SISTEM PERANCANGAN MEMORY DIGITAL

Tugas Makalah Perancangan Sistem Digital

Nama / NIM :
SULIANTO GINTING
1320401032
Dosen Pembimbing
Elini ST,MT

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

PRODI ELEKTRONIKA
POLITEKNIK NEGERI LHOKSEUMAWE

2015
ABSTRAK
Memori semikonduktor adalah salah satu dari jenis memori yang menggunakan
metode random akses atau pembacaan secara acak. Prinsip dasar memori semikonduktor ini
sama seperti rangkaian saklar, tapi dalam jumlah yang sangat banyak dan kecil sekali.
memori semikonduktor ini menngunakan listrik dalam pembacaan logika 0 dan 1, jika arus
listrik dialirkan maka sel yang mendapat aliran listrik tersebut akan mempresentasikan
bilangan 1, dan jika arus listrik tidak dialirkan maka sel tersebut akan mempresentasikan
bilangan 0.

Memori Statistik Semikonduktor ram, rom, prom,

eprom, eeprom, eaprom
1.

PENDAHULUAN

Apa itu Memori Semikonduktor?

Memori semikonduktor adalah suatu bentuk perangkat penyimpanan data elektronik,
biasanya digunakan untuk memori komputer, dan diimplementasikan ke sebuah
semikonduktor berbasis sirkuit terpadu (IC). Ada banyak jenis perangkat yang menggunakan
memori semikonduktor, termasuk memori flash (atau flash ROM), Read-Only Memory
(ROM), dan magnetoresistive Random Access Memory (MRAM). Semua jenis memori
semikonduktor memori non-volatile, artinya isi memori yang tersimpan dalam perangkat
disimpan bahkan ketika komputer dimatikan. Memori volatile seperti Dynamic Random
Access Memory (DRAM) atau Static Random Access Memory (SRAM) juga dapat menjadi
semikonduktor berbasis. Perbedaan antara memori non-volatile dan volatile memori adalah
bahwa yang terakhir harus memiliki aliran listrik konstan untuk menjaga informasi yang
tersimpan.
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di
antara isolator dan konduktor. Semikonduktor disebut juga sebagai bahan setengah
penghantar listrik. Suatu semikonduktor bersifat sebagai isolator jika tidak diberi arus listrik
dengan cara dan besaran arus tertentu, namun pada temperatur, arus tertentu, tatacara tertentu
dan persyaratan kerja semikonduktor berfungsi sebagai konduktor, misal sebagai penguat
arus, penguat tegangan dan penguat daya. Untuk menggunakan suatu semikonduktor supaya
bisa berfungsi harus tahu spefikasi dan karakter semikonduktor itu, jika tidak memenuhi
syarat operasinya maka akan tidak berfungsi dan rusak. Bahan semikonduktor yang sering
digunakan adalah silikon, germanium, dan gallium arsenide.
Memori semikonduktor menggunakan sirkuit terpadu berbasis semikonduktor untuk
menyimpan informasi. Sebuah chip memori semikonduktor mungkin berisi jutaan transistor
kecil atau kapasitor. Kedua bentuk volatile dan non-volatile memori semikonduktor ada. Pada
komputer modern, penyimpanan utama hampir seluruhnya terdiri dari memori semikonduktor
dinamis volatile atau memori dynamic random access. Seiring pergantian abad, sejenis
memori semikonduktor non-volatile yang dikenal sebagai flash memory telah terus

mendapatkan saham sebagai penyimpanan off-line untuk komputer rumah. memori

semikonduktor Non-volatile juga digunakan untuk penyimpanan sekunder dalam berbagai
perangkat elektronik canggih dan komputer khusus.
Secara umum semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak
antara sifat-sifat konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator
tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnet, tetapi pada
semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitive.

2.

LANDASAN TEORI
Adapun landasan teori yang saya gunakan adalah teori pembacaan dan penulisan

logika 0 dan 1 pada memori semiknduktor, dan beberapa penjelasan tentang memori semi
konduktor seperti sel memori dan decoder alamat.

3.

PEMBAHASAN

Penyimpanan dalam Memory Semikonduktor

Sebagaimana kita ketahui, main memory merupakan penghubung utama antara data
dari storage menuju pemrosesan di prosessor. Memory terbuat dari bahan semikonduktor.
Element dasar dari semikonduktor memory adalah sel memory. Meskipun tiap memory
memiliki teknologi yang berbeda, tetapi terdapat beberapa kesamaan, antara lain:

Representasi nilai biner dengan menggunakan dua stable state (semistable)

Sanggup untuk ditulisi (paling tidak sekali), untuk mengeset statenya

Sanggup untuk dibaca untuk mendeteksi kondisi statenya

Seperti dalam suatu produk IC semikonduktor memory juga memiliki chip tersendiri,

dimana tiap chip mengandung array sel memory. Untuk memory semikonduktor, salah satu
masalah dalam kunci desaign adalah dalam hal jumlah bit data yang dapat dibaca atau ditulis
pada suatu waktu tertentu. Salah satu cara yang ekstrim adalah dalam organisasi dimana
penyusunan fisik dari array sel adalah sama dengan penyusunan secara logika dari word di
memory. Array diatur menjadi word dari tiap-tiap bit. Contohnya, 16 mbit chip dapat diatur

sebagai 1M 16-bit word. Ada juga yang disebut dengan organisasi one bit per chip, dimana
data-data dibaca dan ditulis satu tiap waktu.
Aplikasi pertama teknologi IC bagi komputer adalah konstruksi processor (CU,ALU,
dan LU). Sebelum ditemukannya memori semikonduktor sebagian memori komputer dibuat
dari cincin-cincin kecil ferromagnetic dengan diameter 1/16 inci. Cincin ini diikat grid kawat
halus yang tergantung pada layar kecil di komputer dengan dimagnetisasi kesatu arah sebuah
cincin (Core) untuk mempresentasikan bilangan satu, dan magnetisasi kearah lainnya ini
berarti nol. Memori Core ini sangat cepat (memerlukan waktu 1 / 1.000.000 detik untuk
membaca sebuah bit yang tersimpan di dalam memori.
Pada 1970 Fairchild membuat memori semionduktor pertama. Keping ini berukuran
hampir sama dengan sebuah core, dapat menampung 256 bit memori. Memori ini tidak
destruktif dan lebih cepat dibandingkan core

BAB 1
I.

Memori Semikonduktor

Secara umum memori semikonduktor dibagi dalam beberapa bagian yaitu :

1. Menurut Fungsinya, dibedakan menjadi Memori Baca - Tulis dan Memori Hanya
Dibaca.
2. Menurut cara Aksesnya, yaitu Memori yang diakses secara acak dan memori yang
yang diakses secara serie.
3. Menurut jenis Sel Memori, dapat dibedakan menjadi Statis RAM dan Dinamis
RAM.
4. Menurut Teknologinya, dibedakan menjadi Bipolar Memori dan MOS Memori.
Keempat ciri ini mempunyai ketergantungan satu dengan yang lain sehinga secara
4

teoritis ada 2

= 16 type memori yang berbeda - beda.

