ELEKTRONIKA I

Dra.Uminingsih, M.Kom

HALAMAN: 1 DARI 14
 Tujuan Instruksional
1. Menerangkan Buku acuan yang digunakan
2. Menerangkan garis besar seluruh materi yang akan di ajarkan dalam matakuliah nanti.
3. Menerangkan cara penilaian beserta persentase bobot nilai dari: UAS,UTS,Tugas dan
presensi kehadiran.

HALAMAN: 2 DARI 14
 BUKU ACUAN
• 1. MALVINO, ELEKTRONIC PRINCIPLE,
• 2. J.MILMAN, MICROELEKTRONICS DIGITAL AND ANALOG CIRCUITS AND
SYSTEMS
• 3. SAMUEL.C.LEE, DIGITAL CIRCUIT AND LOGIC DESAIGN, PRENTICE
HALL,INC,EAGLEWOOD LIFFS,USA.
• 4.J.MILMAN & C.HALKIAS, INTEGRATED ELECTRONICS, MC GRAW HILL,INC
• 5. WILLIAM H.HAYT, ELEKTRONIC CIRCUIT ANALYSIS AND
• DESIGN, MCGRAW HILL, 2000
• 6.J.MILMAN, ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING,
• MCGRAW HILL, 2001

HALAMAN: 3 DARI 14
 -Robby.C.Staff gunadarma.ac,id
-https://hyhoketsu.file.wordpress.com
-muhamadardani.stff.telkomuniversity.ac.id
-danny kurnianto.dosen.st3telkom.ac.id
-https://www.slishare.net/widakamahyantinasma4jkt.sch.id
-https://wbsusanto files.wordpress.com
-wahyuhr.staff.gunadarma.ac.id
-dimus.ac.id/repository/doc
-dimasfirnanda.lecture.wb.ac.id
-https.//chemid999.files.wodpress.com

HALAMAN: 4 DARI 14
MATERI
• PENGELOMPOKAN BAHAN-BAHAN ELEKTRIK DARI SIFAT-
SIFAT LISTRIKNYA. PENGERTIAN RESISTIVITAS DAN NILAI
RESISTIVITAS BAHAN LISTRIK : KONDUKTOR, ISOLATOR DAN
SEMIKONDUKTOR.
• KOMPONEN-KOMPONEN ELEKTRONIKA: KOMPONEN PASIF (
RESISTOR, KAPASITOR DAN INDUKTOR ) DAN KOMPONEN
AKTIF ( DIODA, TRANSISTOR BIPOLAR DAN TRANSISTOR
UNIPOLER )
• PEMBAWA ARUS LISTRIK PADA RESISTOR, ELEKTRON BEBAS.
• PEMBAWA ARUS LISTRIK PADA PEMBAWA ARUS LISTRIK PADA
DAN SEMIKONDUKTOR: ELEKTRON BEBAS DAN HOLE.
HALAMAN: 5 DARI 14
RANGKAIAN LISTRIK
• HUKUM OHM
• HUKUM KIRCHOFF ARUS
• HUKUM KIRCHOFF TEGANGAN
• JEMBATAN WHETSTONE
• RANGKAIAN DELTA DAN RANGKAIAN Y

HALAMAN: 6 DARI 14
• VOLTAGE DEVIDER
• PRINSIP SUPERPOSISI
• RANGKAIAN NORTON
• RANGKAIAN THEVENIN
• HUKUM MILLER

HALAMAN: 7 DARI 14
DIODA SEMIKONDUKTOR
• KONSEP DAN KARAKTERISTIK DIODA SI DAN GE
• SIMBOL ELEKTRIK, KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN DIODA.
• PENGERTIAN& PENGARUH BIAS MAJU DAN BIAS
MUNDUR,TAHANAN MAJU DAN TAHANAN MUNDUR
• - TEGANGAN BREAKDOWN: AVALANCHE DAN ZENER
• - RANGKAIAN PENGGANTI UNTUK KEDUA JENIS PEMBERIAN
BIAS

HALAMAN: 8 DARI 14
APLIKASI DIODA SEMIKONDUKTOR

• DIODA PENYEARAH HALF WAFE DAN FULL WAVE

• DIODA PEMOTONG ( CLIPPER)
• CLAMPER
• TEORI & APLIKASI DIODA ZENER

HALAMAN: 9 DARI 14
TRANSISTOR BIPOLAR ( BJT )

• TRANSISTOR :BENTUK FISIK TRANSISTOR NPN DAN PNP,-

INJEKSI MAYORITAS DARI EMITER, LEBAR DAERAH BASE,
REKOMENDASI HOLE-ELEKTRON, EFISIENSIE EMITTER.
• PERSAMAAN ARUS TEGANGAN PADA TRANSISTOR DENGAN
KURVA ARUS TEGANGAN
• KARAKTERISTIK TRANSISTOR DENGAN KURVA ARUS TEGANGAN
• FAKTOR PENGUATAN ARUS DAN TEGANGAN

HALAMAN: 10 DARI 14
RANGKAIAN TRANSISTOR
• RANGKAIAN CE (COMMON EMMITER )
• RANGKAIAN CB (COMMON BASE )
• RANGKANAN CC ( COMMON COLECTOR)
• CUT OFF DAN SATURASI
• ANALISIS GARIS BEBEAN DAN DAERAH KERJA

HALAMAN: 11 DARI 14
FET ( Field Effect Transistor)
• FET:- BENTUK FISIK MOSFET
- KARAKTERISTIK
- HUBUNGAN ARUS TEGANGAN PADA MOSFET
- ANALISA DC, DAERAH OPERASI MOSFET: CUTOFF, -TRIODA DAN SATURASI
- RANGKAIAN EQUIVALEN MOSFET UNTUK SINYALSINYAL KECIL DENGAN
MODEL HIBRID

HALAMAN: 12 DARI 14
 Rangkaian dgn Sumber Tegangan AC

• KARAKTERISTIK ELEMEN RCL

• RANGKAIAN RCL BERSIFAT TUNGGAL
• MENGHITUNG: DAYA dan IMPEDANSI, Beda Phase

HALAMAN: 13 DARI 14
 ELEKTRONIKA DIGITAL
• RANGKAIAN ANALOG UNTUK GERBANG LOGIKA DASAR :
GERBANG OR, AND, XOR, NAND,NOR
• GERBANG LOGIKA TERINTEGRASI:
DIODA LOGIKA(DL), DIOTOR LOGIKA TRANSISTOR (DTL ),
RTL, CMOS(COMPLEMENTARI METAL OXID SEMI KONDUK
TOR)

HALAMAN: 14 DARI 14
Komponen Elektronika

Halaman: 1 dari 15
TUJUAN INSTRUKSIONAL
• Mengenalkan macam-macam komponen elektronika
• Mengenalkan garis besar fungsi masing-masing komponen.

Halaman: 2 dari 15
 Pengelompokan Komponen-komponen Elektronika

* Komponen Elektronika Aktif (Active Electronic Components) :

jenis komponen elektronika yang memerlukan arus eksternal untuk dapat
beroperasi. Dengan kata lain, komponen elektronika aktif hanya dapat
berfungsi apabila mendapatkan sumber arus listrik dari luar (eksternal).
• Terdiri dari: Dioda, Transistor dan IC (Intragrated Circuit) yang terbuat
dari bahan semikonduktor seperti silikon, germanium, selenium dan
metal oxides.

Halaman: 3 dari 15
• Contoh Karakteristik Aktif yang dimaksud pada Komponen Elektronika Aktif
• Dioda merupakan komponen elektronika aktif sehingga memerlukan sumber arus
listrik dari luar (eksternal) untuk mengoperasikannya. Sebuah Dioda yang
dipasangkan pada suatu rangkaian elektronika yang telah diberikan arus listrik tidak
akan bekerja (beroperasi) untuk menghantarkan arus listrik apabila tegangan yang
diterimanya belum mencapai titik tegangan tertentu. Khusus untuk dioda yang
terbuat dari bahan silikon memerlukan tegangan 0,7V sedangkan untuk dioda yang
terbuat dari bahan germanium memerlukan 0,3V untuk dapat bekerja sesuai dengan
fungsinya.
•

Halaman: 4 dari 15
• 2. Komponen Elektronika Pasif (Pasive Electronic Components) yaitu:
• Komponen Elektronika Pasif adalah jenis Komponen elektronika yang tidak
memerlukan sumber arus listrik eksternal untuk pengoperasiannya. Komponen-
komponen elektronika yang digolongkan sebagai komponen pasif diantaranya
seperti Resistor, Kapasitor dan Induktor.

• Contoh Karakteristik Pasif yang dimaksud pada Komponen Elektronika

Pasif
Contoh pada komponen Resistor. Tidak seperti Dioda, Resistor tidak
memerlukan tegangan 0,3V atau 0,7V untuk bekerja. Begitu Resistor
diberikan tegangan, resistor mulai bekerja secara otomatis tanpa harus
menunggu hingga mencapai tegangan tertentu.

Halaman: 5 dari 15
Fungsi dan Jenis-jenis Komponen Elektronika dasar

Resistor /hambatan
*Fungsi untuk menghambat
dan mengatur arus listrik
dalam suatu rangkaian
Elektronika.

*Satuan Nilai Resistor atau

Hambatan adalah Ohm (Ω).

*Nilai Resistor biasanya

diwakili dengan Kode angka
ataupun Gelang Warna yang
terdapat di badan Resistor.
*Hambatan Resistor sering
disebut juga dengan Resistansi
atau Resistance.

Halaman: 6 dari 15
 Kapasitor /Kondensator
* Fungsi: menyimpan energi atau muatan
listrik dalam sementara waktu.

*Kegunaan: dapat memilih gelombang

radio pada rangkaian Tuner, sebagai
perata arus pada rectifier dan juga sebagai
Filter di dalam Rangkaian Power Supply
(Catu Daya).

* Satuan nilai :adalah Farad (F)

Halaman: 7 dari 15
Keterangan
Jenis-jenis Kapasitor diantaranya adalah :
• Kapasitor yang nilainya Tetap dan tidak ber-polaritas. Jika didasarkan pada
bahan pembuatannya maka Kapasitor yang nilainya tetap terdiri dari
Kapasitor Kertas, Kapasitor Mika, Kapasitor Polyster dan Kapasitor
Keramik.
• Kapasitor yang nilainya Tetap tetapi memiliki Polaritas Positif dan Negatif,
Kapasitor tersebut adalah Kapasitor Elektrolit atau Electrolyte Condensator
(ELCO) dan Kapasitor Tantalum
• Kapasitor yang nilainya dapat diatur, Kapasitor jenis ini sering disebut
dengan Variable Capasitor.

Halaman: 8 dari 15
 Induktor/ Coil (Kumparan)
• berfungsi sebagai Pengatur
Frekuensi, Filter dan juga sebagai
alat kopel (Penyambung).
• Induktor atau Coil banyak
ditemukan pada Peralatan atau
Rangkaian Elektronika yang
berkaitan dengan Frekuensi seperti
Tuner untuk pesawat Radio
• Satuan Induktansi untuk Induktor
adalah Henry (H).

Halaman: 9 dari 15
 Diode
*Fungsi untuk menghantarkan arus listrik ke satu arah
dan menghambat arus listrik dari arah sebaliknya.

*Diode terdiri dari 2 Elektroda yaitu Anoda dan

Katoda.

Halaman: 10 dari 15
KETERANGAN

Berdasarkan Fungsi Dioda terdiri dari :

• Dioda Biasa atau Dioda Penyearah yang umumnya terbuat dari Silikon dan
berfungsi sebagai penyearah arus bolak balik (AC) ke arus searah (DC).
• Dioda Zener (Zener Diode) yang berfungsi sebagai pengamanan rangkaian
setelah tegangan yang ditentukan oleh Dioda Zener yang bersangkutan.
Tegangan tersebut sering disebut dengan Tegangan Zener.
• LED (Light Emitting Diode) atau Diode Emisi Cahaya yaitu Dioda yang dapat
memancarkan cahaya monokromatik.
• Dioda Foto (Photo Diode) yaitu Dioda yang peka dengan cahaya sehingga
sering digunakan sebagai Sensor.
• Dioda Schottky (SCR atau Silicon Control Rectifier) adalah Dioda yang
berfungsi sebagai pengendali .
• Dioda Laser (Laser Diode) yaitu Dioda yang dapat memancar cahaya Laser.
Dioda Laser sering disingkat dengan LD.
Halaman: 11 dari 15
 Transistor
*Fungsi: sebagai Penguat arus, sebagai Switch
(Pemutus dan penghubung), Stabilitasi Tegangan,
Modulasi Sinyal, Penyearah dan lain sebagainya.

