara lain keterangan tentang
tegangan break down ( Uz ) arus maximumnya dioda zener ( Iz) tahanan
dalam dioda zener ( Rd ). Semua harga komponen yang terpasang pada
dasarnya akan mempunyai 2 kondisi yaitu :
1. Kondisi normal , sesuai dengan ketentuannya
2. Kondisi tidak normal , tidak sesuai dengan ketentuannya.
3. Mungkin kurang dari ketentuannya
4. Mungkin melebihi ketentuannya
Untuk alasan itu semua, maka kita perlu sekali memperhatikan data-data yang
ada untuk setiap jenis komponen agar komponen yang digunakan sesuai dengan
yang diharapkan yaitu bisa bekerja baik dan tahan lama . Kondisi yang demikian
dinamakan kondisi yang normal namun kondisi yang tidak normal adalah suatu
kondisi yang perlu mendapatkan perhatian.
Oleh karena itu kita perlu mempelajari harga batas dioda zener , agar kita dapat
mengoperasikan komponen sesuai dengan data yang dimiliki . Sebab kondisi
yang tidak normal terutama kondisi dimana komopenen diberi tegangan melebihi
batas maximumnya , maka komponen tersebut dapat rusak maka hal ini perlu
sekali di antisipasi sehingga tidak akan terjadi kerusakan komponen akibat
kesalahan pemberian bias. Maka di sarankan setiap pemakai komponen
sebelum merangkai harap melihat data karakteristiknya seperti yang terlampir
pada lembar informasi pada lampiran.
2.7. Sifat Listrik Dioda Zener
2.7.1. Tegangan Breakdown dan Rating Daya
Gambar 1 menunjukkan kurva tegangan dioda zener . Abaikan arus yang
mengalir hingga kita mencapai tegangan breakdown U
z
. Pada dioda zener ,
breakdown mempunyai lekukan yang sangat tajam, diikuti dengan kenaikan arus
yang hampir vertikal.Perhatikanlah bahwa tegangan kira-kira konstan sama
dengan U
Z
pada arus test I
ZT
tertentu di atas lekukan (lihat Gambar 1 ) .Dissipasi
daya dioda zener sama dengan perkalian tegangan dan arusnya , yaitu :
Z Z Z I U = P
Misalkan, jika U
Z
= 12 dan I
Z
= 10 mA,
W 0,12 = 0,01 1,2 = PZ
Selama P
Z
kurang daripada rating daya P
Z(max),
dioda zener tidak akan rusak.
Dioda zener yang ada di pasaran mempunyai rating daya dari 1/4 W sampai
lebih dari 50 W .
Lembar data kerap kali menspesifikasikan arus maksimum dioda zener yang
dapat ditangani tanpa melampaui rating dayanya . Arus maksimum diberi tanda
I
ZM
(lihat Gambar 1 . Hubungan antara I
ZM
dan rating daya adalah :
Z
Z(max)
ZM
V
P
= I
U z
U
I z
I z
T
M
Gambar 26 . Kurva Tegangan Dioda Zener
2.7.2. Impendansi Zener
Jika dioda zener bekerja dalam daerah breakdown, dengan tambahan tegangan
sedikit menghasilkan pertambahan arus yang besar. Ini menandakan bahwa
dioda zener mempunyai impedansi yang kecil. Kita dapat menghitung impedansi
dengan cara :
ZZ
i
=
u
Sebagai contoh, jika kurva menunjukkan perubahan 80 mV dan 20 mA,

impedansi zener adalah :
ZZ =
0,08
0,02
= 4
Lembar data menspesifikasikan impedansi zener pada arus tes yang sama di
gunakan untuk U
Z
. Impedansi zener pada arus tes ini diberi tanda Z
ZT
. Misalnya,
1N3020 mempunyai U
Z
10 V dan
Z
ZT
= 7 untuk I
ZT
= 25 mA .
2.7.3. Koefisien Suhu
Koefisien suhu T
C
adalah perubahan (dalam persen ) tegangan zener per derajad
Celcius.
Jika U
Z
= 10 V pada 25
0
C dan T
C
= 0,1%, maka
U
Z
= 10 V
(25
0
C)
U
Z
= 10,01
(26
0
C)
U
Z
= 10,02 V
(27
0
C)
U
Z
= 10,03 V
(28
0
C)
dan seterusnya .
Dalam rumus, perubahan tegangan zener adalah :
U = T U Z C Z T
Diketahui T
C
= 0,004% dan U

= 15V pada 25
0
C, perubahan tegangan zener dari
25
0
C sampai 100
0
C adalah
U = 0,004 (10 ) (100 - 25) 15 = 0,045 V
-2
Z
Oleh sebab itu, pada 100
0
C, U
Z
= 15,045 V
2.7.4. Pendekatan Zener
Untuk semua analisa pendahuluan, kita dapat melakukan pendekatan daerah
breakdown sebagai garis vertikal. Ini berarti tegangannya konstan walaupun arus
berubah. Gambar 2 menunjukkan pendekatan ideal suatu dioda zener. Pada
pendekatan pertama, dioda zener yang bekerja dalam daerah ekuivalen dengan
batere U
Z
volt.
I Z I Z
+
_
_
+
I Z I Z
U Z
Z Z
+
_
U Z U Z
(a) (b)
Gambar 27
Untuk memperbaiki analisa, kita memperhitungkan kemiringan dari daerah
breakdown. Daerah breakdown tidak benar-benar vertikal, tetapi ada impedansi
zener yang kecil. Gambar 2 menunjukkan pendekatan kedua dari dioda zener.
Karena impedansi zener, tegangan zener total U
Z
adalah : = U + I U Z Z Z Z Z
CONTOH 1
Dioda zener pada Gambar 3 mempunyai U
Z
= 10 V dan Z
ZT
= 7 . Tentukan
harga U
OUT
dengan pendekatan ideal. Juga hitung minimum dan maksimum arus
zener.
+
_
+
_
2 0 - 4 0 V
8 2 0

