LAPORAN PRAKTEK ELEKTRONIKA ANALOG

“KARAKTERISASI DIODA”

<logo Polsri>

Disusun oleh:
Nama (NPM)

Program Studi D3 Teknik Komputer

Jurusan Teknik Komputer
Politeknik Negeri Sriwijaya
Genap 2020 - 2021
A. TUJUAN PRAKTIKUM
Adapun tujuan melakukan praktikum karakterisasi diode adalah sebagai berikut:
1. Mengetahui karakteristik diode pada keadaan bias maju dan bias mundur.
2. Menggambar grafik I-V dari diode pada keadaan bias maju dan bias
mundur.
3. Membandingkan hasil karakterisasi diode tanpa CRO dan menggunakan
CRO.
B. DASAR TEORI

Dioda adalah salah satu alat elektronika yang terbentuk dari dua buah jenis
semikonduktor yaitu jenis n dan jenis p yang terhubung. Daerah terhubungnya atau
bertemunya sambungan p dan sambungan n disebut junction.

Dalam diode terdapat lapisan yang disebut lapisan pengosongan (Depletion

Layer). Lapisan tersebut terjadi karena adanya gaya saling tolak menolak sehingga
menyebabkan electron pada daerah n akan berdifusi atau menyebar ke segala arah.
Ada beberapa yang akan berdifusi melalui junction. Jika sebuah elektron bebas
meninggalkan daerah n , maka akan terbentuk sebuah atom bermuatan positif (ion
positif) di dalam daerah n. Sebaliknya, jika ia memasuki daerah p, maka electron
tersebut akan menjadi pembawa minoritas. Dengan demikian akan banyak hole di
sekitarnya, prmbawa minoritas ini mempunyai waktu hidup yang sangat singkat.
Oleh karena itu, segera setelah memasuki daerah p, electron bebas akan jatuh ke
dalam hole. Bila ini terjadi, hole akan menghilang dan atom yang bersangkutan akan
bermuatan negative (ion negative). Jika jumlah ion bertambah banyak, maka daerah di
sekitar junction dikosongkan dari electron bebas dan hole. Daerah inilah yang disebut
sebagai lapisan pengosongan (depletion layer).

Pada suatu saat lapisan pengosongan ini akan berlaku sebagai penghalang
(barier) bagi elektron bebas untuk berdifusi lebih lanjut melewati junction. Akan
tetapi jika electron bebas mempunyai kekuatan yang sangat besar sehingga dapat
menembus lapisan pengosongan dan membentuk ion negative di daerah p. Kekuatan
dari lapisan pengosongan juga akan bertambah besar seiring dengan banyaknya
electron yang dapat menembus. Hingga pada akhirnya mengalami suatu
keseimbangan dimana lapisan pengosongan akan menghentikan difusi dari pada
electron bebas. Hal ini akan menimbulkan beda potensial pada lapisan pengosongan
yang disebut potential barier. Pada suhu 25 derajat Celcius, potensial barier ini adalah
0,7 V. Jadi pada saat keseimbangan telah dicapai potential barier ini akan
mempertahankan kedudukannya pada ngka 0,7 V.
 Ketika diode di aliri dengan sebuah tegangan dc diode dapat mengalami bias
maju ataupun bias mundur. Bias maju (forward bias) terjadi ketika tegangan dc kutub
positif dihubungkan pada sisi positif (daerah p) pada diode sedangkan kutub negative
dihubungkan pada sisi negative (daerah n) pada diode. Pada keadaan forward bias ini
akan ada arus yang mengalir pada rangkaian. Dimana arus tersebut akan muncul
ketika tegangan sumber yang dimasukkan mencapai 0,7V, dan tegangan dioda akan
bernilai maksimum 0,7 walaupun tegangan masukanya mencapai 20 V. Hal ini
dikarenkan adanya potential barier. Bias mundur (reverse bias) terjadi ketika tegangan
dc kutub negatif dihubungkan pada sisi positif (daerah p) pada diode sedangkan kutub
positif dihubungkan pada sisi negative (daerah n) pada diode.

C. METODE
1. Alat dan Bahan Dioda
Resistor
Multimeter

Power Supply
Kabel Power
Kabel Ground
Kabel Probe
Project Board
CRO
(osiloscope)
2. Skema Alat
Karakterisasi Dioda tanpa CRO
a. Bias Maju (A1)
b. Bias Mundur (B1)

Karakterisasi dioda dengan menggunakan CRO

a. Bias Maju (A2)
 b. Bias Mundur (B2)

3. Langkah Kerja
a. Karakterisasi dioda tanpa CRO
Bias Maju
Menyiapkan alat dan bahan yang telah dipersiapkan kecuali CRO
Merangkai diode dan resistor dengan rangkaian seperti pada gambar
skema alat diatas. (Gambar A1).
Menyalakan power supply.
Mengatur tegangan sumber pada power supply.

Mengukur tegangan pada diode dengan menggunakan multimeter.

Mengubah rangkaian menjadi rangkaian seri untuk menghitung arus
yang muncul.
Mengulangi praktikum tersebut dengan variasi sumber tegangan yaitu,
0.1V, 0.2V, 0.3V, 0.4V, 0.5V, 0.6V, 0.7V, 0.8V, 0.9V, 1.0V, 1.1V,
1.2V, 1.5V, 2.0V, 5.0V, 10.0V, 15.0V, 20.0V.
Mengulangi semua langkah diatas dengan doioda yang berbeda.
Bias Mundur

Menyiapkan alat dan bahan yang telah dipersiapkan kecuali CRO

Merangkai diode dan resistor dengan rangkaian seperti pada gambar
skema alat diatas. (Gambar B1).
Menyalakan power supply.
Mengatur tegangan sumber pada power supply.
Mengukur tegangan pada diode dengan menggunakan multimeter.
 Mengubah rangkaian menjadi rangkaian seri untuk menghitung arus
yang muncul dengan menggunakan multimeter.
Mengulangi praktikum tersebut dengan variasi sumber tegangan yaitu,
0V, 2V, 4V, 6V, 8V, 10V, 15V, 20V.
Mengulangi semua langkah diatas dengan doioda yang berbeda.

b. Karakterisasi diode dengan menggunakan CRO.

