I.

Topik Percobaan
Karakteristik Dioda

II. Tujuan Percobaan

Menemukan kurva hubungan antara V-I pada dioda

III. Alat dan Bahan

Menggunakan aplikasi Virtual Labs
http://vlabs.iitkgp.ac.in/be/exp5/forwardbiaseddiode_si_ver1.html (Bias Maju Dioda
Silikon)
http://vlabs.iitkgp.ac.in/be/exp5/reversebiaseddiode_si_ver1.html (Bias Mundur Dioda
Silikon)

IV. Landasan Teoritis dan Prosedur Pengukuran

A. Dasar Teori

Dioda adalah salah satu alat elektronika yang terbentuk dari dua buah jenis
semikonduktor yaitu jenis n dan jenis p yang terhubung. Daerah terhubungnya atau
bertemunya sambungan p dan sambungan n disebut junction.

Dalam diode terdapat lapisan yang disebut lapisan pengosongan (Depletion

Layer). Lapisan tersebut terjadi karena adanya gaya saling tolak menolak sehingga
menyebabkan electron pada daerah n akan berdifusi atau menyebar ke segala arah.
Ada beberapa yang akan berdifusi melalui junction. Jika sebuah elektron bebas
meninggalkan daerah n, maka akan terbentuk sebuah atom bermuatan positif (ion
positif) di dalam daerah n. Sebaliknya, jika ia memasuki daerah p, maka electron
tersebut akan menjadi pembawa minoritas. Dengan demikian akan banyak hole di
sekitarnya, prmbawa minoritas ini mempunyai waktu hidup yang sangat singkat. Oleh
karena itu, segera setelah memasuki daerah p, electron bebas akan jatuh ke dalam
hole. Bila ini terjadi, hole akan menghilang dan atom yang bersangkutan akan
bermuatan negative (ion negative). Jika jumlah ion bertambah banyak, maka daerah di
sekitar junction dikosongkan dari electron bebas dan hole. Daerah inilah yang disebut
sebagai lapisan pengosongan (depletion layer).

Pada suatu saat lapisan pengosongan ini akan berlaku sebagai penghalang
(barier) bagi elektron bebas untuk berdifusi lebih lanjut melewati junction. Akan
tetapi jika electron bebas mempunyai kekuatan yang sangat besar sehingga dapat
menembus lapisan pengosongan dan membentuk ion negative di daerah p. Kekuatan
dari lapisan pengosongan juga akan bertambah besar seiring dengan banyaknya
electron yang dapat menembus. Hingga pada akhirnya mengalami suatu
keseimbangan dimana lapisan pengosongan akan menghentikan difusi dari pada
electron bebas. Hal ini akan menimbulkan beda potensial pada lapisan pengosongan
yang disebut potential barier. Pada suhu 25 derajat Celcius, potensial barier ini adalah
0,7 V. Jadi pada saat keseimbangan telah dicapai potential barier ini akan
mempertahankan kedudukannya pada ngka 0,7 V.

Ketika diode di aliri dengan sebuah tegangan dc diode dapat mengalami bias
maju ataupun bias mundur. Bias maju (forward bias) terjadi ketika tegangan dc kutub
positif dihubungkan pada sisi positif (daerah p) pada diode sedangkan kutub negative
dihubungkan pada sisi negative (daerah n) pada diode. Pada keadaan forward bias ini
akan ada arus yang mengalir pada rangkaian. Dimana arus tersebut akan muncul
ketika tegangan sumber yang dimasukkan mencapai 0,7V, dan tegangan dioda akan
bernilai maksimum 0,7 walaupun tegangan masukanya mencapai 20 V. Hal ini
dikarenkan adanya potential barier. Bias mundur (reverse bias) terjadi ketika tegangan
dc kutub negatif dihubungkan pada sisi positif (daerah p) pada diode sedangkan kutub
positif dihubungkan pada sisi negative (daerah n) pada diode.

