LAPORAN RESMI PRAKTIKUM 6

PIRANTI ELEKTRONIK
POLITEKNIK ELEKTRONIKA NEGERI SURABAYA

SHAFIRA ZELINDA ‘AINIYATUR ROHMAH

(2220610007)

Jl. Raya ITS, Keputih, Kec. Sukolilo, Kota SBY, Jawa Timur 60111

Laman: http://www.pens.ac.id Email: pens@pens.ac.id

 JUNCTION FIELD EFEK MEDAN
(N-JFET)

I. Tujuan:

1. Mahasiswa dapat memahami dasar operasi N-JFET

2. Mahasiswa dapat memahami karakteristik (I-V) drain-source N-JFET
3. Mahasiswa dapat memahami karakteristik (I-V) transfer N-JFET

II. Dasar Teori :

FET adalah suatu komponen yang mempunyai tiga terminal yang berisikan salah satu dasar
p-n junction. Bentuk fisik(struktur) JFET ditunjukkan pada Gambar 2.1. JFET kanal-n tampak
pada Gambar 1(a) dibuat dengan menggunakan bahan tipe-n yang kemudian didifusikan bahan
tipe-p. JFET kanal-p dibuat menggunakan sebuah bahan tipe-p dengan daerah difusi tipe-n
seperti tamapak pada Gambar 1 (b).

Gate (G) Gate (G)

Source (S) P Drain (D) Source (S) P Drain (D)

p-material
N N
Ohmic
contact
(a) (b)
i
D D i
D D
i
G i
+ G
+
G V V
DS
G DS
+ - + -
VGS VGS
- -
S i S iS
S

Gambar 1. Bentuk stuktur JFET dan symbol (a) Kanal-n (b)kanal-p

1
Karakteristik drain source (karakteristik output)
Karteristik output adalah hubungan antara Ip-VDS seperti yang ditunjukkan pada Gambar 2
(b). Apabila harga VDS dinaikkan dengan mengurangi arus drain, suatu tegangan mencapai
tertentu maka arus drain tidak akan bertambah, tanpa memperhatikan tegangan V DS. Tegangan
pinch off gate-source ini, VP atau VGS OFF yang juga parameternya digunakan untuk
kepentingan khusus mengoperasikan FET. Karakteristik drain-source pada Gambar 2(b)
menunjukkan bahwa untuk suatu FET kanal-n, VP nya tegangan negative sedangkan FET kanal-
p,VPnya adalah tegangan positif.

|V |= |V |-|V |
I (mA) ID(mA) DS P GS
D
Below Above V constant Voltage
DS
pinch-offpinch-off
breakdown

Saturation Active region

I region 0V
DSS 10
2 Breakdow
I (mA)= I (1-V /V )
D DSS GS P n region
-1 V

-2V

(a) (b) -3 V
V
GS
(volts) V
-4 -2 0 0 5 10 15

Gambar 2.(a) Karakteristik transfer JFET kanal-n

(b) Karakteristik Drain Source kanal-n

Karkteristik transfer.
Karakteristik lain dari komponen ini adalah karakteristik transfer yang diplot arus drain,
harga ID dari tegangan drain-source VDs. Karakteristik dapat diperoleh langsung dari
pengukuran operasi komponen atau gambar dari karakteristik drain ditunjukkan pada gambar
2(a). Dua hal yang penting dari kurva transfer adalah harga I DSS dan VP. Secara teori hubungan
antara IDSS dan VP pada karakteristik transfer dapat dituliskan pada persamaan (1):

V 2
ID =I 1− GS
(1)
DSS

Vp
2
dimana :
ID = arus drain
IDSS = Arus makasimum saat VGS=0 =
VGS Tegangan Gate-Sourse
Vp = Tegangan pinch off

Kurava karkteristik yang diperlihatkan pada gambar 2(a). Karakteristik drain

menunjukkan bahwa arus saturasi ketika kanal dalam keaadaan pinch off, terjadi pinch off
apabila harga VDS sangat rendah untuk harga yang sangan negative dari V GS (seperti yang
ditunjukkan oleh garis lekukan pada karakteristik drain pada Gambar 2(b). Komponen JFET
biasanya dioperasikan diatas daerah pinch off dari arus saturasi.