Memori Baca Tulis

yang dalam pemakaian sehari-sehari disebut RAM. Dengan menunjuk lokasi sel
memori melalui jalur alamat ( address ) informasi 1 atau 0 dapat dituliskan, disimpan
dan sewaktu-waktu dapat dibaca kembali selama RAM bekerja dalam keadaan normal.
Segera setelah sumber tegangan dimatikan informasi yang telah tersimpan akan
hilang.

Pada Memori yang Hanya Dapat Dibaca, data yang telah tersimpan di

dalamnya akan tetap tersimpan walaupun sumber tegangan yang terpasang dimatikan.

RAM

: RandomAccesMemory

ROM

: Read Only Memory

PROM

: Programmable ROM

EPROM

: Erasable PROM ( dihapus dengan Sinar Ultra Violet )

EEPROM

: Electrical Erasable PROM ( dihapus secara elektrik )

EAPROM

: Electrical Alterable ROM ( dirubah secara elektrik )

A. RAM ( Random Acces Memori )

Untuk semua sistem mikrokomputer harus mempunyai sejumlah tempat penyimpanan data
yang biasanya digunakan adalah memori baca - tulis atau disebut RAM. Tempat
penyimpanan data di dalam RAM tidak hanya dapat ditulisi dan dibaca sesuai yang kita
inginkan tetapi juga digunakan untuk penyimpan variabel-variabel dan hasil-hasil
sementara dari suatu proses. RAM juga disebut Volatile Memory karena jika sumber
tegangan yang ada padanya dimatikan maka semua data yang telah tersimpan di
dalam RAM akan hilang. Di dalam kenyataannya RAM dibedakan antara Statis dan
Dinamis RAM. Sebuah SRAM elemen penyimpannya terdiri dari bistabile Flip-Flop,
sedangkan DRAM elemen penyimpannya terdiri dari elemen Kondensator.
Operasi dasar yang dilaksanakan pada RAM adalah operasi penulisan data atau pembacaan
data ke atau dari RAM oleh CPU. Data yang tersimpan sifatnya sementara, dan tergantung
catu daya pada RAM.

Gambar 2. Rangkaian RAM 6116

Pengalamatan RAM 6116 dan EPROM 2716 pada Sistem Minimal Z-80
Dalam pengalamatan ini , beberapa pin masukan dari CPU Z - 80, juga dipergunakan
dalam pengalamatan RAM dan EPROM ini. Selain pin - pin kontrol WR/WE , RD /OE dan
Bus Data, dari CPU, juga digunakan pin - pin alamat A15 - A0 dan MREQ. A15 - A0
dipergunakan untuk memberikan data alamat RAM/EPROM.

MREQ digunakan bersama sinyal - sinyal alamat A15 - A0 untuk mengaktifkan

RAM/EPROM. Rangkaian pendekode pengalamatan RAM/EPROM berfungsi untuk
mengaktifkan RAM/EPROM pada daerah pengalamatannya, yaitu mulai dari alamat awal
sampai alamat akhir dari RAM/EPROM, sesuai dengan peta pengalamatannya.
Pin - pin alamat CPU yang tidak termasuk dalam daerah pengalamatan RAM/EPROM, harus
diperhatikan dan diikutkan dalam pengalamatan RAM/EPROM.
Untuk menghindari adanya beberapa alamat RAM atau EPROM yang menunjuk pada data
lokasi RAM/EPROM yang sama, oleh sebab itu pin - pin alamat CPU ini bersama - sama
dengan sinyal MREQ dipergunakan sebagai masukan dari pendekode pengalamatan
RAM/EPROM. Hasil pendekodean alamat ( keluaran pendekode pengalamatan ),
dihubungkan ke pemilih Chip ( CS / CE ) dari masing - masing Chip

Jenis-Jenis RAM
a) DRAM (Dynamic RAM) adalah jenis RAM yang secara berkala harus disegarkan
oleh CPU agar data yang terkandung didalamnya tidak hilang.
b) SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) adalah jenis RAM yang paling umum
digunakan pada PC masa sekarang. RAM ini disinkronisasi oleh clock sistem dan
memiliki kecepatan lebih tanggi dari pada DRAM.
c) SRAM (Statik RAM) adalah jenis memory yang tidak perlu penyegaran oleh CPU
agar data yang terdapat didalamnya tetap tersimpan dengan baik. RAM jenis ini
memiliki kecepatan lebih tinggi dari pada DRAM.
d) RDRAM (Rambus Dynamic RAM) adalah jenis memory yang lebih cepat dan lebih
mahal dari pada SDRAM.
e) EDORAM (Extended Data Out RAM) adalah jenis memory yang digunakan pada
sistem yang menggunakan Pentium

B. ROM ( Read Only Memory )

Apabila informasi yang disimpan tidak boleh hilang walaupun sumber tegangan dimatikan
maka informasi tersebut

disimpan di dalam ROM. Perubahan program atau program

bagian yang lain tidak mungkin lagi dilakukan di dalam memori jenis ini. Dalam sistem
komputer ROM biasanya digunakan untuk menyimpan program monitor. Program yang
akan disimpan di ROM biasanya program pesanan dari komunitas tertentu, sedangkan
pemrogramannya dilakukan di tempat pabrik pembuatnya. ROM biasanya juga berisi
program yang dapat dipakai secara umum misalnya karakter Generator, Dekoder atau
fungsi fungsi lain yang lazim dipakai. Jenis memori ini tidak memungkinkan diisi
program oleh pengguna.

C. PROM ( Programmable Read Only Memory)

Memori jenis ini hanya memberikan kesempatan kepada pengguna untuk memprogram
sekali saja. Jika terjadi kesalahan data atau kesalahan penempatan alamat maka tidak

mungkin lagi melakukan perubahan karena setiap bit pada masing - masing lokasi memori
tidak mungkin dapat dihapus oleh karena hal tersebut maka memori jenis ini di pasaran
secara umum tidak lagi digunakan.

D. EPROM ( Erasable Programmable Read Only Memory ) EEPROM

( Electrical Erasable Programmable Read Only Memory )
Memori jenis ini memberi kesempatan kepada para pemakai untuk melakukan
pemrograman ulang secara total. Pemrograman di lakukan dengan Eprom Writer, dalam
keadaan memori kosong ( isinya telah dihapus terlebih dahulu ). Pada EPROM
menghilangkan / menghapus isi program dengan cara menyinari cendela yang ada padanya
dengan sinar Ultra Violet ( UV ), sedangkan pada EEPROM dengan cara memberikan
tegangan yang ditetapkan pada kaki yang telah ditetapkan.

E. EAPROM ( Erasable Alterable Programmable Read Only Memory ) Memori

jenis ini memungkinkan untuk dirubah isinya yang berada di setiap sel memori tanpa
harus menghapus semua isinya terlebih dahulu. Bentuk dan rangkaian dari
memori ini sangat jarang ditemui.

BAB II
II.

Memori Baca - Tulis

Pada memori jenis ini, setiap saat informasi baru dapat dituliskan di sel memori, disimpan
dan dibaca ulang. Dari organisasi memori di bedakan dalam organisasi Bit dan
organisasi Word yang biasanya Word terdiri dari sejumlah Bit yang disatukan /
dipadukan. RAM yang mempunyai kapasitas kecil biasanya adalah statis RAM, sedangkan
RAM yang mempunyai kapasitas besar biasanya dinamis RAM.
A. Organisasi Memori

Susunan dari sel sel memori RAM dibentuk dalam matrik. Di bawah ini adalah
sebuah memori 64 bit dan setiap sel memori menempati koordinatnya masing-masing.