1. Bias Maju
 Lapisan yang melintang antara sisi P dan sisi N diatas disebut sebagai
lapisan deplesi (depletion layer), pada lapisan ini terjadi proses keseimbangan
hole dan elektron. Pada saat dioda diberi bias maju, maka elektron akan
bergerak dari terminal negatif batere menuju terminal positif batere
(berkebalikan dengan arah arus listrik). Yang di sebut dengan bias maju adalah
ketika dioda di beri arus listrik dioda tersebut dapat megalirkan arus listrik.
2. Bias Mundur

Berkebalikan dengan bias maju, pada bias mundur elektron akan

bergerak dari terminal negatif batere menuju anoda dari dioda (sisi P). Pada
kondisi ini potensial positif yang terhubung dengan katoda akan membuat
elektron pada katoda tertarik menjauhi depletion layer, sehingga akan terjadi
pengosongan pada depletion layer dan membuat kedua sisi terpisah.
B. Prosedur Kegiatan
Aktivitas 1
1. Merangkai rangkaian seperti pada gambar di bawah

2. Memilih kode dioda yang akan digunakan yaitu 1N4001

3. Mengatur hambatan yang digunakan dengan nilai 290 Ω
4. Mengatur tegangan yang digunakan dengan nilai 0,3 Volt
5. Memperhatikan nilai tegangan dioda maju dan arus diode maju maksimum yang
dihasilkan
 6. Mengulangi langkah 4-5 dengan mengubah nilai tegangan yang digunakan
7. Memasukkan data kedalam tabel 1
8. Menganalisis grafik yang di hasilkan untuk mengetahui kurva hubungan V-I

Aktivitas 2
1. Merangkai rangkaian seperti pada gambar di bawah

2. Memilih kode dioda yang akan digunakan yaitu 1N4001

3. Mengatur hambatan yang digunakan dengan nilai 290 Ω
4. Mengatur tegangan yang digunakan dengan nilai 0,2 Volt
5. Memperhatikan nilai tegangan dioda mundur dan arus dioda mundur maksimum
yang dihasilkan
6. Mengulangi langkah 4-5 dengan mengubah nilai tegangan yang digunakan
7. Memasukkan data kedalam tabel 2
8. Menganalisis grafik yang di hasilkan untuk mengetahui kurva hubungan V-I

V. Data Hasil Pengamatan

Tabel 1. Percobaan Bias Maju Dioda Silikon

NO R DC V Forward Voltage Forward Current

(Volt) (m Amp ¿
1 290 Ω 0,3 V 0 0

2 290 Ω 0,7 V 0, 562 V 0, 344 m Amp

3 290 Ω 0,9 V 0, 568 V 1, 03 m Amp

4 290 Ω 1,1 V 0, 573 V 1, 72 m Amp

 5 290 Ω 1,3 V 0, 578 V 1, 41 m Amp

6 290 Ω 1,5 V 0,582 V 3, 10 m Amp

7 290 Ω 1,7 V 0, 585 V 3, 79 m Amp

8 290 Ω 1,9 V 0, 588 V 4, 48 m Amp

9 290 Ω 2,1 V 0,590 V 5, 17 m Amp

10 290 Ω 2,3 V 0, 593 V 5, 86 m Amp

Grafik 1. Percobaan Bias Maju Dioda Silikon

Tabel 2. Percobaan Bias Mundur Dioda Silikon

NO R DC V Reverse Voltage Reverse Current

(Volt) ( μAmp ¿
1 290 Ω 0, 2 V 0,170 V 0

2 290 Ω 2, 2 V 2, 03 V 0, 100 μAmp

3 290 Ω 4, 2 V 3, 97 V 0, 100 μAmp

4 290 Ω 6, 25 V 5, 98 V 0, 100 μAmp

5 290 Ω 8, 25 V 7, 97 V 0, 100 μAmp

6 290 Ω 10, 25 V 9, 97 V 0, 100 μAmp

 7 290 Ω 12, 25 V 12, 0 V 0, 100 μAmp

8 290 Ω 14, 45 V 14, 4 V 0, 100 μAmp

9 290 Ω 16, 65 V 16, 4 V 0, 100 μAmp

10 290 Ω 30, 2 V 30, 4 V 51, 186 μAmp

Grafik 2. Percobaan Bias Mundur Dioda Silikon

VI. Analisis dan Simpulan

Kesimpulan Percobaan Bias Maju Dioda Silikon:

Berdasarkan percobaan forward bias yang kami lakukan di Virtual Labs, dapat kami
simpulkan bahwa:
Dioda yang diberi pertegangan maju ( forward bias), dioda dapat mengalirkan arus,
hal ini dapat dibuktikan dengan terjadinya kenaikan tegangan saat arus yang masuk
semakin diperbesar.
Dapat dilihat pada grafik percobaan pertama ini menggunakan percobaan Forward
Bias untuk rangkaian diode, arus yang dialirkan dari 0,344 mA sampai 5,86 mA. Pada
forward bias ini, arus mengalir dari anoda ke katoda. Rangkaian forward bias yaitu
kaki anodanya disambungkan ke kutub positif dan katodanya disambungkan ke
kutub negatif . Dari data di atas dapat diketahui bahwa pada Forward Bias nilai tegangan
beban semakin besar dengan pertambahan tegangan sumber sementara. Dalam forward
bias, kutub negatif baterai akan menolak elekton-elektron bebas yang ada dalam
semikonduktor tipe N, jika energi listrik yang digunakan adalah melebihi tegangan barir,
maka elektron yang tertolak tersebut akan melintasi daerah deplesi dan bergabung dengan
hole yang ada pada tipe P, hal ini terjadi terus menerus selama rangkaian di gambar
 tersebut adalah tertutup. Kondisi inilah yang menyebabkan adanya arus listrik yang
mengalir dalam rangkaian forward bias

Kesimpulan Percobaan Bias Mundur Dioda Silikon:

Berdasarkan percobaan reverse bias yang kami lakukan di Virtual Labs, dapat kami
simpulkan bahwa
Dioda yang diberi pertegangan balik (reverse bias), maka dioda sulit mengantarkan
arus, hal ini dapat dibuktikan dengan tidak adanya arus yang mengalir pada rangkaian.
Dapat dilihat dari grafik percobaan kedua menggunakan percobaan Reverse Bias
untuk rangkaian dioda. Tegangan yang dialirkan dari 0,170 V sampal 30,4 V. Dari sampel
data dapat diketahui bahwa reverse bias nilai arus beban adalah sama dengan nol ini
dikarenakan posisi dioda terbalik (reverse). Ketika dioda dibias mundur, maka tidak ada
aliran arus listrik yang melewati dioda. Hal ini dikarenakan elekton bebas yang ada pada
tipe N tertarik oleh kutub positif baterai dan demikian juga hole pada tipe P berkombinasi
dengan elektron dari baterai, sehingga lapisan pengosongan menjadi semakin lebar.
Dengan semakin lebarnya lapisan pengosongan ini, maka dioda tidak akan mengalirkan
arus listrik. Ketika tegangan bias mundur terus diperbesar, maka pada suatu nilai di
tegangan tertentu dioda akan rusak, karena adanya proses avalan yang menyebabkan
dioda rusak secara fisik.

VII. Daftar Pustaka

Irma, Y & Irfan, D. 2018. “Komponen Elektronika”. Padang:

Sukabina Press.
Irma, Y & Irfan, D. 2018. “Komponen Elektronika”. Padang:
Sukabina Press.
Millman, Jacob. Alih bahasa: Sutanto. 1993. Mikroelektronika Sistem Digital dan
Rangkaian Analog. Jakarta : Penerbit Erlangga.
Malvino, Albert Paul. Alih bahasa: Barmawi. 1985. Pinsip- prinsip Elektronika.
Jakarta : Penerbit Erlangga.
Woollard, Barry. Alih bahasa: H. Kristanto. 2006. Elektronika Praktis. Jakarta :
Pradnya Paramita.