LAPORAN

LABORATORIUM PENGUKURAN LISTRIK ANALOG

KARAKTERISTIK DIODA

OLEH :
KELOMPOK 3
ALWI RIZAL
32119054
1C

PROGRAM STUDI DIII TEKNIK LISTRIK

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
POLITEKNIK NEGERI UJUNG PANDANG
MAKASSAR
TAHUN AJARAN 2020/2021
 DAFTAR ISI

HALAMAN SAMPUL.........................................................................................i
DAFTAR ISI.........................................................................................................ii
DAFTAR GAMBAR.............................................................................................iv
DAFTAR TABEL.................................................................................................v
DAFTAR GRAFIK...............................................................................................vi
BAB I PENDAHULUAN.....................................................................................1
1.1 LATAR BELAKANG...............................................................................1
1.2 TUJUAN....................................................................................................1
BAB II TEORI DASAR........................................................................................2
2.1 FOWARD BIAS .......................................................................................2
2.2 REVERSE BIAS.......................................................................................3
BAB III ALAT DAN BAHAN.............................................................................6
BAB IV PROSEDUR PERCOBAAN...................................................................7
4.1 PERCOBAAN BIAS MAJU ....................................................................7
4.2 PERCOBAAN BIAS BALIK....................................................................7
4.3 PERCOBAAN DENGAN OSILOSKOP..................................................8
BAB V DATA DAN HASIL PERCOBAAN.......................................................10
5.1 DIODA GERMANIUM............................................................................10
5.2 DIODA SILIKON.....................................................................................10
5.3 KARAKTERISTIK DIODA.....................................................................11
BAB VI ANALISIS HASIL PERCOBAAN........................................................13
6.1 PERHITUNGAN SECARA TEORI.........................................................13
a. PERHITUNGAN DIODA GERMANIUM........................................13
b. PERHITUNGAN DIODA SILIKON.................................................14
c. PERHITUNGAN RESISTANSI STATIS DAN DINAMIS..............15
d. GRAFIK PERBANDINGAN PERCOBAAN DIODA
GERMANIUM DAN SILIKON........................................................16

ii
 6.2 PERBANDINGAN TEORI DAN PRAKTEK..........................................16
a. GERMANIUM...................................................................................17
b. SILIKON............................................................................................17
6.3 ANALISA HASIL PRAKTIKUM............................................................18
BAB VII PENUTUP.............................................................................................20
7.1 KESIMPULAN.........................................................................................20
7.2 SARAN......................................................................................................20
DAFTAR PUSTAKA............................................................................................21

iii
 DAFTAR GAMBAR

GAMBAR 2.1 SIMBOL DIODA SECARA UMUM........................................... 2

GAMBAR 2.2 KURVA KARAKTERISTIK DIODA......................................... 2
GAMBAR 2.3 FORWARD BIAS........................................................................ 3
GAMBAR 2.4 REVERSE BIAS........................................................................... 4
GAMBAR 2.5 SIMBOL DAN STRUKTUR DIODA.......................................... 4
GAMBAR 4.1 RANGKAIAN BIAS MAJU........................................................ 7
GAMBAR 4.2 RANGKAIAN BIAS BALIK....................................................... 8
GAMBAR 4.3 PERCOAAN DENGAN OSILOSKOP........................................ 8
GAMBAR 5.1 KARAKTERISTIK DIODA GERMANIUM...............................11
GAMBAR 5.2 KARAKTERISTIK DIODA SEILIKON.....................................12

iv
 DAFTAR TABEL

TABEL 5.1 DATA HASIL PERCOBAAN DIODA GERMANIUM..................10

TABEL 5.2 DATA HASIL PERCOBAAN DIODA SILIKON...........................10
TABEL 6.1 HASIL PERHITUNGAN TEORI DIODA GERMANIUM.............13
TABEL 6.2 HASIL PERHITUNGAN TEORI DIODA SILIKON......................14
TABEL 6.3 PERBANDINGAN TEORI DAN PRAKTEK DIODA
GERMANIUM...................................................................................17
TABEL 6.4 PERBANDINGAN TEORI DAN PRAKTEK DIODA
SILIKON............................................................................................17

v
 DAFTAR GRAFIK

GRAFIK 6.1 PERBANDINGAN DIODA GERMANIUM DAN SILIKON

(BIAS MAJU)..................................................................................16

vi
 BAB I

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Dalam dunia kelistrikan dikenal sebuah komponent yang disebut dioda. Dioda
adalah suatu komponent yang di anggap penting keberadaannya, sehingga wajib
untuk di ketahui oleh praktikan

Materi dioda ini adalah elemen dasar suatu tahap analisis, karena dioda akan terus
di gunakan dalam dunia kerja nanti dan dioda itu sendiri telah di uji dengan cermat
oleh parah ahli agar memudahkan dalam pengambilan keputusan.