I Z
1 0 V
+
_
2 0 - 4 0 V
8 2 0

I Z 1 0 V
+
_
U o u t
(a) (b)
+
_
+
_
2 0 - 4 0 V
8 2 0

I Z
1 0 V
7

(c)
Gambar 28
PENYELESAIAN
Tegangan yang dikenakan (20 sampai 40 V) selalu lebih besar dari tegangan
breakdown dioda zener. Oleh sebab itu, kita dapat membayangkan dioda zener
seperti batere dalam Gambar 3b. Tegangan outputnya adalah :
V 10 = U = U Z OUt
Tak peduli berapa harga tegangan sumber antara 20dan 40 V, tegangan output
selalu pada 10 V. Jika tegangan sumber 20 V, tegangan pada resistor pembatas-
seri adalah 10 V , jika tegangan sumber 40 V, tegangan pada resistor pembatas-
seri adalah 30 V. Oleh sebab itu, setiap perubahan tegangan sumber, muncul
pada resistor pembatas-seri. Tegangan output secara ideal konstan .
Arus zener minimum IZ(min) terjadi pada tegangan sumber minimum. Dengan
hukum Ohm .
I
U U
R
Z
IN Z
(min)
min
=
) -
=
20 - 10
820
= 12,2 mA
(
Arus zener maksimum terjadi jika tegangan sumber maksimum :
I
R
Z(max) =
U - U
=
40 - 10
820
= 36,6 mA
IN( max) Z
CONTOH 2
Gunakan pendekatan kedua untuk menghitung tegangan output minimum dan
maksimum pada Gambar 28a
PENYELESAIAN
Contoh 2 memberikan Z
ZT
= 7 . Walaupun hal ini hanya benar pada arus
tertentu, Z
ZT
merupakan pendekatan yang baik untuk ZZ di mana saja dalam
breakdown .
Kita dapatkan I
Z(min)
= 12,2 mA dan I
Z(Mak)
= 36,6 mA. Jika arus ini mengalir melalui
dioda zener pada Gambar 3c, tegangan minimum dan maksimumnya adalah :
V 10,09 = 0,0122(7) + 10 =
Z I + U U Z Z(MIN) Z OUT(MIN)
dan
V 10,26 = 0,0366(7) + 10 =
Z I + U U Z Z(max) Z OUT
Yang penting dari contoh ini adalah untuk menggambarkan regulasi tegangan
(menjaga tegangan otput konstan). Di sini kita mempunyai sumber yang berubah
dari 20 sampai 40 V, perubahan 100%. Tegangan output berubah dari 10,09
sampai 10,26 V, perubahan 1,7%. Dioda zener telah mengurangi perubahan
input 100% menjadi perubahan output hanya 1,7%. Regulasi tegangan
merupakan penggunaan utama dari dioda zener.
2.8. Penggunaan Dioda Zener
2.8.1. Contoh Penerapan Dioda Zener
Sesuai dengan sifat-sifat yang dimiliki, dioda zener dapat digunakan sebagai
penstabil ataupun pembagi tegangan . Salah satu contoh adalah ditunjukkan
gambar 29 .
T e g a n g a n
d a r i f i l t e r
+
_
1 6 V
l
1 4 V
l
1 2 V
5 V
l
4 V
l
3 V
R S
I Z
Z D 1 0 V R L
1 0 V
I R L
Gambar 29. Penstabil tegangan pada output penyearah
+ 1 2 V
_
Gambar 29 a.
Dioda Zener yang melindungi pemancar ( transceiver ) di dalam kendaraan mobil
, terhadap loncatan-loncatan tegangan.
Adapun cara kerja rangkaian di atas adalah sebagai berikut :
2.8.1.1. Bila dioda Zener yang kita pilih memiliki tegangan tembus sebesar 10
Volt , lihat gambar di atas, berarti tegangan output yang diperlukan adalah
sebesar 10 V satabil .
2.8.1.2. RS gunanya untuk membatasi tegangan yang masuk dalam rangkaian
dan RL untuk beban atau output yang kita ambil tegangannya .
2.8.1.3. Seandainya tegangan input ( tegangan dari filter ) itu naik , misalkan 16
Volt maka tegangan yang didrop oleh RL juga akan naik misalkan sebesar 12
Volt . Maka dioda zener akan menghantar . Arus akan terbagi dua , yaitu lewat
RL dan ZD . Sedangkan dioda zener mempertahankan tegangan sebesar 10 Volt
dan karena dioda ini di pasang paralel dengan RL maka dengan sendirinya
tegangan output akan tetap sebesar 10 Volt .
2.8.1.4. Selanjutnya apabila tegangan input turun maka tegangan yang di drop
oleh RS akan kurang dari 4 Volt dan tegangan yang di drop oleh RL pun akan
kurang dari 10 Volt . Hal ini mengakibatkan dioda zener menyumbat dan arus
hanya mengalir lewat RL saja . Dengan sendirinya tegangan output akan turun
(tegangan input turun menjadi 12 Volt).
2.8.1.5. Kesimpulannya adalah bahwa tegangan output tidak akan melebihi dari
10 Volt tetapi dioda zener tidak menjamin tegangan tetap sebesar 10 Volt bila
tegangan input dari filter itu turun .
Contoh lain pemakaian dioda zener adalah seperti gambar 30 . Dengan cara
tersebut kita akan mendapatkan beberapa macam tegangan yang diinginkan .
Gambar 30. Pembagi tegangan dengan dioda zener
Beberapa dioda zener dipasang berderet dan setiap dioda memiliki tegangan
tersendiri ( tegangan zener ) . Dengan jalan seperti di atas maka kita akan
mendapatkan tegangan-tegangan 30 V , 42 V dan 48,8 V .
Rumus untuk menyelesaikan rangkaian Stabilitas tegangan dengan Dioda Zener
adalah sebagai berikut :
Gambar 31
Arus pada RS :
I
S
=
U - U
R
i Z
S
I
Z
= I
S
- IB
B
Tegangan-
beban : U
RB
= U
Z
Arus-beban :
B
Z
B
RB
U
= IB
2.8.2. Contoh 1.
+
_
R V
U Z Z D
R L U L
U E
U R V
I L
I Z
I E
Gambar 32
Lihat gambar samping , apabila
kita letakkan beban R
L
paralel
terhadap dioda zener , maka
akan didapatkan hubungan :
U
L
= U
Z
I
E
= I
Z
+ I
1
U
E
= U
V
+ U
Z
2.8.2.1. Apabila : R
L
= berubah-ubah I
L
Konstan
U
E
= Konstan I
E
= Konstan
( pada U
Z
Konstan )
2.8.2.2. Apabila : R
L
= Konstan I
L
= Konstan ( pada U
Z
Konstan )
U
E
= .Konstan I
E
Konstan
Sesuai dengan hukum Kirchoff 1 maka :
I
E
= I
Z
+ I
L
( I
Z
ini timbul disebabkan pengaruh tegangan input pada dioda zener serta
impedansi yang terdapat dalam dioda zener ) .
2.8.3. Contoh 2
Dalam praktik, kedua jenis beban ( beban luar dan beban pada dioda zener
sendiri ) akan saling mempengaruhi.
Arus zener maksimum akan terjadi , bila arus beban I
L
dalam keadaan paling
kecil (minimum )
dan tegangan input U
E
pada waktu yang sama dalam keadaan paling besar ,
dan itu juga berarti I
E
dalam keadaan maksimum .
I
Z max
= I
E

max
- I
L

min
Sebaliknya arus zener akan minimal bila tegangan input U
E
dalam keadaan (dan
jugaI
E
) minimum dan arus beban dalam keadaan paling besar pada waktu
yang sama . Arus zener yang minimum inilah yang di harapkan .
I
Z

min
= I
E

min
- I
L

max
Perhitungan rangkaian dasar :
Seperti telah dibicarakan di atas, yaitu masalah tegangan pada beban, arus
maksimum, arus beban minimum serta tegangan inputnya, maka untuk
perhitungan pada rangkaian stabilisasi, langkah-langkah untuk memilih dioda
zener adalah sebagai berikut :
U
Z
= U
L
( Perlu juga diperhatikan toleransi pada U
Z

min
dan U
Z max
).
2.8.4. Contoh 3
P
V
=
1,45 . U
Z
. I
L max

U
E max
- U
E min
U
E min
- U
Z max

-
I
L min
I
L max

1
]
1
1
P
V
= Disipasi daya atau hilang daya pada dioda zener
1,45 = Faktor toleransi yang diberikan akibat adanya minority
carrier ( pembawa minoritas ) yang terdapat dalam zener

ma
- U
U
E

min
- U
-
I
L

min
I
L

max

Z

min
Z

max
U
E
1
]
1
1
1
adalah faktor
yang memperhitungkan temperatur medium
Jika tidak ada spesifikasi ( tabel data ) maka diambil harga :
I
Z min
= 0,1 . IZ max
( I
Z

max
diambil dari luar tabel tanpa tambahan pendinginan permukaan )
Tahanan depan R
V
:
R
V
=
U
V
I
E
=
U
E
- U
Z
I
Z
+ I
L
Rumus diatas digunakan menghitung tahanan depan RV . Namun yang perlu
diingat, adalah RV ini berbeda pada daerah yang diijinkan, yaitu di antara
dua nilai ekstrem.
2.8.5. Contoh 4.
R
V
= U
E
max - U
Z
min Untuk arus dioda maksimum
I
L
min + IZ max
R
V
= U
E
min - UZ max Untuk arus dioda minimum
I
L
max + I
Z
min
Dua rumusan dasar R
V
min dan R
V
max telah diketahui, selanjutnya dalam
kondisi tertentu :
R
V

min
> R
V

max
Harga ini dapat dipenuhi bila
I
Z
max besar atau bila
Dipilih tegangan input lebih besar
Harga R
V
min dan R
V
max ini cukup besar dan sudah tentu didapatkan harga R
V
yang tertentu pula . Kedua nilai ekstrem ini juga memperhitungkan toleransi nilai
tahanan yang berkisar di antara 5% atau 2%.
Dalam normalitas harga R
V
dipilih E24 atau E48 Dengan harga tahanan depan
yang tinggi, maka hilang daya pada tahanan depan dan dioda zener akan
menjadi kecil.
Maka sisi kerja yang lain akan memperbaiki fungsi stabilisasi.
Besarnya daya maksimum pada tahanan depan ditentukan oleh tegangan yang
ada.
( )
P
RV
=
U
E max
- U
Z min

R
V
2.8.6. Contoh 5
Contoh Perhitungan :
Diketahui :
U
L
= 5,0 Volt
I
L
= 40 ............................... 100 mA
U
E
= 20 V t 10%
T
U
= 40 ...............................50
0
C
1. Cara memilih tipe dioda zener :
U
Z
= U
L
= 5,0 V ( U
Z max
= 5,4 V, U
Z min
= 4,8 V sesuai tabel data ) .
P
V
= 1,45 . U
Z
. I
L max

U
E max
- U
Z min
U
E min
U
Z max
-
I
L min
I
L max
1
]
1
1
P
V
= 1,45 . 5 V . 0,1 A
22 V - 4,8 V
18 V - 5,4 V
-
40 mA
100 mA
1
]
1
P
V
= 0,725 W ( 1,366 - 0,400 )
P
V
= 0,725 W . 0,966 = 0,7 W
Dipilih tipe dioda ZD 5,1 I
Z

max
= 170 mA
I
Z

min
= 0,1 . I
Z

max
= 17 mA.
Cara memilih tahanan depan :
R
V
min =
U
E max
- U
Z min
I
L min
+ I
Z max
=
22 V - 4,8 V
0,04 A + 0,17 A
= 82
R
V
max =
U
E min
- U
Z max
I
L max
+ I
Z
=
18 V - 4,8 V
0,1 A + 0,017 A
= 107,5
Dipilih tahanan dengan
R
V =
100 /5 W
P
RV
=
( )
U
E max
- U
Z min

