LAPORAN RESMI PRAKTIKUM 2

PIRANTI ELEKTRONIK
POLITEKNIK ELEKTRONIKA NEGERI SURABAYA

LAILATUL YULIA WATI (2220610006)

SHAFIRA ZELINDA ‘AINIYATUR ROHMAH(2220610007)

Jl. Raya ITS, Keputih, Kec. Sukolilo, Kota SBY, Jawa Timur 60111

Laman: http://www.pens.ac.id Email: pens@pens.ac.id

Judul: DIODA PERSAMBUNGAN PN

Tujuan
1. Memahami konsep bias tegangan pada dioda persambungan PN
2. Memahami karakteristik statis dari dioda persambungan PN.
3. Membandingkan karakteristik dioda Silikon dan dioda Germanium.

Dasar Teori :
Dioda merupakan piranti elektronika yang dibentuk dari dua semikonduktor tipe
P dan tipe N yang dibatasi oleh junction (persambungan) seperti ditunjukkan pada
Gambar 1. Dioda akan bekerja berdasarkan rekombinasi hole dan elektron pada daerah
junction melalui pemberian bias. Ada dua metode pemberian bias pada dioda yaitu
forward bias dan reverse bias seperti ditunjukkan pada Gambar 2. Pada forward bias,
elektron dan hole akan menembus junction sehingga daerah deplesi menyempit
sehingga ada arus yang mengalir, sedangkan pada reverse bias daerah deplesi semakin
lebar dan menyebabkan tidak ada arus yang mengalir.

Anoda Katoda

(b)
(a)
Gambar 1. (a) PN Junction (b) Simbol Dioda

(a) (b)
Gambar 2. Metode bias dioda (a) Forward bias (b) Reverse bias
1
 Karakteristik arus dan tegangan (I-V) yang mengalir melalui PN junction
dinyatakan melalui persamaan (1)
  
I=I e −1
ev / kT


 

s  (1)
 
dimana Is : reverse saturation current
e : electronic charge
k : konstanta Boltzmann
T : temperatur junction pada bilangan absolut T = 300oK
e/kT = 1.6 x 10-19

Apabila junction dalam kondisi forward bias, V positif. Sedangkan apabila junction
dalam kondisi reverse bias, V negatif. Jika V harganya dalam beberapa ratus millivolts,
persamaan (1) menjadi
   
I=I
 ev / kT 

e 
s  (2)
 

Jenis semikinduktor yang sering digunakan sebagai bahan PN junction adalah

Germanium dan Silikon. Adapun perbedaan karakteristik dari kedua PN junction
ditunjukkan pada Gambar 3.

Gambar 3. Karakteristik Dioda Germanium (Ge) dan Silikon (Si).

2
. Peralatan :

1. Power Supply DC 1 buah

2. Voltmeter DC 1 buah
3. Mili-ammeter DC 1 buah
4. Resistor 470 Ώ 1 buah
5. Dioda silikon 1 buah
6. Dioda Germanium 1 buah

7. Papan rangkai 1 buah

. Rangkaian Percobaan

Gambar 4. Rangkaian percobaan

V. Prosedur Percobaan :
1. Cek seluruh peralatan dalam kondisi baik.
2. Buat rangkaian seperti Gambar 4 menggunakan dioda silikon dengan posisi anoda
terhubung dengan ammeter dc dan katoda terhubung pada negatif power supply.
3. Cek kembali rangkaian sebelum power supply dihidupkan, gunakan range terbesar
pada ammeter dan voltmeter DC.
4. Hidupkan power supply, naikkan perlahan tegangan pada power supply (Vin)
hingga jarum pada ammeter menyimpang.
5. Ukur tegangan V dengan mengatur arus I pada ammeter mengikuti Tabel 1.
6. Ulangi prosedur nomer 2 dengan posisi anoda-katoda dibalik (reverse bias).
7. Atur tegangan pada voltmeter sesuai dengan Tabel 2, amati dan catat nilai arus
yang terbaca pada ammeter pada Tabel 2

3
8. Ulangi langkah 2-7 dengan mengganti dioda silikon dengan dioda germanium
kemudian catat pada Tabel 1 dan 2 untuk dioda Germanium.

