TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR :

Mengenal Sekilas Pengolahan Material Silikon

Perindustrian teknologi semikonduktor merupakan industri yang pertumbuhannya dinamis.
Berkat produk-produk industri tersebut telahditemukan banyak penerapan dalam berbagai
bidang industri dan telah memberi jalan terbukanya industri-industri baru. Ledakan
perkembangannya nampak dengan adanya penggunaan semikonduktor. Aspek yang sangat
berarti bagiindustri semikonduktor yaitu sejak transistor ditemukan pada tahun 1948.
Untuk mengantisipasi perkembangan ke arah masa depan beberapa
perusahaansemikonduktor di dunia membuat karakteristik perkembangan yang
sudah berjalan selama selang tahun 1980-1987. Setelah diambil solusi
karakteristiknyaternyata pada selang waktu tersebut tampak perkembangan penggunaan
piranti- piranti yang terbuat dari bahan semikonduktor bisa mencapai 150 kali. Dalamhal ini
perkembangan itu akan berlanjut lagi sebagai tantangan imajinatif danujian panjang bagi
semua personel teknisi atau insinyur elektro.
Teknologi Planar
Teknologi Planar merupakan satu-satunya teknologi yang menjadi dasar utamadalam
permulaan pengolahan bahan-bahan semikonduktor. Dengan adanyateknologi planar telah
memungkinkan terciptanya transistor stabil danmendorong pesatnya ndustri semikonduktor
pada akhir tahun 1950-an. Padaawal tahun 1960-an teknologi itu dikembangkan lagi
menjadi sebuah piranti baru yang berupa sirkuit terintegrasi yang merupakan kombinasi dari
transistor,resistor dan kapasitor.
Pada teknologi planar yang selalu menjadi perhatian serius saat ini adalah
dalam pengolahan bahan baku silikon semikonduktor menjadi bentuk wafer,
yangmerupakan bahan yang siap dikonversi menjadi bentuk-bentuk piranti seperti
IC.Adapun proses yang termasuk menjadi langkah pembuatan wafer silikon yaitu proses
produksi silikon polikristalin, pengembangan kristal, serta pemotongandan pembentukan
wafer.
Produksi Silikon Polikrista
Bahan permulaan untuk produksi silikon umumnya ada 2 macam bahan yang berasal dari
bumi, yaitu pasir (silikon dioksida) dan zat karbon yang telahdibersikan (dari arang, batu
bara, serpih-serpihan kayu, dan lain-lain). Jikadkedua bahan tersebut bereaksi bersama pada
temperatur tinggi dalam tungkuelektronik maka silikon dioksida akan terpisah dari
oksidanya menjadi silikonsaja. Dalam reaksi ini elemen silikon merupakan asap yang terjadi
dalam reaksi pada temperatur tersebut. Kemudian dikondensasi sehingga kirakiramemberikan hasil 98% bahan silikon bersih yang dikenal dengan istilah SilikonTingkat
Metalurgi (metalurgical grade silicon).
SiO2 + 2-------> Si + 2CO
Dengan hanya berupa sebagian kecil fraksi dari metallurgical grade silicon yangtelah
dibersihkan maka bahan ini dapat digunakan dalam berbagai macamterapan dalam
perakitan piranti-piranti untuk industri semikonduktor.
Proses pembersihan Metallurgical grade silicon diselesaikan dengan pengubahanmaterial ini
ke dalam Trichlorosilane (SiHCl3), yaitu dengan cara fraksinasisederhana (atau bisa juga
dengan distilasi) sehingga bahan silikon menjadi bahan semikonduktor yang standar.
Trichlorosilane kemudian dikurangi dengan H2 supaya sekali lagi memberikan hasil suatu
polycrystalline silicon. Reaksiuntuk membentuk SiHCl 3 adalah sebagai berikut:
Si + 3HCI --------> SiH3+ H2

1250oC
[hasil reaksi lain +SiCiH4]
Fraksinasi terpisah SiHCl3 merupakan hasil utama dari reaksi SiCl3 (silicontetracloride),
doping pengotor klorida (seperti fosfor, boron dan galium) danklorida logam (seperti besi
dan tembaga).
Silikon tingkat semikonduktor (yaitu silikon yang kurang lebih terdiri dari 1 bagian per satu
milyar impurotas/pengotor) sekarang bisa diproduksi dengan pengurangan temperatur
tinggi dari SiHCl3 yang telah bersih. Reaksi kimia initerjadi dalam suatu kamar yang disebut
"decomposer". Reaksi pengurangan yang merupakan reaksi balik dari reaksi di atas adalah
sebagai berikut :
SiHCl3 + H2 --------> Si + 3HCl
100oC
Pengembangan Kristal
Ada tiga teknik yang secara komersial digunakan untuk pengembangan kristalsilikon, yaitu:
teknik Czochralski
teknik Float Zone
teknik Bridgman.
PROSES DAN LANGKAH-LANGKAH SECARA GARIS BESAR MEMBUAT SILIKON KRISTAL
Difusi
: pelapisan bahan seperti oksida yang tumbuh ataumenyimpan ke
kristal silikon(wafer silicon).
Coat/ pembakaran
: perelawanan, lapis protektif dan peka terhadap cahaya,menerapkan
dan mengobati pada tempatnya.
align(penyejajaran) : reticule diposisikan melalui kristal silikon. cahayaultraviolet bersinar
melalui porsi cerah reticulemembongkar ke pola melawan peka cahaya.Develop: melawan
membangun dan tidak dikehendaki melawandibasuh jauh.
Dry Etch: kering mengukir memindahkan oksida tidak tercakupdengan melawan.Wet Etch
and Clean: remaining melawan disingkirkan di basah mengukir menyatakan mencontoh
oksida lapis. kemudian biskuitwafer dibersihkan. proses diulang sampai 18 kali
untuk membuat macam lapisan yang penting bagi setiap bagianuntaian.
Spesifikasi Suhu Silicon
Suhu Gaya Penghantar(padat) 1.412 W/cm-K Suhu Gaya Penghantar(cair) 4.3 W/cm-K Panas
Jenis 0.70 J/g-K Keterbauran Termis. 9 cm**2/sTitik-Lebur 1683 k Titik-Didih 2628
k temperatur kritis 5159 k kepadatan (padat) 2.33 g/cm**3kepadatan (cair) 2.53
g/cm**3tekanan asap1050c 1e-7 torr 1250c 1e-5 torr kapasitas panas dalam molar 20.00
j/mol-k PENUMBUHAN ATAU PEMBUATAN KRISTAL SILIKON proses besar pembentukan kristal silikon
yangsempurna. kristal tumbuh dari biji kristal menjadikristal sempurna. silikon yang
disediakan di bentuk bubuk berisi butir kecil, kemudian dilarutkan ditempat pencarian
logam. biji dibenamkan denganhati-hati ke tempat pencarian logam setelah itu larutkan
silikonke dalamnya, kemudian tarik mundur secara perlahan.