2
R
V
=
22 V - 4,8 V
2
100
= 2,96 W
_
,

3. Lampiran
Dioden Diodes
Zenerdioden
0,4 W
PHILIPS
Typ BZK 79
Toleranz t 5%
Technische Daten
Gehuse DO-35
Leistung 500 mW max
Non-repetitive
peak reverse power
dissipation 30 W max
Junction temperature 200
0
C max
Thermal resistance from
junction to tie-point 0,30 K / mW
Diodes Zener
0,4 W
PHILIPS
Type BZK 79
Tolerance t 5%
Donnees tecniques
Botier DO-35
Puissance 500 mW max
Non-repetitive
peak reverse power
dissipation 30 W max
0
C max
Thermal resistance from
junction to tie-point 0,30 K / mW
Art.No Typ
Uz (v)
at Iztest
min
= 5 mA
max
rdiff ()
at Iztest
typ
= 5 mA
max
SZ (mV /
0
C)
at Iztest
min
= 5 mA
typ max
603278
603279
603277
603243
603244
603245
603247
603247
603248
603249
603250
603251
603252
603253
603254
603255
603256
603257
603258
603259
603260
603261
603264
603266
603267
BZX79-C2V4
BZX79-C2V7
BZX79-C3V0
BZX79-C3V3
BZX79-C3V6
BZX79-C3V9
BZX79-C4V3
BZX79-C4V7
BZX79-C5V1
BZX79-C5V6
BZX79-C6V2
BZX79-C6V8
BZX79-C7V5
BZX79-C8V2
BZX79-C9V1
BZX79-C10
BZX79-C11
BZX79-C12
BZX79-C13
BZX79-C15
BZX79-C16
BZX79-C18
BZX79-C24
BZX79-C30
BZX79-C33
2,2
2,5
2,8
3,1
3,4
3,7
4,0
4,4
4,8
5,2
5,8
6,4
7,0
7,7
8,5
9,4
10,4
11,4
12,4
13,8
15,3
16,8
22,8
28,0
31,0
2,6
2,9
3,2
3,5
3,8
4,1
4,6
5,0
5,4
6,0
6,6
7,2
7,9
8,7
9,6
10,6
11,6
12,7
14,1
15,6
17,1
19,1
25,6
32,0
31,0
70
75
80
85
85
85
80
50
40
15
6
6
6
6
6
8
10
10
10
10
10
10
25
30
35
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
70
80
80
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
-2,7
-2,0
-0,4
-1,2
-2,5
-3,2
-3,8
-4,5
-5,4
6,0
7,0
9,2
10,4
12,4
18,4
24,4
27,4
-1,6
-2,0
-2,1
-2,4
-2,4
-2,5
-2,5
-1,4
-0,8
-1,2
-2,3
-3,0
-4,0
-4,6
-5,5
-6,4
-7,4
8,4
9,4
11,4
12,4
14,4
20,4
26,6
29,7
0
0
0
0
0
0
0
0,2
1,2
2,5
3,7
4,5
5,3
6,2
7,0
8,0
9,0
10,0
11,0
13,0
14,0
16,0
22,0
29,4
33,4
Catatan
Uz = Tegangan Break down Zener
rdiff = Tahanan beda fasa arus test zener 5 A
Sz = Daya hantar therma
Diodes
Diodes Zener
1 W
MOTOROLA
Type 1 N 47...A
Pour applications indrustrielles
Donnees tecniques
Botier DO-41
Rth 150 K/W
Tj max 200
0
C
Gamme de temperature ...+ 50
0
C
Art. No Typ
Uzt
nom
Izt
mA
Rzt
max
Ir max
A
Ur
V
Iz m
mA
601100
601102
601103
601104
601105
601106
601107
601108
601109
601110
601111
601112
601113
601114
601115
601116
601117
601118
601119
601120
601121
601122
601123
601124
601125
601126
601129
1N4728A
1N4730A
1N4731A
1N4732A
1N4733A
1N4734A
1N4735A
1N4736A
1N4737A
1N4738A
1N4739A
1N4740A
1N4741A
1N4742A
1N4743A
1N4744A
1N4745A
1N4746A
1N4747A
1N4748A
1N4749A
1N4750A
1N4751A
1N4752A
1N4753A
1N4754A
1N4757A
3,3
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
51
76
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15,5
14
12,5
11,5
10,5
9,5
8,5
7,5
7
6,5
5
10
9
9
8
7
5
2
3,5
4
4,5
5
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
95
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
7,6
8,4
8,9
9,9
11,4
12,2
13,7
15,2
16,7
18,2
20,6
22,8
25,1
27,4
29,7
38,8
276
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
18
Catatan
Uzt = tegangan Break down Zener
Izt = Arus Zener
Rzt =Tahanan Zener
I
rmax
= Arus Reverse Maximum
Vr = Tegangan Reverse
Izm = Arus Zener Maximum
Dioden Diodes
Zenerdioden
1,3 W
PHILIPS
Typ BZK 85
Toleranz t 5%
Technische Daten
Gehuse DO-41
Leistung 1,3 W max
Non-repetitive
peak reverse power
dissipation max. 60 w
tp = 100 S; tJ = 25
0
C
0
C max
Thermal resistance
from junction to
tie-point = 110 K/W
Diodes Zener
1,3 W
PHILIPS
Type BZK 85
Tolerance t 5%
Donnees tecniques
Botier DO-41
Puissance 1,3 W max
Non-repetitive
peak reverse power
dissipation max. 60 w
tp = 100 S; tJ = 25
0
C
0
C max
Thermal resistance
from junction to
tie-point = 110 K/W
Art. No Typ
Working
voltage
E24 (
t
5%)
U
Z
(V)
at I
Z