Bias Maju
Menyiapkan alat dan bahan yang telah dipersiapkan.
Menyalakan CRO dan melakukan kalibrasi CRO.
Merangkai diode dan resistor dengan rangkaian seperti pada gambar
skema alat diatas. (Gambar A2).
Menyalakan power supply.
Mengatur tegangan sumber pada power supply.
Mengukur tegangan pada diode dengan menggunakan multimeter.
Mengukur tegangan pada resistor dengan melihat garis yang dihasilkan
oleh CRO.
Menghitung arus yang mengalir pada diode dengan menggunakan
rumus V= I.R dengan memasukkan tegangan resistor yang terukur
dengan resistor sebesar 1000 Ω.
Mengulangi praktikum tersebut dengan variasi sumber tegangan yaitu,
0.1V, 0.2V, 0.3V, 0.4V, 0.5V, 0.6V, 0.7V, 0.8V, 0.9V, 1.0V, 1.1V,
1.5V, 3.0V, 5.0V, 10.0V, 15.0V, 20.0V.
Mengulangi semua langkah diatas dengan doioda yang berbeda.
Bias Mundur
Menyiapkan alat dan bahan yang telah dipersiapkan.
Menyalakan CRO dan melakukan kalibrasi CRO
Merangkai diode dan resistor dengan rangkaian seperti pada gambar
skema alat diatas. (Gambar B2).
Menyalakan power supply.
Mengatur tegangan sumber pada power supply.
Mengukur tegangan pada diode dengan menggunakan multimeter.
Mengukur tegangan pada resistor dengan melihat garis yang dihasilkan
oleh CRO.
 Menghitung arus yang mengalir pada diode dengan menggunakan
rumus V= I.R dengan memasukkan tegangan resistor yang terukur
dengan resistor sebesar 1000 Ω.

Mengulangi praktikum tersebut dengan variasi sumber tegangan yaitu,

5V, 10V, 15V, 20V.

Mengulangi semua langkah diatas dengan doioda yang berbeda.

D. TABULASI DATA
1. Karakterisasi diode tanpa menggunakan CRO
a. Dioda 1
➢ Bias Maju
Data karakterisasi diode pertama bias maju adalah sebagai berikut.

No V Sumber V dioda I dioda

1 0
2 0.1
3 0.2
4 0.3
5 0.4
6 0.5
7 0.6
8 0.7
9 0.8
10 0.9
11 1
12 1.1
13 1.2
14 1.5
15 2
16 5
17 10
18 15
19 20
 Dari data diatas dihasilkan grafik I terhadap V seperti berikut ini.

➢ Bias Mundur
Data karakterisasi diode pertama bias mundur tanpa CRO adalah
sebagai berikut.
No V Sumber V dioda I dioda
1 0
2 2
3 4
4 6
5 8
6 10
7 15
8 20

Dari data diatas dihasilkan grafik I terhadap V seperti berikut ini.

<gambar>

b. Dioda 2
➢ Bias Maju
Data karakterisasi diode kedua bias maju adalah sebagai berikut.

No Vs Vd I
1 0.1
2 0.2
3 0.3
4 0.4
5 0.5
6 0.6
7 0.7
8 0.8
9 0.9
10 1
11 1.1
12 1.2
13 1.5
14 2
15 5
16 10
17 15

18 20
D
ar
i
da
ta
di
at
as
di
ha
sil
ka
n
gr
af
ik
I
te
rh
ad
ap
V
se
pe
rti
be
ri
ku
t
in
i
 <
ga
m
ba
r>

➢ Bias
Mundu
r
Data karakterisasi
diode kedua bias
mundur adalah
sebagai berikut.
No Vs Vd I
1 2
2 4
3 6
4 8
5 10
6 15
7 20

D
ar
i
da
ta
di
at
as
di
ha
sil
ka
 n
gr
af
ik
I
te
rh
ad
ap
V
se
pe
rti
be
ri
ku
t
in
i
<
ga
m
ba
r>

2. Karakterisasi
diode dengan
menggunakan
CRO.
a. Dioda 1
➢ Bias
Maju
Data karakterisasi
diode pertama
bias maju adalah
sebagai berikut.
No Vs Vd V Resistor I
1 0.1
2 0.2
3 0.3
4 0.4
5 0.5
6 0.6
7 0.7
8 0.8
9 0.9
 10 1
11 1.1
12 1.5
13 3
14 5
15 10
16 15
17 20

Dari data diatas dihasilkan grafik I terhadap V seperti berikut ini.

➢ Bias Mundur
Data karakterisasi diode pertama bias mundur adalah sebagai berikut.
No Vs Vd Vresistor I
1 5
2 10
3 15
4 20

Dari data diatas dihasilkan grafik I terhadap V seperti berikut ini.

b. Dioda 2
➢ Bias Maju
Data karakterisasi diode pertama bias maju adalah sebagai berikut.

NO Vs Vd Vresistor I
1 0.1
2 0.2
3 0.3
4 0.4
5 0.5
6 0.6
7 0.7
8 0.8
9 0.9