64 BIT Matrik Memori

Untuk menunjuk ( Meng-access ) sel memori tertentu dibutuhkan koordinat yang terbentuk
dari X dan Y yang biasanya juga disebut jalur alamat (address). Contoh di atas adalah sel
memori yang berlokasi pada koordinat X3, Y7. Cara di atas jumlah jalur alamatnya dapat
diperkecil jumlahnya dengan decoder yang akan dibicarakan berikutnya.
B. Sel Memori Statis
Rangkaian dasar dari sel memori statis adalah bistabil Flif Flop. Bistabil Flif-Flop
dapat dibangun dari Bipolar Transistor atau teknologi MOS.

Rangkaian bistabil Flip-Flop

C. Sel Memori Statis Teknologi Bipolar
Sebuah sel memori statis bipolar menggunakan 2 ( dua ) buah multi Emitter Transistor yang
dalam teknik TTL ( Transistor Transistor Logik ) sudah tidak asing lagi. Di bawah ini
adalah gambar prinsip sebuah sel memori .

Sebuah sel memori dinyatakan dalam keadaan istirahat jika jalur x dan y ( jalur alamat )
yang membentuk titik silang diberikan sinyal L. Dalam keadaan ini arus Emittor dari
dua Emitter masing-masing transistor melalui jalur alamat ke ground ( massa ). Kaki

Emitter yang ketiga dari masing-masing transistor tidak ada arus yang mengalir dan melalui
jalur baca tulis ( SL ) informasi dapat dibaca atau ditulis Untuk mengaktipkan salah satu
sel memori, kedua jalur x dan y harus mendapatkan sinyal H. Dalam keadaan ini
dua dari tiga Emitter pada masing-masing transistor mendapat sinyal H dan arus
Emitter dari salah satu transistor yang aktif dapat mengalir melalui jalur SL yang sesuai. Sel
memori statis bipolar hampir tidak mempunyai penundaan waktu tulis dan waktu baca,
tetapi mempunyai kelemahan karena setiap bit yang tersimpan
menimbulkan kerugian daya yang relatif besar, karena satu diantara dua transistor
selalu aktif ( ON ).

D. Sel Memori Statis Teknologi MOS

Kerugian daya akibat bit yang tersimpan pada memori ini relatif kecil dibanding bipolar
memori.

Sebuah sel memori telah terpilih jika pada jalur x dan y diberikan sinyal H. Dengan
keadaan ini maka pasangan transistor T5 / T6 dan juga T7 / T8 menjadi ON, sehingga
informasi yang berada pada titik A dan titik B dilalukan ke jalur SL 1 dan SL 2. Untuk
melakukan perintah baca agar informasi sampai sampai ke output masih membutuhkan

Driver. Untuk melakukan perintah tulis informasi dari luar yang telah melalui Driver
dikirimkan melalui jalur SL. Transistor T5, T6, T7 dan T8 yang ON dan tergantung dari
keadaan yang diinginkan akan mempengaruhi keadaan bistabil T1,T2, T3, dan T4.
E. Sel Memori Dinamis Teknologi MOS
Sel memori dinamis hanya dibuat dalam teknologi MOS. Informasi yang tersimpan dalam
memori ini tidak dalam bentuk bistabile, tetapi sebagai tegangan pengisian kondensator.
Karena adanya arus bocor yang tidak bisa dihindari maka kondensator - kondensator pada
memori ini selalu dalam keadaan pengosongan, sehingga agar isinya dapat bertahan
harus selalu dilakukan pengisian ulang setiap saat. Proses yang demikian

dinamakan

penyegaran ( refresh ) yang waktu penyegaranya pada kebanyakan memori adalah

T = 2 ms.

Untuk luasan chip yang sama, memori dinamis ini dapat dibangun lebih banyak sel memori
dibanding memori statis, oleh karena itu untuk memori yang mempunyai kapasitas besar
biasanya terbuat dalam dinamis memori. Input sinyal disambungkan langsung dengan model
fungsi AND MOS. Sebuah pulsa positif pada input kapasitor CG akan melakukan pengisian.
Tahanan bocor pada RG menyebabkan kapasitas CG melakukan pengosongan. Agar supaya
tegangan kondensator tidak turun dibawah tegangan sinyal H, pulsa penyegaran harus
dipersiapkan tepat waktu. Seperti yang ditunjukkan pada gambar, pulsa penyegaran
mempunyai hubungan konjunktiv dengan level sinyal tersimpan. Selama titik A pada level
sinyal H, pada output Gerbang AND akan selalu sama dengan pulsa penyegaran, sehingga

kondensator CG

selalu melakukan penyegaran pengisian secara poriodik. Jika titik A

dihubungkan dengan Ground ( sinyal 0 ) maka kondensator CG

akan melakukan

pengosongan dengan cepat dan output pada Gerbang AND selalu L ( sinyal 0 ), sehingga
pulsa penyegaran terputus ( tidak terjadi penyegaran ).
F. Memori Hanya Dibaca ( ROM )
seperti penjelasan terdahulu bahwa informasi yang telah ada di dalam ROM hanya dapat
dibaca, sedangkan pengguna sama sekali tidak dapat merubah isinya karena informasi yang
ada

pada

ROM

terbentuk

bersamaan

dengan

pembuatan

ROM

di pabrik

pembuatannnya.

Melalui D1 dan D2, Input A dan B dan Output Q, dalam hubungan Gerbang AND,
sehingga pada Q1 akan berlogika H jika A = 1 dan B = 1. Dari hubungan dioda matrik di
atas program yang ada pada ROM dapat dinyatakan dalam Tabel Kebenaran di bawah
ini.
B

Q1

Q2

Q3

Q4

Selain cara di atas, terdapat juga ROM yang terbuat dari Gerbang-gerbang logik yang
lain, tetapi ada juga yang terbuat dari Multi Emitter Transistor.

G.ROM Dapat Diprogram ( PROM )

Pada PROM yang terbuat dari dioda matrik dan belum diprogram setiap persilangan antara
kolom dan baris terisi dioda. Tergantung dari typenya PROM yang belum diprogram pada
outputnya hanya berlogika 1 atau 0. Pada penghantar setiap dioda dipasang secara seri
sebuah tahanan terbuat dari NiCr ( Nickel Chrom ) yang mudah terbakar jika dialiri arus
lebih. Pemrograman PROM dilakukan dengan cara memberikan pulsa arus lebih pada
dioda yang dikehendali sehingga tahanan yang terpasang terbakar (terputus) dan dengan
demikian dioda yang bersangkutan tidak berfungsi. Proses pemrograman seperti ini
disebut proses FUSE - LINK .

Proses yang sama dengan pembakaran tahanan NiCr digunakan juga pada matrik dengan
Multi Emitter Transistor seperti gambar dibalik. Transistor yang digunakan pada jenis
ini adalah Transistor NPN. Pada transistor ini emittor yang disambung dengan jalur y

dan kolektor disambungkan pada

jalur x dari matrik, basisnya tidak terhubung selama

dalam keadaan belum terprogram. Untuk memprogram sel memori dengan

cara

memberikan arus pulsa yang besar pada transistor yang sesuai maka akan terbentuk
"Basis-Emitor Dioda", yang sebelum diprogram lintasan basis emittor hanya mempunyai
tahanan 100 k, dan setelah di program lintasan Basis-Emitornya- hanya mempunyai
tahanan 200 .

