KERAMIK

Mimin Sukarmin, S.Si., M.Pd.

m.sukar1982xx@gmail.com

A. Keramik

Bahan keramik merupakan senyawa antara logam dan bukan logam. Senyawa ini

mempunyai ikatan ionik dan atau ikatan kovalen. Jadi sifat-sifatnya berbeda dengan logam.

Walaupun secara umum fasa keramik mempunyai stuktur kristalin, akan tetapi struktur keramik

tidak memiliki banyak elektron bebas. Elektron-elektronnya dipakai bersama pada atom-atom

yang berdekatan dalam ikatan kovalen atau berpindah dari atom yang satu ke atom yang lainnya

membentuk ikatan ionik, jadi atom terionisasi dan bermuatan. Ikatan ionik menyebabkan

keramik mempunyai stabilitas yang relatif tinggi. Sehingga keramik mempunyai titik cair yang

tinggi (1500 oC - 2500 oC), dibandingkan logam atau bahan organik (Van vlack,1983: 305).

Dikalangan orang awam istilah keramik biasanya dikaitkan dengan barang-barang

kerajinan. Untuk ahli teknik, keramik mencakup berbagai jenis bahan seperti gelas, bata, batuan,

beton, amplas, enamel porselen, batu tahan api pada suhu tinggi dan seiring perkembangan

teknologi keramik digunakan juga sebagai isolator listrik dan rangkaian elektromagnetik karena

memiliki konstanta dilektrik tinggi, sifat piozoelektrik, sifat magnetik dan sifat semikonduktor.

Sifat dielektrik pada keramik terjadi, karena beberapa keramik tertentu dapat menjadi

isolator yang baik. Keramik bisa menjadi isolator yang baik diakibatkan oleh elektron valensi

dari logam pindah secara permanen ke atom oksigen, membentuk ion O 2-. Misalkan Al2O3, MgO

dan SiO4 merupakan beberapa keramik yang memiliki sifat isolator.

Sifat piezoelektrik terjadi pada keramik yang memiliki pusat muatan tidak identik,

akibatnya setiap sel satuan berperan sebagai dua kutub listrik kecil dengan ujung positif dan

negatif, misalkan BaTiO3. Kutub positif dan negatif terpisah dengan jarak d, jarak d ini bisa
bergeser pada suhu tertentu, atau apabila kita tarik dengan tegangan tertentu, maka jarak d

bergeser semakin panjang. Bila dua kutub ini diisolir maka terjadi bedapotensial dan apabila ada

hubungan listrik maka elektron akan mengalir dari kutub yang satu ke kutub yang lainnya.

Begitupun sebaliknya, apabila kita berikan tegangan pada kedua ujungnya, maka muatan positif

akan tertarik ke ujung yang satu dan muatan negatif tertarik keujung yang lainnya. Hal ini

menyebabkan terjadi pergeseran panjang d. Efek seperti ini terjadi pada keramik yang memiliki

sifat piezoelektrik, sehingga dapat dimanfaatkan untuk mengubah energi mekanik menjadi energi

listrik atau sebaliknya. Sementara sifat magnet muincul pada keramik yang memiliki spin

elektron yang tidak berpasangan seperti halnya Fe 3O4 dan keramik yang bersifat semikonduktor

akan dibahas khusus pada sub bab semikonduktor keramik.

B. Semikonduktor Keramik

Meskipun bahan keramik pada umumnya merupakan isolator, keramik dapat berubah

menjadi semikonduktor bila mengandung elemen transisi valensi ganda (Van Vlack, 1983: 324).

Dimana kekosongan elektron dapat membawa muatan dengan berpindah dari atom yang satu ke

atom lainnya. Pada semikonduktor, elektron yang meninggalkan hole dan hole yang ditinggalkan

elektron dapat menjadi pembawa muatan, jadi pembawa muatan pada semikonduktor adalah hole

dan elektron. Hal ini berlaku pada semua jenis bahan semikonduktor, baik semikonduktor unsur

transisi, maupun semikonduktor keramik. Namun pada semikonduktor keramik pergerakan

pembawa muatan ada tiga cara, yaitu Pertama, Eksitasi elektron (semikonduktor intrinsik).

Elektron dan hole yang dihasilkan oleh eksitasi elektron dari pita valensi teratas ke pita konduksi

terbawah melalui band gap (celah terlarang) dengan energi minimum tertentu yang disebut

dengan energi gap. Peristiwa eksitasi ini menyebabkan timbulnya elektron bebas pada pita
konduksi dan hole bebas pada pita valensi. Jumlah elektron bebas dan hole bebas di masing-

masing pita tersebut adalah sama.

Kedua, Impurity (semikonduktor ekstrinsik). Konduktivitas semikonduktor ekstrinsik

sangat dipengaruhi oleh keberadaan atom pengotor (impurity). Jika ke dalam semikonduktor

intrinsik ditambahkan atom golongan V, maka atom tersebut akan memberikan (donor) elektron

ke dalam semikonduktor tersebut. Sehingga semikonduktor ini bertipe-n. Jika ke dalamnya

ditambahkan golongan III akan menghasilkan kekosongan pada elektron valensi yang disebut

dengan hole. Hole tersebut bertindak sebagai akseptor oleh karena itu semikonduktor ini bertipe-

p.

Ketiga, Nonstoikiometri. Pada keadaaan ini, kejadiannya mirip sekali dengan

semikonduktor ekstrinsik, hanya munculnya cacat elektron sebagai hasil stoikiometri kristal.