III. Alat dan Bahan

1. Voltmeter DC 2 buah
2. Miliamperemeter DC 2 buah
3. Power supply DC 2 bauh
4. Papan rangkai 1 buah
5. N-JFET 1 buah

IV. Rangkaian Percobaan

V2

V1

Gambar 3. Rangkaian percobaan

3
V. Prosedur Percobaan

A. Karakteristik Output

1. Buatlah rangkaian seperti pada Gambar 3. Cek kembali rangkaian sebelum power
supply dinyalakan
2. Atur power supply pada sumber minimum, atur semua alat ukur pada range yang paling
tinggi
3. Nyalakan semua alat ukur dan rangkaian percobaan
4. Set tegangan VGS= 0V, Ukur arus IDS dengan merubah nilai VDS seperti Tabel 1. Catat
hasil pengukuran ID pada Tabel 1
5. Ulangi prosedur 4 untuk nilai VGS= -1V, -2V,-3V dan catat nilai ID pada Tabel 1

Tabel 1. karakteristik drain-source untuk JFET kanal-n

IDS (mA)
VDS
VGS=0 VGS=-1 VGS= -2 VGS= -3
0 0 0 0 0
0,2 0,16 0 0 0
0,4 0,27 0 0 0
0,6 0,31 0 0 0
0,8 0,32 0 0 0
1 0,32 0,0001 0,0001 0,0001
2 0,32 0,0002 0,0002 0,0002
3 0,32 0,0003 0,0003 0,0003
4 0,32 0,0004 0,0004 0,0004
5 0,32 0,0005 0,0005 0,0005
6 0,33 0,0006 0,0006 0,0006
7 0,34 0,0007 0,0007 0,0007
8 0,34 0,0008 0,0008 0,0008
9 0,35 0,0009 0,0009 0,0009
10 0,35 0,001 0,001 0,001

Analisis: Pada percobaan karakteristik drain-source ini mempunyai nilai yang sama pada saat
VGS =-1,-2,-3. Berdasarkan data tersebut dapat diketahui bahwa arus drain sebanding dengan
VGS yang digunakan. Semakin kecil tegangan VGS yang digunakan maka semakin kecil pula
arus yang mengalir pada drain karena semakin negatif nilai VGS yang diberikan akan
menyebabkan semakin lebarnya lapisan deplesi. Sebaliknya jika tegangan bias dari gate ke
source (VGG) dapat diatur besarnya (variabel), sedangkan tegangan supply (VDD) yang konstan
besarnya, maka magnitudo arus drain (ID) akan berkurang dengan pertambahan magnitudo dari
VGS. Sehingga besarnya arus drain (ID) dikontrol oleh besarnya tegangan gate-source (VGS),
B. Karakteristik Transfer

1. Untuk rangkaian yang sama pada Gambar 3 set tegangan VGS=6 V

2. Set VGS =-4V, ukur ID pada karakteristik transfer dan catat hasil pengukuran pada tabel 2
3. Ulangi prosedur 2 untuk nilai VGS =- 3V, -2V, -1V, 0V. Catat kembali hasil pengukuran
pada tabel 2

Tabel 2. karkteristik transfer untuk kanal-n

vGS (V) IDS (mA)