test
min nom max
Test current at
I
Z

test
(mA)
Differential
resistance
r
diff
(
)
at I
Ztest
max
Temperature
coefficient
S
Z
(mV / K)
at I
Ztest
min max
Reverse Test
current voltage
IR (
A) VR (V)
at U
R
max
603696
603697
603698
603699
603700
603701
603702
603703
603704
603705
603706
603707
603709
603710
603711
603712
603713
603714
603716
603717
603718
603719
603721
603722
603723
BZV85-C3V6
BZV85-C3V9
BZV85-C4V3
BZV85-C4V7
BZV85-C5V1
BZV85-C5V6
BZV85-C6V2
BZV85-C6V8
BZV85-C7V5
BZV85-C8V2
BZV85-C9V1
BZV85-C10
BZV85-C12
BZV85-C13
BZV85-C15
BZV85-C16
BZV85-C18
BZV85-C20
BZV85-C24
BZV85-C27
BZV85-C30
BZV85-C33
BZV85-C39
BZV85-C43
BZV85-C47
3,4
3,7
4,0
4,4
4,8
5,2
5,8
6,4
7,0
7,7
8,5
9,4
11,4
12,4
13,8
15,3
16,8
18,8
22.8
25,1
28
31
37
40
44
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
10
12
13
15
16
18
20
24
27
30
33
39
43
47
3,8
4,1
4,6
5,0
5,4
6,0
6,6
7,2
7,9
8,7
9,6
10,6
12,7
14,1
15,6
17,1
19,1
21,2
25,6
28,9
32
35
41
46
50
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
15
15
15
10
10
8
8
8
6
6
4
15
15
13
13
10
17
4
3
3
5
5
8
10
10
15
15
20
24
30
40
45
45
60
75
100
-3,5
-3,5
-2,7
-2,0
-0,5
0
0,6
1,3
2,5
3,1
3,8
4,7
6,3
7,4
8,9
10,7
11,8
13,6
18,3
20,1
22,4
24,8
29,6
34,0
37,4
-10
-10
0
0,7
2,2
2,7
3,6
4,3
5,5
6,1
7,2
8,5
10,8
12,0
13,6
15,4
17,1
19,1
24,3
27,5
32,0
35,0
43,0
48,3
52,5
50
10
5
3
3
2
2
2
1
0,7
0,7
0,2
0,2
0,2
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
1
1
1
1
2
2
3
4
4,5
5
6,5
7
8,4
9,1
10,5
11
12,5
14
17
19
21
23
27
30
3
Diodes
Diodes Zener
5 W
Type BZK 40
Tolrance t 5%
Bonne stabilit long terme
Donnees tecniques
Botier T-18
Donnees Limites TL = 25
0
C (a II = 1 A)
dissipation Ptot 5 W
Temprature
de la cuche d arrt Tj - 65
+ 150
0
C
Resistance thermique RthJL 25 K/W
Tension directe UF 1,2 V
Art. No Typ
UZ* *
(V)
IZT
(ma
Zzdyn
bei / IZT
f = 1 kHz
bei
IR
(A)
bei
UR
(V)
IZ max
(mA)
bei /
50
0
C
603600
603601
603602
603603
603604
603605
603606
603607
603608
603612
603613
603614
603615
603616
603618
603619
603622
603626
603627
603628
603630
603631
603636
603645
BZV40C3V3
BZV40C3V6
BZV40C3V9
BZV40C4V3
BZV40C4V7
BZV40C5V1
BZV40C5V6
BZV40C6V2
BZV40C6V8
BZV40C9V1
BZV40C10
BZV40C11
BZV40C2
BZV40C13
BZV40C14
BZV40C15
BZV40C18
BZV40C24
BZV40C25
BZV40C27
BZV40C30
BZV40C33
BZV40C51
BZV40C100
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
9,1
10
11
12
13
14
15
18
24
25
27
30
33
51
100
380
350
320
290
260
240
220
200
175
150
125
125
100
100
100
75
65
50
50
50
40
40
25
12
3,0
2,5
2
2
2
1,5
1
1
1
2
2
2,5
2,5
3,0
3,5
3,5
4
5,0
5,5
6,0
8,0
10
27
90
300
150
50
10
10
1
1
1
10
7,5
5
5
2
1
1
1
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
1
1
1
1
1
1
1
1
5,2
6,9
7,6
8,4
9,1
9,9
10,6
11,5
13,7
18,2
19
20,9
22,8
25,1
39,8
76
780
770
750
710
680
640
590
540
480
360
330
300
275
225
240
220
185
138
133
121
109
98
64
33
Catatan
Uzt = Tegangan Break down Zener
Izt (ma) = Arus Zener Maksimum
Zzdyn = Daerah Dinamis Zener pada Frekuensi 1 Khz
Izmax = Arus Zener Maximum
MICRO
Dioden Diodes
Schutzdioden
SGS.THOMSON
Typ 1,5 KE...
berspannugsschutz fr Halbleiter
Maximale Belastung 1,5 kW / 1 ms
Tecnische Daten
Gehuse CB-429
Toleranz
A + 5%
P + 10%
Diodes de protection
SGS.THOMSON
Typ 1,5 KE...
Protection contre les surtensions pour
les semi-conducteurs
Charge maximale 1,5 kW / 1 ms
Donnes techniques
Botier CB-429
Tolerance
A + 5 %
P + 10 %
Art. No Typ
Arbeitsspannung
Tension de veille
V
Durchspannung
Tension d avalanche
V ( 1 mA )
Stossstrom
Courant de choc
A ( 1 ms max )
unidirektional/ unidirectionnel
60 04 14
60 04 16
60 04 20
60 04 26
60 04 28
60 04 32
60 04 36
60 04 38
60 04 44
60 04 46
60 04 48
60 04 50
60 04 12
60 04 18
60 04 22
60 04 24
60 04 30
60 04 34
60 04 40
60 04 42
15A
18A
20A
24A
27A
33A
36A
39A
51A
56A
62A
68A
150P
200P
220A
250A
300P
350A
400P
440P
12,8
15,3
17,1
20,5
25,7
28,2
30,8
33,3
43,6
47,8
53
58,1
128
171
188
213
256
299
342
376
15
18
20
24
27
33
36
39
51
56
62
68
150
200
220
250
300
350
400
440
71
59,5
54
45
40
33
30
28
21,4
19,5
17,7
16,3
7,2
5,5
4,6
5
5
4
4
3,5
bidirectional/bidirektionnel
60 04 74
60 04 60
60 04 64
60 04 66
60 04 70
60 04 72
60 04 52
60 04 54
60 04 56
60 04 58
60 04 62
8V2CA
22CA
33CA
39CA
56CA
75CP
100CP
150CA
200CP
220CA
320CP
7,02
18,8
28,2
33,3
47,8
64,1
85,5
128
171
188
273
8,2
22
33
39
56
75
100
150
200
220
320
124
49
33
28
19,5
14,6
11
7,2
5,5
4,6
4,5
KARAKTERISTIK BEBERAPA DIODA ZENER
Type UZ
rata2 (V)
Jangkah
harga (V)
ID (ma) rD (Ohm)
BZ 1
BZ 5
BZ 7
BZ 8
BZ12
BZY60
BZY63
BZY66
BZZ10
BZZ13
OA126/9
OA126/10
OA126/11
OA126/12
OA126/18
OAZ200
OAZ202
OAZ205
OAZ211
OAZ212
SZ6
SZ9
SZ12
SZ15
BZY5
BZY6
BZY12
BZY18
BZY20
ZL 100
ZL 120
ZL 180
ZL910/12
4,5
5,5
7,5
8,5
12
6,8
9,1
6,2
6,0
8,0
9
10
11
12
18
4,7
5,6
7,5
7,5
9,1
6
9
12
15
5,5
6,5
12
12
18
100
120
180
12
4 ...... 5
5 ...... 6
7 ...... 8
8 ...... 9
11 ... 13
6,4 ... 7,2
8,6 ... 9,6
5,3 ... 7,2
5,3 ... 6,6
7,1 ... 8,7
8,4 ... 9,6
9,4 ... 10,6
10,4 ... 11,6
11,4 ... 12,6
15,9 ... 20,1
4,4 ... 5,0
5,3 ... 6,0
7,1 ... 7,9
6,4 ... 8,7
7,7 ... 10,6
5,4 ... 6,6
8,4 ... 9,6
11,4 ... 12,6
14,4 ... 15,6
5 ........ 6
6 ........ 7
11 ..... 13
10,8 ... 13,3
16,2 ... 20
88 ... 110
107 ... 134
160 ... 200
10,8 ... 13,2
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
3
3
3
3
3
1
1
1
1
1
20
5
5
5
100
100
50
50
50
5
5
5
100
65
45
3
3
14
5
8
200
280
6
6,5
10
15
21
50
350
320
8,0
8,0
8,0
2
5
12
23
12
60
80
150
4
Catatan
Uz =Tegangan Zener
I
D
(ma) = Arus Dioda Zener
I
D
(ohm) = Tahanan Dalam Zener
4. Lembar Evaluasi
1. Bahan dasar yang digunakan untuk pembuatan komponen dioda zener
adalah .....................................
2. Elektron valensi adalah elektron yang terletak pada .........................
3. Daerah pertemuan (junction) antara kedua lapisan P-N disebut ...........
4. Daerah dekat junction dikosongkan dari muatan yang dapat bergerak,
daerah ini kita sebut lapisan .............................................
5. Untuk pendekatan kedua, kita perlu memasukkan pembawa ...........
6. Pembawa minoritas bergeser melewati junction akan ..........................
7. Pada suhu 25
o
potensial barier kira-kira sama dengan ........................
untuk germanium dan ............................................... untuk silikon.
8. Di ketahui dioda zener bertegangan 15 V dan arusnya 20 mA, tentukan
dissipasi dayanya ?
9. Di ketahui jika dioda zener mempunyai rating daya 5 watt dan tegangan
zener 20 V berapakah I
ZM
?
10. Dalam daerah breakdown dioda zener , perubahan 15 mV
menghasilkan perubahan 2 mA. berapakah impedansi zener ?
11. Di ketahui tegangan breakdown (U
Z)
= 18 V dan impedansi zener (Z
ZT
)
= 12 jika arus yang mengalir pada zener 10 mA .
Berapakah tegangan total dioda zener tersebut ?
5. Lembar Jawaban
1. Bahan dasar yang digunakan untuk pembuatan komponen dioda zener
adalah Silikon (Si)..
2. Elektron valensi adalah elektron yang terletak pada ..orbit paling luar.
3. Daerah pertemuan (junction) antara kedua lapisan P-N disebut daerah
deplesi..
4. Daerah dekat junction dikosongkan dari muatan yang dapat bergerak,
daerah ini kita sebut lapisan ..pengosongan..
5. Untuk pendekatan kedua, kita perlu memasukkan pembawa minoritas..
6. Pembawa minoritas bergeser melewati junction akan ..mengurangi
medan yang menerimanya..
7. Pada suhu 25
o
potensial barier kira-kira sama dengan ..0,3 V.. untuk
germanium dan ..0,7 V.. untuk silikon.
8. Pz = Uz . Iz
= 15V . 0,02A
= 0,3 Watt
9
10.
11.
W 0,25
V 20
W 5

