6memori Semikonduktor Ram, Rom, Prom
6memori Semikonduktor Ram, Rom, Prom
Tujuan
Memori Semikonduktor
ram, rom, prom, eprom, eeprom, eaprom
: Setelah mempelajari Memori Semikonduktor diharapkan dapat,
1. Memahami pemakaian memori dalam suatu sistem mikrokomputer
2. Mampu mengorganisasi sel - sel memori tanpa dan dengan decoder
3. Mampu
menyebutkan
perbedaan
antara
volatile
memori
dan
nonvolatile memeori
4. Mampu menyebutkan kapasitas EPROM dari typenya
5. Mampu menyebutkan banyaknya bit alamat sesuai dengan jenis dan
kapasitas memori
6. Memahami perbedaan antara Statis dan Dinamis RAM
7. Memahami konsep refresh pada dinamis RAM
8. Memahami sinyal - sinyal kontrol yang dipergunakan dalam memori
9. Memahami siklus baca - tulis pada volatile dan nonvolatile memori
10. Mampu mendesain sistem memori yang terdiri dari RAM - EPROM
sesuai dengan lokasi memori yang telah ditetepkan.
Prasyarat : Untuk mempelajari Pembelajaran 6 diperlukan kegiatan dan kemampuan
seperti di bawah ini ,
1. Telah mengerjakan latihan-latihan pada Pembelajaran 5.
2. Semua latihan pada Pembelajaran 5 dijawab dengan Benar.
6. Memori Semikonduktor
Secara umum memori semikonduktor dibagi dalam beberapa bagian yaitu :
1. Menurut Fungsinya, dibedakan menjadi Memori Baca - Tulis dan Memori Hanya
Dibaca.
2. Menurut cara Aksesnya, yaitu Memori yang diakses secara acak dan memori
yang yang diakses secara serie.
3. Menurut jenis Sel Memori, dapat dibedakan menjadi Statis RAM dan Dinamis
RAM.
4. Menurut Teknologinya, dibedakan menjadi Bipolar Memori dan MOS Memori.
Teknik Mikroprosessor
86
Memori Semikonduktor
Keempat ciri ini mempunyai ketergantungan satu dengan yang lain sehinga secara
teoritis ada 24 = 16 type memori yang berbeda - beda. Memori Baca Tulis yang
dalam pemakaian sehari-sehari disebut RAM. Dengan menunjuk lokasi sel memori
melalui jalur alamat ( address ) informasi 1 atau 0 dapat dituliskan, disimpan dan
sewaktu-waktu dapat dibaca kembali selama RAM bekerja dalam keadaan normal.
Segera setelah sumber tegangan dimatikan informasi yang telah tersimpan akan
hilang.
Pada Memori yang Hanya Dapat Dibaca, data yang telah tersimpan di
dalamnya akan tetap tersimpan walaupun sumber tegangan yang terpasang dimatikan.
Memori
Semikonduktor
Memori
Secara Serial
( REGISTER )
Memori
Baca - Tulis
( RAM )
Statis RAM
( SRAM )
Dinamis RAM
( DRAM )
Memori
Hanya di Baca
( ROM )
ROM
Dapat Di Program
ROM Dapat
Di Hapus- Di Program
EPROM
RAM
ROM
PROM
EPROM
EEPROM
EAPROM
:
:
:
:
:
:
EEPROM
EAPROM
Dinamis RAM. Sebuah SRAM elemen penyimpannya terdiri dari bistabile Flip-Flop,
sedangkan DRAM elemen penyimpannya terdiri dari elemen Kondensator.
6. 1 . 2. ROM ( Read Only Memory )
Apabila informasi yang disimpan tidak boleh hilang walaupun sumber tegangan
dimatikan maka informasi tersebut disimpan di dalam ROM. Perubahan program atau
program bagian yang lain tidak mungkin lagi dilakukan di dalam memori jenis ini.
Dalam sistem komputer ROM biasanya digunakan untuk menyimpan program monitor.