Proses pemrograman seperti ini disebut proses AIM ( Avalanche Induced Migration
menghubung singkat "Basis-Emitter-Dioda" sebuah transistor ).
H.ROM Dapat Dihapus dan Diprogram
Ada dua cara untuk menghapus isi program pada memori ini yaitu menyinari jendela memori
dengan Ultra Violet dan menghapus isinya secara elektronik. (EEPROM, EAPROM
).Memori yang dapat dihapus dengan Ultra Violet disebut EPROM. Sel memori pada
EPROM dibangun dari dua Transistor MOS. Salah satu dari Transistor disambung langsung
dengan jalur alamat x, sedangkan pada D dan S disambung dengan jalur alamat y.

I. Decoder Alamat
Sel memori biasanya disusun dalam matrik kuadrat. Sebuah sel memori secara eksak dapat
ditentukan tempatnya

melalui baris dan kolomnya, dan untuk mengetahui Jumlah

jalur memori dapat digunakan perhitungan sejenis dibawah ini:

Gambar dibalik adalah 64 Bit RAM yang membutuhkan 8 jalur x dan 8 jalur y untuk

pengalamatan setiap Bit memori . Melalui address decoder jumlah jalur alamat dapat
direduksi menjadi 2 x 3 = 6 jalur dan dengan 6 jalur alamat yang telah di decoder ini,
setiap sel memori dari 64 sel memori yang ada dapat dituju. Address decoder biasanya tidak
nampak secara fisik dari luar karena telah disatukan di dalam 1 chip memori. Dengan
address decoder maka telah tereduksi jumlah jalur

alamatnya. Address decoder maka

terreduksi jumlah alamatnya. Address decoder ini sangat bermanfaat.

BAB III
MEMORY
1. Cache memory
A. Pengertian Cache memory
Cache memory adalah memory berukuran kecil berkecepatan tinggi yang berfungsi
untuk menyimpan sementara instruksi dan/atau data (informasi) yang diperlukan oleh
prosesor. Boleh dikatakan bahwa cache memory ini adalah memory internal prosesor. Cache
memory ini berbasis SRAM yang secara fisik berukuran kecil dan kapasitas tampung datanya
juga kecil atau sedikit. Pada saat ini, cache memory ada 3 jenis, yaitu L1 cache, L2 cache,
dan L3 cache.
B. Letak cache memory
L1 cache terintegrasi dengan chip prosesor, artinya letak L1 cache sudah menyatu
dengan chip prosesor (berada di dalam keping prosesor). Sedangkan letak L2 cache, ada yang
menyatu dengan chip prosesor, ada pula yang terletak di luar chip prosesor, yaitu di
motherboard dekat dengan posisi dudukan prosesor. Pada era prosesor intel 80486 atau
sebelumnya, letak L2 cache kebanyakan berada di luar chip prosesor. Chip cache terpisah
dari prosesor, berdiri mandiri dekat chip prosesor. Sejak era prosesor Intel Pentium, letak L2
cache ini sudah terintegrasi dengan chip prosesor (menyatu dengan keping prosesor). Posisi
L2 cache selalu terletak antara L1 cache dengan memori utama (RAM). Sedangkan L3 cache
belum diimplementasikan secara umum pada semua jenis prosesor. Hanya prosesor-prosesor
tertentu yang memiliki L3 cache.
Cache memory yang letaknya terpisah dengan prosesor disebut cache memory non
integrated atau diskrit (diskrit artinya putus atau terpisah). Cache memory yang letaknya
menyatu

dengan

prosesor

disebut

cache

memory integrated, on-chip,

atau on-

die (integrated artinya bersatu/menyatu/ tergabung, on-chip artinya ada pada chip).
L1 cache (Level 1 cache) disebut pula dengan istilah primary cache, first cache,
atau level one cache. L2 cache disebut dengan istilah secondary cache, second level
cache, atau level two cache.

C. Kecepatan cache memory

Transfer data dari L1 cache ke prosesor terjadi paling cepat dibandingkan L2 cache
maupun L3 cache (bila ada). Kecepatannya mendekati kecepatan register. L1 cache ini
dikunci pada kecepatan yang sama pada prosesor. Secara fisik L1 cache tidak bisa dilihat
dengan mata telanjang. L1 cache adalah lokasi pertama yang diakses oleh prosesor ketika
mencari pasokan data. Kapasitas simpan datanya paling kecil, antara puluhan hingga ribuan
byte tergantung jenis prosesor. Pada beberapa jenis prosesor pentium kapasitasnya 16 KB
yang terbagi menjadi dua bagian, yaitu 8 KB untuk menyimpan instruksi, dan 8 KB untuk
menyimpan data.
Transfer data tercepat kedua setelah L1 cache adalah L2 cache. Prosesor dapat
mengambil data dari cache L2 yang terintegrasi (on-chip) lebih cepat dari pada cache L2
yang tidak terintegrasi. Kapasitas simpan datanya lebih besar dibandingkan L1 cache, antara
ratusan ribu byte hingga jutaan byte, ada yang 128 KB, 256 KB, 512 KB, 1 MB, 2 MB,
bahkan 8 MB, tergantung jenis prosesornya. Kapasitas simpan data untuk L3 cache lebih
besar lagi, bisa ratusan juta byte (ratusan mega byte).
D. Prioritas penyimpanan dan pengambilan data
Dalam mekanisme kerjanya, data yang akan diproses oleh prosesor, pertama kali
dicari di L1 cache, bila tidak ada maka akan diambil dari L2 cache, kemudian dicari di L3
cache (bila ada). Jika tetap tidak ada, maka akan dicari di memori utama. Pengambilan data di
L2 cache hanya dilakukan bila di L1 cahe tidak ada.
Lebih jelasnya proses baca tulis data yang dilakukan oleh prosesor ke memori utama
dapat dijelaskan sebagai berikut:

Ketika data dibaca/ditulis di memori utama (RAM) oleh prosesor, salinan data beserta
address-nya (yang diambil/ditulis di memori utama) disimpan juga di cache. Sewaktu
prosesor memerlukan kembali data tersebut, prosesor akan mencari ke cache, tidak perlu lagi
mencari di memori utama.
Jika isi cache penuh, data yang paling lama akan dibuang dan digantikan oleh data yang baru
diproses oleh prosesor. Proses ini dapat menghemat waktu dalam proses mengakses data yang
sama, dibandingkan jika prosesor berulang-ulang harus mencari data ke memori utama.
Secara logika, kapasitas cache memory yang lebih besar dapat membantu
memperbaiki kinerja prosesor, setidak-tidaknya mempersingkat waktu yang diperlukan dalam
proses mengakses data.

2.