Dengan tujuan membuat praktikan dengan mudah menganalisis suatu rangkaian,

maka materi dioda ini sangatlah diperlukan. Dengan mengetahui materi dioda ini
tersebut diharapkan pratikan mampu mengetahui dasar suatu dioda.

1.2 Tujuan
Setelah menyelesaikan praktikum, maka praktikan diharapkan dapat :
 Mengukur karakteristik V-I diode germanium dan diode silicon
 Menentukan tagangan hidup (threshold voltage) Vt
 Menghitung resistansi statis, RS
 Menghitung resistansi dinamis, rd
 Menggunakan osiloskop untuk menampilkan karakteristik V-I dida secara
langsung
 Membandingkan parameter diode germaniuim dengan diode silicon

1
 BAB II

TEORI DASAR

Dioda merupakan bahan semikonduktor yang sering digunakan sebagai

komponen dalam dunia elektro sebagai penyearah dari arus AC. Dioda terdiri dari
sambungan semikonduktor yang bersifat positif dan negatif (biasa disebut
junction PN). Pada junction PN terdapat daerah deplesi yang memiliki energi
sebesar 0,7 volt untuk dioda berbahan silikon dan 0,3 volt untuk dioda berbahan
germanium). Daerah deplesi (depletion layer) merupakan daerah dengan
kesetimbangan hole dan elektron. Dalam penerapannya dua pengkodisian yang
sering di gambarkan dalam kurva karakteristik dioda.

Gambar 2.1 Gambar 2.2

Simbol Dioda secara Umum Kurva Karakteristik Dioda

2.1 Forward Bias

Arus listrik pada diode hanya mengalir jika dioda diberi tegangan positif pada

2
 lapisan positifnya dan diberi tegangan negatif pada lapisan negatifnya (biasa
disebut forward bias).
Berikut adalah gambar Forward Bias :

Gambar 2.3
Forward Bias

Pada gambar tersebut terlihat bahwa lapisan positif dioda diberi tegangan
positif dan lapisan negatifnya diberi tegangan negatif. Pada kondisi forward bias,
depletion layer semakin menyempit sehingga arus dapat mengalir pada dioda.
Pada kondisi ini dioda berfungsi sebagai penghantar.

2.2 Reverse Bias

Reverse bias adalah kondisi dimana lapisan negatif dioda diberi tegangan
positif dan lapisan positifnya diberi tegangan negatif.
Berikut adalah gambar Reverse Bias :

3
 Gambar 2.4
Reverse Bias

Pada kondisi reverse bias, depletion layer melebar sehingga idealnya arus
listrik tidak dapat melewati dioda.

Diode adalah komponen yang bergantung pada polaritas, yang dapat

dipasang bias arah maju (forward biased) atau arah balik (reverse biased). Diode
dikatakan dikatakan bias maju, jika tegangan anoda (material P) dibuat lebih
positif dari pada katoda (material N). arus akan mengalir dengan mudah malalui
diode. Sebaliknya, dibias balik jika anoda dibuat lebih negative dari katoda.

Anoda Katoda A K
Symbol Dioda Struktur Dioda
Gambar 2.5 Simbol dan Struktur Diode

Beberapa parameter diode dapat ditentukan dari kurva karakteristik Vf-If-nya.

Tegangan hidup Vt dapat diperoleh denagn memperpanjang bagian-bagian linear
dari kurva karakteristik bias maju ssampai memotong positi sumbu tegangan.

4
Tegangan hidup adalah tegangan minimum yang diperluka pada diode untuk
mengatasi tegangan difusi pada sambungan (junction) diode.
Vf
Resistansi statis : Rs= ( bias maju )
If
ΔVf
Resistansi dinamis: rd=
ΔIf

5
 BAB III

ALAT DAN BAHAN

 Diode Germanium, IN4148 1 buah

 Diode Silicon, IN4007 1 buah
 Resistor 100 Ω 1 buah
 Resistor 10 Ω 1 buah
 Multimeter 2 buah
 Osiloskop 2 channel 1 buah
 Sumber Tegangan DC Variabel 0 – 30 Volt 1 buah
 Sumber Tegangan AC Variabel 0 – 12 Volt 1 buah
 Kabel Banana to banana Secukupnya