* Transistor terdiri dari 3 Terminal (kaki) yaitu

Base/Basis (B), Emitor (E) dan Collector/Kolektor (K).

* Berdasarkan strukturnya, Transistor terdiri dari 2 Tipe

Struktur yaitu PNP dan NPN. UJT (Uni Junction
Transistor), FET (Field Effect Transistor) dan MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor FET) juga merupakan
keluarga dari Transistor.

Halaman: 12 dari 15
 IC (Integrated Circuit) adalah Komponen
Elektronika Aktif yang terdiri dari gabungan ratusan
bahkan jutaan Transistor, Resistor dan komponen lainnya
yang diintegrasi menjadi sebuah Rangkaian Elektronika
dalam sebuah kemasan kecil.
• Bentuk IC (Integrated Circuit) juga bermacam-macam,
mulai dari yang berkaki 3 (tiga) hingga ratusan kaki
(terminal)
• . Fungsi IC juga beraneka ragam, mulai dari penguat,
Switching, pengontrol hingga media penyimpanan.

• Karakteristik:. IC merupakan komponen Semi

konduktor yang sangat sensitif terhadap ESD (Electro
Static Discharge).

• Sebagai Contoh, IC yang berfungsi sebagai Otak pada

sebuah Komputer yang disebut sebagai Microprocessor
terdiri dari 16 juta Transistor dan jumlah tersebut
belum lagi termasuk komponen-komponen Elektronika
lainnya.

Halaman: 13 dari 15
*IC (Integrated Circuit) adalah Komponen Elektronika Aktif yang terdiri dari gabungan ratusan bahkan jutaan
Transistor, Resistor dan komponen lainnya yang diintegrasi menjadi sebuah Rangkaian Elektronika dalam
sebuah kemasan kecil.
*Bentuk IC (Integrated Circuit) juga bermacam-macam, mulai dari yang berkaki 3 (tiga) hingga ratusan kaki
(terminal). Fungsi IC juga beraneka ragam, mulai dari penguat, Switching, pengontrol hingga media
penyimpanan.
*Sebagai Contoh, IC yang berfungsi sebagai Otak pada sebuah Komputer yang disebut sebagai Microprocessor
terdiri dari 16 juta Transistor dan jumlah tersebut belum lagi termasuk komponen-komponen Elektronika
lainnya.

Halaman: 14 dari 15
Saklar adalah Komponen yang digunakan untuk menghubungkan dan memutuskan aliran listrik.
Dalam Rangkaian Elektronika, Saklar sering digunakan sebagai ON/OFF dalam peralatan Elektronika.

Halaman: 15 dari 15
BAHAN SEMIKONDUKTOR

Halaman : 1 dari 35
 Pokok bahasan
• Mengerti sifat dasar sebuah bahan
• Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor
• Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai
bahan pembentuk dasar komponen dioda

Halaman : 2 dari 35
 Pengertian dasar

• Aplikasi elektronika  komputer, televisi, handphone,

lemari es, dan lain-lain

• Elektronika adalah ilmu yang mempelajari aliran

elektron dalam ruang hampa, gas, dan bahan
semikonduktor berikut pemanfaatannya
• Aliran elektron  arus listrik (pergerakan muatan
dalam satuan waktu)
• Muatan  elektron yang bergerak bebas
• Pergerakan elektron pada bahan semikonduktor
Halaman : 3 dari 35
SEMIKONDUKTOR

Bahan

Konduktor Semikonduktor Isolator

Halaman : 4 dari 35
• Konduktor  bahan padat yang dapat
menghantarkan listrik dengan baik atau bahan
yang mengandung banyak elektron bebas
• Isolator  bahan padat yang tidak dapat
menghantarkan listrik dengan baik atau bahan
yang hampir tidak mengandung elektron
bebas

Halaman : 5 dari 35
 Semikonduktor
Definisi I :
• Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ)
antara konduktor dan isolator dengan nilai
6
hambat jenis diantara 10  10 4
m

Halaman : 6 dari 35
 Konduktifitas
• Konduktifitas bahan : Kemampuan bahan untuk menghantarkan listrik

• Konduktifitas bahan berbanding terbalik dengan resistifitas bahan ().

R Resistansi (R):

l A
R R
A l

1 cm Resistifitas ():
A = 1 cm2 A  x cm 2
R   .cm
l cm
l = 1 cm

Halaman : 7 dari 35
Halaman : 8 dari 35
 Model Atom
Elektron-elektron
BOHR Orbit
Elektron
Proton Nukleus
Neutron
Eletron terluar
(Elektron Valensi)
+

Nukleus

Halaman : 9 dari 35
Halaman : dari 35
• Banyaknya lintasan orbit tergantung material & jumlah
elektron
• Jumlah elektron dalam tiap lintasan (dari terdalam ke luar) =
2, 8, …., 2n2, dimana n: orbit ke-n.
Contoh:
Germanium = 32 elektron  2, 8, 18, 4
Silikon = 14 elektron  2, 8, 4

Halaman : 11 dari 35
• Setiap lintasan pada atom mempunyai
tingkatan energi tertentu yang disebut sebagai
level energi, antar lintasan akan muncul energi
gap (celah).
• Semakin jauh dari inti atom maka semakin
besar level energinya.
• Energi yang dimiliki oleh sebuah elektron
sesuai dengan rumus : W  QxV

Halaman : 12 dari 35
 SEMIKONDUKTOR
Definisi II
• Bahan yang memiliki pita terlarang atau
energy gap (EG) yang relatif kecil kira-kira 1
eV ( 1eV  1,602.10 19 J).

Halaman : dari 35
• Pita terlarang adalah daerah kosong antara
pita valensi dan pita konduksi.
• Pita valensi adalah pita energi teratas yang
terisi penuh oleh elektron
• Pita konduksi adalah pita energi diatas pita
valensi yang terisi sebagian atau tidak terisi
oleh elektron

Halaman : 14 dari 35
Pita Energi Konduktor

Pita
konduksi

Konduktor
Pita
valensi

Halaman : 15 dari 35
PITA ENERGI SEMIKONDUKTOR

Pita
konduksi

elektron

EG  1eV Semikonduktor

hole

Pita
valensi

Halaman : 16 dari 35
PITA ENERGI ISOLATOR

Pita
konduksi

EG  6eV Isolator

Pita
valensi

Halaman : 17 dari 35
 Struktur Atom Semikonduktor
• Semikonduktor intrinsik adalah semikonduktor murni yang
tidak diberi doping atau campuran atom lainnya.
• Germanium (Ge) dan Silicon (Si) mempunyai 4 elektron valensi.
• Lintasan valensi memerlukan 8 elektron agar atom menjadi stabil.
• Ikatan antar atom diperkuat dengan membagi (sharing) elektron-
elektron terluar  Ikatan Kovalen (covalent bonds)

Halaman : 18 dari 35
PITA ENERGI ISOLATOR

Pita
konduksi

EG  6eV Isolator

Pita
valensi

Halaman : 19 dari 35
PITA ENERGI SEMIKONDUKTOR

Pita
konduksi

elektron

EG  1eV Semikonduktor

hole

Pita
valensi

Halaman : 20 dari 35
• Germanium (Ge) dan Silicon (Si) mempunyai 4
elektron valensi.
• Lintasan valensi memerlukan 8 elektron agar atom
menjadi stabil.
• Ikatan antar atom diperkuat dengan membagi
(sharing) elektron-elektron terluar  Ikatan Kovalen
(covalent bonds)

Halaman : 21 dari 35
 +4 +4 +4

Ikatan kovalen Elektron valensi

+4 +4 +4

+4 +4 +4

Halaman : 22 dari 35
 Ada kemungkinan elektron valensi menyerap energi
(energi cahaya atau termal) dan memutuskan ikatan
kovalen, sehingga akan dihasilkan elektron bebas
(free electrons) dan menghasilkan kekosongan pada
orbit terluar yang disebut dengan hole.
 Elektron-elektron bebas pada material ini timbul
akibat sebab yang alamiah, maka disebut dengan
Intrinsic Carriers (Pembawa Intrinsik)

Halaman : 23 dari 35
Dapat dilukiskan:
• Semikonduktor ekstrinsik
adalah semikonduktor murni
yang diberi doping.
• Pemberian doping
dimaksudkan untuk
mendapatkan elektron
valensi bebas dalam jumlah
banyak atau untuk
meningkatkan konduktivitas
semikonduktor.

Halaman : dari 35
 Semikonduktor
Ekstrinsik

Tipe - N Tipe - P
Halaman : 25 dari 35
 Tipe - N
• Dilakukan doping atau pengotoran oleh atom
pentavalent yaitu bahan kristal dengan inti
atom memiliki 5 elektron valensi
• Contoh : Phosporus (P), Arsenic (As)
• Atom pengotornya disebut atom donor.
• Pembawa muatan disebut elektron.
Halaman : 26 dari 35
 Semikonduktor
Ekstrinsik

Tipe - N Tipe - P
Halaman : 27 dari 35
+4 +4 +4

Elektron
Atom donor bebas
As

+4 +5 +4

+4 +4 +4

Halaman : 28 dari 35
 • Jumlah elektron jauh
lebih banyak
Pita
konduksi daripada hole maka
elektron dinamakan
elektron
pembawa muatan
ED mayoritas
EG  1eV Tingkat energi donor
0,05eV • dan hole sebagai
hole
pembawa muatan
Pita minoritas
valensi

Halaman :29 dari 35

 Tipe - P
• Pengotoran oleh atom trivalent
+4 +4 +4
yaitu bahan kristal dengan inti
atom memiliki 3 elektron valensi. Hole
Atom akseptor
• Contoh : Boron (B), Galium (Ga) In

• Atom pengotornya disebut atom +4 +3 +4

akseptor.
• Pembawa muatan disebut hole.
+4 +4 +4

Halaman : 30 dari 35
 • Jumlah hole jauh
Pita
konduksi
lebih banyak
daripada elektron
elektron
maka hole
dinamakan
EG  1eV
EA pembawa muatan
hole Tingkat energi akseptor
0,05eV
mayoritas
Pita • dan elektron
valensi
sebagai pembawa
muatan minoritas.

Halaman : 31 dari 35
 Pembawa Muatan Mayoritas dan Minoritas
• Pada semikonduktor ekstrinsik tipe N dimana terjadi
pengotoran oleh atom dengan jumlah elektron valensi lebih
banyak
• Atom donor tersebut akan menyumbangkan sebuah
elektron valensi sehingga atom donor tersebut menjadi
atom positif (atom yang kekurangan elektron)
• Jumlah elektron lebih banyak sedangkan hole tidak berubah
secara signifikan
• Jumlah elektron yang lebih banyak ini dikatakan sebagai
pembawa muatan mayoritas sedangkan hole sebagai
pembawa muatan minoritas.
Halaman : 32 dari 35
Ekstrinsik tipe N

Elektron
(pembawa mayoritas)

-
+ - + + - +
Ion donor +
- + - -
+ + + + -
Hole
(pembawa minoritas)

Halaman : 33 dari 35
• Pada semikonduktor ekstrinsik tipe P dimana terjadi
pengotoran oleh atom dengan jumlah elektron valensi lebih
kecil
• Atom akseptor tersebut akan menerima sebuah elektron
valensi sehingga atom akseptor tersebut menjadi atom negatif
(atom yang kelebihan elektron).
• Jumlah hole lebih banyak sedangkan elektron tidak berubah
secara signifikan
• Jumlah hole yang lebih banyak ini dikatakan sebagai pembawa
muatan mayoritas sedangkan elektron sebagai pembawa
muatan minoritas.

Halaman : 34 dari 35
 Ekstrinsik tipe P

Hole
(pembawa mayoritas)

+
Ion - + - - + -
akseptor -
+ - + + + -
- - +
Elektron
(pembawa minoritas)
Halaman : 35 dari 35
RANGKAIAN LISTRIK(1)

HALAMAN: 1 DARI16 1
 Rangkaian Listrik
Rangkaian listrik adalah jalur yang dilalui oleh arus listrik
Rangkaian listrik dibagi 2, yaitu
1.Rangkaian terbuka (tidak ada arus listrik mengalir)
2.Rangkaian tertutup (ada arus listrik mengalir)

HALAMAN: 2 DARI16 2
Rangkaian Terbuka Rangkaian Tertutup

HALAMAN: 3 DARI16
3
Hukum Kirchoff:
“Jumlah kuat arus listrik yang masuk ke suatu titik cabang sama dengan
jumlah kuat arus listrik yang keluar dari titik cabang tersebut “

I masuk  I k eluar

HALAMAN: 4 DARI16 4
Soal:1

Jika I = 10 A, I1=I3=3 A, Berapakah besar kuat arus I2 ?