Memory Internal

pengertian memori adalah suatu penamaan konsep yang bisa menyimpan data dan
program.sedangkan Memori internal, yang dimaksud adalah bahwa memori terpasang
langsung pada motherboard.
Dengan demikian, pengertian memory internal sesungguhnya itu dapat berupa :
First-Level (L1) Cache
Second-Level (L2) Cache
Memory Module
Akan tetapi pengelompokan dari memory internal juga terbagi atas :
RAM (Random Access Memory) dan
ROM (Read Only Memory)
Penjelasan dari masing- masing pengertian diatas adalah sebagai berikut :
1. First Level (L1) Cache
Memory yang bernama L1 Cache ini adalah memori yang terletak paling dekat dengan
prosessor (lebih spesifik lagi dekat dengan blok CU (Control Unit)). Penempatan Cache di
prosessor dikembangkan sejak PC i486. Memori di tingkat ini memiliki kapasitas yang paling
kecil (hanya 16 KB), tetapi memiliki kecepatan akses dalam hitungan nanodetik (sepermilyar
detik). Data yang berada di memori ini adalah data yang paling penting dan paling sering
diakses. Biasanya data di sini adalah data yang telah diatur melalui OS (Operating system)
menjadi Prioritas Tertinggi (High Priority).

2. Second-Level (L2) Cache

Memori L2 Cache ini terletak di Motherboard (lebih spesifik lagi : modul COAST :
Cache On a Stick. Bentuk khusus dari L2 yang mirip seperti Memory
Module yang dapat diganti-ganti tergantung motherboardnya). Akan tetapi ada juga yang
terintegrasi langsung dengan MotherBoard, atau juga ada yang terintegrasi dengan Processor
Module. Di L2 Cache ini, kapasitasnya lebih besar dari pada L1 Cache. Ukurannya berkisar
antara 256 KB-2 MB. Biasanya L2 Cache yang lebih besar diperlukan di MotherBoard untuk
Server. Kecepatan akses sekitar 10 ns.
3. Memory Module
Memory Module ini memiliki kapasitas yang berkisar antara 4 MB-512 MB. Kecepatan
aksesnya ada yang berbeda-beda. Ada yang berkecepatan 80 ns, 60 ns, 66 MHz (=15 ns), 100
MHz(=10ns), dan sekarang ini telah dikembangkan PC133mhZ(=7.5 ns). Memori modul di
kelompok kan menjadi 2,yaitu :
a) Single In-Line Memory Module (SIMM)
b) DIMM (Dual In-Line Memory Module)
1.Sistem Memory Komputer
Untuk mempelajari sistem memori secara keseluruhan, harus mengetahui karakteristik
kuncinya. Karakteristik penting sistem memori dalam tabel 4.1 berikut :

Dilihat dari lokasi, memori dibedakan menjadi beberapa jenis, yaitu register, memori
internal dan memori eksternal. Register berada di dalam chip prosesor, memori ini diakses
langsung oleh prosesor dalam menjalankan operasinya. Register digunakan sebagai memori
sementara dalam perhitungan maupun pengolahan data dalam prosesor.Memori internal
adalah memori yang berada diluar chip prosesor namun mengaksesannya langsung oleh
prosesor. Memori internal dibedakan menjadi memori utama dan cache memori.Memori
eksternal dapat diakses oleh prosesor melalui piranti I/O.
Karakteristik lainnya adalah kapasitas. Kapasitas memori internal maupun eksternal
biasanya dinyatakan dalam mentuk byte (1 byte = 8 bit) atau word. Panjang word umumnya
8, 16, 32 bit. Memori eksternal biasanya lebih besar kapasitasnya daripada memori internal,
hal ini disebabkan karena teknologi dan sifat penggunaannya yang berbeda.
Karakteristik berikutnya adalah satuan tranfer. Bagi memori internal, satuan tranfer
sama dengan jumlah saluran data yang masuk ke dan keluar dari modul memori. Jumlah
saluran ini sering kali sama dengan panjang word, tapi dimungkinkan juga tdak sama. Tiga
konsep yg berhubungan dg satuan transfer :
Word, merupakan satuan alami organisasi memori. Ukuran word biasanya sama dengan
jumlah bit yang digunakan untuk representasi bilangan dan panjang instruksi.
Addressable units, pada sejumlah sistem, adressable units adalah word. Namun terdapat sistem
dengan pengalamatan pada tingkatan byte. Pada semua kasus hubungan antara panjang A
suatu alamat dan jumlah N adressable unit adalah 2A =N.
Unit of tranfer, adalah jumlah bit yang dibaca atau dituliskan ke dalam memori pada suatu saat.
Perbedaan tajam yang terdapat pada sejumlah jenis memori adalah metode accessnya. Terdapat empat macam metode :
Sequential access, memori diorganisasi menjadi unit unit data yang disebut record.Akses
harus dibuat dalam bentuk urutan linier yang spesifik. Informasi mengalamatan yang
disimpan dipakai untuk memisahkan record record dan untuk membantu proses pencarian.
Direct access, sama sequential access terdapat shared read/write mechanism. Setiap blok dan
record memiliki alamat unik berdasarkan lokasi fisiknya. Akses dilakukan langsung pada
alamat memori.
Random access, setiap lokasi memori dipilih secara random dan diakses serta dialamati secara
langsung. Contohnya adalah memori utama.

 Associative access, merupakan jenis random akses yang memungkinkan pembandingan lokasi
bit yang diinginkan untuk pencocokan.
Berdasarkan karakteristik unjuk kerja, memiliki tiga parameter utama pengukuran unjuk
kerja,yaitu :
Access time
Memory cycle time
Transfer rate
2.Memory Utama
Memori utama merupakan media penyimpanan dalam bentuk array yang disusun word
atau byte, kapasitas daya simpannya bisa jutaan susunan. Setiap word atau byte mempunyai
alamat tersendiri. Data yang disimpan pada
1. Random Access Memory ( RAM )
2. Read Only Memory ( ROM )
3. CMOS Memory
4. Virtual Memory
memori utama ini bersifat volatile, artinya data yang disimpan bersifat sementara dan
dipertahankan oleh sumber-sumber listrik, apabila sumber listrik dimatikan maka datanya
akan hilang.Memori utama digunakan sebagai media penyimpanan data yang berkaitan
dengan CPU atau perangkat I/O.
Fungsi dari Memori Utama
Address bus pertama kali mengontak computer yang disebut memori. Yang dapat di
akses oleh CPU dalam melakukan salah satu dari proses membaca (read) atau
menuliskan/menyimpan (write) ke memori tersebut. Memori ini diistilahkan juga sebagai
Memori Utama.
Memori dapat dibayangkan sebagai suatu ruang kerja bagi komputer dan memori juga
menentukan terhadap ukuran dan jumlah program yang bias juga jumlah data yang bias
diproses. Memori terkadang disebut sebagai primary storage, primary memory, main storage,
main memory, internal memory.
Memori berfungsi menyimpan sistim aplikasi, sistem pengendalian, dan data yang sedang
beroperasi atau diolah. Semakin besar kapasitas memori akan meningkatkan kemapuan
komputer tersebut. Memori diukur dengan KB atau MB. Random Access Memory (RAM),