6
 BAB IV

PROSEDUR PERCOBAAN

4.1 Percobaan Bias Maju

1. Merangkai rangkaian seperti pada gambar 4.1, menggunakan dioda
germanium dan R = 100 Ω

Gambar 4.1 Rangkaian Bias Maju

2. Mengukur Vf dan If-nya
3. Memasukkan hasilnya pada tabel 5.1
4. Menggambarkan karakteristik v – i dioda germanium, dan membuatkan
skala yang berbeda untuk bias maju dan bias balik
5. Melakukan langkah 1 sampai 4 untuk dioda silikon

4.2 Percobaan Bias Balik

1. Membuat rangkaian seperti pada gambar 4.2, menggunakan dioda
germanium dan R = 100 Ω

7
 Gambar 4.2 Rangkaian Bias Mundur
2. Mengukur Vr dan Ir-nya
3. Memasukkan hasilnya pada tabel 5.1
4. Menggambarkan karakteristik v – i dioda germanium, dan membuatkan
skala yang berbeda untuk bias maju dan bias balik
5. Melakukan langkah 1 sampai 4 untuk dioda silikon
6. Memasukkan hasilnya pada tabel 5.2

4.3 Percobaan Dengan Osiloskop

1. Membuatkan rangkaian seperti pada gambar 4.3, dioda yang digunakan
adalah dioda germanium

Gambar 4.3 Percobaan dengan Osiloskop

2. Menghidupkan osiloskop pada operasi X-Y / DC

8
3. Menaikkan tegangan sumber secara perlahan-lahan sampai maksimum
4. Melukis pada kertas grafik karakteristik v – i dioda tersebut, disertai skala
arus dan tegangannya
5. Mengerjakan seperti langkah 1 sampai 4 untuk dioda silikon dimana R1
diganti menjadi 10 Ω

9
 BAB V

DATA DAN HASIL PERCOBAAN

5.1 Dioda Germanium

Tabel 5.1 Data Hasil Percobaan Dioda Germanium
Bias Maju Bias Balik
No
Vf (V) If(mA) Vf (V) If (mA)
1. 0 0 1 0
2. 0,1 0 2 0
3. 0,2 0 3 0
4. 0,3 0 4 0
5. 0,4 0,03 5 0
6. 0,5 0,31 6 0
7. 0,6 1,53 7 0
8. 0,7 8,24 8 0
9. 0,8 62,7 9 0

5.2 Dioda Silikon

Tabel 5.2 Data Hasil Percobaan Dioda Silikon
Bias Maju Bias Balik
No
Vf (V) If(mA) Vf (V) If (mA)
1. 0 0 1 0
2. 0,1 0 2 0
3. 0,2 0 3 0
4. 0,3 0 4 0
5. 0,4 0,03 5 0
6. 0,5 0,58 6 0
7. 0,6 2,20 7 0

10
 8. 0,7 16,08 8 0

5.3 Karakteristik Dioda

 Dioda Germanium

Gambar 5.1 Karakteristik dioda Germanium

Time / Div = 5 ms / div

Volts / Div (CH1) = 2 Volt / div
Volts / Div (CH2) = 2 Volt / div
Jumlah div (X) = 2,2
Jumlah div (Y) = 3,8

11
 Dioda Silikon

Gambar 5.2 Karakteristik Dioda Silikon

Time / Div = 5 ms / div

Volts / Div (CH1) = 2 Volt / div
Volts / Div (CH2) = 2 Volt / div
Jumlah div (X) = 2,4
Jumlah div (Y) = 3,8

12
 BAB VI

ANALISIS HASIL PERCOBAAN

6.1 Perhitungan secara Teori

a. Perhitungan Dioda Germanium
Perhitungan If untuk Germanium (Bias Maju). Pada perhitungan
V −V D
kali ini, menggunakan rumus If = . Dengan mengambil contoh
R
sampel data tabel percobaan germanium.
V −V D
If =
R
0,8 V −0,3 V
If =
100 Ω
If = 5 mA
Untuk data-data pada percobaan germanium selanjutnya cara
penyelesaiannya sama dengan penyelesaian di atas hasilnya dapat dilihat
pada tabel 5.3.
Tabel 6.1 Hasil Perhitungan Teori Dioda Germanium
Bias Maju Bias Balik
No
Vf (V) If(mA) VR (V) IR (mA)
1. 0 0 1 0
2. 0,1 0 2 0
3. 0,2 0 3 0
4. 0,3 0 4 0
5. 0,4 1 5 0
6. 0,5 2 6 0
7. 0,6 3 7 0
8. 0,7 4 8 0
9. 0,8 5 9 0

