GRAFIK V/I PADA DIODA

“Pengaruh tegangan forward bias terhadap arus listrik yang melewati dioda sambungan p-n”

(The influence of forward biased voltage to the electric current in p-n junction diode)

Farhan Radjak1, Maryam Hasan2, Mayira Ali3, Nurjanah Yusuf4, Suci Dwi Saputri
Mokodompit5, Wisno Pakaya6, Wahab Amu7.

Department of Physics, Math and Natural Science Faculty, Gorontalo State University.

Jl. Jendral Sudirman, No.6 Kota Gorontalo, kode pos 96128.

ABSTRACT

Diode is a device which formed by 2 kind of semiconductor which connected in

crystal pounding process. A simple kind of diode in circuit is p-n junction diode. When a
diode circuit connected to the power supply, and had given a forward biased voltage, so the
diode will showing it’s characteristic trough the V/I graph. The graph of measurement result
showing that the electric current will appear when the Diode voltage VD = Vpotong = 0,6 Volt.
When VD > Vpotong, the current increased slowly at first, and rapidly as long as the VD
increasing.

Keyword : p-n junction diode, Vpotong, Rising current.

ABSTRAK

Dioda merupakan sebuah perangkat yang tersusun dari 2 jenis semi konduktor yang
dihubungkan melalui penumbuhan kristal. Salah satu jenis dioda yang biasa digunakan dalam
rangkaian adalah dioda sambungan p-n. Ketika suatu rangkaian terdapat dioda sambungan p-n
dihubungkan pada sebuah catudaya dan diberi tegangan forward bias, maka dioda akan
memperlihatkan karakteristik melalui grafik V/I. Grafik hasil pengukuran menunjukan bahwa
arus listrik dalam dioda muncul ketika tegangan dioda VD = V potong = 0,6 Volt. Ketika VD >
Vpotong, arus mengalami kenaikan yang perlahan pada awalnya, dan mengalami lonjakan
seiring bertambahnya VD.

Kata kunci : Dioda sambungan p-n, Vpotong, lonjakan arus.

 PENDAHULUAN

Dioda meupakan suatu komponen elektronik yang dapat melewatkan arus pada satu
arah saja. Ada berbagai macam dioda, yaitu dioda tabung, dioda sambungan p-n, dioda kontak
titik (point-contact diode) dan sebagainya. Bentuk dioda yang lazim digunakan itu sendiri dari
semi konduktor jenis p yang dibuat bersambung dengan semikonduktor jenis n.
Penyambungan ini dilakukan waktu penumbuhan kistal (Sutrisno, 1986:81).

Dioda sambungan p-n merupakan komponen yang sangat penting baik dalam aplikasi-
aplikasi elektronik modern dan dalam pemahaman tentang perangkat semikonduktor lainnya
(Sze Simon et al.2011). Ketika sebuah rangkaian yang didalamnya tedapat dioda sambungan
p-n dihubungkan dengan sumber tegangan, arus dibuat mengalir menuju bagian anoda
kemudian mengalir ke bagian katoda suatu dioda sambungan p-n (A. J. Harris et al. 2008).
Rangkaian ini disebut sebagai rangkaian dengan tegangan forward bias/panjar maju (Owen
Bishop, 2011 : 5).

Pada tegangan forward bias/panjar maju, arus akan mengalir melalui dioda sambungan
p-n pada nilai tegangan tertentu. Jika dioda diberi tegangan maju, dimana vD > 0, arus iD
mula-mula mempunyai nilai iD ≅ 0, sehingga vD = Vpotong, setelah mana arus dioda naik
dengan cepatnya terhadap perubahan tegangan dioda vD. Untuk dioda silicon Vpotong ≅ 0,6 V
sedangkan untuk dioda germanium Vpotong ≅ 0,3 V (Sutrisno.1986:85).

Dari gambaran umum tentang dioda sambungan p-n diatas, terlihat bahwa dioda
sambungan p-n memiliki karakteristik, khususnya pada hubungan antara arus dioda dan beda
tegangan antara kedua ujung dioda (J.J. Wortman. 2004). Dimana Sutrisno (1986)
menyatakan ketika dioda diberi tegangan panjar maju (vD > 0), nilai arus pada dioda mula-
mula iD ≅ 0, akan tetapi saat nilai vD = 0,6, nilai arus iD akan mengalami kenaikan secara
perlahan pada awalnya dan mengalami lonjakan arus seiring bertambahnya vD (Owen
Bishop.2011).

