LAPORAN

PRATIKUM ILMU ELEKTRONIKA

DIODA PENYEARAH

DOSEN PENGAMPU :
Dr. Muhammad Anwar, S.Pd, MT

OLEH :
Widya Juliani Putri (22065044)
Shalsa Bila Amania (22065040)
Rahman Surya (22065036)
Muhammad Haikal (22065033)

JURUSAN TEKNIK ELEKTRONIKA

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS NEGERI PADANG
2023
Jurusan Teknik Elektronika Kode MK : ELA1.61.3308
Prodi Pend. Teknik Elektronika Waktu : 150 menit
MK Praktikum Ilmu Elektronika Topik : Dioda Penyearah

A. Tujuan (objective)
Setelah selesai melakukan praktikum ini, diharapkan mahasiswa mampu ;

1. Merangkai percobaan untuk mendapatkan grafik karakteristik dioda

2. Mengetahui kaki kaki dioda yang anoda dan katoda berdasarkan bentuk dan informasi
fisiknya
3. Melakukan percobaan untuk mendapatkan Karakteristik dioda saat arah Maju (forward)
4. Melakukan percobaan untuk mendapatkan karakteristik dioda saat arah Mundur
(Reverse)

B. Teori Singkat

Dioda semikonduktor

Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di

antara insulator (isolator) dan konduktor. Bahan yang sangat penting dalam
semikonduktor adalah silikon dan germanium. Elektron yang berada pada orbit terluar
disebut elektron valensi yang merupakan elektron yang penting. Pada suhu kamar,
elektron konduktor tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu nucleus
ke nucleus lainnya, tanpa beda potensial bergerak tidak teratur, namun jika ada beda
potensial elektron tersebut bergerak dari arah Negatip ke Positip.
Atom germanium memiliki atom valensi sebanyak 4, sehingga harus berikatan
dengan atom germanium lainnya, Ikatan atom atom germanium tersebut membentuk
ikatan kovalen. Ikatan elektron pada atom (germanium) dapat lepas karena pengaruh
energi dari luar seperti panas. Aliran elektron berasal dari tempat yang memiliki elektron
banyak ke tempat yang memiliki elektron yang lebih sedikit dari – ke +. Sedangkan untuk
Hole berasal dari Positip ke Negatip.
Bahan yang digunakan untuk pengotor semikonduktor untuk menghasilkan
semikonduktor tipe N adalah Arsen dan phospor yang memiliki elektron. Bahan yang
digunakan untuk pengotor semikonduktor untuk menghasilkan semikonduktor tipe P
adalah boron, Galium, Indium yang memiliki elektron valensi sebanyak 3 buah. Phospor
adalah atom dengan elektron valensi 5 (jumlah elektron terluar) sehingga jika di pakai
untuk pengotor atom silikon akan membentuk kelebihan 1 elektron, karena kelebihan
elektron dikatakan semikonduktor tipe N. Boron adalah atom dengan elektron valensi 3
(jumlah elektron terluar) sehingga jika di pakai untuk pengotor atom silikon akan
membentuk kelebihan 1 elektron, karena kelebihan elektron dikatakan semikonduktor tipe
N. Jika semikonduktor tipe P dan semikonduktor tipe di pertemukan akan menjadi Dioda.
Dioda dibentuk oleh susunan dua buah semi konduktor type-P dan type-N yang
dihubungkan sedemikian rupa sehingga membentuk junction PN.
Dioda semi konduktor merupakan komponen aktif elektronika yang dirancang
untuk beberapa keperluan rangkaian elektronika, seperti penyearah tegangan bolak-balik,
penstabil tegangan, proteksi tegangan balik induksi dan sebagainya. Resistansi statik
(RD) dari diode didefinisikan sebagai perbandingan (V/I) dari tegangan dan arus
disebarang titik karakteristik volt-ampere. Tahanan dinamik (rD) dari sebuah diode
merupakan perbandingan (V/I) dari perubahan tegangan dengan perubahan arus valensi.