(VDS=6V)
-4 0,0006
-3 0,0006
-2 0,0006
-2 0,0006
-1 0,0006
0 0,33

Analisis: Pada percobaan diatas Pada percobaan karakteristik Transistor Efek Medan (JFET)
karakteristik keluaran dikendalikan oleh tegangan masukan yang diberikan pada gate. Besarnya
tegangan yangdiberikan pada gate akan mempengaruhi besarnya nilai keluaran. dilakukan
dengan mengubah VGS sebesar -4,-3,-2,-1,0 dan mengubah VDS sebesar 6volt, untuk VGS -4V
sampai -1V di temukan nilai IDS 0,0006mA, sedangkan nilai VGS 0 ditemukan nilai IDS 0,33.
Hal ini dikarenakan pada saat itu lapisan deplesi telah menutup kanal sehingga arus yang
mengalir sangat kecil. Karakteristik drain menunjukkan bahwa arus saturasi ketika kanal dalam
keaadaan pinch off, terjadi pinch off apabila harga V DS sangat rendah untuk harga yang negative
dari VGS.
VI. Tugas dan Pertanyaan

1. Buatlah grafik dari karakteristik drain-source dari hasil pengukuran

2. Buatlah grafik dari karakteristik transfer

3. Jelaskan apa yang anda ketahui tentang :

a. Daerah “pinch off”: Daerah Pinch-Off adalah tegangan Gate, VGS cukup untuk
menyebabkan JFET bertindak rangkaian terbuka sebagai Hambatan Saluran
Maksimal.
b. Daerah “ohmic”: Ketika VGS = 0 lapisan penipisan saluran sangat kecil dan JFET
bertindak seperti Resistor yang dikontrol tegangan.
c. Tegangan pinch off,VP: tegangan VGS maksimum dari karakteristik drain source
selanjutnya disebut sebagai tegangan penjepitan, VP, di mana tidak ada lagi arus
drain (ID = 0).
d. IDDS: IDSS adalah arus drain maksimum pada JFET Kanal N dengan kondisi VGS
= 0 Volt dan VDS =|Vp|.

e. Karakteristik transfer : Karakteristik transfer JFET merupakan hubungan antara arus

drain ID dengan tegangan gatesource

f. Karakteristik drain-source: Karakteristik drain–source merupakan suatu kurva untuk

nilai VGS yang bervariasi dari 0 V sampai maksimum (dalam arah minus atau
balik)

g. Transduktansi : perubahan pada arus kolektor dibagi dengan perubahan tegangan

antara basis-emitor
Kesimpulan: Dari percobaan yang telah dilakukan dapat disimpulkan bahwa Mahasiswa
dapat memahami dasar operasi N-JFET. Mahasiswa dapat memahami karakteristik (I-V)
drain-source N-JFET. Mahasiswa dapat memahami karakteristik (I-V) transfer N-JFET
Tegangan Gate dan Source (VGS) adalah tegangan pengontrol ID dan VDS padaJFET.
Kurva karakteristik input dari JFET berbentuk setengah parabola dengan sumbux adalah
VGS dan sumbu y adalah ID. Nilai arus maksimum disebut IDSS= arus saturasitransistor,
yaitu saat VGS=0. Ketika ID=0, maka VGS=VP (Pinch Off Voltage/TeganganJepit).
Kurva karakteristik output akan mendekati konstan pada active regi. Daerahaktif dan
daerah resistif dibatasi oleh garis VDS= |VP|. Daerah sebelah kiri garis disebutdaerah
resistif dimana kurva berbentuk linier dan daerah sebelah kanan garis disebutdaerah aktif
dimana kurva berbentuk konstan. Berdasarkan praktikum dapat disimpulkan bahwa
pemberian bias tegangan pada transisitor efek medan, yaitu antara gate dan source
diberikan bias mundur, sedangkan antaradrain dan source diberikan tegangan maju.
Semakin besar nilai tegangan VDS yang diberikan maka semakin besar pula arus drain
yang mengalir dan semakin negatif tegangan VGS yang diberikan maka arus drain
semakin kecil akibat semakin melebarnya lapisan deplesi. Transkonduktansi merupakan
kurva yang menunjukkan hubungan antara arus drain dengantegangan gate-sorce. ketika
tegangan gate source (VGS) mencapai maksimum maka akan sama dengan tegangan
penjepit yakni tidak ada ada lagi arus yang mengalir pada drain.