Tujuan dilaksanakannya praktikum ini yaitu untuk membuktikan bahwa karakteristik

dioda sambungan p-n sesuai dengan teori karakteristik dioda yang telah dinyatakan oleh para
ahli. Karakteristik dioda hasil praktikum ini akan dilampirkan dalam grafik V/I pada hasil
pengamatan praktikum.
 METODE

Lokasi

Praktikum ini dilaksanakan di Laboratorium Fisika, FMIPA, Universitas Negeri

Gorontalo. Lokasi tersebut dipilih karena jumlah ketersediaan alat yang memadai, dan
tempatnya yang telah memenuhi kriteria dilakukannya praktikum. Praktikum dilakukan pada
hari senin 13 november 2014 pada pukul 17:00 WITA hingga selesai.

Bahan dan Alat

Bahan yang digunakan dalam praktikum ini berupa perangkat-perangkat pendukung

dalam rangkaian seperti : 1 buah Dioda tipe sambungan p-n (IN 5392); 1 buah fixed Resistor
dengan nilai resistansi sebesar 1,5 kΩ; 1 keping PCB sebagai papan untuk meletakan
rangkaian; dan kabel penghubung untuk menghubungkan tiap perangkat-perangkat dalam
rangkaian.

Alat yang digunakan dalam praktikum ini berupa alat-alat ukur pendukung berupa
Voltmeter DC skala maksimum 30 V dan Amperemeter DC dengan skala maksimum 5 A.
Selain itu digunakan juga sebuah Catu Daya / Power Supply sebagai sumber tegangan dari
rangkaian yang akan di-praktikum-kan.

Rancangan Penelitian

Berdasarkan tujuan praktikum, hal yang pertama kali dilakukan berupa menyusun
perangkat-perangkat alat dan bahan menjadi sebuah rangkaian sesuai dengan gambar 1.

a
k

Gambar 1. Rangkaian resistor dan dioda

Rangkaian tersebut diberi tegangan forward bias yang bervariasi mulai dari 0,2 V; 0,4
V; 0,6 V hingga 2 V. Sehingga hasil pengukuran tegangan pada voltmeter dan kuat arus pada
amperemeter menghasilkan nilai yang bervariasi sesuai dengan besar tegangan pada power
supply/catu daya.

Sesuai dengan tujuan praktikum, hal utama yang dilakukan yaitu mengukur tegangan
dan kuat arus pada dioda sambungan p-n dalam rangkaian. Pengukuran nilai kuat arus yang
melewati dioda dilakukan sebanyak 5 kali. Nilai rata-rata lima kali pengukuran kuat arus
diambil sebagai nilai akhir kuat arus yang kemudian dihubungkan dengan tegangan dalam
grafik V/I pada hasil pengamatan.

HASIL

Dari praktikum yang dilakukan, terlihat bahwa rangkaian tersusun atas sebuah resistor
dan sebuah dioda yang tersusun secara parallel. Pada salah satu cabang rangkaian, terdapat
sebuah dioda IN 5392 yang ujung-ujungnya dihubungkan pada sebuah voltmeter DC yang
diatur pada skala maksimum 3 Volt, dan ujung katoda dari dioda dihubungkan pada sebuah
amperemeter DC yang diatur pada skala maksimum 5 Ampere. Sehingga didapat hasil
pengukuran tegangan dan kuat arus pada dioda yang ditunjukan pada tabel berikut.