P
= I
UZ
Z
ZM
ZZ =
U
i

15 mV
2 mA
7,5
UZ = U + I . Z
= 18 +(0,01 . 12 )
=18 + 0,12
= 18,12 V
Z Z Z

Kegiatan Belajar 3
TRANSISTOR BIPOLAR
Setelah membaca modul ini diharapkan pemakai dapat:
Memahami dasar pembentukan transistor bipolar
Memahami sifat dasar transistor bipolar
Memahami harga batas transistor bipolar
Memahami sifat listrik transistor bipolar
Memahami penggunaan transistor bipolar
Memahami hubungan dasar transistor bipolar
2. Uraian Materi
2.1. Pembentukan transistro bipolar
Teknik untuk Ge Teknik untuk Si
Layer Epitaksial
P n
1
2
S i 0
P
P +
n
n +
S i 0
3
4
E B
C
E B
C
E B
C
E
B
C
Gambar 33. Contoh Langkah proses pembuatan Transistor - epitaksial - planar
Pada kristal N - Si dengan tahanan ohm rendah ( dengan doping tinggi ) ;
selanjutnya di gunakan pada lapisan tipis layer N - epitaksial dengan tahanan
ohm tinggi . Dengan demikian layer pengaman di tengah oksidasi ( Si 0 )
Di buatkan sebuah jendela ( jendela basis ) dalam layer Si 0 , dikotori dengan B
( Valensi 3 tipe P ( pada layer penghantar basis) , kemudian di tumbuhi /
ditutupi layernya dengan Si 0 .
Jendela emiter ditentukan dahulu dalam layer Si 0 lalu didopping ( dikotori )
dengan phosphor tipe N - menjadi layer penghantar emiter , lalu ditimbuni
lagi dengan layer Si 0 .
Menentukan jendela untuk tempat kedudukan kontak , lalu kontak metal di
tempatkan akhirnya kutub kolektor .
Penempatan akhir :
Perencanaan kotak
Pemasukan , mengupas dengan plastik buatan . ( Pembuatan miniatur )
Sifat - sifat
Transistor - epitaksial : Penguatan tinggi
kapasitas kecil
frekuensi cut-off tinggi
Tegangan beban ( UCE ) rendah
batasan modulasi ( Pencampuran yang saling mempengaruhi )
besar
arus beban kecil pada waktu hubung pendek
2.2. Sifat Dasar Transistor :
2.2.1. Pengaruh Temperatur
Suatu semi konduktor pada kondisi temperatur yang besar menghantar
sendiri
Ketentuan dasar :
bertambah, arus menjadi lebih besar
Temperatur
berkurang, arus menjadi lebih kecil
Ketentuan itu berlaku bila suatu semi konduktor memperoleh panas dari dalam
semi konduktor itu sendiri dan menerima panas dari luar. Hasil dari uraian di atas,
kurva karakteristiknya digambar seperti berikut ini
0 , 5
1
0 , 4 0 , 8
I B ( m A )
U B E ( V )
I B
U B E
5 0
1 0 0
1 0 2 0
I C ( m A )
U C E ( V )
I C E O
+ X
Gb.34 Karakteristik Masukan Gb.35 Karakteristik Keluaran
( Input Characteristic ) ( Output Characteristic )
Temperatur itu mempunyai pengaruh pada arus kolektor I
C
( berturut-turut I
E
),
langsung berpengaruh pula pada
Arus bocor kolektor I
CEO
,( Arus Kolektor-Emitor pada keadaan Basis terbuka )
Penguatan arus searah ( berturut-turut A )
+ AV lebih besar
Hal diatas adalah I
CE
pada
- AV lebih kecil
Akibatnya penghalauaan / pengendalioan temperatur harus di usahakan .
2.2.2. Pengaruh Temeperatur terhadap U
BE
Atas dasr pengalaman harganya di tentukan ( berlaku ) :U
BE
/
0
C 2 m V/
0
C
Setiap temperatur1
0
C tegangan Basis-Emitor sekitar 2 m V
Contoh : Berapa besar perubahan tegangan keluaran ( tegangan Output )U
CE
, jika
V = 10
0
C, V = 50, merupakan penguatan tegangan
U
CE
= V . U
BE
. V = 50.2.10 ( m V )
Penyelasaian :
U
CE
= 1,000 m V = 1 V
Pengaruh temperatur ini diatasi dengan mereduksinya secara rangkaian
teknik (seperti Kopling pelawan)
2.2.3. Sifat Frekuensi
Bersifat dinamis ( berubah-ubah )
Sifat pada frekuensi tinggi
Penguatan arus berkurang
Amplitudo keluaran berkurang
Tahanan keluaran ( tahanan output ) atau impedansi berkurang
Mempengaruhi jalannya waktu ( periode ) pengisian muatan.
Pergeseran phasa pada masukan dan keluaran
Mengakibatkan perubahan pembuangan muatan kapasitas C
Pengertian : Suatu frekuensi, yang besarnya tertentu mempunyai harga
penurunan pada frekuensi yang lebih rendah disebut : Frekuensi batas F
G
Frekuensi batas : frekuensi dengan :
2
2
0 707 mempunyai penurunan
sebesar 3 dB ( turun 3 deci - Bell )
Gambaran secara grafik : Jalannya amplitudo :
S i n y a l m a s u k a n S i n y a l k e l u a r a n
U i U o
F ( H z )
F T
F r e k u e n s i b a t a s
t t
S E S A
S A M e n g a m b i l /
m e n e n t u k a n
p e n g u a t a n
1 0 1 0 1 0
2 4 6
Gambar 36.
SE = Konstan
Frekuensi batas bisa di pertinggi oleh bangunan konstruksi
yaitu Lapisan basis yang tipis , lapisan kolektor yang kecil
Transistor frekuensi tinggi
2.3. Harga Batas Transistor
2.3.1. Pengantar :
Harga karakteristik kerja :
Merupakan sifat-sifat yang dimiliki oleh transistor, misalnya penguat arus (yang di
tentukan oleh I
C
) frekuensi batas dsb .
Harga batas kerja :
Harga batasan-batasan maksimum ( Seperti : I
C

max
, U
CE

max
, P
Vmax
)
Yang apabila berlangsung melampaui waktu yang di tentukan , akan terjadi
kerusakan / kehancuran elemen.
2.3.2. Temperatur maksimum dari lapisan penghalang dan rugi daya
Temperatur lapisan kolektor hendaknya tidak dilampaui.
V
J

max
200
0
C
Lapisan penghalang menjadi panas terutama karena adanya pemanasan sendiri ,
maksudnya karena adanya rugi daya P
V
P
V
= U
CE
. I
C
P
V
atau P
O
(disipasi ).
Saling bergantung P
V
V
J
V
J
: V adalah sebanding P
V
! V
J max
tidak di lampaui
untuk membuat keadaan aman , caranya dengan mengeliminasi panas
Pendingin antara, alat pendingin reduksi rugi daya .
Disini masih dapat terjadi rugi hantaran maksimum yang diijinkan dari keterkaitan
dan ketergantungan dengan panas . Karena Pernyataan / Penentuan rugi
daya maksimal yang dijinkan , P
V

max,
juga tergantung pada temperatur luar .
Dua kasus rugi daya ( masing-masing terlihat dari lembar data )
P
V

max
yang berkaiatan dengan temperatur sekitar .
pada transistor-transistor kecil
P
V

max
yang berkaitan dengan pemanasan
transistor-transistor besar ( harus ada alat pendingin ! )
2.3.3. Penentuan rugi daya yang diijinkan :
Rugi daya yang berkaitan dengan temperatur sekitar :
Temperatur sekitar V
U
atau , Tamb tamb
( ambient = daerah sekitar )
Petunjuk rugi daya maksimum untuk V = 25
0
C
( Temperatur pemakaian )
1 0 0
2 0 0
3 0 0
4 0 0
2 5 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0
( m W ) P v
V ( C )
h a r g a b a t a s p a d a 2 5 C
P v
V u
J
V
m a x )
V
P
Gambar 37. Analisa grafis : P
V
dan ketergantungannya dengan V
U
Rugi daya yang diijinkan dikurangi dengan pertambahan temperatur adalah linier.
Yaitu : =
V
U
P
V
Konstan tahanan termis R

thju
Juga :
V
U j
V
U j
V
U
thju
P
V max V
0 P
V max V
P
V
R
-
=
-
=

=

Dengan demikian :
thju thju
U j
V
R
V
R
V - max V
= P

=
hubungan ohm tentang aliran

panas
Contoh : Diketahui temperatur sekitar V
U
= 25
0
C , temperatur lapisan
penghalang maksimal
V
j max
= 200
0
C, tahanan termis Rthju = 0,44
0
C/mW
Berapa besar rugi daya yang diijinkan :
Jawab :
mW 400 (mW)
0,44
25 - 200
=
R
V
= P
thju
V
Data lain yang menentukan besar tahanan termis Rthju daya hantar termis
thju R
1`