I masuk  I k eluar
I 2  10 A  (3 A  3 A)
I  I1  I 2  I 3 I 2  10 A  6 A
I 2  I  ( I1  I 3 ) I2  4A

HALAMAN: 5 DARI16
5
Soal:2

Jika I1 = I5 = 3A , I2 = 3A , I3 = 4A, maka besar I4 adalah ….

I masuk  I keluar I 4  (3 A  3 A  4 A)  3 A
I1  I 2  I 3  I 4  I 5 I 4  10 A  3 A
I 4  ( I1  I 2  I 3 )  I 5 I4  7 A

HALAMAN: 6 DARI16
6
 Rangkaian Hambatan Listrik

Ada dua macam rangkaian komponen listrik yaitu: SERI dan PARALEL

1 . RANGKAIAN SERI

HALAMAN: 7 DARI16 7
 3

1 2

Diganti rangk eqivalen Rs

HALAMAN: 8 DARI16 8
 V AB  V1  V2  V3
V AB  IR1  IR2  IR3
dengan,
V AB  IRtotal
IRtotal  IR1  IR2  IR3
Rtotal  R1  R2  R3

Rseri  R1  R2  R3  ......  Rn

HALAMAN: 9 DARI16 9
Soal:
Tiga buah hambatan, masing-masing sebesar 30 ohm, 40 ohm, dan 50 ohm
dirangkai seri dengan sumber tegangan 60 volt.
a. Berapa hambatan penggantinya?
b. Berapa kuat arus pada rangkaian tersebut?

Rs  R1  R2  R3
Rs  30  40  50
Rs  120

V 60V 1
I    A  0,5 A
Rs 120 2

HALAMAN: 10 DARI16
10
HALAMAN: 11 DARI16

11
Pada rangkaian paralel berlaku :

HALAMAN: 12 DARI16

12
Rangkaian Seri- Paralel

HALAMAN: 13 DARI16

13
Rangkaian Seri-Paralel tersebut bisa diganti menjadi :

HALAMAN: 14 DARI16

14
Soal :

Jika sumber tegangan pada rangkaian di atas 15 V, tentukan :

a. Hambatan penggantinya ?
b. Kuat arus listriknya ?

HALAMAN: 15 DARI16

15
Penyelesaian :

a.Hambatan pengganti
1 1 1
 
Rp R1 R2
1 1 1
 
Rp 15 10
1 2 3 5 30
    Rp   6
Rp 30 30 30 5

Rs  R p  R3
Rs  6  4  10
b.Besar arus
V 15V
I    1,5 A
Rs 10

HALAMAN: 16 DARI16

16
RANGKAIAN LISTRIK 2(5)

Halaman : 1 dari 7 1
 Rangkaian listrik untuk resistor & capasitor
Seri :
n
R ek  R
S 1
S

RAB = R1 + R2 + R3 + R4

Paralel :

n
1 1
R ek
 
S 1 R S

1 1 1 1
  
R AB R 1 R 2 R 3

Halaman : 2 dari 7 2
 KAPASITOR

Seri :
C1 C2 C3
1 1 1 1 A B
  
C ek C1 C 2 C 3

Parallel : Cek = C1 + C2 + C3 C1

A C2 B

C3

Halaman : 3 dari 7 3


• Hukum Tegangan Kirchoff

Jumlah beda potensial yang melintasi seluruh elemen dalam suatu Loop ( Lingkaran tertutup ) = 0

i  R  0
EI R1  I R2

Atau
E  IR 1  IR 2  0

CARA ANALISA RANGKAIAN BENTUK LOOP

1.Tentukan arah arus di dalam Loop sebarang, asal pada masing-masing Loop mempunyai arah alir yang
sama.
2.Bila bertemu sumber kutub tegangan positip maka tulis positip demikian sebaliknya.
3.Lakukan subsitusi.
Halaman : 4 dari 7 4
Contoh

Untuk Loop Pertama

I1R1  I 2 R1  E  0
Untuk Loop Kedua
R 2 I 2  E1  I 2 R 3  I 2 R 1  I 1 R 1  I 3 R 3  0
Untuk Loop Ketiga
I 3 R 4  I 3 R 5  E 2  I 3 R 3  E1  I 2 R 3  0 Selanjutnya lakukan subsitusi

Halaman : 5 dari 7 5
 RANGKAIAN Y dan DELTA (Δ )
.
Bila ada rangkaian yang tidak dapat dikerjakan dengan Analisa Seri dan Paralel dengan konfigurasi

Konfigurasi  Konfigurasi 

Konfigurasi dari  Konfigurasi dari


Rb Rc R1  R 2  R 2  R 3  R 3  R1
R1  Ra 
Ra  Rb  Rc R1
R  R  R 2  R 3  R 3  R1
Ra Rc  1 2
R2  Rb R2
Ra  Rb  Rc
R1  R 2  R 2  R 3  R 3  R1
R3 
Ra Rb Rc 
Ra  Rb  Rc R3
Halaman : 6 dari 7 6
Soal :

Halaman : 7 dari 7 7
Hukum/kaidah pada
rangkaian listrik

HALAMAN: 1 DARI 13

1
RANGKAIAN JEMBATAN WEASTONE

Prinsip :Jembatan dikatakan setimbang bila dalam rangkaian itu tidak ada arus
yang mengalir pada beban

Bila tidak ada arus yang

mengalir pada beban maka
R1 R3
+
A B
rangkaian menjadi
V Beban

R4
R2

Ground
R1 R3
+
A B
V IB
IA
R4
R2

Tegangan pada A adalah

HALAMAN: 2 DARI 13

2
Dengan jalan yang sama diperoleh

HALAMAN: DARI 13 3
 Prinsip Superpo sisi

“Akibat yang ditimbulkan oleh beberapa sebab sama dengan jumlah akibat
apabila si sebab bekerja sendiri-sendiri.”

20 Ω 50 Ω
Ditanya: besar arus I3
I1 I2

140 V 6Ω 90 V
I3 = I 1 + I 2
I3
Bila kita pakai superposisi

a) Bila penyebabnya V = 140 V b) Bila penyebabnya V = 90 V

20 Ω 50 Ω 20 Ω 50 Ω

140 V 6Ω I3 = I3’+ I3” 6Ω 90 V

I3’ I3”

HALAMAN: 4 DARI 13 4
 Dari contoh di atas hitunglah besar tegangan pada R = 6 Ω tersebut.

Jawab: Dengan prinsip superposisi maka rangkaian menjadi

20 Ω 50 Ω

a
140 V Ex 90 V
b

a) penyebab V = 140 V b) penyebab V = 90 V

20 Ω 50 Ω 20 Ω 50 Ω

140 V Ex’ Ex” 90 V

Jadi Ex = Ex’ + Ex” = 28 V + 72 V = 100 V

HALAMAN: 5 DARI 13

5
DALIL MILLER
Bila ada R yang dimiliki oleh bagian input dan output maka supaya bisa
digabung dengan R lain harus di pisahkan.

1 2
Z1 Z2

I1 I2
I1 I2
Z

HALAMAN: 6 DARI 13

6
HALAMAN: 7 DARI 13

7
 R1
Input
E1
E2 Output
R2

Voltage devider sering dijumpai pada bagian input alat-alat ukur

untuk mencegah terjadinya overdriving dari signal-signal yang kuat,
yang dapat merusak alat.

E2 < E1 maka dikatakan sebagai pelemahan tegangan input (ATTENUASI)

Perbandingan E2/E1 disebut decebel (db)

A db = 20 log A

HALAMAN: 8 DARI 13

8
 Contoh: R1 = 9 kΩ dan R2 = 1 kΩ maka attenuasi

Jadi Adb = 20 log 0.1 = 20 (-1) = -20db

Hasil perhitungan beberapa attenuasi yang umum

A Adb

1/100 -40
1/10 -20
1/8 -18
¼ -12
½ -6
1 0

HALAMAN: 9 DARI 13
9
THEOREMA THEVENIN
◦ “ Suatu rangkaian listrik dapat disederhanakan terdiri dari satu buah sumber
tegangan yang dihubungan dengan tahanan seri dan satu buah tahanan
ekuivalennya pada 2 terminal yang diamati.”

Hitunglah :berapa besar arus IR3

Jawab:

Lepaskan titik ab

HALAMAN: 10 DARI 13

10
 𝑅1 ∙ 𝑅2 6 Ω ∙ 4 Ω
𝑅𝑡ℎ = = = 2,4 Ω
𝑅1 + 𝑅2 6 Ω + 4 Ω
 Pasang kembali sumber – cari V melalui voltage devider

 Pasang kembali rangkaian aktif Thevenin

𝑉𝑡ℎ 4 𝑣𝑜𝑙𝑡
𝐼𝑅3 = = = 0,66 𝐴
𝑅𝑡ℎ + 𝑅3 2,4 + 3,6 Ω

HALAMAN: 11 DARI 13
11
THEOREMA NORTON:
“Suatu rangkaian listrik dapat disederhanakan dengan hanya terdiri dari satu buah
sumber arus yang dihubungkan secara parallel dengan sebuah tahanan
ekuivalennya pada dua terminal yang diamati”.
Contoh:
Hitunglah berapa besra IR3 ?
Jawab:

* Lepas beban dan sumber aktif

Rab= RN
𝑅1 𝑅2 6Ω ∙4Ω
𝑅𝑁 = = = 2,4 Ω
𝑅1 + 𝑅2 6Ω+4Ω

HALAMAN: 12 DARI 13 12
* Pasang kembali sumber dan short rangkaian
Ada IN jika IR2 = 0

* Gambarkan kembali R pengganti Norton

𝑅𝑁 2,4
𝐼𝑅3 = 𝐼= 𝐼
𝑅𝑁 + 𝑅3 𝑁 2,4 + 3,6 𝑁
= (2,4/6).1,66

HALAMAN: 13 DARI 13
DIODA SEMIKONDUKTOR

Halaman: 1 dari 39
DIOA SEMIKONDUKTOR
 Resistor merupakan sebuah piranti linear karena grafik arus
terhadap tegangan merupakan garis lurus. Berbeda dengan
dioda.

 Dioda merupakan piranti non-linear karena grafik arus

terhadap tegangan bukan berupa garis lurus. Alasannya
adalah karena adanya potensial penghalang (potensial
barrier).

 Saat tegangan dioda lebih kecil dari tegangan penghambat

tersebut, maka arus dioda akan kecil. Ketika tegangan dioda
melebihi potensial penghalang,arus dioda akan naik secara
cepat.

Halaman: 2 dari 39
Dioda adalah piranti semikonduktor dengan bahan tipe-n yang menyediakan
elektron-elektron bebas dan bahan tipe-p yang disatukan (P-N junction).
 Dioda merupakan suatu piranti dua elektroda dengan arah arus yang
tertentu, dapat juga dikatakan dioda bekerja sebagai penghantar bila
tegangan listrik diberikan dalam arah tertentu tetapi dioda akan bekerja
sebagai isolator bila tegangan yang diberikan dalam arah berlawanan dari
pergerakan elektron pembentuknya.

Halaman: 3 dari 39
 Kristal pun sebagai penyusun dioda akan bekerja jika arus
didalamnya hanya dapat mengalir dalam satu arah dan
tidak sebaliknya.
 Hubungan ini disebut dengan rangkaian prategangan maju
(forward bias). Pada dioda, kita mengenal potensial barrier
yaitu beda potensial pada persambungan.
 Beda potensial ini menjadi cukup besar untuk menghalangi
proses penyebaran difusi selanjutnya dari elektron-elektron
bebas.
 Pada suhu ruangan potensial barrier bekerja sekitar 0,7 Volt
untuk Silikon dan 0,3 Volt untuk Germanium.