Tegangan Kuat Arus Dioda/ID (A)

Power supply
No. Dioda / VD
output (V) I1 I2 I3 I4 I5 Irata-rata
(V)
1 0,2 0,2 0 0 0 0 0 0
2 0,4 0,4 0 0 0 0 0 0
3 0,6 0,6 0 0 0 0 0 0
4 0,8 0,8 0,1 0,2 0,2 0,4 0,3 0,24
5 1,0 1,0 0,6 0,6 0,5 1 0,8 0,7
6 1,2 1,2 1,3 1 1,1 1,3 1,1 1,16
7 1,4 1,4 2 1,8 1,5 2 1,7 1,8
8 1,6 1,6 2,7 2,4 2,3 2,5 2,1 2,4
9 1,8 1,8 3,3 3,3 3,1 3 3,3 3,2
10 2,0 2,0 3,6 3,7 3,6 3,6 3,5 3,6

Tabel 1. Hasil pengukuran tegangan dan kuat arus dioda

 Hasil pengukuran menunjukan bahwa nilai tegangan output catu daya = VD, hal ini
dikarenakan nilai tegangan pada percabangan rangkaian resistor dan dioda yang tersusun
secara parallel tersebut adalah sama dengan nilai tegangan total rangkaian tersebut (Douglas,
C. Giancoli. 2005:523). Sehingga dapat dibuat grafik hubungan antara tegangan dan kuat arus
(rata-rata) yang melalui suatu dioda sambungan p-n, pada gambar 2.

Grafik tersebut menunjukan bahwa hubungan antara tegangan dan kuat arus pada
dioda sambungan p-n terlihat pada kurva I(V). Dari tabel hasil pengamatan, kuat arus pada
dioda (ID) muncul saat tegangan dioda (VD) bernilai 0,8 V. Ketika dilakukan analisis grafik,
kurva menunjukan bahwa nilai kuat arus ID muncul ketika VD (Dalam hal ini kita sebut
Vpotong) bernilai mendekati 0,6 V (Vpotong ≅ 0,6 V). Hal tersebut sesuai dengan teori yag
mengatakan bahwa arus akan muncul ketika Vpotong = 0,6 V pada dioda Silicon (Sutrisno,
1986:85). Ketika VD > Vpotong , arus yang melalui dioda (ID) mengalami kenaikan yang
perlahan pada awalnya, dan mengalami lonjakan/kenaikan yang drastis seiring bertambahnya
tegangan pada dioda (VD).

4
y = -0,764x3 + 3,662x2 - 2,655x + 0,44
3.5 R² = 0,997

3
Kuat arus listrik (A)

2.5

1.5

0.5

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
Tegangan (V)

Gambar 2. Grafik V/I Dioda hasil praktikum.

 PEMBAHASAN

Arus total yang mengalir dalam tegangan forward bias dapat dirumuskan :

𝑞𝑉
𝐼 = −𝐼𝑆 (𝑒 𝑘𝑇 − 1)

Persamaan ini menyatakan bahwa arus I pada sambungan p-n ditentukan oleh
tegangan sambungan V dan suhu sambungan T . Sedangkan IS adalah arus mundur jenuh
(reverse saturation current) yaitu arus saat sambungan diberi reverse bias. Komponen
elektronika yang dibangun berdasarkan sambungan p-n yang paling sederhana adalah dioda
sambungan p-n. Berdasarkan persamaan diatas, diperoleh grafik untuk V > 0 (Forward
bias/panjar maju) yang ditunjukan pada gambar 3.

Pada tegangan forward bias / panjar maju, lengkungan ciri sebenarnya lebih condong
daripada lengkungan teori, sebab hambatan oleh kebocoran arus melalui perduktor dalam
dioda, yang dapat dibayangkan sebagai suatu hambatan Rs yang nilainya kira-kira 10 Ω.
(Sutrisno. 1986 : 87).

Gambar 3. Grafik lengkung karakteristik dioda pada tegangan forward bias /

panjar maju (Sutrisno. 1986 : 87)
 Sebuah eksperimen yang dilakukan oleh (Suwondo, Nanang.2011) dalam jurnal
“Rancangan instrumen Penentu Muatan Elektron dari Karakteristik Dioda p-n Berbasis PC
Sebagai AIat Bantu Pembelajaran Fisika Kompetensi Analisis Grafik Real Time”,
Karakterisasi dan hasil pengukuran tampak seperti pada gambar 4.

