DIFUSI

Difusi: doping impuritas pd substrat

Substrat

Furnace

Source

Carrier gases
Boat
 Tahap Predeposisi
Predeposisi : doping impuritas pada
substrat sejumlah Q(t) dan konsentrasi
C(x,t).
Konsentrasi pada kedalaman predeposisi
C(x,t) = C0 erfc(x/2Dt)
C0 = konsentrasi di permukaan, didapatkan
dari lewat grafik Fig.5.5.3 Zambuto
Jumlah atom predeposisi
Q(t) = (2/) C0Dt
dengan D adalah
koefisien difusifitas,
didapatkan dari grafik
5.5.6
Predeposisi semikonduktor ekstrinsik dg
konsentrasi Bulk (CB). Jika atom doping
berlawanan dengan substrat, maka
distribusi konsentrasi impuritas:
C(x,t) = C0 erfc(x/2Dt) CB
Pada kedalaman sambungan C(x,t)=0,
maka kedalam lapisan predeposisi adalah:

Xd = 2Dt erfc-1(CB/C0)

Erfc dapat diperoleh melalui grafik

Fig.5.5.8
 Mask.
Difusi

tox

Xj
W

L
 Tahap Difusi Lanjut
Drive-in : Proses pendorongan atom
impuritas sampai pada kedalaman tertentu
(difusi lanjut)
Jumlah atom impuritas tetap
Qp = Qd = (2/) C0Dt

Konsentrasi pada kedalaman drive-in

C(x,t) = (Qp/Dt) exp.(-x2/4Dt)
 Contoh soal
1. Pada sebuah sampel silikon yang telah
didoping dengan As berkonsentrasi 1017
atom/cm3 dilakukan predeposisi Boron
pada suhu 1200C selama 3 menit.
a. Berapakah kedalaman lapisan yang
terbentuk?
b. Berapakah konsentrasi doping pada
kedalaman 0.8m?