Tabel 1. Forward bias Tabel 2 . Reverse bias

I (mA) V(V) I (mA) V(V)
0 0,31 0 0
0,1 0,47 0 1
0,2 0,50 0 2
0,3 0,52 0 3
0,4 0,53 0 4
0,5 0,54 0 5
0,6 0,55 0 6
0,7 0,55 0 7
0,8 0,56 0 8
0,9 0,56 0 9
1 0,57 0 10
2 0,59
3 0,61
4 0,62
5 0,63
6 0,64
7 0,64
8 0,65
9 0,65
10 0,66
 I (mA) V(V)
I (mA) V(V)
0 0,15
0 0
0,1 0,28
0 1
0,2 0,30
0 2
0,3 0,31
0 3
0,4 0,32
0 4
0,5 0,32
0 5
0,6 0,33
0 6
0,7 0,33
0 7
0,8 0,34
0 8
0,9 0,34
0 9
1 0,35
0 10
2 0,37
3 0,39
4 0,41
5 0,43
6 0,44
7 0,45
8 0,47
9 0,48
10 0,49

lampiran :

1. Diode 1N5401 Forward

2. Diode 1N5401 Reverse

\
1. Diode 1N34A Forward
reverse
 1. Diode1N34A Forward
2. Diode 1N34A Reverse
reserve

mA
10
Diode 1N5401
(Ge)

Forward

0,56 (v)

Reserve
 mA
Diode 1N34A (Ge)

Forward

0,34 (v)
Reserve
Analisis
Berdasarkan praktikum yang telah dilakukan terlihat bahwa dioda berguna
menyearahkan arus pada satu arah karena pada sifat dioda yaitu mengalirkan arus hanya
dalam satu arah. Untuk arah yang searah tegangan(Forward bias), sedangkan pada arah
balik (Reverse Bias) arus yang di lewatkan sangat kecil, sehingga dapat diabaikan atau
dianggap 0. Praktikum ini mempelajari hubungan perubahan tegangan dan arus listrik
sehingga semakin besar tegangan dioda maka semakin besar pula arus diodanya,namun
dari grafik terlihat hubungan antara tegangan dioda dan arus dioda tidak linear, hal ini
disebabkan karena adanya potensial penghalang (Potensial Barier). Ketika tegangan dioda
lebih kecil dari tegangan penghambat tersebut maka arus dioda akan kecil, ketika
tegangan dioda melebihi potensial penghalang maka arus dioda akan naik. dioga
germanium (Ge) 0,3V, Silikon (Si) 0,7V.

Kesimpulan
Berdasarkan praktikum yang telah dilakukan membuktikan bahwa :
Bila tegangan anoda nol terhadap katoda, maka anda tidak menghisap elektron dari katoda.
Sebenarnya ada beberapa elektron dengan kecepatan tinggi dapat mencapai anoda, dan
eloran elektron ini menghasilkan arus listrik yang sangat kecil sekali, tidak terlihat pada
ampere meter, sehingga dapat diabaikan. Bila tegangan anoda negatif terhadap katoda
(tegangan dengan hubungan arah balik), maka akan timbul medan listrik yang arahnya
menolak elektron, sehingga dioda tidak menghantarkan arus listrik. Bila tegangan anoda
positif terhadap katoda (tegangan yang diberikan adalah arah maju), maka timbul medan
listrik yang arahnya menghisap elektron, sehingga dioda menghantarkan arus listrik. Semakin
besar tegangan dioda maka semakin besar pula arus diodeKetika tegangan dioda lebih kecil
dari tegangan penghambat maka arus dioda akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi
potensial penghalang maka arus dioda akan naik.