Halaman: 4 dari 39
 Lapisan Pengosongan

Potensial barier pd lapisan pengosongan sebesar 0,7 V untuk silikon dan

0,3 V untuk germanium
Halaman: 5 dari 39
 BIAS Maju dan Mundur pada Dioda

a. Dioda Bias Maju

Halaman: 6 dari 39
Proses aliran elektron saat dibias maju

Halaman: 7 dari 39
 Dioda Bias mundur

Halaman: 8 dari 39
Pengaruh bias maju dan mundur

Pada bias negatip/mundur ,cukup besar depletion regionnya

(daerah pengosongan)sehingga menghambat arus .

Halaman: 9 dari 39
 Kurva Dioda Gambar di atas merupakan kurva karakteristik dioda pada pra
tegangan maju (forward) dan pra tegangan balik (reverse).
 Dari gambar karakteristik tersebut dapat dianalisa bahwa sebuah dioda akan
mengalirkan arus setelah tegangan luar mengatasi potensial barrier, maka
arus maju akan menjadi besar.
 Pada kurva dengan karakteristik balik saat tegangan yang diberikan sama
dengan nol, maka tidak ada arus yang mengalir jika tegangan dinaikkan
maka arus akan sangat kecil
Halaman: 10 dari 39
 Saat arus maju terlalu besar maka dioda akan rusak karena disipasi
daya terlalu besar.
 Jika pada arah balik tegangan yang terlalu tinggi akan
menimbulkan kedadalan (breakdown) listrik pada dioda.

Halaman: 11 dari 39
 Pada tegangan reverse yang besar, arus reverse mengalir besar sekali dan sat itu disebut
tegangan break down.

 Besar arus dioda:

Dimana,
I = arus melalui dioda
I₀ = arus bocor saturasi
e = muatan elektron (1,602. C)
V = tegangan anoda ke katoda
K = konstanta Boltzman (1,38. J/K)
T = suhu (Kelvin)

 Pada suhu kamar : T=293 K dan qV/KT= 40 maka persamaan menjadi

 Jadi, Nampak dari persamaan bahwa arus dipengaruhi oleh tegangan dan temperature.

Halaman: 12 dari 39
Tahanan Dioda

Halaman: 13 dari 39
 Menentukan tahanan dioda, diperlihatkan pada gambar di
atas. Pada titik P, tegangan Vp dan arus Ip. Tahanan statis
didefinisikan sebagai :

 Bila tegangan berubah-ubah di aas dan di bawah suatu

harga tetap (Vp), didefinisikan apa yang disebut tahanan
dinamis yakni:

Halaman: 14 dari 39
Kurva Karakteristik Dioda
 Kita dapat menyelidiki karakteristik statik dioda, dengan cara
memasang dioda seri dengan sebuah catu daya dc dan
sebuah resistor.

 Kurva karakteristik statik dioda merupakan fungsi arus I D, arus

yang melalui dioda, terhadap tegangan V D, beda tegangan
antara titik a dan b.
Garis Beban melewati titik i = 0.
Titik potong v adalah v =vi dan v = 0.
Titik potong adalah
i =vi /RL

Halaman: 15 dari 39
 Gambar Kurva Karakteristik Dinamis: Hubungan arus terhadap
tegangan masukan vi bervariasi disebut karakteristik dinamis.
 Lereng garis beban adalah tetap karena resistans beban RL
tetap

Halaman: 16 dari 39
Karakteristik Dioda Si dan Dioda Ge

Vγ = tegangan cut –in

Keterangan:
Is (Si) = Arus Jenuh Si = 10 nA = 10.10-9A
Is (Ge) = Arus Jenuh Ge = 1 μA = 10-6A
Dari kurva di atas dapat dicari hubungan arus dioda
dengan tegangan dioda sebagaia berikut

Halaman: 17 dari 39
Keterangan:
ID = arus dioda (Ampere)
Is = arus jenuh
e = bilangan natural = 2,7182
VD = beda tegangan pada dioda
n = konstanta : n = 1 untuk Ge dan n = 2 untuk Si
Vt = tegangan ekivalen temperatur (Volt)
Harga Is dipengaruhi oleh temperatur, tingkat doping, dan geometri.

K = konstanta Balthman
= 1,384 x 10-23 j/oK
T = suhu Kelvin
q = muatan listrik
1,602 x 10-19 C

Halaman: 18 dari 39
 Gambar Karakteristik Transfer
 Kurva yang menunjukkan hubungan antara tegangan keluaran vo dengan
tegangan masukan v i untuk rangkaian apapun, dinamakan karakteristik
transfer atau karakteristik transmisi.
 Karena untuk rangkaian dioda di atas vo= iRL, maka kurva transfer-nya sama
dengan karakteristik dinamis.

Halaman: 19 dari 39
Macam Macam Dioda
1. Dioda Umum
2. Dioda khusus

 Dioda Umum
Yang dimaksud dioda umum adalah dioda yang dipergunakan dalam
rangkaian rangkaian sederhana dan biasanya berfungsi sebagai perata atau
pembatas arus listrik.
 Dioda umum ini dalam operasinya dapat bekerja bila diberi arus bolak balik
atau searah
Arus listrik yang melewati dioda sebagian akan dilewatkan baik tegangan
positifnya maupun tegangan negatifnya tergantung cara pemasangan nya

Halaman: 20 dari 39
 Yang termasuk dioda umum
- Dioda Silikon
- Dioda Germanium
- Dioda Rectifier
- Dioda Selenium
- Dioda Kuprok

 Dioda khusus
Dioda jenis khusus bekerja bukan hanya  Yang termasuk dioda khusus
sebagai perata/pembatas arus namun - Dioda Zener
pemakaiannya sangat bervariasi, - Dioda DIAC
beberapa aplikasinya adalah sensor, - Dioda TRIAC
stabilizer, penyearah terkendali dan lain - Dioda Kapasitansi
sebagainya. - Dioda LED
- Dioda Thyristor/SCR
-Dioda Photosel/Photo Dioda

Halaman: 21 dari 39
Jenis-jenis diode
Ada beberapa jenis dari dioda pertemuan yang hanya menekankan
perbedaan pada aspek fisik baik ukuran geometrik, tingkat pengotoran, jenis
elektroda ataupun jenis pertemuan, atau benar-benar peranti berbeda
seperti dioda Gunn, dioda laser dan dioda mosfet.

 Diode Biasa
 Dioda Bandangan
 Dioda Chat’s Whisker
 Dioda Arus Tetap
 Dioda Terobosan/Esaki
 Dioda Gunn

Halaman: 22 dari 39
 RANGKAIAN DIODA
Penyearah Tegangan
 Sebagai penyearah tegangan, dioda digunakan untuk mengubah
tegangan bolak-balik (AC) menjadi tegangan searah(DC).
 Penyearah tegangan ini ada 2 macam, yaitu :
1. Penyearah setengah gelombang (half-wave rectifier)
2. Penyearah gelombang penuh (full-wave rectifier)

1. Penyearah setengah gelombang (half-wave rectifier)

2. Saat digunakan sebagai penyearah setengah gelombang, dioda

menyearahkan tegangan AC yang berbentuk gelombang sinus menjadi
tegangan DC hanya selama siklus positif tegangan AC saja.
 Sedangkan pada saat siklus negatifnya, dioda mengalami panjaran
balik (reverse bias) sehingga tegangan beban (output) menjadi nol.

Halaman: 23 dari 39
Halaman: 24 dari 39
Pada gambar diatas, anggaplah Vin sebagai tegangan input rangkaian setelah diturunkan
oleh transformator yang mempunyai nilai sebesar 20Vpp atau 7,071V RMS. Setelah
disearahkan menggunakan dioda maka akan di dapat nilai tegangan DC atau nilai rata-
ratanya.

 Nilai tegangan yang ditunjukkan pada multimeter adalah nilai komponen AC (VAC)
atau DC (VDC) saja.
 Sementara, untuk mengetahui tegangan puncak ke puncak (Vpp) diperlukan
pengukuran menggunakan osiloskop atau bisa juga dengan perhitungan setelah
VAC sudah diketahui.

Catatan : VAC = VRMS = VEFEKTIF

Halaman: 25 dari 39
 Rangkaian penyearah setengah gelombang ini memiliki kelemahan pada
kualitas arus DC yang dihasilkan.
 Arus DC rata-rata yang dihasilkan dari rangkaian ini hanya 0,318 dari arus
maksimum-nya, jika dituliskan dalam persamaan matematika adalah sebagai
berikut;

IAV = 0,318 ∙ IMAX

 Oleh sebab itu rangkaian penyearah setengah gelombang lebih sering
digunakan sebagai rangkaian yang berfungsi untuk menurunkan daya pada
suatu rangkaian elektronika sederhana dan digunakan juga sebagai
demodulator pada radio penerima AM.

Halaman: 26 dari 39
2. Penyearah gelombang penuh (full-wave rectifier)

 Saat digunakan sebagai penyearah gelombang penuh, dioda

secara bergantian menyearahkan tegangan AC pada saat siklus
positif dan negatif.

 Penyearah gelombang penuh ada 2 macam dan

penggunaannya disesuaikan dengan transformator yang dipakai.

 Untuk transformator biasa digunakan jembatan dioda (dioda

bridge) sementara untuk transformator CT digunakan 2 dioda saja
sebagai penyearahnya.

Halaman: 27 dari 39
 Arus DC rata-rata yang dihasilkan dari rangkaian penyearah
gelombang penuh ini adalah dua kali dari arus rata-rata yang
dihasilkan oleh penyearah setengah gelombang yakni;

IAV = 0,637 ∙ IMAX

 Jika sumber arus bolak-balik (AC) dengan CT di searah-kan

oleh rangkaian penyearah dioda jembatan maka akan
diperoleh dua arus searah (DC) dengan dua polaritas yang
berbeda atau biasa disebut sebagai Penyearah Gelombang
Penuh Polaritas Ganda.

Halaman: 28 dari 39
a. Penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda
(dioda bridge)
 Pada dioda bridge, hanya ada 2 dioda saja yang
menghantarkan arus untuk setiap siklus tegangan AC
sedangkan 2 dioda lainnya bersifat sebagai isolator pada
saat siklus yang sama.

Halaman: dari 39
Halaman: 29 dari 39
 Saat siklus positif tegangan AC, arus mengalir melalui dioda B menuju
beban dan kembali melalui dioda C.
 Pada saat yang bersamaan pula, dioda A dan D mengalami reverse
bias sehingga tidak ada arus yg mengalir atau kedua dioda tersebut
bersifat sebagai isolator.

 Sedangkan pada saat siklus negatif tegangan AC, arus mengalir melalui
dioda D menuju beban dan kembali melalui dioda A.
 Karena dioda B dan C mengalami reverse bias maka arus tidak dapat
mengalir pada kedua dioda ini.
Halaman: 31 dari 39
 Grafik sinyal dari penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda
(dioda bridge) ditunjukkan seperti pada gambar berikut

 Jembatan dioda (dioda bridge) tersedia dalam bentuk 1 komponen saja atau pun
bisa dibuat dengan menggunakan 4 dioda yang sama karakteristiknya.
 Yang harus diperhatikan adalah besar arus yang dilewatkan oleh dioda harus lebih
besar dari besar arus yang dilewatkan pada rangkaian.

Halaman: dari 39
b. Penyearah gelombang penuh menggunakan 2 dioda
Seperti telah disebutkan diatas, penyearah gelombang penuh
menggunakan 2 dioda ini hanya bisa digunakan pada transformator
CT, dimana tegangan sekunder yang dihasilkan oleh trafo CT ini
adalah :

dimana V1=teg primer dan V2=teg sekunder

Cara kerja penyearah gelombang penuh jenis ini dapat dijelaskan seperti
berikut :

Halaman: 33 dari 39
 Pada gambar mengenai trafo diketahui bahwa pada bagian sekunder trafo
CT terdapat 2 sinyal output yang terjadi secara bersamaan, mempunyai
amplitudo yang sama namun berlawanan fasa.
 Saat tegangan input (teg primer) berada pada siklus positif, pada titik AO
akan terjadi siklus positif sementara pada titik OB akan terjadi siklus negatif.
 Akibatnya D1 akan mengalami panjaran maju (forward bias) sedangkan D2
mengalami panjaran balik (reverse bias) sehingga arus akan mengalir melalui
D1 menuju ke beban dan kembali ke titik center tap.

