LAPORAN PRAKTEK ELEKTRONIKA ANALOG

“KARAKTERISASI DIODA”

<logo Polsri>

Disusun oleh:
Muhammad Akbar Adityah (062230701455)

Program Studi D3 Teknik Komputer

Jurusan Teknik Komputer

Politeknik Negeri Sriwijaya

Genap 2020 - 2021

A. TUJUAN PRAKTIKUM
Adapun tujuan melakukan praktikum karakterisasi diode adalah
sebagai berikut:
1. Mengetahui karakteristik diode pada keadaan bias maju dan
bias mundur.
2. Menggambar grafik I-V dari diode pada keadaan bias maju dan
bias mundur.
3. Membandingkan hasil karakterisasi diode tanpa CRO dan
menggunakan CRO.

B. DASAR TEORI
Dioda adalah salah satu alat elektronika yang terbentuk dari dua
buah jenis semikonduktor yaitu jenis n dan jenis p yang terhubung.
Daerah terhubungnya atau bertemunya sambungan p dan sambungan n
disebut junction.
Dalam diode terdapat lapisan yang disebut lapisan pengosongan
(Depletion Layer). Lapisan tersebut terjadi karena adanya gaya saling
tolak menolak sehingga menyebabkan electron pada daerah n akan
berdifusi atau menyebar ke segala arah. Ada beberapa yang akan
berdifusi melalui junction. Jika sebuah elektron bebas meninggalkan
daerah n , maka akan terbentuk sebuah atom bermuatan positif (ion
positif) di dalam daerah n. Sebaliknya, jika ia memasuki daerah p, maka
electron tersebut akan menjadi pembawa minoritas. Dengan demikian
akan banyak hole di sekitarnya, prmbawa minoritas ini mempunyai
waktu hidup yang sangat singkat. Oleh karena itu, segera setelah
memasuki daerah p, electron bebas akan jatuh ke dalam hole. Bila ini
terjadi, hole akan menghilang dan atom yang bersangkutan akan
bermuatan negative (ion negative). Jika jumlah ion bertambah banyak,
maka daerah di sekitar junction dikosongkan dari electron bebas dan
hole. Daerah inilah yang disebut sebagai lapisan pengosongan.
 Pada suatu saat lapisan pengosongan ini akan berlaku sebagai
penghalang (barier) bagi elektron bebas untuk berdifusi lebih lanjut
melewati junction. Akan tetapi jika electron bebas mempunyai kekuatan
yang sangat besar sehingga dapat menembus lapisan pengosongan dan
membentuk ion negative di daerah p. Kekuatan dari lapisan
pengosongan juga akan bertambah besar seiring dengan banyaknya
electron yang dapat menembus. Hingga pada akhirnya mengalami
suatu keseimbangan dimana lapisan pengosongan akan menghentikan
difusi dari pada electron bebas. Hal ini akan menimbulkan beda
potensial pada lapisan pengosongan yang disebut potential barier. Pada
suhu 25 derajat Celcius, potensial barier ini adalah 0,7 V. Jadi pada saat
keseimbangan telah dicapai potential barier ini akan mempertahankan
kedudukannya pada angka 0,7.
Ketika diode di aliri dengan sebuah tegangan dc diode dapat
mengalami bias maju ataupun bias mundur. Bias maju (forward bias)
terjadi ketika tegangan dc kutub positif dihubungkan pada sisi positif
(daerah p) pada diode sedangkan kutub negative dihubungkan pada sisi
negative (daerah n) pada diode. Pada keadaan forward bias ini akan ada
arus yang mengalir pada rangkaian. Dimana arus tersebut akan muncul
ketika tegangan sumber yang dimasukkan mencapai 0,7V, dan tegangan
dioda akan bernilai maksimum 0,7 walaupun tegangan masukanya
mencapai 20 V. Hal ini dikarenkan adanya potential barier. Bias mundur
(reverse bias) terjadi ketika tegangan dc kutub negatif dihubungkan
pada sisi positif (daerah p) pada diode sedangkan kutub positif
dihubungkan pada sisi negative (daerah n) pada diode.
C. METODE
1. Alat dan Bahan
a. Dioda
b. Resistor
c. Multimeter
d. Power Supply
e. Kabel Power
f. Kabel Ground
g. Kabel Probe
h. Project Board
2. Skema Alat
Karakterisasi Dioda Tanpa CRO
a. Bias Maju (A1)