Program yang akan disimpan di ROM biasanya program pesanan dari komunitas
tertentu, sedangkan pemrogramannya dilakukan di tempat pabrik pembuatnya. ROM
biasanya juga berisi program yang dapat dipakai secara umum misalnya karakter
Generator, Dekoder atau fungsi fungsi lain yang lazim dipakai. Jenis memori ini tidak
memungkinkan diisi program oleh pengguna.
6. 1. 3.
Memori jenis ini hanya memberikan kesempatan kepada pengguna untuk memprogram
sekali saja. Jika terjadi kesalahan data atau kesalahan penempatan alamat maka tidak
mungkin lagi melakukan perubahan karena setiap bit pada masing - masing lokasi
memori tidak mungkin dapat dihapus oleh karena hal tersebut maka memori jenis ini di
pasaran secara umum tidak lagi digunakan.
6. 1. 4. EPROM ( Erasable Programmable Read Only Memory )
EEPROM ( Electrical Erasable Programmable Read Only Memory )
Memori jenis ini memberi kesempatan kepada para pemakai untuk melakukan
pemrograman ulang secara total. Pemrograman di lakukan dengan Eprom
Writer,
dalam keadaan memori kosong ( isinya telah dihapus terlebih dahulu ). Pada EPROM
menghilangkan / menghapus isi program dengan cara menyinari cendela yang ada
padanya dengan sinar Ultra Violet ( UV ), sedangkan pada EEPROM dengan cara
memberikan tegangan yang ditetapkan pada kaki yang telah ditetapkan.
6. 1. 5. EAPROM ( Erasable Alterable Programmable Read Only Memory )
Memori jenis ini memungkinkan untuk dirubah isinya yang berada di setiap sel memori
tanpa harus menghapus semua isinya terlebih dahulu. Bentuk dan rangkaian dari
memori ini sangat jarang ditemui.
6. 2. Memori Baca - Tulis
Teknik Mikroprosessor
88
Memori Semikonduktor
Pada memori jenis ini, setiap saat informasi baru dapat dituliskan di sel memori,
disimpan dan dibaca ulang. Dari organisasi memori di bedakan dalam organisasi Bit
dan organisasi Word yang biasanya Word terdiri dari sejumlah Bit yang disatukan /
dipadukan. RAM yang mempunyai kapasitas kecil biasanya adalah statis RAM,
sedangkan RAM yang mempunyai kapasitas besar biasanya dinamis RAM.
6. 2. 1. Organisasi Memori
Susunan dari sel sel memori RAM dibentuk dalam matrik. Di bawah ini adalah
sebuah memori 64 bit dan setiap sel memori menempati koordinatnya masing-masing.
1 Nibble = 4 Bit
X3
X4
1 Byte = 8 Bit
X5
X6
X7
X8
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Teknik Mikroprosessor
89
Memori Semikonduktor
SL 1
SL 1
US
RL1
T1
RL 2
T2
X - Adress
Y - Adress
menimbulkan kerugian daya yang relatif besar, karena satu diantara dua transistor
selalu aktif ( ON ).
6. 2. 2. 2. Sel Memori Statis Teknologi MOS
Kerugian daya akibat bit yang tersimpan pada memori ini relatif kecil dibanding bipolar
memori.
VB
T1
T2
B
T3
T4
T5
T6
X - Adress
T7
T8
SL1
SL2
Y - Adress
Teknik Mikroprosessor
91
Memori Semikonduktor
kondensator. Karena adanya arus bocor yang tidak bisa dihindari maka kondensator kondensator pada memori ini selalu dalam keadaan pengosongan, sehingga agar
isinya dapat bertahan harus selalu dilakukan pengisian ulang setiap saat. Proses yang
demikian dinamakan penyegaran ( refresh ) yang waktu penyegaranya pada
kebanyakan memori adalah T = 2 ms.