Halaman: 34 dari 39
Halaman: 35 dari 39
 Saat tegangan input (teg primer) berada pada siklus negatif, pada
titik AO akan terjadi siklus negatif sementara pada titik OB akan
terjadi siklus positif.
 Akibatnya D2 akan mengalami panjaran maju (forward bias)
sedangkan D1 mengalami panjaran balik (reverse bias) sehingga
arus akan mengalir melalui D2 menuju ke beban dan kembali ke titik
center tap.
 Dari penjelasan cara kerja penyearah gelombang penuh jenis ini
terlihat bahwa tegangan yang terjadi pada beban mempunyai
polaritas yang sama tanpa memperdulikan dioda mana yang
menghantar karena arus mengalir melalui arah yang sama sehingga
akan terbentuk gelombang penuh yang disearahkan seperti
ditunjukkan pada grafik sinyal berikut.

Halaman: 36 dari 39
 Rangkaian penyearah gelombang merupakan rangkaian yang berfungsi
untuk merubah arus bolak-balik (Alternating Current / AC) menjadi arus
searah (Direct Current / DC).
 Komponen elektronika yang berfungsi sebagai penyearah adalah dioda,
karena dioda memiliki sifat hanya memperbolehkan arus listrik melewati-nya
dalam satu arah saja.

Halaman: 37 dari 39
Soal-Soal

 1. Diketahui kurva karakteristik dioda

Hitunglah resistansi dioda
saat:
a). ID = 2 μA
b). VD = -10V

Halaman: 38 dari 39
 2) Hitunglah besar tegangan output bila komponen dioda
yang digunakan:

a).Silicon
b).Germanium
Catatan:
Vγ (Si) = 0,6 V dan Rf = 15 Ω
Vγ (Ge) = 0,2 V dan Rf = 20 Ω

Halaman: 39 dari 39
Dioda Zener & Aplikasi Dioda

Halaman: 1 dari 15
Dioda Zener

Simbol
rangkaian
Dioda Zener

Karakteristik i – v dioda pada daerah breakdown

Halaman: 2 dari 15
Pada grafik karakteristik i – v terlihat bahwa pada arus lebih besar dari ‘knee
current’, kurva hampir merupakan garis lurus.
Data yang diberikan oleh pabrik biasanya menunjukkan tegangan dioda zener VZ
pada arus test IZT. Pada grafik terlihat pada titik Q.
Jika arus bergeser dari arus test IZT, tegangan pada dioda akan sedikit berubah.

V  rZ I
rZ adalahkebalikan dari kemiringan garis singgung pada titik Q.
rZ dikenal juga dengan ‘incremental resistance’ atau ‘dynamic resistance’.
Harga rZ berkisar antara beberapa ohm sampai beberapa kilo ohm.

Pada data yang diberikan oleh pabrik selain VZ, IZT, rZ dan IZK, juga ada data
mengenai daya disipasi maksimum.

Halaman: 3 dari 15
Karakteristik

Halaman: 4 dari 15
 Dioda zener sebagai regulator tegangan

R Vi dan R tetap

 Vi IZ

VZ RL
PZm

Halaman: 5 dari 15
Halaman: 6 dari 15
Jika Vz = 10 V dan Pzmax = 400 mW, hitung setiap parameter jika
RL = 180 Ohm dan 270 Ohm

Halaman: 7 dari 15
Vi tetap, RL berubah-ubah

Halaman: 8 dari 15
Halaman: 9 dari 15 9
• Vi Berubah-ubah dan RL Tetap

Halaman: 10 dari 15
Contoh

VZ = VZ0 + rZIZ

Berlaku untuk IZ > IZK

Contoh soal 7:
Penggunaan dioda zener sebagai ‘shunt regulator’

Sebuah dioda zener mempunyai spesifikasi: VZ = 6,8 V pada IZ = 5 mA, rZ =

20Ω dan IZK = 0,2 mA. Tegangan sumber V+ = 10 V dengan penyimpangan
± 1 V. Carilah:
Model dioda zener a.VO jika tidak ada beban dan V+ pada harga nominal
b.Perubahan harga VO jika ada perubahan ± 1 V pada V+. (ΔVO/ΔV+ disebut
line regulation)
c.Perubahan pada VO jika terhubung pada beban RL yang menghasilkan
arus IL= 1 mA. (ΔVO/ΔIL disebut load regulation)
d.Harga VO jika RL= 2 kΩ
e.Harga VO jika RL= 0,5 kΩ
f.Harga RL minimum agar dioda masih bekerja di daerah breakdown.

Halaman: 11 dari 15
 Jawab:

Gambar rangkaian dari soal Gambar rangkaian pengganti

Halaman: 12 dari 15
Jawab:
Tentukan harga VZ0 dari dioda zener.
VZ = VZ0 + rzIZ
VZ0 = 6,8V – 20 x 5mA = 6,7 V

a. Tanpa beban:
V   VZ 0
IZ  I 
R  rz
10  6,7
  6,35 mA
0,5  0,02
VO  VZ 0  IZ rz
 6,7  6,35  0,02  6,83 V

Halaman: 13 dari 15
 b. Untuk perubahan ± 1V pada V+, perubahan pada tegangan keluaran

rz
VO  V 
R  rz
20
 1   38,5 mV
500  20
Line regulation = 38,5 mV

c. Terhubung dengan beban RL yang menarik arus IL = 1 mA, arus pada zener menurun 1
mA.
VO  rz I Z
 20  1  20 mV
VO
Load regulation    20 mV/mA
IL

e. Untuk RL = 0,5 kΩ
6,8
IL   13,6 mA
0,5

Halaman: 14 dari 15
Hal ini tidak mungkin karena arus I yang melalui R hanya 6,4 mA (V+ =10 V), akibatnya zener
‘cut off’. Maka tegangan VO akan ditentukan dengan menggunakan pembagian tegangan
antara R dan RL.
RL
VO  V 
RL  R
0,5
 10 5V
0,5  0,5

Tegangan ini lebih kecil dari tegangan breakdown, artinya dioda tidak bekerja pada
daerah breakdown

Halaman: 15 dari 15
ARUS BOLAK – BALIK (AC)

Halaman: 1 dari 19
Tegangan AC Sinusoidal
V(t) = Vm . Sin ωt

V = tegangan sesaat;
Vm = tegangan maximum;
ω = frekuensi sudut
= 2π, radial
= 360o
Dilukiskan Secara phasor

Halaman: 2 dari 19
 ARUS SINUSOIDA
• i(t)=Im sin(t + o)
i(t) arus sesaat Ampere(A)
Im arus maksimum Ampere (A)
(t +o) fassa radian
 frekuensi rad/s
=2f =2 /T
f frekuensi herz=1/s
T perioda s
o fassa awal radian
Halaman: dari 19
Besaran efektif
• Im arus maksimum terbaca pada Osiloskop
• Irms =Ieff = I m terbaca pada alat ukur
2

Im Ipp

Halaman: 4 dari 19
 Arus melalui Resistor
R
a b
Misalkan i(t)=Im cos (t)
i(t)
Vab=VR=ImR cos (t)
= VmRcos (t) ~
-VmR=ImR
-Tegangan pada R sefassa dengan arus
ImR

i(t) VR
Diagram fasor
Im

Halaman: 5 dari 19
Sinyal listrik V dan I se- phase

Kurve phasor segaris karena se- phase

Halaman: 6 dari 19
 Arus melalui Kapasitor
C
• i(t) = Im cos ( t) a b
• Vab=VC=Q/C
i(t)
1
= C  I m cos(t )dt ~
Im 
= cos(t  )
C 2
=VmCcos(t -/2)
- VmC = ImC ,
- C = 1 ohm()
C
- Tegangan pada kapasitor i(t)
tertinggal /2 dari i(t) Im C
Im
VC

Halaman: 7 dari 19
Tegangan Vc tertinggal π/2 terhadap arus i(t) atau dapat
dikatakan: Arus i(t) mendahului tegangan sebesar π/2

Diagram phasor:

Halaman: 8 dari 19
 Arus melalui Induktor
L
• i(t)=Im cos(t)
i(t)
• Vab=VL= L di
dt ~
= ImLcos(t+/2)
= VmLcos(t+/2)
Diagram fasor
- VmL=ImL
- L = L ohm() VL
- Tegangan pada induktor ImL
i(t)
mendahului i(t) sebesar /2 Im

Halaman: 9 dari 19
Tegangan mendahului arus sebesar π/2. atau arus ketinggalan π/2.
terhadap tegangan.

i, V
π/2VL ,m
i L,m VL VL,m

t ωt

iL I L,m

Halaman: 10 dari 19
 Rangkaian RLC Seri
R L C
• R,L dan C dirangkai seri
i(t)
di aliri arus i(t)=Im cos(t)
~
• Vab=VR+VL+VC
= ImR cos(t)+ImLcos(t+/2)+
ImCcos(t-/2)
Dengan cara fasor diperoleh:
Vab=Vmcos(t+)Halaman: 11 dari 19
 Diagram fasor RLC seri
• Vm=ImZ VmL
Vm
Z  R  (   )
2 2 2 2
L C

VmR
1  L   C
VmC
  tg
R
• L> C tegangan mendahului L
arus Z

• L< C tegangan tertinggal R
C
arus
Halaman: 12 dari 19
 Resonansi RLC seri

• Vm maksimum Z minimum
• L= C  
1
LC

res
Halaman: 13 dari 19
 Daya rata-rata rangkaian RLC seri

Hk Joule P =iV=Im2Zcos(t)cos(t+)

P  I 2 Z 1 T

• Daya rata-rata
m
T 0
cos(t ) cos(t   )

P  1 I 2 Z cos( )
m
2

faktor daya

Halaman: 14 dari 19
 Rangkaian R,L,C Paralel

• R,L dan C dirangkai paralel,

dihubungkan sumber v(t)=Vmcos(t)

i(t)
iR(t) iC(t)
~
R

C L
vs(t) iL(t)

Halaman: 15 dari 19
 Analisa Rangkaian
• i(t)=iR(t) +iC(t)+iL(t)

Vm
• iR(t)=v(t)/R = cos(t )
R
dQ dv
• iC(t)= C
dt dt
1
• iL(t)=  vdt
L
1 1  1  
• i(t)= Vm  cos(t )  cos(t  )  cos(t  ) 
R C 2 L 2 

Halaman: 16 dari 19
 Analisa mengacu pada sumber tegangan AC

Dari hasil jabaran

Vm
iR  Sin t  I R Sin t
R

iC Vm    
 Sin  t    I C Sin  t  
XC  2  2

Vm  
iL  Sin  t  
XL  2
Phasor arus dengan acuan tegangan

Halaman: 17 dari 19
 Diagram Phasor
ImC
• Phasor Arus
2
 1 1 
2
1 Im
I m  Vm   
  
R  c  L 
ImR
2
ImL
 1   1 1 
2
1
     
Z  R   C  L 
1
 res 
LC

Halaman: 18 dari 19
 Daya Pada Arus Bolak-Balik

Pada rangkaian RCL, disipasi daya hanya terjadi pada hambatan, dan
tidak pada kapasitor dan induktor murni.

Daya : P(t) = ε2 /R = (εm Sin ωt)2 / R

Daya rata-rata : PAV= {(εm)2/R} (Sin ωt)2 = (½)(εm)2/ R

PAV = ((εm/√2)2 / R

Didefinisikan : εrms = εm/√2

PAV = (εrms)2 / R irms = im / √2

Maka : PAV = ε rms irms

Halaman: 19 dari 19
 APLIKASI RANGKAIAN ARUS AC

Halaman: 1 dari 15 1
Soal latihan

Halaman: 2 dari 15 2
Soal No. 1
Diberikan sebuah gambar rangkaian listrik arus bolak-balik yang terdiri sebuah resistor (R),
sebuah induktor (L), sebuah kapasitor (C) dan sebuah sumber listrik arus bolak-balik.