3. Langkah Kerja
a. Karakterisasi dioda tanpa CRO
Bias Maju
Menyiapkan alat dan bahan yang telah dipersiapkan kecuali
CRO Merangkai diode dan resistor dengan rangkaian seperti
pada gambar skema alat diatas. (Gambar A1).
Menyalakan power supply.
Mengatur tegangan sumber pada power supply.
Mengukur tegangan pada diode dengan menggunakan
multimeter. Mengubah rangkaian menjadi rangkaian seri
untuk menghitung arus yang muncul.
Mengulangi praktikum tersebut dengan variasi sumber
tegangan yaitu, 0.1V, 0.2V, 0.3V, 0.4V, 0.5V, 0.6V,
0.7V, 0.8V, 0.9V, 1.0V, 1.1V, 1.2V, 1.5V, 2.0V, 5.0V,
10.0V, 15.0V, 20.0V.
Mengulangi semua langkah diatas dengan doioda yang
berbeda
D. TABULASI DATA
1. Karakterisasi diode tanpa menggunakan CRO
a. Dioda 1
➢ Bias Maju
Data karakterisasi diode pertama bias maju adalah sebagai
berikut.
No V Sumber V dioda I dioda
1. 0 0 0A
2. 0,1 100 mV 0A
3. 0,2 200 mV 0A
4. 0,3 300 mV 0A
5. 0,4 391 mV 0A
6. 0,5 441 mV 26,7 μA
7. 0,6 463 mV 62,3 μA
8. 0,7 476 mV 102 μA
9. 0,8 485 mV 143 μA
10. 0,9 491 mV 186 μA
11. 1 497 mV 229 μA
12. 1,1 501 mV 272 μA
13. 1,2 505 mV 316 μA
14. 1,5 514 mV 448 μA
15. 2 524 mV 671 μA
16. 5 535 mV 2,02 mA
17. 10 572 mV 4,29 mA
18. 15 583 mV 6,55 mA
19. 20 591 mV 8,82 mA

Dari data diatas dihasilkan grafik I terhadap V seperti berikut

ini.
<gambar>

2. Karakterisasi diode dengan menggunakan CRO.

Dioda 1
➢ Bias Maju
Data karakterisasi diode pertama bias maju adalah sebagai
berikut.
 No Vs Vd V resistor I
1. 0,1 100 mV 0V 0A
2. 0,2 200 mV 0V 0A
3. 0,3 300 mV 0V 0A
4. 0,4 391 mV 8,55 mV 0A
5. 0,5 441 mV 58,8 mV 26,7 μA
6. 0,6 463 mV 137 mV 62,3 μA
7. 0,7 476 mV 224 mV 102 μA
8. 0,8 485 mV 315 mV 143 μA
9. 0,9 491 mV 409 mV 186 μA
10. 1 497 mV 503 mV 229 μA
11. 1,1 501 mV 599 mV 272 μA
12. 1,5 514 mV 986 mV 448 μA
13. 3 538 mV 2.46 V 1,12 mA
14. 5 553 mV 4.45 V 2,02 mA
15. 10 572 mV 9,43 V 4,29 mA
16. 15 583 mV 14,4 V 6,55 mA
17. 20 591 mV 19,4 V 8,82 mA

Dari data diatas dihasilkan grafik I terhadap V seperti berikut ini.

C. PEMBAHASAN

F. KESIMPULAN
G.DAFTAR PUSTAKA
H.LAMPIRAN
Gambar 1.1

Gambar 1.2

Gambar 1.3

Gambar 2.1

Gambar 2.2

Gambar 2.3
Gambar 2.4

Keterangan :