 Forward Bias dan Reverse Bias

Dioda mendapatkan arah maju (forward bias) jika kutub Anoda (A) dihubungkan
ke Positip dan Katoda (K) melalui beban ke Negatip. Dioda mendapatkan arah Mundur
(Reverse bias) jika kutub Anoda (A) dihubungkan ke Negatip dan Katoda (K) melalui
beban ke Positip. Disaat arah maju dioda mempunyai resistansi yang rendah hanya
beberapa Ohm , dan identik dengan sakelar pada posisi tertutup (ON). Tegangan antara
Anoda dan Katoda untuk jenis silikon sekitar 0,7 V dan germanium 0,3 V, ini akan
meningkat naik seiring dengan menaiknya arus dioda. Disaat arah Reverse dioda
mempunyai resistansi yang sangat tinggi bisa sampai ratusan Mega Ohm , dan identik
dengan sakelar pada posisi terbuka (OFF).
Bila kurva karakteristik forward dan reverse bias digabungkan, maka dihasilkan kurva
karakteristik dioda seperti gambar di bawah :

Gambar. 1. Karakteristik dioda

Gambar 4.3 Rangkaian untuk menyelidiki karakteristik diode

 Dengan memvariasi potensio P dan mencatat V dan I kemudian menggambarkan
dalam grafik, maka diperoleh kurve karakteristik dioda (karakteristik statis). Pada
umumnya hasilnya adalah seperti pada gambar 4.4 .

C. Alat dan Bahan

1. Power Supply DC (1 buah)
2. Multimeter (1 buah)
3. Project Board (1 buah)
4. Dioda 1N4001/1N4002 (4 buah)
5. Resistor Variabel (2 buah)
6. Resistor 1Kohm (1 buah)
7. Kapasitor 47uF/25V (2 buah)
8. Transformator (1 buah)
9. Kabel jumper secukupnya

D. Gambar Percobaan
Kemukakan gambar percobaan untuk mendapatkan hasil sesuai tujuan praktikum.

I
+ -
A
A K
R
V

Gambar 2. Dioda Forward Bias

Gambar 3. Dioda Reverse Bias

E. Langkah Kerja
1) Bias Maju
a. Aktifkan sumber tegangan DC yang mencatu dioda. Naikkan nilai
tegangan dc perlahan – lahan sesuai dengan tabel data hasil pengukuran.
b. Saat mengubah besar tegangan catu, gunakanlah Voltmeter DC untuk
mengecek nilai tegangan tersebut.
c. Amatilah besarnya arus I pada Ammeter saat tegangan catunya dinaikkan.
d. Lakukan pengukuran besar tegangan pada terminal Anoda-Katoda (VAK)
dioda dan tegangan pada beban R saat tegangan catunya dinaikkan
e. Catatlah data hasil pengukuran yang Saudara lakukan pada tabel berikut

2. Bias Mundur

a. Ubahlah polaritas tegangan catu dioda pada Gambar 1 menjadi seperti pada
Gambar8
b. Lakukanlah prosedur yang sama dengan percobaan dioda pada bias maju.
c. Catatlah data hasil pengukuran yang Saudara lakukan pada tabel berikut

F. Tabel Pengukuran
Jika diperlukan, buat tabel pengukuran untuk membantu mahasiswa melakukan
praktikum, membuat gambar, melakukan analisis, dst.

Tabel 1. Data hasil pengukuran dioda bias maju

V VAK (mV) I (mA) VR (mV)

0 0 0 0
0,2 0,2 0 0
0,4 0,45 0 0,375
0,6 0.5 0,1 0,11
0,8 0.75 0,3 0,3
1 0,55 0,45 0,45
2 0,6 1,4 1,3
3 0,6 2,5 2,4
4 0,65 3,4 3,4
5 0,65 4,4 4,4
 Tabel 2. Data hasil pengukuran dioda bias mundur

V VaK (mV) I (mA) VR (mV)

0 0 0 0
0,2 0,2 0 0
0,4 0,4 0 0
0,6 0,6 0 0
0,8 0,8 0 0
1 1 0 0
2 2 0 0
3 3 0 0
4 4 0 0
5 5 0 0

G. Kesimpulan
1. Bias Maju
Dioda jenis ini dibuat dengan dua terminal pada kedua sisinya yaitu P-N
junction semikonduktor dengan karakteristik mengalirkan arus listrik hanya dalam satu
arah, bila tegangan positif (+) dipasang pada semikonduktor jenis P dan tegangan negatif
(-) dipasang pada semikonduktor tipe N, maka hole dan elektron berlawanan pada sumber
listrik kemudian potensi pemisah perbedaan listrik rendah dan juga lapisan deplesi juga
dikecilkan. Akibatnya hole dan electron memungkinkan bergerak bersebrangan melewati
permukaan junction.

2. Bias Mundur
Pada arah tagangan negatif (-) pada semikonduktor tipe P dan tegangan positif
(+) pada semikonduktor tipe N. Kemudian semikonduktor P di hubungkan dengan
sumber tegangan negatif (-), dan sebaliknya akan berkibat pembatas potensial
meningkat dan secara bersamaan lapisan deplesi juga melebar sehingga elektron
tidak dapat bergerak melewati antara kedua jenis semikonduktor. Akibatnya arus
listrik tidak dapat mengalir dalam rangkain