Input
A
RG
CG
Generator
Pulsa
Untuk luasan chip yang sama, memori dinamis ini dapat dibangun lebih banyak sel
memori dibanding memori statis, oleh karena itu untuk memori yang mempunyai
kapasitas besar biasanya terbuat dalam dinamis memori. Input sinyal disambungkan
langsung dengan model fungsi AND MOS. Sebuah pulsa positif pada input kapasitor
CG akan melakukan pengisian. Tahanan bocor pada RG menyebabkan kapasitas CG
melakukan pengosongan. Agar supaya tegangan kondensator tidak turun dibawah
tegangan sinyal H, pulsa penyegaran harus dipersiapkan tepat waktu. Seperti yang
ditunjukkan pada gambar, pulsa penyegaran mempunyai hubungan konjunktiv dengan
level sinyal tersimpan. Selama titik A pada level sinyal H, pada output Gerbang AND
akan selalu sama dengan pulsa penyegaran, sehingga kondensator CG selalu
melakukan penyegaran pengisian secara poriodik. Jika titik A dihubungkan dengan
Ground ( sinyal 0 ) maka kondensator CG akan melakukan pengosongan dengan cepat
dan output pada Gerbang AND selalu L ( sinyal 0 ), sehingga pulsa penyegaran
terputus ( tidak terjadi penyegaran ).
6. 3. Memori Hanya Dibaca ( ROM )
Teknik Mikroprosessor
92
Memori Semikonduktor
Seperti penjelasan terdahulu bahwa informasi yang telah ada di dalam ROM hanya
dapat dibaca, sedangkan pengguna sama sekali tidak dapat merubah isinya karena
informasi yang ada pada ROM terbentuk bersamaan dengan pembuatan ROM di
pabrik pembuatannnya.
UB
R1
R2
R3
R4
D1
1
D2
B
Q1
Q2
Q3
Q4
Melalui D1 dan D2, Input A dan B dan Output Q, dalam hubungan Gerbang AND,
sehingga pada Q1 akan berlogika H jika A = 1 dan B = 1. Dari hubungan dioda matrik
di atas program yang ada pada ROM dapat dinyatakan dalam Tabel Kebenaran di
bawah ini.
B
Q1
Q2
Q3
Q4
Selain cara di atas, terdapat juga ROM yang terbuat dari Gerbang-gerbang logik yang
lain, tetapi ada juga yang terbuat dari Multi Emitter Transistor.
Teknik Mikroprosessor
93
Memori Semikonduktor
E0
E0
E1
E1
E2
E2
X2
X1
X0
X2
X1
X0
Teknik Mikroprosessor
94
Memori Semikonduktor
X1
X1
X2
X2
X3
X3
Y1
Y2
Y3
Y1
Y2
Y3
G2
D
G2
S
D
KOLOM
Teknik Mikroprosessor
95
Memori Semikonduktor
Bentuk penyambungan yang seperti pada gambar dibalik disebut FAMOS - Transistor
( FAMOS = Floating gate Avalanche injection Metal Oxide Semiconductor memori
MOS dengan Gerbang Mengambang ).
6.6. Decoder Alamat
Sel memori biasanya disusun dalam matrik kuadrat. Sebuah sel memori secara eksak
dapat ditentukan tempatnya
= 2 x 16
=2x4
X0
X0 Y0
X0 Y1
X0 Y2
X0 Y3
H L
H L
H L
H L
H L
H L
H L
H L
X1 Y0
X1 Y1
X1 Y2
X1 Y3
X2 Y0
X2 Y1
X2 Y2
X2 Y3
H L
H L
H L
H L
X1
X2
H L
H L
H L
H L
X3 Y0
X3 Y1
X3 Y2
X3 Y3
X3
Y0
Y1
Y2
Y3
Tulis
Baca
alamatnya. Address
decoder maka terreduksi jumlah alamatnya. Address decoder ini sangat bermanfaat
Teknik Mikroprosessor
96
Memori Semikonduktor