1
]
1
c
mW
R
1
0
thju
Pengurangan rugi daya tiap
0
c
Dengan begitu :
V .
R
I
= P
thju
V
Contoh : Hitunglah rugi daya yang diijinkan pada suatu temperatur daerah
sekitar
V
U
= 60
0
C dari transistor type 2 N2904
Jawab : Daya hantar = 3,34 mW/
0
C
P
V
max = 600 mW
Vj max = 200
0
C
3,43.140 =
C
C . mW
60) - (200 3,43 = V
R
1
= P
0
0
thju
V 1
]
1
P
V
= 480 mW
Pemakaian rugi daya pada temperatur kotak / bodi :
Temperatur bodi V
G
atauT
C
t
C
( Case = kotak )
Data rugi daya maksimum pada : V
G
= 25
0
C, 45
0
C (P
V
pada V
C
= 25
0
C adalah
data yang semu) Alat pendingin harus pada panas V
U
= 25
0
C ( kalau dapat
dipertahankan ini merupakan kondisi kerja yang sangat baik ) .
R t h j g
R t h g k V j m a k s
R t h k u
Gambar 38. transistor daya pada pendingin
Tahanan termis bersama :
thku thgk thjg th
R = R + R = R
Rthjg = Data dalam lembar data transistor
Rthgk = Tahanan antara / Penyekat kotak alat pendingin
0,1 - 0,3
0
C/W ; Pada isolasi listrik ( Plat mika ) sebesar > 1
0
C/W
Rthku = Tahanan profil pendingin profil - daerah sekitar ; data
dari perusahaan .
v G
P v
( W a t t )
0
1 2 0
1 0 0
8 0
6 0
4 0
2 0
2 5 5 0
1 0 0 1 5 0 2 0 0
P ( V ) u n t u k t r a n s i s t o r 2 N 3 0 5 5
P m a x
v
V
G
( C )
o
Gambar 39. Lukisan grafis : P
V
fungsi V
G
Gambar rangkaian pengganti Listrik untuk aliran panas .
R t h j g
R t h g k
R t h k u
j g
V
a l i r a n p a n a s P
V
s u m b e r p a n a s
V
g k
V
k u
Gambar 40.
Tahanan dalam
Penurunan temperatur
( tegangan termis )
V = V
jg
+ V
gk
+ V
ku
Penghitungan pemakaian panas sebagaimana penghitungan pada sebuah
rangkaian seri pemakaian Listrik.
Persesuaian Formal :
Arus I
Aliran panas
P
V
Tegangan U
Penurunan Panas
V
Tahanan R
Tahanan termis
R
th
Berlaku hubungan
th
U j
th
V
R
V - V
=
R
V
= P
R
th
= Tahanan termis total .
Perhitungan :
Contoh :
1. Seorang akan menentukan rugi daya P
V
yang diijinkan .
Diketahui : R
thjg
= 7,5
0
C/W ; Rthgk 0,2
0
C/W
R
thku
= 6,8
0
C/W
V
jmax
= 200
0
C ; V
U
= 25
0
C
Penyelesaian :
Watt 12 =
6,8 0,2 7,5
25 - 200
=
R R R
VU - max V
=
R
V
= P
thku thgk thjg
j
th
V
+ + + +
Pilihlah alat pendingin untuk transisto 2 N 3055 yang rugi dayanya P
V
= 30 W . Temperatur sekitar V
U
= 450C ( RthGK diabaikan ) .
Jawab :
Dari data :
C W/ 0,657 =
R
1
; C 200 V
0
thjg
0
jmax

Jadi
thku thjg
U max j
th
V
R - R
V - V
=
R
V
= P
1
]
1
W
C
1.52 -
30
45 - 200
= R -
P
V - V
= R
0
thjg
V
U max j
thKU

[ ] pendingin alat tahanan
W
C
3,64 = Rt
0
hku

1
]
1
( Dapat memilih dari tabel profil yang di berikan )

Temperatur bodi/kotak :
U thku V G
thku
U G
V + R . P = V ;
R
V - V
= Pv
[ ] C 154 = C 45 + 3,64 . 30 = V
0 0
G
2.3.4. Harga-harga yang lain
Tegangan kolektor
-emiter maksimal
Tegangan kolektor -emiter
maksimum yang diijinkan dengan
basis terbuka .
( Tegangan tembus ! )
Simbol yang lain :
B

V
CEO
(

V
( BR )
CEO

)
Breakdown Voltage Collektor Emiter
( tegangan dadal kolektor - Emiter )
Tegangan basis- emiter
maksimal
Tegangan basis - emiter maksimum
yang diijinkan dengan kolektor
terbuka
( Misalnya : penggunaan sebagai
saklar )
Simbol yang lain :
B V
BEO
Arus kolektor maksimal
I C m a x
Besarnya arus kolektor maksimum
yang diijinkan ( dapat dilihat pada
buku data transistor )
Jika malampaui harga-harga
maksimal transistor akan rusak .
2.3.5. Harga batas kerja dalam daerah grafik karakteristik
P
V
max = 30 W
( V
G
= 45
0
C )
[ A ]
I C
a r u s k o l e k t o r m a k s i m u m
h i p e r b o l a r u g i d a y a , P v m a k s
d a e r a h k e r j a
1
2
3
4
5
5 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0
U C E [ V ]
t e g a n g a n k o l e k t o r
/ e m i t o r m a k s i m u m
Gambar 41. kurva disipasi daya
P
V
= U
CE
. Ic 30 W = Konstan !
U
CE
( v )
5 7,5 10 15 20 30 40 50
I
C
( A )
6 4 3 2 1,5 1 0,75 0,6
Harga batas kerja adalah : harga yang statis/tetap .
H a r g a r a t a - r a t a H a r g a / n i l a i - l a m a k e r j a
D i d a p a t k a n d a r i b a n y a k m a c a m c o n t o h
( s a m p l e )
h a r g a ( t y p e ) r a t a - r a t a
Dalam waktu yang singkat diperbolehkan memberlakukan sebuah harga
maksimum .
misal : I
C max
, P
V max
Tetapi awas ! hati-hati !
2.4. Sifat Listrik Transistor Bipolar
Sifat listrik yang di maksud adalah kurva karakteristik transistor berupa suatu
grafik yang memperlihatkan kaitan satu sama lain dari parameter - parameter
tertentu .
Dari kurva karakteristik , kita dapat mengetahui sifat-sifat transistor
2.4.1. Kurva Karakteristik Input I
B
= f ( U
BE
)
P R B
A
V
I B
U B E
U C E
R C
+ U C C
0 V
Gambar 42
Pada gambar 1-a , besarnya I
B
dapat di kontrol dengan U
BE
. Untuk mengubah-
ubah U
BE
di gunakan potensio meter P . Resistor R
B
berfungsi sebagai pembatas
arus I
B
.
Gambar dibawah ini ( Gambar 1-b ) memperlihatkan kurva karakteristik input I
B
= f
( U
BE
) .
5 0
4 0
3 0
2 0
1 0
0
0 , 1 0 , 2
0 , 3 0 , 4 0 , 5 0 , 6 0 , 7
0 , 8
B E ( V )
B ( A )
6 V
8 V
C E = 2 V
U
U
I

Gambar 43
Diatas tegangan 0,7 V kenaikan U
BE
yang kecil , menyebabkan kenaikan yang
relatif besar pada I
B
. Tetapi dibawah 0,6 V , kenaikan yang sama dari U
BE
menyebabkan kenaikan sangat kecil pada I
B
. Pada beberapa harga U
CE
tertentu,
kurva mengalami sedikit penggeseran .
2.4.2. KURVA KARAKTERISTIK OUTPUT I
C
= f ( U
CE
)
P 1
R B
A
I B
+ U C C
0 V
A
V
I C
R C
P 2
Gambar 44
Lihat gambar 44 . Pada harga I
B
tertentu I
C
ditentukan oleh U
CE
. Besarnya U
CE
dapat diubah-ubah dengan potensiometer P
2
Gambar 45 , memperlihatkan kaitan antara arus output I
C
dan tegangan output
U
CE
pada I
B
= Konstan .
1
2
3
4
5
6
0
C ( m A )
I
3 6 1 5 1 8 9
I B = 6 0
A
5 0
A
4 0
A
2 0 A
1 0 A
0 A
U C E ( V )
3 0
Gambar 45
Pada U
CE
0,1 V - 0,3 V arus I
C
mencapai harga optimum . Dalam hal ini katakan
transistor bekerja pada kondisi saturasi .
Pada I
B
= 0 , I
C
= I
CEO
= 0 dan U
CE
= U
CE
. Dalam hal ini transistor bekerja pada
kondisi cut off ( tidak menghantar ) .
2.4.3. KURVA BESARAN MASUKAN DAN KELUARAN
Kaitan antara arus basis I
B
dan arus kolektor I
C
pada U
CE
= konstan di sebut
Forward Transfer Characteristic . I
B
dapat di kontrol dengan U
BE
demikian pula I
C
.
Dengan mengatur P
1
, U
BE
, I
B
dan I
C
dapat diubah-ubah . ( lihat gambar 3-a )
Sedangkan gambar 3-b memperlihatkan hubungan I
B
dan I
C
. Setiap perubahan
pada I
B
menyebabkan perubahan pada I
C
makin besar I
B
, makin besar pula I
C
.
Perbandingan
I
I
C
B
di sebut faktor penguatan arus rangkaian common Emitor ,
di simbolkan dengan h
FE
.
Jadi :
I
I
C
B
= h
FE
Gambar 46
1
2
3
4
5
6
7
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0
6 0
7 0
C ( m A )
I
I