13
 Perhitungan IR untuk Germanium (Bias Balik). Ketika dioda diberi
tegangan negatif maka potensial negatif yang ada pada plate akan menolak
elektron yang sudah membentuk muatan ruang sehingga elektron tersebut
tidak akan dapat menjangkau plate sebaliknya akan terdorong kembali ke
katoda, sehingga tidak ada arus yang mengalir.
Pada perhitungan kali ini, tidak diketahui R yang terdapat pada
Dioda yang telah dibalik. Karena hasil arusnya adalah tak terhingga atau
infinity. Jadi, arus IR dianggap = 0 atau ideal.

b. Perhitungan Dioda Silikon

Perhitungan If untuk Silikon (Bias Maju). Pada perhitungan kali
V −V D
ini, menggunakan rumus If = . Dengan mengambil contoh sampel
R
data tabel percobaan silikon.
V −V D
If =
R
0,6 V −0,5 V
If =
100 Ω
If = 1 mA
Untuk data-data pada percobaan germanium selanjutnya cara
penyelesaiannya sama dengan penyelesaian di atas hasilnya dapat dilihat
pada tabel 5.4.
Tabel 6.2 Hasil Perhitungan Teori Dioda Silikon
Bias Maju Bias Balik
No
Vf (V) If(mA) VR (V) IR (mA)
1. 0 0 1 0
2. 0,1 0 2 0
3. 0,2 0 3 0

14
 4. 0,3 0 4 0
5. 0,4 0 5 0
6. 0,5 0 6 0
7. 0,6 1 7 0
8. 0,7 2 8 0

Perhitungan IR untuk Silikon (Bias Balik). Ketika dioda diberi

tegangan negatif maka potensial negatif yang ada pada plate akan menolak
elektron yang sudah membentuk muatan ruang sehingga elektron tersebut
tidak akan dapat menjangkau plate sebaliknya akan terdorong kembali ke
katoda, sehingga tidak ada arus yang mengalir.
Pada perhitungan kali ini, tidak diketahui R yang terdapat pada
Dioda yang telah dibalik. Karena hasil arusnya adalah tak terhingga atau
infinity. Jadi, arus IR dianggap = 0 atau ideal.

c. Perhitungan Resistansi Statis dan Dinamis

Perhitungan Resistansi Statis (Rs), pada saat bias, contoh pada

percobaan 5 dengan If = 0,01 mA,
Vf
Rs =
If
0,4
Rs =
0,00003
Rs = 13333,33 Ω

Perhitungan Resistansi Dinamis (Rd), pada saat bias maju, contoh

pada percobaan ke 8 dan 9 silikon,
∆Vf
Rd =
∆ If

15
 0,7−0,6
Rd =
16,08−2,2
Rd = 7,2 Ω
Pada saat Bias Mundur, saat Rs atau Rd = tak terhingga maka tidak
ada arus yang melewatinya. Jadi dioda seperti saklar terbuka.

d. Grafik Perbandingan Percobaan Dioda Germanium dan Silikon

Perbandingan Percobaan
Dioda Germanium dan Silikon (Bias Maju)
70

60

50

40

30

20

10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Germanium Silikon

Grafik 6.1 Perbandingan Dioda Germanium dan Silikon (Bias Maju)

6.2 Perbandingan Teori dan Praktek

Perhitungan Persentase Kesalahan
Dalam Mengetahui besarnya perbedaan antar praktek dan teori maka
digunakan sebuah rumus yang disebut Error (%) :
Perhitungan−Pengukuran
Error ( % )= x 100 %
Perhitungan
1−0,03
¿ x 100 %=97 %
1

16
17
a) Dioda Germanium
Tabel 6.3 Perbandingan Teori dan Praktek Dioda Germanium
Bias Maju
No Vf (V) If (mA) If (mA) Error (%)
Praktek Teori
1. 0 0 0 0
2. 0,1 0 0 0
3. 0,2 0 0 0
4. 0,3 0 0 0
5. 0,4 0,03 1 97
6. 0,5 0,31 2 84,5
7. 0,6 1,53 3 49
8. 0,7 8,24 4 106
9. 0,8 62,7 5 1154

b) Dioda Silikon
Tabel 6.4 Perbandingan Teori dan Praktek Dioda Silikon
No Bias Maju
Vf (V) If (mA) If (mA) Error (%)
Praktek Teori
1. 0 0 0 0
2. 0,1 0 0 0
3. 0,2 0 0 0
4. 0,3 0 0 0
5. 0,4 0,03 0 ∞
6. 0,5 0,58 0 ∞
7. 0,6 2,20 1 120
8. 0,7 16,08 2 704