Tentukan :
•a) Nilai frekuensi sudut sumber listrik
•b) Nilai frekuensi sumber listrik
•c) Nilai periode sumber listrik
•d) Nilai tegangan maksimum sumber listrik
•e) Nilai tegangan efektif sumber listrik
•f) Nilai tegangan puncak ke puncak sumber listrik
•g) Nilai reaktansi induktif dari induktor
•h) Nilai reaktansi kapasitif dari kapasitor

Halaman: 3 dari 15 3
 •i) Nilai impedansi rangkaian
•j) Nilai kuat arus maksimum rangkaian
•k) Nilai kuat arus efektif rangkaian
•l) Nilai tegangan antara titik d dan e
•m) Nilai tegangan antara titik e dan f
•n) Nilai tegangan antara titik f dan g
•o) Nilai tegangan antara titik d dan f
•p) Nilai tegangan antara titik e dan g
•q) Nilai tegangan antara titik d dan g
•r) Nilai faktor daya rangkaian
•s) Nilai sudut fase antara tegangan dan arus listrik
•t) Nilai daya yang diserap rangkaian
•u) Sifat rangkaian ( kapasitif, induktif atau resistif)
•v) Nilai tegangan sesaat sumber listrik saat t = (π/150) sekon
•w) Persamaan kuat arus sumber listrik
•x) Nilai kuat arus sesaat sumber listrik saat t = (0,016 π) sekon
•y) Nilai tegangan rata-rata
•z) Nilai kuat arus rata-rata
•aa) Lukis diagram fasor arus dan tegangan dari rangkaian RLC di atas
•bb) Lukis diagram fasor hambatan, reaktansi dan impedansi dari rangkaian RLC di atas

Halaman: 4 dari 15 4
Pembahasan
a) Pola sinusoidal dari tegangan sumber listrik adalah sebagai berikut:

dimana V adalah nilai tegangan sesaat (saat waktu t), Vmax adalah nilai maksimum tegangan, ω adalah frekuensi sudut sumber listrik.
Sehingga nilai frekuensi sudut sumber adalah ω = 125 rad/s

b) Untuk mencari frekuensi sumber ambil dari frekuensi sudut dimana :

c) Periode merupakan kebalikan frekuensi :

maksimum sumber lihat pola di atas :

d) Tegangan

Halaman: 5 dari 15 5
 d) Tegangan maksimum sumber :

e) Tegangan efektif :

f) Tegangan puncak ke puncak (Vpp) :

g) Reaktansi Induktif :

h) Reaktansi Kapasitif :

Halaman: 6 dari 15 6
j) Nilai kuat arus maksimum rangkaian :

k) Nilai kuat arus efektif rangkaian :

l) Nilai tegangan antara titik d dan e :

Karena yang ditanyakan tegangan saja, kita asumsikan bahwa yang diminta adalah tegangan efektif (tegangan terukur),
sehingga kuat arus yang dipakai adalah Ief

m) Nilai tegangan antara titik e dan f :

Halaman: 7 dari 15 7
n) Nilai tegangan antara titik f dan g :

o) Nilai tegangan antara titik d dan f :

Secara umum untuk mencari tegangan antara dua titik katakanlah A dan B yang mengandung komponen R, L dan C
dengan tegangan masing-masing yang sudah diketahui gunakan persamaan :

dimana VR , VL dan VC berturut- turut adalah tegangan pada masing-masing komponen R, L dan C .
Titik d dan f mengandung 2 komponen yaitu R dan L . Berarti C nya tidak ada? Masukkan saja angka nol pada VC nya sehingga:

Halaman: 8 dari 15 8
•p)Nilai tegangan antara titik e dan g

q).Nilai tegangan antara titik d dan g

r) Nilai faktor daya rangkaian :

Faktor daya rangkaian (power factor = pf , in english) tidak lain adalah nilai cosinus dari sudut fase dimana

Halaman: 9 dari 15 9
S) Nilai sudut fase antara arus dan tegangan :
Sudut yang nilai cosinusnya 0,8 !?! Tentunya 37o . JJika mencarinya pakai kalkulator akan dapat hasil
yang sedikit berbeda, kita bulatin aja. Tetapi bukannya cos (−37o) juga 0,8 !?? Kita coba cari
sudutnya dari nilai tan nya :

•t) Nilai daya yang diserap rangkaian

Halaman: 10 dari 15 10
•p)Nilai tegangan antara titik e dan g

q).Nilai tegangan antara titik d dan g

r) Nilai faktor daya rangkaian :

Faktor daya rangkaian (power factor = pf , in english) tidak lain adalah nilai cosinus dari sudut fase dimana

Halaman: 11 dari 15 11
u) Sifat rangkaian ( kapasitif, induktif atau resistif)
Untuk sifat rangkaian gunakan ketentuan berikut :
Jika X > X → rangkaian bersifat induktif
L C

Jika X > X → rangkaian bersifat kapasitif

C L

Jika X = X → rangkaian bersifat resistif (resonansi seri)

L C

Sehingga rangkaian di atas bersifat kapasitif ( arus mendahului tegangan)

v) Nilai tegangan sesaat sumber listrik saat t = ( π/150) sekon :

W) Persamaan kuat arus sumber listrik

Karena rangkaian kita bersifat kapasitif maka persamaan
kuat arus adalah

Sedut phase + 37 bukannya diatas tadi sudut fasenya −37 ?!! Sudut fase −37 di atas
o o o

mengandung arti sudut fase tegangan terhadap arus adalah −37 . Jika dibalik sudut fase arus
o

terhadap tegangan adalah +37 . o

Halaman: 12 dari 15 12
x) Nilai kuat arus sumber listrik saat t = (0,016 π) sekon :

y) Tegangan rata-rata :

Z) Kuat arus rata-rata :

Halaman: 13 dari 15 13
aa) Diagram fasor arus dan tegangan dari rangkaian RLC
di atas

bb) Diagram fasor hambatan, reaktansi dan impedansi

dari rangkaian RLC di atas

Halaman: 14 dari 15 14
Soal No. 2
Suatu rangkaian seri R, L, dan C dihubungkan dengan tegangan bolak-balik. Apabila
induktansi 1/25π2 H dan kapasitas kapasitor 25 μF, maka resonansi rangkaian terjadi pada
frekuensi .....

Pembahasan
Frekuensi resonansi untuk rangkaian RLC terjadi saat reaktansi induktif sama besar
dengan reaktansi kapasitif, dengan nilai frekuensi :

Halaman: 15 dari 15 15
TRANSISTOR BIPOLAR

Halaman: 1 dari 24
 Transistor

Bipolar Unipolar
[ Bipolar Junction [ Field Effect
Transistor (BJT)] Transistor (FET)]
Halaman: 2 dari 24
• Transistor BJT adalah piranti semikonduktor tiga
terminal yang dibangun dari :
• dua material tipe P dan satu material tipe N  PNP
• dua material tipe N dan satu material tipe P  NPN

• Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikit

dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1).
• Doping rendah ini mengurangi konduktivitas material
dengan membatasi jumlah elektron bebas.
• Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektron
dan hole berpartisipasi dalam proses pembangkitan
arus.

Halaman: 3 dari 24
• PNP

Halaman: 4 dari 24
• Forward bias pada junction emitter-basis menyebabkan sejumlah besar pembawa muatan
mayoritas (hole) pada materi tipe P (emitter) terdifusi melewati junction menuju materi
tipe N (basis).
• Karena elektron bebas pada materi tipe N (basis) lebih sedikit dari hole yang terdifusi (N di-
doping rendah), hanya sedikit hole yang ber-kombinasi dengan elektron dan menghasilkan
arus pada basis.
• Sebagian besar hole akan bergerak melewati depletion region pada junction basis-collector
(diberi reverse bias) dan keluar pada terminal collector.

Halaman: 5 dari 24
 Arus Emitter
iE  iB  iC
dim ana :
iC
   iC  iE
iE
iC
   iC   iB
iB
Halaman: 6 dari 24
Operasi Kerja PNP

Halaman: 7 dari 24
 NPN

Halaman: 8 dari 24
Operasi Kerja NPN

Halaman: 9 dari 24
Struktur Fisik

Halaman: 10 dari 24
 Simbol
C C

B B

E E

NPN
PNP

Halaman: 11 dari 24
• Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter
yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.
• Bagian penting berikutnya adalah bagaimana caranya
memberi arus bias yang tepat sehingga transistor
dapat bekerja optimal.
• Ada tiga cara yang umum untuk memberi arus bias
pada transistor, yaitu rangkaian CB (Common Base) ,
CE (Common Emitter), CC (Common Collector)

Halaman: 12 dari 24
 Konfigurasi CB (Common Base)

IE IC IE IC
E C E C
P N P N P N
B IB B IB

VEE VCC VEE VCC

IE IC
IE IC
E C
E C

IB
IB
B
B

Halaman: 13 dari 24
Contoh

Penguat Common Base digunakan sebagai penguat tegangan.

Pada rangkaian ini Emitor merupakan input dan Collector adalah
output sedangkan Basis di-ground-kan/ditanahkan.

Halaman: 14 dari 24
 Karakteristik CB (NPN)
• iE terhadap vBE

Halaman: 15 dari 24
• iC terhadap vCB

Halaman: 16 dari 24
• Daerah aktif adalah daerah dimana penguatan linear terjadi,
dalam daerah aktif, junction emitter-collector di bias
mundur sedangkan junction basis-emitter di bias maju.

• Daerah cut-off didefinisikan sebagai daerah dimana arus IC = 0

A, atau Daerah cut-off terjadi jika junction emitter-collector
dan junction basis-emitter di bias mundur.

• Daerah saturasi adalah daerah dimana nilai tegangan VCB

negatif, Daerah saturasi adalah daerah dimana junction
emitter-collector dan junction basis-emitter di bias maju.

Halaman: 17 dari 24
 Konfigurasi CE (Common Emitter)

IC IC

C C

IB P IB N
B B
N P
VCC VCC
VBB P VBB N
E E IE
IE

C
C
IB IC
IB IC
B
B

IE
IE
E
E

Halaman: 18 dari 24
Contoh

Penguat Common Emitor digunakan sebagai penguat tegangan. Pada

rangkaian ini Emitor di-ground-kan/ditanahkan, Input adalah Basis, dan
output adalah Collector.

Halaman: 19 dari 24
 Karakteristik CE
• iB terhadap VBE

Halaman: 20 dari 24
Halaman: 21 dari 24
 Konfigurasi CC (Common Collector)
IE IE

E E

IB P IB N
B B
N P
V EE V EE
VBB P VBB N
C IC
C IC

E
E
IB IE
IB IE
B
B
IC
IC
C
C

Halaman: 22 dari 24
 Contoh

Penguat Common Collector digunakan sebagai penguat arus. Rangkaian

ini hampir sama dengan Common Emitor tetapi outputnya diambil dari
Emitor. Input dihubungkan ke Basis dan output dihubungkan ke Emitor.
Rangkaian ini disebut juga dengan Emitor Follower (Pengikut Emitor)
karena tegangan output hapir sama dengan tegangan input.

Halaman: 23 dari 24
• Konfigurasi Common Collector umumnya dipakai sebagai
rangkaian penyesuai impedansi karena mempunyai impedansi
input yang tinggi dan impedansi output rendah,

• Karakteristik input konfigurasi CC adalah sama dengan

karakteristik pada konfigurasi CE. Karakteristik output adalah
plot antara IE dengan VEC untuk nilai-nilai IB, dengan bentuk
kurva yang sama seperti karakteristik output CE.

Halaman: 24 dari 24
 Field Effect Transistor (FET)

Halaman: 1 dari 35
 A. Transistor BJT vs Transistor FET
1. Transistor BJT adalah devais yg dikendalikan oleh arus, dengan kata lain arus kolektor (Ic) yg
merupakan fungsi dari arus basis (Ib). Sedangkan transistor FET adalah devais yg dikendalikan
oleh tegangan, dengan kata lain arus (Id) merupakan fungsi dari tegangan VGS yg tercatu
pada masukan.

Halaman: 2 dari 35
Gambar 1. Pengendali pada BJT dan FET
2. BJT merupakan transistor bipolar, artinya bahwa proses konduksi pada
transistor ini tergantung pada dua jenis pembawa muatan, yaitu elektron
dan hole.
Sedangkan FET merupakan transistor unipolar, artinya konduksi tergantung hanya
pada salah satu dari elektron (saluran-n) atau hole (saluran-p)
3. Impedansi masukan BJT lebih rendah dari FET, ini berarti impedansi masukan FET
tinggi. (impedansi masukan tinggi mrp karakteristik penting dlm desain penguat
ac linear)

4. Karena BJT lebih sensitif terhadap perubahan sinyal yg diterapkan, maka

penguatan tegangan ac pada penguat BJT lebih besar daripada FET.
5. Secara umum, suhu FET lebih stabil dan kontruksinya lebih kecil daripada BJT.