B ( A )
Gambar 47
Stabilisasi Titik Kerja :
Hasil penguatan sinyal besar
( Pengendalian sinyal besar )
Penguat transistor dalam rangkaian emitor bersama :
masukan : Arus bolak-balik
keluaran : Tegangan bolak-balik
: Arus bolak-balik
U Q
E
0
R v
U R
I B V
R
i c
i j E
i j A
U C E
U A
t
t
gb.48
Terjadilah untuk tegangan sinyal UR = - U
CE
Pertengahan Rv terdapat arus tetap titik kerja
k a r a k t e r i s t i k d a s a r
u n t u k p e n g e n d a l i a n
l u a r
T i t i k k e r j a
G a r i s k e r j a
[ V ]
[ A ]
2 5 0 A
2 0 0 A
1 5 0 A
1 0 0 A
5 0 A
5 2 0 1 0 5 0
1 5 0 2 5 0
U I B
t
I c U c e = 1 5 V
U c e = 1 , 5 V
1 5
U
A
I v
B V
Gambar 49. Posisi Titik Kerja - Operasi Penguat
Posisi titik kerja ( tingkatan operasi pada sinyal nol ) hal ini penting menentukan
keadaan daerah kendali luar dan macam operasi penguat.
Dua hal perbedaan :
Titik kerja ( A ) di dalam ( di
tengah ) daerah kendali luar
Penguat bekerja pada klas A
Titik kerja ( A ) di bawah batas
daerah kendali luar
Penguat bekerja pada klas B
F u n g s i
Sinyal secara keseluruhan
akan dilewatkan, untuk sinyal
kecil, sebagaimana penguatan
sinyal besar
Hanya setengah sinyal saja yang
dilewatkan penyearah setengah
gelombang, untuk penguatan sinyal
besar rangkaian bersama dua
penguat klas B .
- melewatkan sinyal penuh
- push pull dengan prinsip penguat
klas B
Kombinasi penguat klas A dan B
Push pull penguat A - B
Penguat Push pull, mengalirkan arus tetap yang lebih kecil .
Penguat B Penguat A
Sifat fisis klas penguat
Penguat klas A
hanya satu tegangan catu
kerugian daya besar, pada sinyal sudah nol
efisiensi lebih kecil
Penguat push pull klas B
kebanyakan dengan dua tegangan catu ( t )
kerugian daya kecil
efisiensi besar
memakai banyak rangkaian
Penempatan dan penstabilan titik kerja
Penstabilan Pengurangan kuat perambatan panas
Z h
Kopling lawan
arus searah
Kopling lawan
tegangan searah
Tahanan NTC
penghantar panas
Metoda
setengah
tegangan catu
t a h a n a n d e n g a n S t a b i l i s a t o r
t a h a n a n t e t a p
2.5. Hubungan Dasar Transistor
2.5.1. Pengantar
Dari ketiga hubungan transistor , terdapat satu pola hubungan
dimana rangkaian input setara atau sama dengan rangkaian out put
Rangkaian input penguatan besar
Rangkaian output hasil penguatan besar
R a n g k a i a n I n p u t R a n g k a i a n O u t p u t
Gambar 50
2.5.2. Hubungan Basis
Hubungan Pemakaian bersama : basis
_
+
+
_
Gambar 51. Hubungan basis
Besaran input : I
E
, U
EB
Besaran out put : I
C
, U
CB
Perbandingan pembawa
=
I
C
I
E
simbol yang lain :

arus ( mengenai titik kerja ) h
fb
, h
2Ib
, fb
Perbandingan pembawa arus simbol yang lain :
searah ( besarnya relatif konstan )
A =
I
C
I
E
h
FB
, H
FB
, FB
Dengan hubungan basis , besarnya tegangan diperluas , tetapi tanpa penguatan
arus
U
CB
= V U
EB
2.5.3. Hubungan Emiter
Hubungan pemakaian bersama : Emiter
Pemakaian yang utama dalam beberapa rangkaian yang berbeda , Pemakaian
secara universal.
+
_
+
_
R
I B
U B E I E U C E
Gambar 52. Hubungan emitor
Besaran input : I
B
, U
BE
Besaran out put : I
C
, U
CE
Penguatan arus : dari basis (input) ke kolektor (output)
Perbandingan pembawa arus :
I
C
I
B
( Penguatan arus )
adalah : I
E
= I
B
+ I
C
; I
B
= I
E
-I
C
I
B
= I
E
- I
C
ataupun : I
E
=
I
C
Juga :
Arus Penguatan
- 1
=
I
I
-
I
= I
B
C
C
B
penguatan arus
=
I
C
I
B

Simbol yang lain :
h
FE
, H
21e
, FE

Penguatan arus searah
FE , H , h
: lain yang Simbol
I
I
=
FE FE
B
C
Dengan hubungan emiter dimaksudkan untuk memperkuat tegangan dan arus !

U
CE
= V U
BE
Grafik input
( m A )
1
0 , 7 5
0 , 5
0 , 2 5
I B
U C E = 1 0 V
D
C
B
A
U B E
0 , 2 0 , 4 0 , 6 0 , 8 ( V )
Dioda dalam keadaan arah
maju
( forward )
( m A )
1 0 0
7 5
5 0
2 5
I C
D
C
B
A
I C I B
5 1 0 1 5 2 0 ( V )
U C E
I B = 0 , 2 5 m A
I B = 0 , 5 m A
I B = 0 , 7 5 m A
I B = 1 m A
I B = P a r a m e t e r
Dioda dalam keadaan arah balik
( reverse )
Tahanan input :
I B
U B E
r
BE
=
U
I
BE
B
Tahanan out put : CE

U C E
I C
r
BE
CE
C
=
U
I
Gambar 53. karakteristik input-output

Terjadi saling tergantung antara besarnya input dengan out put
Grafik pengaturan arus Grafik pengaturan tegangan :
( grafik pembawa arus ) ( grafik pembawa hybrid )
( m A )
I C
1 0 0
7 5
5 0
2 5
A
B
C
D
I C
I B
I B
( m A )
0 , 2 5 0 , 5 0 , 7 5 1
Gambar 54. kurva Ib = f (Ic)
( m A )
I C
1 0 0
7 5
5 0
2 5
A
B
C
D
U B E
( V ) 0 , 2 0 , 4 0 , 6 0 , 8
Gambar 55. kurva Ib = f (Ube)
2.5.4. Hubungan Kolektor ( cc ) atau emiter penghasil
Hubungan pemakain bersama : kolektor
berlawanan fungsinya ( sifat - sifatnya ) dengan hubungan basis .
_
+
I B
- U B C
I C
- U E C
I E
- ( U - U B C )
- U
_
+
Gambar 56. dasar hubungan kolektor
Perubahan
tegangan sama
dengan
Besaran input : I
B
, U
BE
Besaran ouput : I
E
, U
EC
Pembawa arus : dari basis ( input ) ke emiter ( out put )
Rangkaian input 2 pengaturan dari 1 memberikan dan mempunyai fungsi
hubungan yang sama ( hal ini ) berkaintan dengan kesamaan polaritas dari
rangkaian input dan out put sebagaimana pada hubungan basis dan emiter .
+
_
I B
U B
I C
I E
R
U E
+
_
Gambar 57. hubungan kolektror
Perubahan pada UE - sama dan diikuti perubahan pada UA
Pendekatan harga : Emiter mengikuti basis Emiter penghasil
harganya kembali : IE = IB + IC
dan juga : IE = IB + I C
Perbandingan arus pembawa :