merupakan bagian memory yang bisa digunakan oleh para pemakai untuk menyimpan
program dan data.
3. Organisasi DRAM
Dynamic RAM
Secara internal, setiap sel yang menyimpan 1 bit data memiliki 1 buah Transistor dan 1
buah Kondensator. Kondensator ini yang menjaga tegangan agar tetap mengaliri transistor
sehingga tetap dapat menyimpan data. Oleh karena penjagaan arus itu harus dilakukan setiap
beberapa saat (yang disebut refreshing) maka proses ini memakan waktu yang lebih banyak
daripada kinerja Static RAM.Seperti yang telah dikemukakan sebelumnya, modul memori
berkembang beriring-iringan dengan perkembangan processor. Jenis DRAM ini juga
mengalami perkembangan.
Perkembangan Jenis DRAM
A.Synchronous DRAM (SDRAM) adalah salah satu contohnya. Dalam SDRAM ini (yang
biasanya dikenal sebagai SIMM SDRAM) hanyalah memperbaiki kecepatan akses data yang
tersimpan. Dengan proses sinkronisasi kecepatan modul ini dengan Frekuensi Sistem Bus
pada prosesor diharapkan dapat meningkatkan kinerjanya. Modul EDO RAM dapat bawa ke
kecepatan tertingginya di FSB maksimum 75MHz, sedangkan SDRAM dapat dibawa ke
kecepatan 100MHz pada system yang sama. SDRAM ini juga dikembangkan lebih jauh.
1.PC100 RAM
SDRAM yang dikembangkan untuk sistem bus 100MHz
2. PC133 RAM
SDRAM yang dikembangkan untuk sistem bus 133MHz
SDRAM yang dikembangkan untuk kebutuhan server yang memiliki kinerja yang berat.
Jenis SDRAM ini dapat mencari kerusakan data pada sel memori yang bersangkutan dan
langsung dapat memperbaikinya. Akan tetapi, batasan dari SDRAM jenis ini adalah, sel data
yang dapat diperbaiki hanya satu buah sel saja dalam satu waktu pemrosesan data.
B. Burst EDO RAM (BEDO RAM) adalah jenis EDO yang memiliki kemampuan Bursting.
Kinerja yang telah digenjot bisa 100% lebih tinggi dari FPM, 33% dari EDO RAM. Semula
dikembangkan untuk menggantikan SDRAM, tetapi karena prosesnya yang asinkron, dan
hanya terbatas sampai 66MHz, praktis BEDO RAM ditinggalkan.

C. Serial Presence Detect (PSD) adalah perkembangan dari DIMM yang menyertakan sebuah
chip EPROM yang dapat menyimpan informasi tentang modul ini. Chip kecil yang memiliki
8 pin ini bertindak sebagai SPD yang sedemikian rupa sehingga BIOS dapat membaca
seluruh informasi yang tersimpan didalamnya dan dapat menyetarakan FSB dengan waktu
kerja untuk performa CPU-RAM yang sempurna.

Memory Eksternal
Memory Eksternal adalah memori yang menyimpan data dalam media fisik berbentuk
kaset atau disk. agar tetap mengaliri transistor sehingga tetap dapat menyimpan data. Oleh
karena penjagaan arus itu harus dilakukan setiap beberapa saat (yang disebut refreshing)
maka proses ini memakan waktu yang lebih banyak daripada kinerja Static RAM.
1.Multiple Disk
a.harddisk
disebut juga dengan cakram keras berbentuk piringan hitam terbuat dari alumunium
dan dilapisi bahan magnetic. Hard disk sudah menjadi komponen utama dari PC untuk sistem
operasi. Komponen bagian hard disk terdiri dari sebuah jarum untuk membaca data di
cakram. Mempunyai kapasitas lebih besar dari floppy disk. Kecepatan putarannya bervariasi,
ada yang 5400 putaran per menit bahkan ada yang sampai 7200 putaran per menit.
Kemampuan sebuah hardisk biasanya ditentukan oleh banyaknya data yang bias disimpan.
Besarnya bervariasi, ada yang 1,2 GB hingga 80 GB. 1 GB sama dengan 1000 MB,
sedangkan 1 MB sama dengan 1000 KB.
IDE Disk (Harddisk)
Saat IBM menggembangkan PC XT, menggunakan sebuah hardisk Seagate 10 MB untuk
menyimpan program maupun data. Harddisk ini memiliki 4 head, 306 silinder dan 17 sektor
per track, dicontrol oleh pengontrol disk Xebec pada sebuah kartu plug-in.
Teknologi yang berkembang pesat menjadikan pengontrol disk yang sebelumnya
terpisah menjadi satu paket terintegrasi, diawali dengan teknologi drive IDE (Integrated
Drive Electronics) pada tengah tahun 1980. Teknologi saat itu IDE hanya mampu menangani
disk berkapasitas maksimal 528 MB dan mengontrol 2 disk. Seiring kebutuhan memori,
berkembang teknologi yang mampu menangani disk berkapasitas besar. IDE berkembang
menjadi EIDE (Extended Integrated Drive Electronics) yang mampu menangani harddisk
lebih dari 528 MB dan mendukung pengalamatan LBA (Logical Block Addressing), yaitu

metode pangalamatan yang hanya memberi nomer pada sektor sector mulai dari 0 hingga
maksimal 224-1. Metode ini mengharuskan pengontrol mampu mengkonversi alamat
alamat LBA menjadi alamat head, sektor dan silinder. Peningkatan kinerja lainnya adalah
kecepatan tranfer yang lebih tinggi, mampu mengontrol 4 disk, mampu mengontrol drive CDROM.
SCSI Disk (Harddisk)
Disk SCSI (Small Computer System Interface) mirip dengan IDE dalam hal organisasi
pengalamatannya. Perbedaannya pada piranti antarmukanya yang mampu mentransfer data
dalam kecepatan tinggi. Versi disk SCSI terlihat pada tabel 5.3. Karena kecepatan transfernya
tinggi, disk ini merupakan standar bagi komputer UNIX dari Sun Microsystem, HP, SGI,
Machintos, Intel terutama komputer komputer server jaringan, dan vendor vendor
lainnya.SCSI sebenarnya lebih dari sekedar piranti antarmuka harddisk. SCSI adalah sebuah
bus karena SCSI mampu sebagai pengontrol hingga 7 peralatan seperti: harddisk, CD ROM,
rekorder CD, scanner dan peralatan lainnya. Masing masing peralatan memiliki ID unik
sebagai media pengenalan oleh SCSI.

b.flashdisk
Adalah piranti penyimpan dari floppy drive jenis lain yang mempunyai kapasitas memori
128 MB, dengan menggunakan kabel interface jenis USB (Universal Serial Bus), sangat
praktis dan ringan dengan ukuran berkisar 96 x 32 mm dan pada bagian belakang bentuknya
agak menjurus keluar, digunakan untuk tempat penyimpanan baterai jenis AAA dan terdapat
port USB yang disediakan penutupnya yang berbentuk sama dengan body utamanya dan juga
mempunyai layar LCD yang berukuran 29,5 x 11 mm.
Flash disk dapat digunakan untuk berbagai keperluan seperti :

Sebagai storage (penyimpan data)

Sebagai MP3 player

Sebagai voice recording

Sebagai FM Tuner (radio)