Halaman: 3 dari 35
 Jenis transistor FET

FET

JFET MOSFET

Gambar 2. Jenis transistor FET

Halaman: 4 dari 35
 B. Kontruksi dan Karakteristik JFET

Halaman: 5 dari 35 Gambar 3. Kontruksi JFET

 Transistor JFET terdiri dari 2 jenis, yaitu JFET saluran-n dan JFET
saluran-p.
 Pada Gambar 3 ditunjukkan kontruksi dasar dari JFET saluran-n.
 Bagian utama dari struktur ini adalah bahan tipe n yang membentuk
saluran diantara 2 saluran tipe-p yang ditanamkan.
 Bagian atas dari saluran tipe-n ini terhubung dengan terminal yg disebut
drain (D).
 Sedangkan bagian bawah terhubung dengan terminal yg disebut source
(S).

Halaman: 6 dari 35
 2 bahan tipe-p dihubungkan bersama membentuk terminal gate (G).
 Dalam kondisi tanpa bias, maka 2 junction bahan tipe-p dan tipe-n akan
membentuk lapisan pengosongan (depletion layer) pada kedua sisi dari
bahan tipe-p, seperti yg ditunjukkan pada Gambar 3.
 Saluran yg terletak diantara 2 lapisan pengosongan inilah yang digunakan
elektron bebas untuk bergerak dari source ke drain.

Halaman: 7 dari 35
Analogi pengontrolan aliran arus elektron pada JFET tipe-n ditunjukkan pada
Gambar 4.

Gambar 4. analogi pengontrolan aliran elektron pada JFET tipe-n

Halaman: 8 dari 35
 Gambar 5. VGS = 0
Halaman: 9 dari 35
Halaman: 10 dari 35
 Grafik yg menunjukkan hubungan arus drain (ID) dengan tegangan drain-
source (VDS) ditunjukkan pada Gambar 7.

Gambar 7
Halaman: 11 dari 35
 Pada daerah dengan nilai-nilai VDS rendah,
maka arus drain meningkat secara linear
dan hal ini menunjukkan bahwa resistansi
saluran-n konstan.
 Saat VDS meningkat dan mencapai nilai Vp,
maka kedua daerah pengosongan (depletion
layer) akan melebar dan akan saling
bersentuhan dan hal ini menyebabkan
lebar saluran-n akan semakin berkurang dan
tertutup.
 Ketika kedua daerah pengosongan saling
bersentuhan (saluran-n tertutup) maka
kondisi ini disebut dengan pinch-off
Halaman: 12 dari 35
 Tegangan VDS yg menyebabkan kondisi pinch-off disebut dengan tegangan
pinch-off dan dinotasikan dengan Vp.

Gambar 8. Kondisi pinch-off

Halaman: 13 dari 35
 Sebenarnya, istilah pinch-off ini kurang tepat karena hal ini menunjukkan
bahwa arus drain (ID) terjepit dan menurun hingga 0 ampere.
 Hal ini tidak mungkin terjadi, karena pada kenyataannya masih tetap ada
saluran yg sangat kecil yg memungkinkan arus tetap mengalir yg disebut arus
saturasi (IDSS).
 Saat VDS > Vp, maka JFET berfungsi sebagai sumber arus, dimana arus drain
(ID) tetap sebesar IDSS.
 IDSS adalah arus drain (ID) maksimum dan didefinisikan pada kondisi VGS = 0
dan VDS > Vp

Halaman: 14 dari 35
 Kondisi VGS < 0
 Tegangan VGS adalah tegangan pengendali pada JFET.
 Seperti halnya pada transistor BJT, yg mana terdapat grafik IC terhadap
VCE dengan nilai IB yg berbeda-beda, maka pada JFET juga terdapat
grafik hubungan antara ID dan VDS dengan berbagai nilai VGS seperti
yang ditunjukkan pada Gambar 9.

Halaman: 15 dari 35
Halaman: 16 dari 35
 Pada JFET tipe saluran-n, tegangan pengendali (VGS) dibuat lebih negatif
daripada VGS = 0 V. Dengan kata lain, terminal gate (G) dibuat lebih
negatif daripada terminal source (S).
 Semakin kecil (negatif) tegangan VGS-nya, maka arus drain saturasi
(IDSS) juga semakin kecil.
 Sampai ketika nilai VGS = Vp, dengan nilai Vp adalah negatif untuk tipe
saluran-n maka arus saturasi (IDSS)sama dengan nol (0 ampere).

Halaman: 17 dari 35
 Gambar 10. Aplikasi tegangan VGS negatif
Halaman: 18 dari 35
 Resistansi yang dikontrol tegangan
 Daerah disebelah kiri titip pinch-off disebut sebagai daerah ohmik.
 Resistansi didaerah ini tergantung dari nilai VGS.
 Semakin negatif nilai VGS, hal ini akan meningkatkan nilai resistansi.
 Berikut ini adalah persamaan untuk menentukan besarnya resistansi
tersebut

Halaman: 19 dari 35
 ro = resistansi saat VGS = 0
rd = resistansi saat VGS tertentu

Halaman: 20 dari 35
 JFET Tipe Saluran-P
 Tipe saluran-p dibuat dengan kontruksi sama dengan tipe saluran-n,
Cuma bedanya pada kebalikan bahan tipe-p dan tipe-n seperti yang
ditunjukkan pada Gambar 11.

Gambar 11. JFET saluran-p

Halaman: 21 dari 35
 Arah arus juga terbalik, yaitu arus keluar melalui terminal drain (D) dan masuk
melalui terminal source (S)
 Saluran akan menyempit dengan meningkatnya tegangan positif VGS.
 Tegangan VDS tercatu dengan tegangan negatif sehingga nilai VDS negatif.
 Gambar 12 ditunjukkan grafik hubungan antara ID terhadap VDS dengan nilai VGS
yg berbeda-beda.

Halaman: dari 35
Halaman: 23 dari 35
 Simbol Transistor JFET
 Pada Gambar 13 ditunjukkan simbol dari transistor JFET.

Gambar 13.a) simbol JFET saluran –n . b) simbol JFET saluran-p

Halaman: 24 dari 35
 Kesimpulan
 Arus maksimum IDSS terjadi saat VGS = 0 Volt dan VDS >= |Vp|. (lihat
gambar 14.a)
 Tegangan VGS yang lebih atau sama dengan tegangan Vp, maka arus
drain (ID) sama dengan nol. (ligat gambar 14.b)
 Untuk semua nilai VGS antara 0 sampai Vp, maka arus ID akan bervariasi
antara IDSS sampai 0 ampere. (lihat gambar 14.c)

Halaman: 25 dari 35
Gambar 14.

Halaman 26 dari 35
3. Karakteristik Transfer

 Hubungan antara ID dan VGS didefinisikan oleh persamaan Shockley

berikut ini:

……….(2)

 Bentuk kuadratik pada persamaan (2) diatas menunjukkan bahwa

hubungan tsb tidak linear, tapi berbentuk eksponensial meningkat dengan
menurunnya nilai VGS.
Halaman: 27 dari 35
 Kurva transfer (grafik ID terhadap VGS) dapat diperoleg dari grafik ID terhadap
VDS seperti pd Gambar 15 dibawah ini:

Gambar 15. Kurva transfer ID terhadap VGS

Halaman: 28 dari 35
Halaman: 29 dari 35
Halaman: 30 dari 35
 Dari persamaan (2), kita juga bisa mendapatkan nilai VGS sebagai berikut:

…………………(3)

 Latihan soal :
1. Gambarkan grafik ID terhadap VGS dengan nilai IDSS = 12 mA dan Vp = -6 V.
Jawab:
Nilai IDSS = 12 mA terjadi saat nilai VGS = 0 dan nilai ID = 0 A saat VGS = Vp.

Halaman: 31 dari 35
 Sekarang, tinggal mencari 2 titik saja agar bisa digambarkan grafik ID
terhadap VGS.
Misalkan , cari nilai ID saat VGS = 0,5 Vp ?
Dan cari nilai VGS saat ID = 0,5 IDSS

Halaman: 32 dari 35
Halaman: 33 dari 35
Hubungan Penting JFET dg BJT

Halaman: 34 dari 35
Contoh :menentukan titik kerja

Halaman: 35 dari 35
GERBANG LOGIKA

Halaman:1 dari 14
  Apa itu Gerbang Logika
 Gerbang logika adalah piranti dua keadaan, yaitu mempunyai keluaran
dua keadaan: keluaran dengan nol volt yang menyatakan logika 0 (atau
rendah) dan keluaran dengan tegangan tetap yang menyatakan logika 1
(atau tinggi).
 Gerbang logika dapat mempunyai beberapa masukan yang masing-masing
mempunyai salah satu dari dua keadaan logika, yaitu 0 atau 1.
 Gerbang-gerbang logika yang khususnya dipakai di dalam sistem digital,
dibuat dalam bentuk IC (Integrated Circuit) yang terdiri atas transistor-
transistor, diode dan komponen-komponen lainnya. Gerbang-gerbang
logika ini mempunyai bentuk-bentuk tertentu yang dapat melakukan
operasi-operasi INVERS, AND, OR serta NAND, NOR, dan XOR
(Exclusive OR). NAND merupakan gabungan AND dan INVERS
sedangkan NOR merupakan gabungan OR dan INVERS.

Halaman: 2 dari 14
 Gerbang Dasar
 BUFFER
 NOT
 OR
 AND

Halaman: 3 dari 14
 Gerbang Dasar: BUFFER

Halaman: 4 dari 14
 GERBANG AND

Keterangan:
A B A & B adalah saklar
Y
Y adalah lampu

Tabel Kebenaran
Simbol Gerbang AND
INPUT OUTPUT
A B Y
A 0 0 0
Y=A.B 0 1 0
B =AB 1 0 0
1 1 1
Gerbang AND digunakan untuk menghasilkan logika 1 jika semua masukan
mempunyai logika 1, jika tidak maka akan dihasilkan logika 0.
Halaman: 5 dari 14
 Rangkaian Dioda Equivalent dan Timing
Diagram

Halaman: 6 dari 14
 GERBANG OR
A
Keterangan:
Y
B
A dan B =Saklar
Y= lampu

Simbol Gerbang OR Tabel kebenaran

INPUT OUTPUT
A B Y
A 0 0 0
Y=A+B
B 0 1 1
1 0 1
1 1 1
Gerbang OR akan memberikan keluaran 1 jika salah satu dari masukannya pada
keadaan 1. jika diinginkan keluaran bernilai 0, maka semua masukan harus dalam keadaan 0.

Halaman: 7 dari 14
Halaman: 8 dari 14
 GERBANG NOT

A Y Jika saklar dibuka maka berlogika 0,

jika saklar ditutup disebut berlogika 1.

Simbol Gerbang NOT Tabel Kebenaran

INPUT OUTPUT
A Y
A Y 0 1
1 0

Gerbang NOT adalah gerbang yang mempunyai sebuah input dan sebuah output.
Gerbang NOT berfungsi sebagai pembalik (inverter), sehingga output dari gerbang ini
merupakan kebalikan dari inputnya.
Halaman: 9 dari 14
 Gerbang Kombinasional
 NOR
 NAND
 X-OR
 X-NOR

Halaman: 10 dari 14
 Gerbang Kombinasional: NOR
 Gerbang NOR adalah gerbang kombinasi dari gerbang NOT
dan gerbang OR. Dalam hal ini ada empat kondisi yang
dapat dianalisis dan disajikan pada tabel kebenaran.

Halaman: 11 dari 14
 GERBANG NAND

 Operasi dari gerbang NAND ekivalen dengan gerbang AND yang diikuti
inverter (gerbang NOT) :
A A

B
Y = AB
Menjadi: B
Y = AB

AND NOT NAND

Tabel kebenaran
NAND sebagai sakelar
Input Output
A B Y
A 0 0 1
Y 0 1 1
B 1 0 1
1 1 0

Halaman: 12 dari 14
 GERBANG NOR
Gerbang NOR ekivalen dari OR gate yang diikuti dengan inverter(gerbang
NOT).

menjadi:
A
A Y = A+B
Y = A+B B
B

NOR dengan saklar Tabel Kebenaran

Input Output
A B Y
0 0 0
A B Y 0 1 0
1 0 0
1 1 1

Gerbang NOR akan memberikan keluaran 0 jika salah satu dari masukannya pada keadaan 1. jika diinginkan
keluaran bernilai 1, maka semua masukannya harus dalam keadaan 0.
Halaman: 13 dari 14
  Gerbang Kombinasional: X-OR
 Gerbang X-OR (dari kata exclusive-or) akan memberikan keluaran 1
jika kedua masukannya mempunyai keadaan yang berbeda .