I
E
I
B
( Penguatan arus )
Maka :
I
E
I
B
=
I
B
+ I
C
= 1 +
I
E
I
B
I
B
dengan demikian penguatan arus :
Hubungan kolektor atau emiter penghasil menyediakan kemungkinan besar
terjadinya penguatan arus tetapi tanpa penguatan tegangan ( pelemahan )
2.5.5. Pendisain bersama ( harga yang benar )
Hubungan
Emiter
Hubungan
Basis
Emiter Penghasil
Penguatan
Arus
Tinggi ( 100 ) Rendah ( 1 ) Tinggi ( 100 )
Penguatan
Tegangan
Tinggi ( 250 ) Tinggi ( 200 ) Rendah ( 0,95 )
Tahanan
Input
Cukup ( 600 ) Rendah ( 50 ) Tinggi ( 50 K )
Tahanan
Out put
Tinggi ( 50 K ) Tinggi ( 1 M ) Rendah ( 100 )
2.6. Contoh Penggunaan Transistor
2.6.1. Keadaan saklar
Gambar 58
Memblok ( sakalar terbuka )
IB = 0 , UBE 0
UCE < UCEmax ( tegangan dadal )
Menghantar ( sakalar tertutup )
IB . > IC ! !
IC > ICmax
2.6.2. Proses On dan Off
t
(
S )
t
(
S )
t
(
S )
U S
I C
9 0 %
1 0 %
U C E
9 0 %
1 0 %
t r t s t f
I C
U C E S
t r = w a k t u t a n j a k / w a k t u n a i k
t s = w a k t u s i m p a n
t f = w a k t u j a t u h
Gambar 59
Waktu tanjak tr ( rise time ): adalah waktu di mana I
C
menanjak dari 10% sampai
90% .
Waktu simpan ts ( storage time ) : adalah waktu di mana I
C
mencapai 90%
setalah US = 0
Waktu jatuh tf ( fall time ) : adalah waktu dimana I
C
menurun dari 90%
sampai 10%
2.6.3. Kerugian Daya Pada Saat Saklar On dan Off
o n
o f f
I C
U C E
R L
B E B A N O H M
B E B A N I N D U K T I F
B E B A N K A P A S I T I F
I C
o n
o f f
U C E
T a n p a d i o d a
D e n g a n d i o d a
U C E
I C
o n
o f f
P v
t
P v
t
P v
t
S a k l a r O n
S a k l a r O n
K u m p a r a n
Gambar 60
3. Lampiran
SK 01
3 6
9 3
1 1 5
3
2
3 7 , 5 5 0 7 5 1 0 0 1 2 5
1 5 0
o
C / W S K 0 1
m m
Lieferbare Standardlgen
Available lengths 37,5 50
75 100 1000 mm
Longueurs livrable
Lieferbare Oberflchen matt
gebeizt (AL)
Available surfaces matt
etched (AL)
Surfaces livrable matt
decape (AL)
Lieferbare Lochungen
Available pin layots
TO 3 - TO 3 8p - TO 36 -
perforation livrable
oder schwazeloxlert (SA)
or black anadised (SA)
ou eloxe noir (SA)
2 x TO 3/to 36 - SOT 9 + TO 66 - Cb
SK 02
9 2
3 6
1 1 5
2
1
3 7 , 5 5 0 7 5 1 0 0 1 2 5
1 5 0
o
C / W S K 0 2
m m
Available lengths 37,5 50
75 100 1000 mm
Longueurs livrable
gebeizt (AL)
etched (AL)
decape (AL)
Available pin layots TO
3 - TO 3 8p - TO 36 -
perforations livrable
ou eloxe noir (SA)
2 x TO 3/to 36 - SOT 9 + TO 66 - Cb
SK 03
1 0 0
3 6
1 2 0
3
2
3 7 , 5 5 0 7 5 1 0 0 1 2 5
1 5 0
o
C / W S K 0 3
m m
Available lengths 37,5
50 75 100 1000 mm
Longueurs livrable
gebeizt (AL)
etched (AL)
decape (AL)
Available pin layouts
TO 3 - TO 3 8p - TO 36 -
perforation livrable
ou eloxe noir (SA)
2 x TO 3/to 36 - SOT 9 + TO 66 - Cb
4 1 , 3 4 1 , 3 4 1 , 3 4 1 , 3
Durch u.g Speziallochung ist der
wahlweise Einsatz von Halbletern in
den Gehusen TO 3, TO 66, SOT 9
und SOT 32 vorgesehen.
Die Fingerkuhlkper der Serie FK 205
- FK 208 sind in den ueren
Abmessungen dem Halbleiter
Gehuse TO 3 angepat. Es wird
somit erheblich Platz eingespart und
fur andere Bauteile Raum geschaffen.
4. Lembar Evaluasi
1. Tuliskan prinsip pembuatan transistor di fusi !
2. Tuliskan prinsip pembuatan transistor epitaksial !
3. Tuliskan sifat - sifat transistor epitaksial !
4. Bagaimana cara mengatasi kenaikan arus kolektor IC akibat terpengaruh
kenaikan suhu ?
5. Apa yang dimaksud dengan frekuensi batas F
G
?
6. Mengapa posisi titik kerja - Operasi penguat dikatakan sangat penting ?
7. Apa perbedaan antara penguat bekerja pada kelas A dan penguat bekerja
pada kelas B ?
8. Gambarkan rangkaian dasar penstabilan titik kerja yang diakibatkan
perambatan panas dengan menggunakan tahanan NTC penghantar panas !
9. Gambarkan hubungan dasar transistor basis bersama !
10. Gambarkan hubungan dasar transistor emitor bersama !
11. Gambarkan hubungan dasar transistor kolektor bersama !
12. Jelaskan secara singkat gambar dibawah ini !
5 0
4 0
3 0
2 0
1 0
0
0 , 1 0 , 2
0 , 3 0 , 4 0 , 5
0 , 6 0 , 7
0 , 8
B E ( V )
B ( A )
6 V
8 V
C E = 2 V
U
U
I
13. Kapan sebuah transistor bekerja pada kondisi
a . Saturasi
b . Cut off
14. Interpretasikan gambar dibawah ini !
1
2
3
4
5
6
7
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0
6 0
7 0
C ( m A )
I
I

B ( A )
15. Bagaimana keadaan arus dan tegangan saat transistor berfungsi sebagai
saklar terbuka dan tertutup ?
16. Sebutkan sifat waktu saat transistor pada proses ON - OFF ?
17. Bagaimana kerugian daya saat transistor ON dan OFF ?
5. Lembar Jawaban
1. Jawab : Bahan dasar ( tipe P atau N ) yang di doping ( di kotori ) untuk
membangkitkan Difusi pada layer yang diharapkan .
2. Jawab :Bahan dasar dengan tahanan ohm rendah ( tipe P atau N ) yang
di tipiskan, layer dengan tahanan tinggi melalui susunan yang ditonjolkan
, kemudian pembentukan layer melalui Difusi.
3. Jawab :
Penguatan tinggi
Kapasitas kecil
Frekuensi cut - off tinggi
Tegangan beban ( UCE ) rendah
Batasan modulasi ( pencampuran yang saling mempengaruhi )
besar
Arus beban kecil pada waktu hubung singkat.
4.Jawab :Dengan mereduksinya secara rangkaian teknik ( seperti kopling
pelawan )
5.Jawab : Suatu frekuensi yang besarnya tertentu mempunyai harga
penurunan pada frekuensi yang lebih rendah
6. Jawab :Karena menentukan keadaan daerah kendali luar dan macam
operasi penguat
7. Jawab :Titik krja pnguat kelas A berada didalam ( di tengah ) daerah
kendali luar Titik kerja penguat kelas B berada di bawah batas daerah
kendali luar .
8. Jawab :
Z h
9. Jawab :
_
+
+
_
10. Jawab :
+
_
+
_
R
I B
U B E I E U C E
11. Jawab:
_
+
I B
- U B C
I C
- U E C
I E
- U
_
+
12. Jawab :Diatas 0,7 V kenaikan U
BE
yang kecil , menyebabkan kenaikan yang
relatif besar pada I
B
. ,Tetapi dibawah 0,6 V , kenaikan yang sama dari U
BE
menyebabkan kenaikan sangat kecil pada I
B
. Pada berbagai
harga U
CE
, ternyata kurva mengalami sedikit pergeseran .
13. Jawab :
a. Transistor bekerja pada kondisi saturasi saat U
CE
= 0,1 V - 0,3 V arus I
C
mencapai harga optimum .
b. Transistor bekerja pada kondisi cut off saat I
B
= 0 , I
C
= I
CEO
= 0 dan U
CE
=
U
CE
( transistor tidak menghantar )
14. Jawab :Setiap perubahan I
B
, menyebabkan perubahan pada I
C
makin besar I
B
, makin besar pula I
C
.Jadi perubahan besaran input menyebabkan
perubahan besaran output
15. Jawab :
Sebagai saklar terbuka :
I
B
= 0 ; U
BE
= 0
I
C
= 0 ; U
CE
= Max
Sebagai saklar tertutup
I
B
. > I
C
I
C
. > I
C
Max
U
CE
= Min
16. Jawab :
Waktu tanjak Waktu dimana IC menanjak dari 10% sampai 90%
Waktu simpan Waktu dimana IC mencapai 90% setelah US = 0
Waktu jatuh Waktu dimana IC menurun dari 90% sampai 10%
17. Jawab :
Pada saat saklar OFF dengan beban induktif
Pada saat saklar ON dengan beban kapasitif

Semikon Diodatransistor1

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Deskripsi Asli:

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Semikon Diodatransistor1

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

KARAKTERISTIK DAN

Memahami dasar pembentukan dioda zener

Memahami sifat dasar dioda zener

Memahami harga batas dioda zener

Memahami sifat listrik dioda zener

Memahami penggunaan dioda zener

Sebagai contoh, jika kurva menunjukkan perubahan 80 mV dan 20 mA,

El ekt roni ka Komuni kasi

Konstan tahanan termis R

hubungan ohm tentang aliran

( Dapat memilih dari tabel profil yang di berikan )

simbol yang lain :

Karakteristik dan Penggunaan Komponen Dioda dan Transistor 66

Dengan hubungan emiter dimaksudkan untuk memperkuat tegangan dan arus !

Tahanan out put : CE

Gambar 53. karakteristik input-output

Anda mungkin juga menyukai