Pada teknologi masa kini, flash memory mengalami perkembangan

penyimpan data dengan kapasitas menjadi 512 MB (megabyte) hingga 1 GB (gigabyte) dan
dengan ukuran sekitar 18 x 16,5 x 7,5 mm yang mempunyai kemampuan transfer data sekitar
480 Mbps, sehingga untuk pengunaan file dengan memori 120 Mb, dapat melakukan
pembacaan data sekitar 88 Mbps dan untuk penulisan data sekitar 5 Mbps. Bentuknya aneka
ragam ada yang seukuran lebih kecil atau lebih besar dari keluaran pertamanya. Bahkan saat
ini ada yang berkapasitas sekitar 2, 2 GB dengan ukuran seperti kotak kecil.Flash disk
mempunyai kemampuan transfer data untuk penulisan mencapai 350 Kbps, sedangkan untuk
pembacaan mencapai 665 Kbps. Pada perlengkapan pendukungnya tersedia peralatan
earphone, baterai jenis AAA, kabel ektensi USB dan CD driver flash disk untuk install.
Untuk versi windows ME, windows 2000 dan windows XP sudah dapat mendeteksi untuk
konfigurasi flash disk, kecuali sistem operasi windows 98 belum dapat mendeteksi secara
otomatis, jadi harus diinstall driver-nya terlebih dahulu.
c.floppydisk
Dengan berkembangnya komputer pribadi maka diperlukan media untuk
mendistribusikan software maupun pertukaran data. Solusinya ditemukannya disket atau
floppy disk oleh IBM.
Karakteristik disket adalah head menyentuh permukaan disk saat membaca ataupun
menulis. Hal ini menyebabkan disket tidak tahan lama dan sering rusak. Untuk mengurangi
kerusakan atau aus pada disket, dibuat mekanisme penarikan head dan menghentikan rotasi
disk ketika head tidak melakukan operasi baca dan tulis. Namun akibatnya waktu akses disket
cukup lama. Gambar 5.6. memperlihatkan bentuk floppy disk.

Gambar
Ada dua ukuran disket yang tersedia, yaitu 5,25 inchi dan 3,5 inchi dengan masing
masing memiliki versi low density (LD) dan high density (HD). Disket 5,25 inchi sudah tidak
popular karena bentuknya yang besar, kapasitas lebih kecil dan selubung pembungkusnya
tidak kuat.
d.CD ROM
(Compact Disk Read Only Memory). Merupakan generasi CD yang diaplikasikan
sebagai media penyimpan data komputer. Dikenalkan pertama kali oleh Phillips dan Sony
tahun 1984 dalam publikasinya, yang dikenal dengan Yellow Book. Perbedaan utama dengan
CD adalah CD ROM player lebih kasar dan memiliki perangkat pengoreksi kesalahan, untuk
menjamin keakuratan tranfer data ke komputer. Secara fisik keduanya dibuat dengan cara
yang sama, yaitu terbuat dari resin, contohnya polycarbonate, dan dilapisi dengan permukaan
yang sangat reflektif seperti aluminium. Penulisan dengan cara membuat lubang mikroskopik
sebagai representasi data dengan laser berintensitas tinggi. Pembacaan menggunakan laser
berintensitas rendah untuk menterjemahkan lubang mikroskopik ke dalam bentuk data yang
dapat dikenali komputer. Saat mengenai lubang miskrokopik, intensitas sinar laser akan
berubah ubah. Perubahan intensitas ini dideteksi oleh fotosensor dan dikonversi dalam
bentuk sinyal digital.Karena disk berbentuk lingkaran, terdapat masalah dalam mekanisme
baca dan tulis,yaitu masalah kecepatan. Saat disk membaca data dibagian dekat pusat disk
diperlukan putaran rendah karena padatnya informasi data, sedangkan apabila data berada di
bagian luar disk diperlukan kecepatan yang lebih tinggi. Ada beberapa metode mengatasai
masalah kecepatan ini,

diantaranya dengan sistem constant angular velocity (CAV), yaitu bit bit informasi direkam
dengan kerapatan yang bervariasi sehingga didapatkan putaran disk yang sama. Metode ini
biasa diterapkan dalam disk magnetik, kelemahannya adalah kapasitas disk menjadi
berkurang.
e. CD R
(Compact Disk Recordables) Secara fisik CD-R merupakan CD polikarbonat kosong
berdiameter 120 mm sama seperti CD ROM. Perbedaannya adanya alur alur untuk
mengarahkan laser saat penulisan. Awalnya CD-R dilapisi emas sebagai media refleksinya.
Permukaan reflektif pada lapisan emas tidak memiliki depresi atau lekukan lekukan fisik
seperti halnya pada lapisan aluminium sehingga harus dibuat tiruan lekukan antara pit dan
land-nya. Caranya dengan menambahkan lapisan pewarna di antara pilikarbonat dan lapisan
emas. Jenis pewarna yang sering digunakan adalah cyanine yang berwarna hijau dan
pthalocynine yang berwarna oranye kekuning-kuningan. Pewarna ini sama seperti yang
digunakan dalam film fotografi sehingga menjadikan Kodak dan Fuji produsen utama CD-R.
Sebelum digunakan pewarna bersifat transparan sehingga sinar laser berdaya tinggi dapat
menembus sampai ke lapisan emas saat proses penulisan. Saat sinar laser mengenai titik
pewarna, sinar ini memanaskannya sehingga pewarna terurai melepaskan ikatan kimianya
membentuk suatu noda. Noda noda inilah sebagai representasi data yang nantinya dapat
dikenali oleh fotodetektor apabila disinari dengan laser berdaya rendah saat proses
pembacaan. Seperti halnya jenis CD lainnya, CD-R dipublikasikan dalam buku tersendiri
yang memuat spisifikasi teknisnya yang dikenal dengan Orange Book. Buku ini
dipublikasikan tahun 1989.
Terdapat format pengembangan, yaitu ditemukannya seri CD-ROM XA yang
memungkinkan penulisan CD-R secara inkremental sehingga menambah fleksibilitas produk
ini. Kenapa hal ini bisa dilakukan, karena sistem ini memiliki multitrack dan setiap track
memiliki VOTC (volume table of content) tersendiri. Berbeda dengan model CD-ROM
sebelumnya yang hanya memiliki VOTC tunggal pada permulaan saja.

2.RAID
RAID (Redundancy Array of Independent Disk) merupakan organisasi disk memori yang
mampu menangani beberapa disk dengan sistem akses paralel dan redudansi ditambahkan
untuk meningkatkan reliabilitas. Karena kerja paralel inilah dihasilkan resultan kecepatan

disk yang lebih cepat. Teknologi database sangatlah penting dalam model disk ini karena
pengontrol disk harus mendistribusikan data pada sejumlah disk dan juga membacaan
kembali. Karakteristik umum disk RAID :
RAID adalah sekumpulan disk drive yang dianggap sebagai sistem tunggal disk.
Data didistribusikan ke drive fisik array.
Kapasitas redudant disk digunakan untuk menyimpan informasi paritas, yang menjamin
recoveribility data ketika terjadi masalah atau kegagalan disk. Jadi RAID merupakan salah
satu jawaban masalah kesenjangan kecepatan disk memori dengan CPU dengan cara
menggantikan disk berkapasitas besar dengan sejumlah disk disk berkapasitas kecil dan
mendistribusikan data pada disk disk tersebut sedemikian rupa sehingga nantinya dapat
dibaca kembali.
RAID tingkat 0
Sebenarnya bukan RAID karena tidak menggunakan redundansi dalam meningkatkan
kinerjanya. Data didistribusikan pada seluruh disk secara array merupakan keuntungan dari
pada menggunakan satu disk berkapasitas besar.
Sejalan perkembangan RAID 0 menjadi model data strip pada disk dengan suatu
management tertentu hingga data sistem data dianggap tersimpan pada suatu disk logik.
Mekanisme tranfer data dalam satu sektor sekaligus sehingga hanya baik untuk menangani
tranfer data besar.
RAID tingkat 1
Pada RAID 1, redundansi diperoleh dengan cara menduplikasi seluruh data pada disk
mirror-nya. Seperti halnya RAID 0, pada tingkat 1 juga menggunakan teknologi
stripping,perbedaannya adalah dalam tingkat 1 setiap strip logik dipetakkan ke dua disk yang
secara logika terpisah sehingga setiap disk pada array akan memiliki mirror disk yang berisi
data sama. Hal ini menjadikan RAID 1 mahal. Keuntungan RAID 1:
Permintaan pembacaan dapat dilayani oleh salah satu disk karena terdapat dua disk berisi
data sama, tergantung waktu akses yang tercepat.
Permintaan penyimpanan atau penulisan dilakukan pada 2 disk secara paralel.
Terdapat back-up data, yaitu dalam disk mirror-nya.
RAID 1 mempunyai peningkatan kinerja sekitar dua kali lipat dibandingkan RAID 0 pada
operasi baca, namun untuk operasi tulis tidak secara signifikan terjadi peningkatan. Cocok
digunakan untuk menangani data yang sering mengalami kegagalan dalam proses
pembacaan. RAID 1 masih bekerja berdasarkan sektor sektornya.