Gambar 4. Rangkaian dan grafik hasil pengamatan (Suwondo, Nanang. 2011)

Rangkaian pada gambar 4 merupakan rangkaian dioda dan resistor yang disusun
secara seri. Walaupun rangkaian dioda dan resistor pada praktikum disusun secara parallel,
tetapi hal utama yang perlu diperhatikan dari hasil penelitian yang dilakukan oleh Suwondo,
Nanang(2011) yaitu bentuk kurva hasil pengukuran tegangan dan kuat arus listrik yang
melewati dioda. Ketika rangkaian tersebut diberi tegangan forward bias, didapat hasil
pengukuran tegangan dan arus listrik dioda dalam grafik pada gambar 4 diatas. Dengan
melihat grafik tersebut, terbukti bahwa bentuk kurva dari grafik tersebut hampir sama dengan
grafik V/I pada hasil praktikum. Ini membuktikan bahwa ketika suatu dioda dihubungkan
pada suatu sumber tegangan, arus lisrik pada dioda (ID) akan muncul apabila VD = Vpotong.
Ketika VD > Vpotong, arus mengalami kenaikan yang perlahan pada awalnya, dan mengalami
lonjakan yang drastis seiring bertambahnya VD.

SIMPULAN

Karakteristik Dioda sambungan p-n ketika diberi tegangan panjar maju terlihat pada
hubungan tegangan dan kuat arus yang melewati dioda tersebut. Hubungan keduanya dapat
dilihat pada kurva grafik V/I hasil praktikum, yang menunjukan bahwa arus muncul ketika VD
= Vpotong = 0,6 V. Ketika VD > Vpotong, arus akan mengalami kenaikan perlahan pada awalnya,
dan mengalami lonjakan seiring bertambahnya VD. Hal ini sesuai dengan teori yang
dinyatakan oleh para ahli.
 SARAN

Dalam praktikum ini terdapat berbagai macam hambatan dan kekurangan. Hal itu
berupa kesalahan pada alat ukur dan juga kesalahan pada praktikan yang kurang cermat dan
teliti dalam merangkai dan mengamati intrumen yang digunakan. Oleh karena itu, tindak
lanjut bagi pembaca sangat diperlukan untuk lebih mengembangkan dan menyempurnakan
praktikum ini.

DAFTAR PUSTAKA
A.J. Harris, R.S. Walker, R. Sneddon.2008.Current-Voltage characteristic of amorphous
silicon P-N junctions. J. Appl.Phys.51,4287 : The American Institute Of Physics.
[Internet] (http://dx.doi.org/10.1063/1.328246) diakses pada 15 november 2014.
Benny Mutiara, Achmad.2001.Kuliah Fisika Devais Semikonduktor. Jakata Universitas
Gunadarma.

Bishop, Owen.2011. Electronics Circuits and Systems. 4th Edition. London : Elsevier Ltd.

Grove, A.S.1967. Physics and Technology of Semiconductor Devices.Singapore : Wiley.

J.J. Wortman, J.R. Hauser, R.M. Burger.2004.Erratum: Effect of Mechanical Stress on p-n
Junction Device Characteristics. J. Appl. Phys. 36, 673 : American Institute Of
Physics. [Internet] (http://dx.doi.org/10.1063/1.1714068) diakses pada 15 November
2015.
Rio, S.R, Iida, M.1980.Fisika dan Teknologi Semikonduktor. Jakarta : Pradnya Paramita.
Simon M. Sze, Kwok K. Ng. 2006. Physics Of Semiconductor Device. New York : John
Wiley & Sons. 3th (Vol.1) Page : 79. [Internet]
(http://books.google.fr/books?id=o4unkmHBHb8C&printsec=frontcover&hl=fr&sour
ce=gbs_ge_summary_r&cad=0#v=onepage&q&f=false) diakses pada 15 November
2014.
Sutrisno.1986.Elektronika : Teori dan penerapannya. Jilid 1. Bandung : ITB.
Suwondo, Nanang. 2011. Rancangan instrumen Penentu Muatan Elektron dari Karakteristik
Dioda p-n Berbasis PC Sebagai AIat Bantu Pembelajaran Fisika Kompetensi Analisis
Grafik Real Time.Yogyakarta : Universitas Ahmad Dahlan.
Sze, S.M.1985.Semiconductor Devices, Physics and Technology. Singapore : Wiley.