18
6.3 Analisis Hasil Praktikum

a) Dioda Germanium
Berdasarkan grafik 5.1 dapat diketahui bahwa pada saat tegangan bias
maju atau Vf lebih kecil dari V dioda germanium, maka arus (I f) sama dengan
nol. Dimana V dioda germanium yaitu 0,3 V, apabila tegangan sumber pada
Vf sama dengan nilai tegangan dioda germanium maka tegangan sumbernya
sama, yaitu 0,3 V. Adapun tegangan bias maju pada saat Vf lebih besar dari V
dioda, maka tegangan sumbernya lebih besar dari 0,3 dan arus I f lebih besar.
Sedangkan untuk bias balik, Ketika dioda diberi tegangan negatif maka
potensial negatif yang ada pada plate akan menolak elektron yang sudah
membentuk muatan ruang sehingga elektron tersebut tidak akan dapat
menjangkau plate sebaliknya akan terdorong kembali ke katoda, sehingga
tidak ada arus yang mengalir. Pada perhitungan kali ini, tidak diketahui R
yang terdapat pada Dioda yang telah dibalik. Karena hasil arusnya adalah tak
terhingga atau infinity. Jadi, arus IR dianggap = 0 atau ideal.
Dapat dilihat perbedaan yang besar pada tabel teori dan praktek,
perbedaan terjadi karena disebabkan beberapa faktor presisi dari alat ukur
maupun dari dioda itu sendiri.

b) Dioda Silikon
Berdasarkan grafik 5.1 dapat diketahui bahwa pada saat tegangan bias
maju atau vf lebih kecil dari V dioda germanium, maka arus (I f) sama dengan
nol tetapi hasil pada alat ukur tidak demikian karena sejak V f sebesar 0,4
arusnya sudah 0,03. Apabila tegangan sumber pada Vf sama dengan nilai
tegangan dioda germanium maka tegangan sumbernya sama, yaitu 0,7 V.
Adapun tegangan bias maju pada saat Vf lebih besar dari V dioda, maka
tegangan sumbernya lebih besar dari 0,7 dan arus If lebih besar. Sedangkan
untuk bias balik, Ketika dioda diberi tegangan negatif maka potensial negatif

19
yang ada pada plate akan menolak elektron yang sudah membentuk muatan
ruang sehingga elektron tersebut tidak akan dapat menjangkau plate
sebaliknya akan terdorong kembali ke katoda, sehingga tidak ada arus yang
mengalir. Pada perhitungan kali ini, tidak diketahui R yang terdapat pada
Dioda yang telah dibalik. Karena hasil arusnya adalah tak terhingga atau
infinity. Jadi, arus IR dianggap = 0 atau ideal.
Dapat dilihat perbedaan yang besar pada tabel teori dan praktek,
perbedaan terjadi karena disebabkan beberapa faktor presisi dari alat ukur
maupun dari dioda itu sendiri.

20
 BAB VII
PENUTUP

7.1 Kesimpulan
Setelah melaksanakan praktikum karakteristik dioda maka dapat disimpulkan :
1. Praktikan dapat mengukur karakteristik tegangan dan arus masing-masing
dioda, V-I diode germanium dan diode silikon.
2. Praktikan dapat menentukan tegangan hidup (threshold voltage) Vt.
3. Praktikan dapat menghitung resistansi statis, RS.
4. Praktikan dapat menghitung resistansi dinamis, Rd.
5. Praktikan dapat menggunakan osiloskop untuk menampilkan karakteristik V-I
dioda secara langsung, baik diode germanium maupun diode silikon sehingga
dapat diketahui Vt, Rs, Rd dan lainnya.
6. Praktikan dapat membandingkan parameter diode germaniuim dengan diode
silicon.

7.2 Saran
1. Pastikan dengan baik langkah-langkah pengukuran pada job sheet.
2. Pelajari dan pahami terlebih dahulu tentang alat dan komponen-komponen
yang akan dipergunakan pada praktikum.
3. Berhati-hati dalam proses pengukuran karena dapat mengakibatkan anggota
badan terkena sengatan listrik.
4. Pastikan alat dan komponen yang dipergunakan dalam kondisi baik.
5. Praktikan haruslenuh teliti, apabila peralatan sangat panas maka jangan
paksakan untuk memakainya
6. Gunakan alat-alat keselamatan kerja seperti sepatu tertutup untuk
menghindari kecelakaan kerja.

21
 DAFTAR PUSTAKA

LAB.Pengukuran Dasar Program Studi Teknik Listrik, 2015, Karakteristik Dioda,

Makassar : Politeknik Negeri Ujung Pandang.

Hamdani . 2016. JobsheetLaboratoriumPengukuranDasar. Makassar:

PoliteknikNegeri Ujung Pandang

22