Elektron dan hole semikonduktor nonstoikiometri tereksitasi dalam pita konduksi dan valensi

sebagai hasil reduksi dan oksidasi.

Pita konduksi Pita konduksi Pita konduksi

Ec

Tingkat donor
Eg Vo’’ Vo
Tingkat akseptor ’

Ev

Pita valensi Pita valensi Pita valensi

(a (c)
(b)
) hole elektro
n

Gambar 2.1 Skema Tingkat Energi dari (a) Semikonduktor Intrinsik, (b) Semikonduktor
Ekstrinsik, (c) Semikonduktor Nonstoikiometri (Barsoum, 1997:221)
 Senyawa semikonduktor keramik yang paling sederhana terdiri dari dua unsur, yaitu

logam dan non logam yang membentuk senyawa kristal keramik AX, misalkan MgO, ZnS, NiO

dan ZnO (Van Vlack, 1983: 307-311). NiO dan ZnO salah satu pergerakan muatannya mengikuti

pergerakan muatan nonstoikiometri yang diakibatkan cacat elektron. Misalkan NiO teroksidasi

membentuk ion Ni3+, suatu hal yang lazim pada ion transisi memiliki valensi ganda. Pada oksida

nikel, tiga Ni2+ digantikan oleh dua Ni3+ dan satu kekosongan □, seperti terlihat pada Gambar

2.2a. Dengan begitu keseimbangan muatan terpelihara, difusi elektron dan konduktivitas ion

lebih mudah. Hal yang penting, bahwa elektron dapat melompat dari ion Ni 2+ ke letak akseptor

dalam ion Ni3+. Sebaliknya, suatu lubang elektron (hole) bergerak dari ion nikel yang satu ke ion

nikel yang lainnya dalam pergerakannya ke elektroda positif. Oksida nikel yang mempunyai

struktur M1-xO yang cacat adalah semikonduktor jenis – p.

Gambar 2.2 Semikonduktor cacat (a) Ni1-x. Ion Ni3+ menjadi akseptor elektron, sehinnga lubang
O terbentuk pada pita valensi. (b) Zn1+yO. Ion Zn+ merupakan donor elektron
pada pita konduksi untuk semikonduktor jenis-n (Van Vlack, 1983: 183).
 Selain oksida jenis – p, terdapat pula oksida jenis – n. Oksida seng (ZnO) apabila berada

dalam atmosfer reduksi, menjadi Zn1+yO dengan hilangnya oksigen. Akan tetapi dalam hal ini

kekosongan oksigen tidak terbentuk. Ion seng memiliki letak interstisi (Gambar 2.2b). Ion Zn +

yang timbul untuk mengimbangi muatan, memiliki kelebihan satu elektron dibandingkan dengan

ion-ion Zn2+ lainnya. Ion-ion lainnya ini dapat memberikan elektron pada pita konduksi

menghasilkan semikonduktor jenis- n (Van Vlack, 1983: 182-183).

Selain senyawa kristal AX yang sederhana, terdapat juga kristal keramik dengan senyawa

ganda (multiple compounds) jenis senyawa Am BnXp. Senyawa jenis ini adalah spinelfero dengan

komposisi MFe2O4, dimana M adalah kation dengan bervalensi dua (Van Vlack, 1983: 315).

Misalkan magnetik FeFe2O4 adalah semikonduktor keramik yang mempunyai senyawa

spinelfero dengan tahanan jenis 10-2 ohm.cm yang setara dengan grafit dan timah putih. Asal

mula konduktivitasnya identik dengan NiO, namun jumlah kekosongan elektron untuk membawa

muatan jauh lebih besar karena fraksi ion Fe3+ lebih besar.

Tahanan dapat ditingkatkan dengan larutan padat, dimana ion besi bervalensi ganda dapat

digantikan dengan ion lainnya. Tahanan larutan padat MgCr 2O4 dan FeFe2O4 dapat dilihat pada

Tabel 2.1. Baik ion Mg2+ maupun ion Cr3+ tidak dapat bereaksi dengan elektron maupun

kekosongan elektron. Oleh karena itu tahanan dapat diatur sampai nilai level tertentu. Dari Tabel

2.1 ternyata perubahan tahanannyan sebesar 1% / oC dan untuk larutan tertentu dapat mencapai

4% / oC. Kepekaan ini dapat dimanfaatkan untuk pengukuran suhu dengan tepat dan dapat

digunakan sebagai bahan pembuatan termistor yang digunakan untuk pengukuran suhu. Karena

termistor NTC mempunyai tahanan suhu yang negatif (Van Vlack, 1983: 324-325).
 Tabel 2.1 Tahanan Semikonduktor Keramik (Van Vlack, 1983: 325)

Komposisi (% mol) Tahanan (ohm.m) ∆ρ/∆T

FeFe2O4 MgCr2O4 25 oC 60 oC % / oC

100 0 0,00005 0,000045 -0,3

75 25 0,007 0,0045 -1,0

50 50 1,8 0,75 -1,6

25 75 420 120 -2,0

0 100 >1010 <1010 -

Jenis senyawa yang lain, selain AX dan Am BnXp adalah jenis Am Xp, karena tidak semua

senyawa linear mempunyai jumlah atom atau ion A dan X yang sama, misalnya Al 2O3, ZrO2,

SiO2 dan TiO2 . Tiga unsur terakhir memiliki struktur dasar VO2 (Van Vlack, 1983: 312-313).