Halaman: 14 dari 14
RANGKAIAN TERINTEGRASI

Halaman: 1 dari 24
Yang termasuk rangkaian terintegrasi adalah

•Early families (DL, RTL)

•TTL
•ECL
•CMOS

Halaman: 2 dari 24
 Tingkat Integrasi

• Gate/transistor ratio is roughly 1/10

– SSI < 12 gates/chip
– MSI < 100 gates/chip
– LSI …1K gates/chip
– VLSI …10K gates/chip
– ULSI …100K gates/chip
– GSI …1Meg gates/chip
Halaman: 3 dari 24
Kenaikan penggunaan transistor

Halaman: 4 dari 24
Diode Logic (DL)
• simplest; does not scale
• NOT not possible (need an active
element)
=

Resistor-Transistor Logic (RTL)

• replace diode switch with a
transistor switch
• can be cascaded
• large power draw =

Halaman: 5 dari 24
Diode-Transistor Logic (DTL)
• essentially diode logic with transistor amplification
• reduced power consumption
• faster than RTL

DL AND gate Saturating inverter

Halaman: 6 dari 24
 Perancangan Rangkaian Digital

Gambar 1.Teknologi IC Digital dan Jenis Rangkaian Logika

Konsep jenis rangkaian logika artinya:

• setiap anggota jenis dibuat dengan teknologi yang sama
• mempunyai struktur rangkaian yang serupa
• mempunyai ciri-ciri dasar yang sama,

Setiap jenis rangkaian logika mempunyai kelebihan dan kekurangan.

Halaman: 7 dari 24
Pada perancangan sistem yang konvensional, perancang memilih jenis logika yang sesuai dan
berusaha untuk mengimplementasikan sistem sebanyak mungkin dengan menggunakan modul
dari jenis yang sama. Hal ini memudahkan interkoneksi dari modul

Jika dalam suatu sistem digunakan lebih dari satu jenis rangkaian logika, perancang harus
merancang rangkaian antarmuka (interface).

Pemilihan jenis rangkaian logika berdasarkan:

• fleksibilitas logika
• kecepatan operasi
• ketersediaan fungsi kompleks
• kepekaan terhadap derau
• kemampuan beroperasi pada selang suhu tertentu
• disipasi daya
• harga

Teknologi IC Digital:
• CMOS
• Bipolar
• BiCMOS
Halaman: 8 dari 24
• GaAs
CMOS
Teknologi CMOS adalah yang paling dominan dalam teknologi IC untuk rancangan
rangkaian digital. Dibandingkan dengan teknologi bipolar, CMOS mempunyai:
• disipasi daya yang kecil, sehingga dapat menempatkan lebih banyak rangkaian pada
satu chip
• mempunyai impedansi masukan yang tinggi, sehingga dapat digunakan untuk
penyimpan sementara dari informasi baik pada rangkaian logika maupun rangkaian
memory.
• mempunyai ukuran yang semakin kecil, sehingga memungkinkan untuk mempunyai
tingkatan integrasi yang sangat tinggi.

Yang paling banyak dipakai adalah rangkaian CMOS komplementer yang berdasarkan
struktur inverter.

Dari segi banyaknya gerbang logika pada satu chip:

• SSI (small scale integrated) – 1 – 10 gerbang:
• MSI (medium scale integrated) – 10 – 100 gerbang
• VLSI (very large scale integrated) – sampai jutaan gerbang

Dalam beberapa aplikasi, CMOS komplementer dapat ditunjang oleh dua rangkaian logika
MOS lainnya, yaitu pseudo-NMOS dan pass-transistor.
Halaman: 9 dari 24
Contoh aplikasi CMOS
Analisa Perancangan dan Kinerja Inverter CMOS

Struktur Rangkaian

Gambar 4.(a) Inverter CMOS (b) dinyatakan sebagai sepasang saklar yang bekerja
secara bergantian
Halaman: 10 dari 24
Rangkaian Gerbang Logika CMOS

Struktur Dasar

Gambar 8. Representasi gerbang logika CMOS 3

masukan. PUN terdiri dari transistor PMOS dan
PDN terdiri dari transistor NMOS

Halaman: 11 dari 24
Gerbang logika CMOS terdiri dari dua rangkaian: rangkaian pull-down (PDN) yang terdiri
dari transistor NMOS dan rangkaian pull-up yang terdiri dari transistor PMOS. Kedua
rangkaian ini beroperasi dengan variabel masukan yang sifatnya komplementer.

Pada gambar 8 terlihat gerbang dengan 3 masukan. PDN akan terhubung (‘conduct’) untuk
semua kombinasi ketiga masukan yang memerlukan keluaran ‘rendah’ (Y = 0) dan akan
menarik simpul keluaran menuju ground, sehingga pada keluaran tampak vY = 0. Pada saat
yang sama PUN akan ‘off’ dan tidak ada jalur dari VDD ke ground.
Sebaliknya, semua masukan yang memerlukan keluaran ‘tinggi’ (Y = 1) akan
menyebabkan PUN terhubung (‘conduct’), dan PUN akan menarik simpul keluaran ke
VDD, sehingga vY = VDD. Pada saat yang sama PDN akan ‘off’ dan tidak ada jalur dari VDD
ke ground.

PDN terdiri dari NMOS dan NMOS ‘conduct’ jika sinyal masukan pada gate-nya ‘tinggi’.
Jadi PDN ‘aktif’ jika masukannya ‘tinggi’. Sebaliknya PUN terdiri dari PMOS dan PMOS
‘conduct’ jika sinyal masukan pada gate-nya ‘rendah’. Jadi PUN aktif jika masukannya
‘rendah Halaman: 12 dari 24
PUN dan PDN menggunakan divais secara paralel untuk membentuk fungsi ‘OR’ dan
menggunakan divais secara seri untuk membentuk fungsi ‘AND’.

Contoh PDN dapat terlihat pada gambar 9.

Halaman: 13 dari 24
Gambar 9. Contoh rangkaian ‘pull-down’ (PDN)
Gerbang logika CMOS terdiri dari dua rangkaian: rangkaian pull-down (PDN) yang terdiri
dari transistor NMOS dan rangkaian pull-up yang terdiri dari transistor PMOS. Kedua
rangkaian ini beroperasi dengan variabel masukan yang sifatnya komplementer.

Pada gambar 8 terlihat gerbang dengan 3 masukan. PDN akan terhubung (‘conduct’) untuk
semua kombinasi ketiga masukan yang memerlukan keluaran ‘rendah’ (Y = 0) dan akan
menarik simpul keluaran menuju ground, sehingga pada keluaran tampak vY = 0. Pada saat
yang sama PUN akan ‘off’ dan tidak ada jalur dari VDD ke ground.
Sebaliknya, semua masukan yang memerlukan keluaran ‘tinggi’ (Y = 1) akan
menyebabkan PUN terhubung (‘conduct’), dan PUN akan menarik simpul keluaran ke
VDD, sehingga vY = VDD. Pada saat yang sama PDN akan ‘off’ dan tidak ada jalur dari VDD
ke ground.

PDN terdiri dari NMOS dan NMOS ‘conduct’ jika sinyal masukan pada gate-nya ‘tinggi’.
Jadi PDN ‘aktif’ jika masukannya ‘tinggi’. Sebaliknya PUN terdiri dari PMOS dan PMOS
‘conduct’ jika sinyal masukan pada gate-nya ‘rendah’. Jadi PUN aktif jika masukannya
‘rendah Halaman: 14 dari 24
Pada gambar 9(a), QA akan ‘conduct’ jika A ‘tinggi’ (vA = VDD) dan rangkaian akan
menarik simpul keluaran ke ‘ground’ (vY = 0, Y = 0). Sama halnya QB ‘conduct’ dan
,menarik simpul Y ke ground jika B ‘tinggi’. Jadi Y akan rendah jika A atau B ‘tinggi’

Y  AB
Y  AB

PDN pada gambar 9(b) akan ‘conduct’ hanya kalau A dan B ‘tinggi’ pada saat
bersamaan. Jadi Y ‘low’ jika A dan B ‘tinggi’

Y  AB
Y  AB
PDN pada gambar 9(c) akan ‘conduct’ dan menyebabkan Y = 0 jika A ‘tinggi’ atau
jika B dan C keduanya ‘tinggi’. Jadi

Y  A  BC
Y  A  BC
Halaman: 15 dari 24
Contoh rangkaian pull-up’ (PUN)

Halaman: 16 dari 24
PUN pada gambar 10(a) akan ‘conduct’ dan menghasilkan keluaran ‘tinggi’ (vY =
VDD, Y = 1) jika A ‘rendah’ atau B ‘rendah’, jadi

Y  AB

PUN pada gambar 10(b) akan ‘conduct’ dan menghasilkan keluaran ‘tinggi’ (vY =
VDD, Y = 1) jika A dan B kedua ‘rendah’, jadi

Y  AB

PUN pada gambar 10(c) akan ‘conduct’ dan menghasilkan keluaran ‘tinggi’ (vY =
VDD, Y = 1) jika A ‘rendah’ atau B dan C kedua ‘rendah’, jadi

Y  A  BC

Simbol rangkaian untuk transistor MOS yang biasa dipakai oleh perancang
rangkaian digital.
Gambar 11 menunjukkan simbol yang biasa dipakai (sebelah kiri) dan simbol yang
dipakai pada rangkaian digital (sebelah kanan).
Halaman: 17 dari 24
Gambar 11. Simbol dari MOSFET

Simbol transistor PMOS dengan lingkaran kecil pada terminal gate menunjukkan bahwa gate
harus ‘rendah’ untuk menbuat divais aktif. Jadi dalam istilah digital transistor PMOS adalah ‘active
low’
Pada simbol untuk rangkaian digital, tidak ada indikasi dari terminal divais, yang mana terminal
source dan yang mana terminal drain. Untuk memudahkannya, untuk transistor NMOS, terminal
drain mempunyai tegangan yang lebih tinggi, dan untuk transistor PMOS, terminal source
mempunyai tegangan yang lebih tinggi.
Halaman: 18 dari 24
 Gerbang NOR dua masukan

Y  A  B  AB

Gambar 12. Gerbang NOR dua masukan CMOS

Y ‘rendah’, jika A ‘tinggi’ atau B ‘tinggi’. Jadi PDN terdiri dari dua transistor NMOS
terhubung paralel dengan A dan B sebagai masukannya.
Untuk PUN, Y ‘tinggi’ jika A dan B ‘rendah’. Jadi PUN terdiri dari dua transistor PMOS
yang terhubung seri dengan A dan B sebagai masukannya.
Gambar 12 adalah gerbang NOR yang merupakan gabungan PUN dan PDN
Contoh Realisasi CMOS dari sebuah fungsi kompleks

Halaman: 20 dari 24
Keterangan: Gerbang Kompleks

Y  AB  CD 
Y  AB  CD 

Untuk mendapatkan PDN, perhatikan Y akan ‘rendah’ jika A ‘tinggi’ dan B ‘tinggi’ atau C dan D
kedua-duanya ‘tinggi’.
Untuk mendapatkan PUN, nyatakan Y dalam variabel komplemennya dengan menggunakan
hukum DeMorgan

Y  AB  CD
 A  B  CD
 A  BCD

 ABC D 
Y akan ‘tinggi’ jika A ‘rendah’ atau B ‘rendah’ dan C ‘rendah’ atau D ‘rendah’.
Halaman: 21 dari 24
Contoh lain

Gambar 16. Ukuran transistor untuk gerbang NOR empat masukan

Halaman: 22 dari 24
Gambar 17. Ukuran transistor untuk gerbang NAND empat masukan

Halaman: 23 dari 24
Kesimpulan

Pada CMOS, setiap variabel masukan memerlukan 2 transistor, NMOS dan

PMOS. Penambahan transistor menyebabkan:
- penambahan area yang digunakan
- penambahan kapasitansi efektif setiap gerbang → kenaikan waktu tunda
propagasi.

Waktu tunda propagasi juga akan bertambah dengan meningkatnya jumlah

masukan dan meningkatnya ukuran divais karena akan meningkatkan C.
Oleh karena itu jumlah variabel masukan harus dibatasi maksimum 4.

Kenaikan jumlah keluaran juga akan meningkatkan waktu tunda propagasi karena
akan meningkatkan kapasitansi beban.

Halaman: 24 dari 24