Langkah pertama:memperoleh pasir pasir yang digunakan untuk membuat kristal silikon
harus sangat bersih. untuk alasanini tidak hanya beberapa pasir pantai yang digunakan
untuk pembuatan kristalsilikon. Bahkan kebanyakan menggunakan pasir untuk pembuatan
kristal silikonharus mengapalkan dari pantai pantai di australia.Langkah
kedua:mempersiapkan dan melarutkan larutan silikon pasir (SiO2) mengambil dan
memasuki tempat pencarian logam dan pemanasan kira-kira sampai 1600
O

C (sedikit di atas nya titik-lebur). melarutkan pasir akan menjadisumber silikon yang akan
menjadi kristal.Langkah ketiga:membuat batang logam(kristalsilikon)kristal biji silikon murni
sekarang ditempatkanuntuk melarutkan pasir. kristal ini akan jadi dantertarik keluar secara
perlahan karena adanya perputaran dalam proses pembuatannya.teknik dominan dikenal
sebagai czochralski (czmetode. hasil silender silikon murni yangdisebut batang logam.
sebagai deskripsi atauyang lain di czochralski metode tersedialangkah ini berbuat
menyediakan permukaan bersih baik untuk nanti memproses. jikalapis silikon tumbuh ke
puncak kristal silikon menggunakan metode kimia kemudianlapis itu dari banyak lebih baik
kualitas kemudian agak rusak atau lapis kotor silikondi kristal silikon. epitaxial lapis dimana
sebenarnya memproses akan [jadi] berbuat.diameter batang logam silikon bertekad dengan
variabel suhu sebaik tingkat di mana batang logam menarik mundur. bila batang logam
benar panjang, ini disingkirkan,kemudian tanah ke seragam permukaan eksternal
dandiameter. setiap kristal silikon diberikan salah satuderajat atau datar tepi yang akan
digunakan kemudian(dalam) mengorientasikan kristal silikon ke posisi eksak untuk nanti
prosedur. di dua ini sosok kamu dapat lihatderajat (di atas) dan sepatu tumit rata. sepatu
tumit rata digambar ini dilebihkan untuk kejernihan. Maka jadilahkristal silikon.
Pengembangan Kristal
Ada tiga teknik yang secara komersial digunakan untuk pengembangan kristalsilikon, yaitu
teknik
Czochralski
, teknik
Float Zone
dan teknik
Bridgman
.Kebanyakan teknik solidifikasi kristal tunggal diturunkan dari metodeBridgman dn
czochralski. Pada metode Bridgman, sampel logam murni ditempatkandalam cetakan
vertical terbuat dari grafit licin, tirus hingga membentuk titik ujung.Cetakan perlahan-lahan
diturunkan ke dalam dapur tabung dengan zona lelehansempit, kristal mulai tumbuh dari
titik ujung cetakan. Pada metode czochralski, yang
sering disebut penarikan kristal, kristal benih ditarik perlahan-lahan dari permukaan logam
cair, sehingga lelehan bersolidifikasi dengan orientasi yang samadengan benih. Rotasi kristal
selama penarikan menghasilkan kristal yang bulat.Teknik ini dimanfaatkan untuk
pembuatan in vacuo kristal Sid an Ge.Kristal dapat juga dibuat dengan teknik zona
ambang (floating zone). Batang polikristal murni dijepit pada ujung atas dan bawah dengan
jepitan yang didinginkanoleh air dan diputar daam gas mulia atau vakum. Daerah lelehan
kecil, yangdihasilkan oleh kumparan frekuensi radio yang didinginkan dengan air atau
yangdihasilkan oleh penembakan electron yang berasal dari filament sirkular,
dilewatkansepanjang sampel. Kemurnian yang tinggi dpat dihasilkan karena specimen
tidak berhubungan dengan sumber kontaminasi dan juga karena ada aksi pemurnian zona.

http://www.scribd.com/doc/179334417/pembuatan-kristal-silikon-pdf#scribd