RAID tingkat 2
RAID 2 mengganakan teknik akses paralel untuk semua disk. Dalam proses
operasinya, seluruh disk berpartisipasi dan mengeksekusi setiap permintaan sehingga terdapat
mekanisme sinkronisasi perputaran disk dan headnya. Teknologi stripping juga digunakan
dalam tingkat ini, hanya stripnya berukuran kecil, sering kali dalam ukuran word atau byte.
Koreksi kesalahan menggunakan sistem bit paritas dengan kode Hamming. Cocok digunakan
untuk menangani sistem yang kerap mengalami kesalahan disk.
RAID tingkat 3
Diorganisasikan mirip dengan RAID 2, perbedaannya pada RAID 3 hanya
membutuhkan disk redudant tunggal, tidak tergantung jumlah array disknya. Bit paritas
dikomputasikan untuk setiap data word dan ditulis pada disk paritas khusus. Saat terjadi
kegagalan drive, data disusun kembali dari sisa data yang masih baik dan dari informasi
paritasnya. RAID 3 menggunakan akses paralel dengan data didistribusikan dalam bentuk
strip-strip kecil. Kinerjanya menghasilkan transfer berkecepatan tinggi, namun hanya dapat
mengeksekusi sebuah permintaan I/O saja sehingga kalau digunakan pada lingkungan
transaksi data tinggi terjadi penurunan kinerja.
RAID tingkat 4
RAID 4 menggunakan teknik akses yang independen untuk setiap disknya sehingga
permintaan baca atau tulis dilayani secara paralel. RAID ini cocok untuk menangani system
dengan kelajuan tranfer data yang tinggi. Tidak memerlukan sinkronisasi disk karena setiap
disknya beroperasi secara independen. Stripping data dalam ukuran yang besar. Strip paritas
bit per bit dihitung ke seluruh strip yang berkaitan pada setiap disk data. Paritas disimpan
pada disk paritas khusus. Saat operasi penulisan, array management software tidak hanya
meng-update data tetapi juga paritas yang terkait. Keuntungannya dengan disk paritas yang
khusus menjadikan keamanan data lebih terjamin, namun dengan disk paritas yang terpisah
akan memperlambat kinerjanya.
RAID tingkat 5
Mempunyai kemiripan dengan RAID 4 dalam organisasinya, perbedaannya adalah
strip strip paritas didistribusikan pada seluruh disk. Untuk keamanan, strip paritas suatu
disk disimpan pada disk lainnya. RAID 4 merupakan perbaikan dari RAID 4 dalam hal
peningkatan kinerjanya. Disk ini biasanya digunakan dalam server jaringan.
RAID tingkat 6

Merupakan teknologi RAID terbaru. Menggunakan metode penghitungan dua paritas

untuk alasan keakuratan dan antisipasi terhadap koreksi kesalahan. Seperti halnya RAID 5,
paritas tersimpan pada disk lainnya. Memiliki kecepatan transfer yang tinggi.
3.Optical Disk
Mulai tahun 1983 sistem penyimpanan data di optical disc mulai diperkenalkan dengan
diluncurkannya Digital Audio Compact Disc. Setelah itu mulai berkembanglah teknologi
penyimpanan pada optical disc ini.
Baik CD-Audio maupun CD-ROM memakai teknologi yang sama, yaitu sama-sama
terbuat dari resin (polycarbonate), dan dilapisi oleh permukaan yang sangatreflektif seperti
Aluminium . Informasi direkam secara digital sebagai lubang-lubang mikroskopik pada
permukaan yang reflektif. Proses ini dilakukan dengan menggunakan laser yang berintensitas
tinggi. Permukaan yang berlubang mikroskopik ini kemudian dilapisi oleh lapisan bening.
Informasi dibaca dengan menggunakan laser berintensitas rendah yang menyinari lapisan
bening tersebut sementara motor memutar disk. Intensitas laser tersebut berubah setelah
mengenai lubang-lubang tersebut kemudian terefleksikan dan dideteksi oleh fotosensor yang
kemudian dikonversikan menjadi data digital.
Kemajuan terbaru dari optical disc ini adalah disk yang dapat ditulis ulang. Pada sistem
ini, energi laser digunakan secara besama-sama dengan prinsip medan magnet untuk menulis
dan membaca informasi. Pada proses tulis, laser memanasi titik pada disk yang hendak
diproses, kemudian setelah itu medan magnet dapat mengubah arah medan titik tersebut
sementara temperaturnya ditingkatkan. Karena proses tersebut tidak mengubah disk secara
fisik maka proses penulisan dapat dilakukan berulang-ulang. Pada proses baca, araha medan
magnet yang telah dipolarisasi tersebut akan membelokkan sinar laser dengan arah tertentu,
sehingga terefleksikan dan dideteksi oleh fotosensor yang kemudian dikonversikan menjadi
digital.
Satuan X pada CDROM drive (pada umumnya) sebenarnya mengacu pada kecepatan
baca dari CD tersebut di track terluar (jika track terluar terpakai alias CD-nya penuh).
Sedangkan kecepatan baca di track terdalamnya jauh lebih lambat. Misalkan ada CD-ROM
drive 48X max, itu berarti kecepatan baca track terluarnya 40x namun untuk track terdalam
hanya 19X. Yang utama sebenarnya bukan hanya kecepatan putar yang ditingkatkan, namun
sistem pembacaan, route data, mode transfer, interface, dll, seperti yang dilakukan Kenwood
52X dengan teknologi TrueX-nya di mana dengan kecepatan putar hanya < dari cd biasa

(misal 48x), bias memberikan kecepatan transfer merata (dalam-luar) antara 45-52X di
seluruh permukaan CD.

DAFTAR PUSTAKA

http://www.academia.edu/5224525/Pengertian_Jenis_-

jenis_dan_Fungsi_ROM_Read_Only_Memory_
https://idejoeaja.wordpress.com/2011/12/09/pengertian-ram-dan-rom/
http://www.academia.edu/8485013/Sistem_perancangan_memori_I_BAB_VIII_0